Hey Leute,
ich versuche gerade eine probeschaltung für ein n-kanal mosfet
aufzubauen (http://www.alphacron.de/download/hardware/BUZ73.pdf) ich
möchte den mit 19V betreiben (ja ich weiß der is völlig
überdimensioniert aber hab gerade nichts anderes da :D)
Die schaltung ist im Anhang. Ich möchte über eine Messkarte, steuerbar
mit LabVIEW, den MOSFET betreiben.
Dazu benutze ich einen analogen Ausgang der mir bis zu 5V liefern kann.
Bei niedrigen Spannungen (5 V) macht er auch was er soll. U_GS ist bei
3,4V und er schaltet er durch. Wenn die Spannung jedoch über 12V steigt,
flattert das Signal am Analogen Ausgang bis ins jenseits. Nach einiger
Zeit verabschiedet sich der MOSFET mit weißem Rauch.
Woran kann es liegen, habe ich einen extremen Denkfehler in meinem
Aufbau?
Viele Grüße
Ben
@ Ben (Gast)
>aufzubauen (http://www.alphacron.de/download/hardware/BUZ73.pdf) ich
Das ist ein Standardtyp, der bitte schön min. 10V am Gate sehen will, um
SICHER durchzusteuern.
>Bei niedrigen Spannungen (5 V) macht er auch was er soll.
Nö, das ist Zufall!
>Zeit verabschiedet sich der MOSFET mit weißem Rauch.
Logisch.
>Woran kann es liegen, habe ich einen extremen Denkfehler in meinem>Aufbau?
Du brauchst einen Logic Level MOSFET, der bei 5V am Gate SICHER
durchschaltet. IRLZ34N ist dein Freund.
https://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Erkl.C3.A4rung_der_wichtigsten_Datenblattwerte
Siehe Erklärung von Gate-Source Threshold Voltage
Ich danke euch für die Antworten!
ich verstehe nur nicht ganz warum er mind. 10 V am Gate sehen will. Im
Datenblatt steht doch das er auch bei 4V durchschaltet oder nicht
(Diagramm "Typ. output characteristics"?!
Sagenwir, er schaltet ein bisschen durch. Der Bahnwiderstand ist dann
leider so, dass in Kombination mit der Betriebsspannung unglücklich viel
Verlustleistung produziert wird.
@ Ben (Gast)
>ich verstehe nur nicht ganz warum er mind. 10 V am Gate sehen will.
Weil das so ist.
> Im>Datenblatt steht doch das er auch bei 4V durchschaltet oder nicht>(Diagramm "Typ. output characteristics"?!
Ja, typisch, es kann aber auch schlechter sein!
Ben schrieb:> ich verstehe nur nicht ganz warum er mind. 10 V am Gate sehen will. Im> Datenblatt steht doch das er auch bei 4V durchschaltet
ja da steht bei 1,0 ma id......
mehr geht bei 4v nicht.
man sollte datenblätter genau durchlesen.
https://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Erkl.C3.A4rung_der_wichtigsten_Datenblattwerte
"Gerade bei der Gate-Source Threshold Voltage V_{{GS}}(th) gibt es hier
immer wieder Verwirrung. Sie gibt an, ab welcher Spannung der MOSFET
anfängt, leitfähig zu werden. Diese Spannung ist technologisch bedingt
auch heute noch einer starken Toleranz unterworfen, typisch 1:2 zwischen
Minimum und Maximum. Im praktischen Betrieb muss man mindestens das
Doppelte anlegen, um den MOSFET voll aufzusteuern. Genauere Werte findet
man in jedem Datenblatt, meist in einer Kurve dargestellt. Als
Standardwerte kann man typisch 10-15V für einen Standardtypen und ca.
3-5V für einen Logic Level Mosfet ansetzen. Deshalb braucht man bei 5V
Ansteuerung einen Typen, der sicher bei typ. 4,5V voll durchgesteuert
ist, z.B. IRLZ34N. Bei 3,3V ist er bereits nicht mehr zuverlässig
nutzbar. Es gibt auch Typen mit noch geringerer Spannung für
Vollaussteuerung. Wer einen BUZ11 (MAX V_{{GS}}(th) 4V) mit 5V ansteuert
riskiert ein Abfackeln des MOSFETs, denn je nach Toleranz kann er bereit
ganz gut aufgesteuert sein oder auch nicht. "
Wenn ich einen MOSFET im Schaltbetrieb verwende achte ich immer drauf,
dass der Rds(on) bei Spannungen kleiner gleich der verwendeten
Gatespannung spezifizirt ist.
Wenn der FET voll durchsteuern würde würden 19V (in der Zeichnung soll
das 19V heißen? Ich rechne hier mal damit) am 100 Ohm Widerstand
anliegen und es würde ein Strom von 190 mA fließen. Wenn ich jetzt mal
annehme, dass der FET nicht voll aufsteuert und 9.5V (19V/2,
Leistung-Maximum) würden über dem FET abfallen dann würde 9.5 V am
Widerstand hängen bleiben und wir hätten 95 mA Strom am fließen. Der FET
müsste dann rund 900 mW verheizen was er auch noch ohne KK locker
schaffen sollte (TO220-Gehäuse, 62K/W macht, sagen wir mal, 62 K über
Raumtemperatur in der Sperrschicht. Bei 30°C also 92°C, das ist noch
weit weg von der zulässigen maximalen Sperrschichttemperatur). Das ist
IMO aber kein Grund warum der FET nach kurzer Zeit in Rauch aufgehen
sollte, daher vermute ich einen fehlerhaften Aufbau oder die Zeichnung
ist falsch.
Die Sache mit dem LogicLevel-Fet sollte man dennoch berücksichtigen bei
nur 3.4V Steuerspannung.
Ben schrieb:> Dazu benutze ich einen analogen Ausgang der mir bis zu 5V liefern kann.> Bei niedrigen Spannungen (5 V) macht er auch was er soll. U_GS ist bei> 3,4V und er schaltet er durch. Wenn die Spannung jedoch über 12V steigt,> flattert das Signal am Analogen Ausgang bis ins jenseits. Nach einiger> Zeit verabschiedet sich der MOSFET mit weißem Rauch.
Willst du nun analog oder digital verstärken?
Und dein "flattern" am Ausgang, kann da evtl. deine Stromversorgung in
die Knie gehen? Folgedessen alles in Schwingung geraten.
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