Verständnisfrage zu P Kanal Mosfet

Gast #5971462
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Hallo zusammen,

ich habe mich vorhin zum Thema P Kanal Mosfet eingelesen. Dazu habe ich 
folgendes gefunden:

https://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Nachteile_des_FET

Da steht, wenn man an Source 400V anhängt, dann muss man für die 
Steuerung des Mosfets 388V ans Gate anlegen. Woher kommen diese 12V 
Differenz her?

Mein problem ist, dass ich ein 12V Lüfter mit einem Mosfet regeln will. 
Da wollte ich einen High Side Schalter nutzen.

MfG
Gast #5971489
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Wiener Schnitzel schrieb:
> Da steht, wenn man an Source 400V anhängt, dann muss man für die
> Steuerung des Mosfets 388V ans Gate anlegen. Woher kommen diese 12V
> Differenz her?

Aus dem Datenblatt des speziellen MOSFETs.
Je nach Typ soll zwischen Gate und Source zum sicheren Einschalten eine 
Spannung zwischen 2.5V (bei LL-Typen) bis meist max. 20V vorhanden sein.
Welche Spannung mindestens ist im Datenblatt an der Stelle angegeben, wo 
der RDS_on für bestimmte Gatespannungen aufgeführt ist.
In dem Bereich zwischen dem Minimum und dem auch angegebenen Maximum von 
UGS musst du den FET betreiben. Für die meisten FETs sind 12V ein 
sicherer Wert.

Beim pMOSFET ist diese Spannung negativ. In deinem Fall hat der 
Entwickler -12V für UGS gewählt. Legt er 200V an (= 0V UGS), dann ist 
der FET gesperrt.
Moderator (Firma: Titel) Persönliche Seite #5971497
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Wiener Schnitzel schrieb:
> Mein problem ist, dass ich ein 12V Lüfter mit einem Mosfet regeln will.
> Da wollte ich einen High Side Schalter nutzen.
Wo kommen da 400V her?

Ich schlage vor, du zeichnest mal einen Schaltplan (das ist die Sprache 
der Elektronik), benennst die Bauteile und schreibst Bauteilwerte dazu. 
Dann kann man Ross und Reiter beim Namen nennen.
#5971542
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>https://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Nachteile_des_FET

>Da steht, wenn man an Source 400V anhängt, dann muss man für die
>Steuerung des Mosfets 388V ans Gate anlegen. Woher kommen diese 12V
>Differenz her?

Wie "wo kommen diese 12V Differenz her"? Die kommen eben von der 
Differenz aus 400V-388V. Und du mußt in Deiner Ansteuerschaltung dafür 
sorgen, daß diese Differenz irgendwo zw. 0V (aus) und -Ugs_max (ein) des 
Transistors (lt. DB) liegt.
Ugs_max ist oft -20V bei "normalen" P-Mosfets (+20V sind dann idR auch 
erlaubt, nur tut sich da nix - derselbe Effekt wie bei 0V).
Gast #5971690
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Wiener Schnitzel schrieb:
> Da steht, wenn man an Source 400V anhängt, dann muss man für die
> Steuerung des Mosfets 388V ans Gate anlegen. Woher kommen diese 12V
> Differenz her?
>
> Mein problem ist, dass ich ein 12V Lüfter mit einem Mosfet regeln will.
> Da wollte ich einen High Side Schalter nutzen.

Was ist jetzt dein Problem:
1) Das Funktionsprinzip eines P-Kanal MOSFET
2) Das Datenblatt deines 400V Types
3) Die Steuerung?Regelung eines 12V Lüfters
Gast #5971736
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https://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Unterschied_N-Kanal_.2F_P-Kanal_FET

Im untersten Absatz (handelnd von N-Ch) steht:

"Beispiel: Lastspannung = 400V d.h. Drain an 400V, die Last zwischen 
Source und GND, Ansteuerung des N-Kanal FETs mit 412V, also 12V ÜBER dem 
Sourcepotential. In diesem Fall ist aber eine zusätzliche 
Spannungsquelle erforderlich, denn der FET wird mit einer Spannung über 
der Lastspannung eingeschaltet."

Erforderlich ist zwar richtig, aber nirgends wird exakt ausgeführt,
wie es denn im Gegensatz dazu beim P-Ch ist - nämlich so wie folgend:


Bei einem P-Ch in HS (High Side) Schaltung könnte auch ohne eine 
Hilfsspannung die nötige V_GS gewonnen werden - jedoch (auf einfache
Weise, ohne AC bzw. Schaltwandler) nur über einen Spannungsteiler.

(Was aber bei hoher Spannung zu ziemlich hohen Verlusten führt.)

Somit ist dafür die zusätzliche Spannungsquelle zwar nicht (s. o.)
_"erforderlich"_ - aus genannten Gründen aber oftmals anzuraten.

(Zum Glück verschiedenste Möglichkeiten anstatt Spannungsteiler -
gerade deshalb finde ich das doppelt erwähnenswert, und das o. g.
"erforderlich" ist als relativ sparsame Beschreibung zu sehen...)


Mag sein, daß ich das etwas eng sehe, aber imho fehlt das eben.

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