Hallo zusammen, in den Datenblättern von LDMOS Leistungstransistoren wird üblicherweise eine empfohlene Betriebsspannung und die maximale Drainspannung angegeben. Beim alten BLF188 beträgt die Reserve im Linearbetrieb rund (Udc 50 V, Upk 135 V) 25 %. Bei den neueren Typen kommt mir die Reserve aber arg groß vor, Beispiel ART2K0 mit (Udc 65 V, Upk 200 V) 35 %. Wenn man diese Reserve z. B. durch den Einsatz einer schnellen Spannungsbegrenzung für den Fehlerfall reduzieren könnte, dann würde die Ausgangsleistung im Linearbetrieb deutlich steigen. Könnt ihr euch erklären, wieso die Betriebsspannung beim ART2K0 so niedrig gewählt wurde? - Eine Standardspannung von Netzteilen ist 65 V ja nicht gerade - Der Rth von 0,077 K/W scheint mir nicht begrenzend zu sein - Im Class E Betrieb werden 53 VDC erlaubt, was IMO 160 Vp entspricht Ich würde die Versorgungsspannung auf 80 V (20 % Reserve) einstellen, wie denkt ihr darüber? Viele Grüße, 73 Bernhard, DL1BG
Hallo Bernhard, Respekt zu Deinem Vorhaben, in diese Leistungsklasse, bin ich noch nie vorgedrungen. Ich habe jetzt nicht direkt eine Antwort auf Deine Frage, habe mir aber die angehängten Datenblätter angeschaut und mich gewundert, wie man diese Leistung bei diesen Gehäusebauformen erreicht. Wohl möglich bin ich aber diesbezüglich nicht auf dem technischen Wissensstand, was jetzt so möglich ist. Ich habe mich mal mit dem BFL548 gespielt, der für 28V ausgelegt ist und nur 150W, zugegeben bei einem geringeren Wirkungsgrad, macht (UHF) und jetzt lese ich in den von Dir angehängten Datenblättern, dass die genannten LD-MOS Transistoren bei fast gleichem Gehäuse die zehnfache Leistung produzieren. Das hat mich jetzt etwas überrascht. Aber wie gesagt die Technik schreitet voran und man verliert schnell den Überblick. BLF548 (D-MOS 1992) 150W SOT262A2 U1 33.90 - 34.17 mm ART2K0Fxx (LD-MOS 2022) 2KW SOT539AN U1 41.02 - 41.28 mm SOT539BN U1 32.13 - 32.39 mm SOT1248C U1 32.12 - 32.39 mm U1: Länge vom Gehäuse laut DB. Werde hier mitlesen und mein Wissen diesbezüglich auffrischen. Viel Erfolg bei Deinem Projekt. vy73 Markus
Angehängte Dateien:
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Thermal-BLF548.jpg
(140 KB)
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Thermal-ART2K0Fx.jpg
(150 KB)
Beim nochmaligem Lesen der Datenblätter habe ich den Unterschied zu den Wärmeübergangswiderständen gefunden, die sich bei den beiden Transistoren entsprechend auch um eine Zehnerpotenz unterscheiden. Trotzdem muss die Verlust-Leistung entsprechend abgeführt werden, was kunstruktionsmäßig bestimmt nicht trivial ist. vy73 Markus
Angehängte Dateien:
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Thermal-BLF548.jpg
(140 KB)
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Thermal-ART2K0Fx.jpg
(150 KB)
Hi Markus, die FETs sind wie üblich auf eine Kupferplatte aufgelötet, die auf einem Lüfteraggregat sitzt. Damit bleibt das Gehäuse der FETs unter 40 c bei intermittierendem Betrieb. VG B
Hallo Bernhard, Wie groß ist Deine Cu-Platte in cm2? Lötest Du sie im Ofen oder verwendest Du eine Gas-Flamme? Bei welcher Frequenz setzt Du die FETs ein, KW, VHF? Ich weiß ich bin sehr neugierig - verzeih mit bitte ;-) vy73 Markus
@ Markus W. Darüber können wir gerne mal in Ruhe sprechen, aber nicht hier im Thread.
Bernhard _. schrieb: > Im Class E Betrieb werden 53 VDC erlaubt, was IMO 160 Vp entspricht Für Klasse-E wird im DB max. Ub=53V empfohlen. Die Amplitude der Ausgangsspannung wird dann bei 3,56 x 53V = 189Vs liegen, welche nicht sehr weit von Vdsmax = 208V entfernt ist. Bernhard _. schrieb: > Ich würde die Versorgungsspannung auf 80 V (20 % Reserve) einstellen, > wie denkt ihr darüber? Ub wird passend zur Ausgangsleistung, zum Ausgangsübertrager und Vdsmax gewählt. Für Pout=2kW in Klasse-AB und mit 1:9 Ausgangsübertrager wären 80V OK. Im DB wird 2kW zwar linear aber immer nur gepulst erzeugt, da sich die erzeugte Wärme sonst nicht schnell genug abtransportieren lässt. Für SSB u.ä. Betriebsarten wären daher 2 x ART2K in Gegentakt angebracht.
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