MOSFET-Schaltzeiten in einer H-Brücke bei 100 Khz

markus Gast #4806160 
Guten Abend,

ich habe eine Frage zu den Schaltzeiten in einer H-Brücke,
der betroffene Inverter (Schweißgerät) läuft mit 100 kHz,
die Original-MOSFETs (MTY30N50E) liegen in t(on) und t(off) bei 32/160 
ns.

Kann ich die MOSFETs gegen IGBTs (GT60M301) mit t(on)/t(off) = 0,25/0,5 
µs
ersetzen oder wären sie schon zu langsam ?

Meine Frage bezieht sich ausschließlich auf die Bewertung der 
Schaltzeiten,
leider finde ich im Netz keine konkreten Infos zu diesem Thema.

Vielen Dank im Voraus für die Antworten.


P.S. Zusatzinfo:

Die Ansteuerung eines Transistorpaars erfolgt jeweils von einem UC3708
und einem Impulsübertrager, auf dem Oszillogramm erkenne ich
keine definierte Totzeit, die Transistoren werden also von
"high side" auf "low side" praktisch "sofort" geschaltet.
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THOR Gast #4806232 
markus schrieb:
> Die Ansteuerung eines Transistorpaars erfolgt jeweils von einem UC3708
> und einem Impulsübertrager, auf dem Oszillogramm erkenne ich
> keine definierte Totzeit, die Transistoren werden also von
> "high side" auf "low side" praktisch "sofort" geschaltet.

Es wird eine geben. Man versucht die natürlich so kurz wie möglich zu 
halten, daher ist es nicht allzueinfach mit dem Oszi drauf zu triggern.

Ich hab mir heute ne Halbbrücke aufgebaut die mit etwa 70kHz läuft und 
da sehen low und high side auch aus, als würden Sie exakt simultan 
geschaltet. Aber der IR2110 hat halt son paar ns Pause dazwischen. Die 
gehen in den µs unter.
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