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Übersicht von Gehäusekapazitäten
Gast
#1707858
Hallo, kennt jmd eine Übersicht von Gehäusekapazitäten? Ich such im f Bereich von 10..30MHz, sowie die Größen um SOT23. Habe leider nichts brauchbares gefunden. Was denkt ihr, liegt der Bereich bei einigen pF? Also 3-5pF? danke Wie sollte man das ohne Angabe des Innenlebens pauschalisieren können?
Gast
#1707900
Ok, ich meine zwei Gehäuse der BB201 Varicap-Diode, sowie zwei Gehäuse der BAR43S. Beides sind SOT23 Gehäuse. Wieso liegt es am Innenleben, welche Werte die Gehäuse haben? mfg
Gast
#1707905
Hi
>Wieso liegt es am Innenleben, welche Werte die Gehäuse haben?
Und du meinst, die sind bei allen Herstellern identisch?
MfG Spess
Gast
#1707911
Ob sie identsich sind, glaube ich auch nicht. Aber ich würde gerne den Bereich wissen. Würde ein Gehäuse 3--5pF an Kapazität haben, würde ich gute theoretische Ergebnisse haben. Daher gilt meine gestellte Theorie in meiner DA nur dann, wenn ich diese Gehäusekapazität mit hineinrechne. mfg
Gast
#1707957
Wie wäre es einfach mal mit messen? An der Uni sollte es ja entsprechende Messgeräte geben. GehäuseC schrieb: > Wieso liegt es am Innenleben, welche Werte die Gehäuse haben? Weil die Kapazität eines Kondensators aus der Formgebung der Platten hergeleitet wird? Folgerichtig kann man die parasitären Kapazitäten auch aus der Form der Innereien herleiten. GehäuseC schrieb: > Hallo, > > kennt jmd eine Übersicht von Gehäusekapazitäten? Ich such im f Bereich > von 10..30MHz, sowie die Größen um SOT23. > Habe leider nichts brauchbares gefunden. Was denkt ihr, liegt der > Bereich bei einigen pF? Also 3-5pF? Bereich Zehntel Nano, aus dem Bauch raus :-p Iwan
Gast
#1707982
GehäuseC schrieb: > Würde ein Gehäuse 3--5pF an Kapazität haben, würde ich > gute theoretische Ergebnisse haben. Soviel hat ein Pin eines DIL-Gehäuses; allerdings: einschließlich der Eingangsschutzdioden des Chips (2-4pF für die Dioden geschätzt). Ein leeres SOT-23-Gehäuse sollte weniger haben. Gruß Anja
Gast
#1707991
Noch was: Wahrscheinlich haben die Pads (zur Massefläche) und die Lötzinnkugeln mehr Kapazität als das Gehäuse selbst. Gruß Anja
Gast
#1708188
***************************************************************
* SIEMENS Small Signal Semiconductors
* RF-PACKAGE EQUIVALENT CIRCUIT (COMPACT SOFTWARE SYNTAX)
* VALID UP TO 6 GHZ
* >>> SOT23 <<< (RF-BJT-PACKAGE)
* Extracted on behalf of SIEMENS Small Signal Semiconductors by
* Institut fuer Mobil- und Satellitenfunktechnik (IMST)
* (C) 1996 SIEMENS AG
* Version 1.0 September 1996
***************************************************************
*
* CCB
* (10) | | (20)
* +------------| |------------+
* | | | |
* LBO | LBI LCI | LCO
* B---LLL--+--LLL---B' CHIP C'---LLL--+--LLL---C
* (100) | (1) E' (2) | (200)
* | | |
* | | (3) |
* ----- L -----
* ----- CBE L LEI ----- CCE
* | | |
* +-------------+-------------+
* | (30)
* L
* L LEO
* |
* E (300)
*
BLK
IND 1 10 L=0.85nH ; LBI
IND 2 20 L=0nH ; LCI
IND 3 30 L=0.69nH ; LEI
CAP 10 20 C=84fF ; CCB
CAP 20 30 C=165fF ; CCE
CAP 30 10 C=73fF ; CBE
IND 10 100 L=0.51nH ; LBO
IND 20 200 L=0.49nH ; LCO
IND 30 300 L=0.61nH ; LEO
PACK: 6POR 1 2 3 100 200 300
* B' C' E' B C E
END
***************************************************************
* PACK = NAME OF PACKAGE BLOCK
* 1 = BASE OF CHIP
* 2 = COLLECTOR OF CHIP
* 3 = EMITTER OF CHIP
* 100 = BASE OF COMPLETE TRANSISTOR IN PACKAGE
* 200 = COLLECTOR OF COMPLETE TRANSISTOR IN PACKAGE
* 300 = EMITTER OF COMPLETE TRANSISTOR IN PACKAGE
* + GUMMEL-POON NONLINEAR TRANSISTOR MODEL MUST BE ADDED
* TO NODE NO. 1(B), 2(C) and 3(E)
***************************************************************
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