LTSpice: PMOS VGS(th) beeinflussen

Gast #6538487
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Der NMOS BS170 hat eine 'Gate Threshold Voltage' von 0,8 V bis 3 V (VDS 
= VGS, ID = 1mA).

Wie kann ich die VGS(th) in LTSpice XVII beeinflussen? Im Modell unten 
liegt VGS(th) bei ca. 2,1 V.

1
* Library of PHILIPS Field Effect Transistors
2
* $Revision:   1.3  $
3
* $Author:   hirasuna  $
4
* $Date:   06 Jul 2001 14:50:26  $
5

6
.SUBCKT BS170/PLP 1 2 3
7
* 1=drain  2=gate  3=source
8
Cgs  2 3 12.3E-12
9
Cgd1 2 4 27.4E-12
10
Cgd2 1 4 6E-12
11
M1 1 2 3 3 MOST1
12
M2 4 2 1 3 MOST2
13
D1 3 1 Dbody
14
.MODEL MOST1 NMOS(Level=3 Kp=20.78u W=9.7m L=2u Rs=20m Vto=2 Rd=1.186)
15
.MODEL MOST2 NMOS(VTO=-4.73 Kp=20.78u W=9.7m L=2u Rs=20m)
16
.MODEL Dbody D(Is=125f N=1.023 Rs=1.281 Ikf=18.01 Cjo=46.3p M=.3423
17
+            Vj=.4519 Bv=60 Ibv=10u Tt=161.6n)
18
.ENDS
Gast #6538495
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Willst du das Modell ändern? Dann versuch dein Glück mal bei

Werner schrieb:
> Vto=2

Oder willst du in einer Simu verschiedene Schwellspannungen 
durchvariieren? Dann könntest du z.B. eine Spannungsquelle in Serie mit 
deiner Gateansteuerung schalten und den Spannungswert durchvariieren 
(z.B. über .step param ...)
Gast #6538551
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@Achim
@hinz

Vielen Dank für euren Vorschlag.

> Vto=2 ist der Parameter an dem du drehen willst.

Werde ich dran drehen.

> Aber das Modell ist eh reichlich merkwürdig.

Das Modell liegt sehr nahe an der Wirklichkeit. Die BS170 dich ich habe 
liegen alle bei 2,1 V. Wenn du ein anderes Modell hast, dann bitte 
posten :)

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