Kennt jemand einen vergleichbaren MOSFET (irfs4229pbf)aber mit einer größeren thermischen Kapazität.Cjc=2,3755m (Joules/°C) Daten des irfs4229pbf MOSFET, N, 250V, D2-PAK Wandlerpolarität:N Strom, Id max.:45A Spannung, Uds(V) max.:250V Widerstand, Rds an:0.042ohm Spannung, Rds-Messung:10V Spannung, Ugs(V) max.:5V Leistungsverlust:330W Transistor Case Style:D2-PAK Pin, Zahl der:3 Anschlussart:SMD Funktions-Nr.:4229 Gehäusetyp:D2-PAK Spannung, Uds(V) typ.:250V Spannung, Ugs th(V) max.:5V Spannung, Ugs th(V) typ.:5V Spannung, Ugs(V), Rds bei Messung:10V Strom, Id Dauer-:45A Strom, Idm Impuls:180A
Rafal B. schrieb: > Kennt jemand einen vergleichbaren MOSFET (irfs4229pbf)aber mit einer > größeren thermischen Kapazität.Cjc=2,3755m (Joules/°C) Hmmmm.... Wofür brauchst du das? Ich vermute, dein Problem liegt woanders.
Was soll's denn werden ? Es gibt dickere Gehause, zB TO247
Ein größeres Gehäuse nützt nichts wenn der Halbleiter die gleiche Größe hat. Man hat noch ein Widerstand zwischen junction und case und die (junction)-Kapazität ist vor dem Widerstand.
Die einzige Anwendung, wo man sich Gedanken zur thermischen Masse machen muss sind transiente Vorgaenge. zB die 100A fuer 20us einzuschalten, und dann wieder eine sekunde aus.
A...aha Soooo. schrieb: > Die einzige Anwendung, wo man sich Gedanken zur thermischen Masse machen > muss sind transiente Vorgaenge. zB die 100A fuer 20us einzuschalten, und > dann wieder eine sekunde aus. So in etwa ist meine Anwendung.
IRFP250N oder so.
Gast
#1896591
Was spricht dagegen, mehrere FET parallelzuschalten?