Gast
#2175440
Guten Abend, ich habe einen funktionierdes Wechselrichter fünf paar Mal bestücken lassen, und habe ggü. dem Vorgänger nur die MOSFETs geändert. Bisher habe ich mit den IRLS4030 gearbeitet (Gate Widerstände 27R). Diese Typen sind haben niedrigen Rdson bereits bei 4,5V. Diese werden gemessen nach ca. 470ns erreicht, die weitere Aufladung durch den Brückentreiber auf 13V dauert insgesamt 1,5µs. Mit den neuen MOSFETs IRF8010 erreiche ich nun in etwas die gleichen Schaltzeiten, allerdings steigt mit der Brückentreiber (Allegro A4935) bereits bei 38V Batteriespannung mit einer Fehlermeldung (undervoltage bootstrap) aus. Mit den alten MOSFETs konnte ich selbst bei 46V noch ohne Probleme fahren. Auf den ersten Blick sind die Datenblätter für mich ziemlich ähnlich. Erkennt vielleicht jemand eine Eigenschaft, die dieses Verhalten erklären könnte? Was sind denn wesentliche Unterschied zwischen den beiden MOSFETs? Wäre sehr dankbar für Hinsweise, vielleicht kann ich dann das Umlöten der MOSFETs ersparen. Dankeschön und guten Abend allen, Jedu