Schaltnetzteil Grundlage

christian schrieb:
> wer mir ein vernünftiges buch empfehlen kann soll bitte sprechen :-)

Das sinnvollste Buch in deutscher Sprache wäre:

https://www.amazon.de/Schaltnetzteile-ihre-Peripherie-Dimensionierung-Einsatz/dp/3658107081/ref=dp_ob_title_bk

wobei ich das vergleichsweise teuer finde und manchmal etwas 
"eigenwillig".

Ansonsten in Englisch:

1) Fokus auf Simulation aber auch viele Details
https://www.amazon.de/Switch-Mode-Power-Supplies-Simulations-Practical/dp/0071823468/ref=sr_1_cc_1?s=aps&ie=UTF8&qid=1549521640&sr=1-1-catcorr&keywords=basso+switch+mode

2) Ich finde es gut, aber der Stil ist Geschmacksache:
https://www.amazon.de/Switching-Power-Supplies-Maniktala-2012-04-16/dp/B01FIXPZTE/ref=la_B001IO9TWW_1_4?s=books&ie=UTF8&qid=1549521708&sr=1-4

3) Vom gleichen Autor:
https://www.amazon.de/Switching-Supply-Design-Optimization-Author/dp/B00XX5C6GK/ref=la_B001IO9TWW_1_7?s=books&ie=UTF8&qid=1549521708&sr=1-7

4) Ein Klassiker (vielleicht, aber etwas altbacken):
https://www.amazon.de/Switching-Abraham-Pressman-Billings-2009-04-16/dp/B00HRD06D4/ref=sr_1_sc_2?s=books&ie=UTF8&qid=1549521852&sr=1-2-spell&keywords=pressmann+switching

5) Noch ein Klassiker:
https://www.amazon.de/Switchmode-Power-Supply-Handbook-Billings/dp/0071639713/ref=dp_ob_title_bk

6) Aus meiner Sicht das beste (aber auch eher ein theoretisches) Buch:
https://www.amazon.de/Fundamentals-Power-Electronics-Robert-Erickson/dp/147570559X/ref=sr_1_2?s=books-intl-de&ie=UTF8&qid=1549522004&sr=1-2&keywords=power+electronics

Die wichtigsten Infos findet man allerdings in den Application Notes der 
Halbleiterhersteller wie TI,Analog,OnSemi,Infineon, ST etc.

Ein paar Videos auf Deutsch (aber eher die Grundlagen):

https://youtu.be/Axz7wqHPoTQ
https://youtu.be/Qgqp9xQ_220
https://youtu.be/ve6QKq1ysKQ

Gruß DC/DC

christian schrieb:
> wer mir ein vernünftiges buch empfehlen kann soll bitte sprechen

Vielleicht hilft Dir das Buch von Recom weiter.
Ansonsten würde ich Dir auch noch empfehlen von Würth den Componenten 
Selector zu verwenden um Induktivitäten besser bestimmen zu können.

christian schrieb:
> für ein paar hinweise bin ich serh
> dankbar.

schon mal hier reingeschaut?
http://schmidt-walter-schaltnetzteile.de/smps_e/smps_e.html

Sven S. schrieb:
> Der macht den Schalttransistor zur
> Stromquelle mit entsprechender Verlustleistung.

eigentlich nicht: Der LM358 ist als Komparator beschaltet. Der 
Schalttransistor ist also entweder voll aufgesteuert oder gar nicht 
aufgesteuert. Man sieht ja auch in der Simu, dass zwischendurch immer 
mal wieder die Schaltpulse für ein paar hundert µs wegfallen (nicht 
linear runtergeregelt werden).

Leiden (oder sterben) würde der IRF730 trotzdem, weil er bei jedem 
Abschalten in den Durchbruch getrieben wird.

WOOW DANKE vielmals leute! das ist mal feedback :-) ich werde das 
aufessen.

@ achim. warum wird der IRF in den durchbruch getrieben? das megnetfeld 
bricht zusammen und der strom kann über die sekundärseite abfließen? wie 
meinst du das?

was ich mich aber jetzt schon frage ist, warum der strom so hoch durch 
die spule ist. die impedanz ist doch  2*pi*f*L = 2*pi*50k*1=314kohm. 
sollte bei 300 volt knapp 1 mA geben?!?!

christian schrieb:
> WOOW DANKE vielmals leute! das ist mal feedback :-) ich werde das
> aufessen.
>
> @ achim. warum wird der IRF in den durchbruch getrieben? das megnetfeld
> bricht zusammen und der strom kann über die sekundärseite abfließen? wie
> meinst du das?
>
> was ich mich aber jetzt schon frage ist, warum der strom so hoch durch
> die spule ist. die impedanz ist doch  2*pi*f*L = 2*pi*50k*1=314kohm.
> sollte bei 300 volt knapp 1 mA geben?!?!

okok sschon klar ich hab keine echte wechselspannung sondern im mittel 
150 V dc bei 10 mOhm spulenwiderstand. wenn das signal anbleibt steigt 
der strom weiter und weiter und weiter

Die impedanz wird bei fester Frequenz berechnet, nicht bei 
Schaltvorgaengen. Bei Schaltvorgaengen muss man die zeitabhaengige 
Funktionalitaet in integral- oder differentialform verwenden.

christian schrieb:
> @ achim. warum wird der IRF in den durchbruch getrieben? das megnetfeld
> bricht zusammen und der strom kann über die sekundärseite abfließen? wie
> meinst du das?

Du kannst ja mal in deiner Simu die Spannung am FET anzeigen lassen.

Der Strom auf der Sekundärseite könnte weiterfließen, wenn die Spannung 
auf der Sekundärseite negativer als ca. -22V würde. Das ergibt auf der 
Primärseite eine Spannung von 220V, die sich zur Netzspanung addiert. 
(In der Realität mehr aufgrund von Streuinduktivitäten). Die Primärseite 
gibt einfach früher nach als die Sekundärseite.

Wäre die Spannungsfestigkeit deines FETs bei ~1000V würde die 
gespeicherte Energie tatsächlich auf die Sekundärseite fließen. Da der 
IRF730 aber schon bei 400V aufmacht, landet die im Kern gespeicherte 
Energie auf der Primärseite und heizt den FET.