Größere thermischen Kapazität

[Rafal B. (setback)]

Kennt jemand einen vergleichbaren MOSFET (irfs4229pbf)aber mit einer 
größeren thermischen Kapazität.Cjc=2,3755m (Joules/°C)


Daten des irfs4229pbf

MOSFET, N, 250V, D2-PAK
Wandlerpolarität:N
Strom, Id max.:45A
Spannung, Uds(V) max.:250V
Widerstand, Rds an:0.042ohm
Spannung, Rds-Messung:10V
Spannung, Ugs(V) max.:5V
Leistungsverlust:330W
Transistor Case Style:D2-PAK
Pin, Zahl der:3
Anschlussart:SMD
Funktions-Nr.:4229
Gehäusetyp:D2-PAK
Spannung, Uds(V) typ.:250V
Spannung, Ugs th(V) max.:5V
Spannung, Ugs th(V) typ.:5V
Spannung, Ugs(V), Rds bei Messung:10V
Strom, Id Dauer-:45A
Strom, Idm Impuls:180A

[Lothar M. (Firma: Titel) (lkmiller) (Moderator)]

Rafal B. schrieb:
> Kennt jemand einen vergleichbaren MOSFET (irfs4229pbf)aber mit einer
> größeren thermischen Kapazität.Cjc=2,3755m (Joules/°C)
Hmmmm.... Wofür brauchst du das?
Ich vermute, dein Problem liegt woanders.

[Purzel H. (hacky)]

Was soll's denn werden ? Es gibt dickere Gehause, zB TO247

[Rafal B. (setback)]

Ein größeres Gehäuse nützt nichts wenn der Halbleiter die gleiche Größe 
hat. Man hat noch ein Widerstand zwischen  junction und case und die 
(junction)-Kapazität ist vor dem Widerstand.

[Purzel H. (hacky)]

Die einzige Anwendung, wo man sich Gedanken zur thermischen Masse machen 
muss sind transiente Vorgaenge. zB die 100A fuer 20us einzuschalten, und 
dann wieder eine sekunde aus.

[Rafal B. (setback)]

A...aha Soooo. schrieb:
> Die einzige Anwendung, wo man sich Gedanken zur thermischen Masse machen
> muss sind transiente Vorgaenge. zB die 100A fuer 20us einzuschalten, und
> dann wieder eine sekunde aus.

So in etwa ist meine Anwendung.

[Purzel H. (hacky)]

IRFP250N oder so.

[Mine Fields (Gast)]

Was spricht dagegen, mehrere FET parallelzuschalten?