Hallo,
kennt jemand eine Seite auf der man Mosfet's gefiltert suchen kann? Ich
bin auf der Suche nach einem n-Kanal Mosfet mit möglichst hohem RDS on.
Dieser soll bei 10A und 12-15V betrieben werden.
Sind ist eine möglichst hohe Verlustleistung zu erzeugen die dann durch
einen Kühlkörper abgeführt wird.
Bisher habe ich einen mit Rds on = 0,2 Ohm gefunden allerdings ist
dieser max. bis 10A ausgeschrieben könnte das Probleme geben? Der Mosfet
wird in der Uni als Studentenversuch betrieben, würde also nicht allzu
oft lange betrieben werden
http://www.conrad.de/ce/de/product/162865/TRANSISTOR-HEXFET-IRLZ14-TO-220/5104021&ref=list
Kennt noch jemand einen mit höherem Widerstand oder eben eine Seite mit
Filter ? Suche jetzt schon recht lange bei reichelt und conrad ohne
großen Erfolg.
Schon mal vielen Dank :)
was willst du genau damit tun?
10A bei 12V fließen lassen?
Rds on wird durch das Gate gesteuert, wenn du das Gate nur etwas
aufmachst hast du einen höheren bahnwiderstand und dann kannst du den
fet abrauchen lassen. anhand der größe der rauchwolke kannst du dann
auch den maximal strom bestimmen, der geflossen ist.
@ walkingtoaster (Gast)
>bin auf der Suche nach einem n-Kanal Mosfet mit möglichst hohem RDS on.>Dieser soll bei 10A und 12-15V betrieben werden.
So ein Käse. Wozu soll das gut sein? JEDER MOSFET kann einen BELIEBIG
hohen RDSON haben, wenn man ihn nicht voll aufsteuert, aka
Linearbetrieb.
Nur vertragen das nur bestimmte Typen.
http://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Linearbetrieb_von_MOSFETs>Sind ist eine möglichst hohe Verlustleistung zu erzeugen die dann durch>einen Kühlkörper abgeführt wird.
Nennt man elektronische Last, meist als Konstantstromquelle
ausgeführt.
>Kennt noch jemand einen mit höherem Widerstand oder eben eine Seite mit>Filter ? Suche jetzt schon recht lange bei reichelt und conrad ohne>großen Erfolg.
Logisch, wenn man nach dem Wolpertinger sucht.
MfG
Falk
Sebastian M. schrieb:> was willst du genau damit tun?> 10A bei 12V fließen lassen?>> Rds on wird durch das Gate gesteuert, wenn du das Gate nur etwas> aufmachst hast du einen höheren bahnwiderstand und dann kannst du den> fet abrauchen lassen. anhand der größe der rauchwolke kannst du dann> auch den maximal strom bestimmen, der geflossen ist
Ich möchste den Mosfet über PWM mittels NE555 ansteuern mit 12V.
Ich brauche für den Rds on einen Wert um mit diesem vorher in der
Theorie die Verlustleistung zu berechnen und dann einen entsprechenden
Kühlkörper auszuwählen, der dann in der Praxis auf den Mosfet kommt und
dann im
Versuch nachgemessen wird wie die Erwärmung am Bauteil und dam
Kühlkörper ist/war.
Da im Labor max. 10A kommen und die Schaltung so wie alles andere so
einfach wie möglich gehalten werden soll, war meine Idee einen hohen Rds
on zu haben diesen mit PWM anzusteuern und die restliche Leistung in
Leistungswiderständen zu verbraten.
walkingtoaster schrieb:> Ich brauche für den Rds on einen Wert um mit diesem vorher in der> Theorie die Verlustleistung zu berechnen und dann einen entsprechenden> Kühlkörper auszuwählen, der dann in der Praxis auf den Mosfet kommt und> dann im> Versuch nachgemessen wird wie die Erwärmung am Bauteil und dam> Kühlkörper ist/war.> Da im Labor max. 10A kommen und die Schaltung so wie alles andere so> einfach wie möglich gehalten werden soll, war meine Idee einen hohen Rds> on zu haben diesen mit PWM anzusteuern und die restliche Leistung in> Leistungswiderständen zu verbraten.
Völlig konfus. Beschreibe doch mal genau was die armen Studenten an dem
Versuch lernen sollen.
Warum müssens denn unbedingt 10A sein? Bei ca. 12V die da im
ungünstigsten Fall über den Mosfet abfallen macht das 120W
Verlustleistung. Das bekommt man nicht so schnell mit nem kleinen
Kühlkörper weg.
Außerdem: VERBRENNUNGSGEFAHR! Das Ding ist schneller heiß als man den
Finger davon wegnehmen kann.
Fang mit ein paar Ampere weniger an, dann hat der Mosfet auch noch ne
Überlebenschance.
Zur Ansteuerung: Bau ein Poti ein, welches die Gatespannung dann z.B.
auf wenige Volt begrenzt, dann ist dein RsdOn auch deutlich höher.
Dann können ein paar Spezialisten die Mosfets auch nicht so leicht
schrotten.
Es geht um das Abführen von Verlustleistung.
Dazu auf der einen Seite die Theorie mit Verlustleistungsberechnung und
Kühlkörpern auswahl, auf der anderen Seite ein Versuch bei dem vorab die
Verlustleistung am Mosfet berechnet werden soll und entsprechend ein
Kühlkörper ausgewählt wird.
Anschließend soll im Versuch der Temperaturverlauf am Mosfet und
Kühlkörper aufgenommen und mit den berechneten Werten verglichen werden.
Johannes O. schrieb:> Warum müssens denn unbedingt 10A sein? Bei ca. 12V die da im> ungünstigsten Fall über den Mosfet abfallen macht das 120W> Verlustleistung. Das bekommt man nicht so schnell mit nem kleinen> Kühlkörper weg.> Außerdem: VERBRENNUNGSGEFAHR! Das Ding ist schneller heiß als man den> Finger davon wegnehmen kann.> Fang mit ein paar Ampere weniger an, dann hat der Mosfet auch noch ne> Überlebenschance.> Zur Ansteuerung: Bau ein Poti ein, welches die Gatespannung dann z.B.> auf wenige Volt begrenzt, dann ist dein RsdOn auch deutlich höher.> Dann können ein paar Spezialisten die Mosfets auch nicht so leicht> schrotten.
Die Verlustleistung im Mosfet berechnet sich aber nicht mit P=U*I
sondern Ieffektivwert² * Rds on . um eben auf 10-20W zu kommen braucht
man bei einer vollen Aussteuerung 10A.
Also einem TO247 Gehäuse sollte man nicht mehr als 50W zumuten. Bei 60W
ist mir einer nach 40min durchgeknallt. Würde bei deinen 120W 3 Stück
nehmen.
Knut
> Es geht um das Abführen von Verlustleistung.
Steuer den Mosfet nur "halb" auf. Dann wird er hübsch warm...
Du kannst dann problemlos aus U*I die Leistung am Mosfet berechnen. Dir
muß natürlich klar sein, dass diese Werte nicht konstant sind, sondern
bei konstanter Gatespannung sich der Strom mit der Temperatur ändern
wird.
Insgesamt finde ich den Versuch (aus der Praxis gesehen) als sinnlos,
und (als ehemaliger Student gesehen) als Strafarbeit...
Sicherlich kann ich die Leistung auch mit U*I ausrechnen. Ich habe
geschrieben, dass die 12V im ungünstigsten Falle komplett über den
Mosfet(!) abfallen.
Wenn du in deinem Stromkreis 12V und 10A hast und nur nen Mosfet
reinhängst, wo glaubst du dann, geht die Leistung hin?
Oder hast du, was du bisher verschwiegen hast, noch irgendein anderes
Gerät/Last hinter dem Mosfet? Dann sieht die Sache natürlich anders aus.
Wie geschrieben: Es gibt einfachere Möglichkeiten ein höheres RdsOn zu
erzeugen als einen schlechten Mosfet zu nehmen. Dann reichen dir auch
deutlich weniger als 10A.
Du musst dir übrigens auch klar werden, dass die ganzen Werte bzgl.
Wärmewiderstand höchstens zum Abschätzen geeignet sind. Ein kleiner
Luftstrom, zu dicke/zu dünne Kupferleitungen am Mosfet, Ausrichtung des
Gehäuses+Kühlkörper bringen dir soviel Abweichung rein, dass so eine
Berechnung höchstens noch zum Abschätzen geeignet ist.
Hier mal eine Stromsenke bzw. elektronische Last mit dem LM723. R1/R2
sind ein Poti, mit dem man den Strom durch M1 einstellt. Wie man sieht
ist die Verlustleistung in M1 dazu proportional.
@ walkingtoaster (Gast)
>Ich möchste den Mosfet über PWM mittels NE555 ansteuern mit 12V.
Das möchten viele Leute. Ist auch kein Problem. Die meisten wollen aber
eher einen minimalen RDSON.
>Ich brauche für den Rds on einen Wert um mit diesem vorher in der>Theorie die Verlustleistung zu berechnen und dann einen entsprechenden>Kühlkörper auszuwählen, der dann in der Praxis auf den Mosfet kommt und>dann im>Versuch nachgemessen wird wie die Erwärmung am Bauteil und dam>Kühlkörper ist/war.
Schön, das kann man aber auch anders machen.
>Da im Labor max. 10A kommen und die Schaltung so wie alles andere so>einfach wie möglich gehalten werden soll, war meine Idee einen hohen Rds>on zu haben diesen mit PWM anzusteuern und die restliche Leistung in>Leistungswiderständen zu verbraten.
Um einem möglichst realitätsfremden Laborversuch zu entwickeln. Immer
sehr sinnvoll. 8-0
>Die Verlustleistung im Mosfet berechnet sich aber nicht mit P=U*I
Aber sicher. U_DS * I_D.
>sondern Ieffektivwert² * Rds on .
Das ist eine andere Möglichkeit der Berechnung, wobei RDSON real eher
schlecht gemessen werden kann in der Schaltung. U und I kann man leicht
messen.
> um eben auf 10-20W zu kommen braucht> man bei einer vollen Aussteuerung 10A.
Käse. Alles eine Frage der Leistungsanpassung. Nimm einen
Bipolartranistor im TO220 Gehäuse und bau eine einfache
Konstantstromquelle damit auf, die kann man auch per NE555 PWM
steuern. Damit kann man bleibige Leistungen verbraten, ohne exotische
Bauteile.
@ Knut (Gast)
>Also einem TO247 Gehäuse sollte man nicht mehr als 50W zumuten.
Ohne Kühlkörper nichtmal 5W. Mit kann man schon 50W und mehr
abführen, wenn man weiß was man tut.
> Bei 60W ist mir einer nach 40min durchgeknallt.
So wie du?
MFG
Falk
Hinter dem Mosfet soll die Restliche Leistung in Lastwiderständen
abgefangen werden.
Mir ist das durchaus bewusst mit der groben Abschätzung. Ich bin
übrigens selbst noch Student und setzte hier nur die Idee meines
Professors als Hausarbeit um.
Es geht dabei auch eher um den vergleich der Kühlmethoden, mehrere
unterschiedliche Kühlkörper evt. Lüfter und dann den vergleich zu haben.
Die Berechnung am Anfang ist dann für die Gößenordnung des Kühler da
>Es geht dabei auch eher um den vergleich der Kühlmethoden, mehrere>unterschiedliche Kühlkörper evt. Lüfter und dann den vergleich zu haben.>Die Berechnung am Anfang ist dann für die Gößenordnung des Kühler da
Dann nimm den MOSFET nur zum Schalten und nimm einen Lastwiderstand, den
man auf einen Kühlkörper aufschrauben kann, gibt es auch in TO220.
Fertig. Per PWM man man die Leistung steuern.
MfG
Falk
> Dann nimm den MOSFET nur zum Schalten und nimm einen Lastwiderstand, den> man auf einen Kühlkörper aufschrauben kann, gibt es auch in TO220.> Fertig. Per PWM man man die Leistung steuern.
Naja, das ist ja nun nicht sehr schlau. Ein dicker MOSFET kann besser
heizen als jeder Widerstand. Ein MOSFET der 100W verheizen kann, kostet
1,65. 2 50 Watt Widerstaende kosten 5,30.
walkingtoaster schrieb:> Hinter dem Mosfet soll die Restliche Leistung in Lastwiderständen> abgefangen werden.
Warum zum Geier extra Lastwiderstände und den Transistor im
Schaltbetrieb? Schalte das Teil als Lineare KSQ.
Oder bekommt die Uni Prämien vom Stromversorger wenn möglichst viel
Energie sinnlos verheizt wird?
Wie sollen die Studenten Integral über (U(t) * I(t)) ermitteln und
berechnen wenn du mit einem 555 mit Gummi-Käse Flanken einen MOSFET
ansteuerst?
Dann müsstest du eher realistische Schaltvorgänge darstellen und über
ein entsprechendes Digitalscope Strom und Spannung im Umschaltmoment und
im durchgeschalteten Moment aufzeichnen lassen, dann würden die
Studenten auch was lernen.
> ?> LG Christian
Die Leistungsdichte ist viel hoeher als bei einem Widerstand. Vergleiche
einmal die Abmessungen eines MOSFET im TO-247 Gehaeuse und eines 100W
Widerstands.
Marko B. schrieb:> Die Leistungsdichte ist viel hoeher als bei einem Widerstand. Vergleiche> einmal die Abmessungen eines MOSFET im TO-247 Gehaeuse und eines 100W> Widerstands.
Na und? 100 Watt sind 100 Watt. Egal, wo sie herkommen.
mfg.
Marko B. schrieb:> Die Leistungsdichte ist viel hoeher als bei einem Widerstand.
Es mag sein, dass mit einem Mosfet auf einem Punkt mehr Leistung erzeugt
werden kann.
Aber idR. sind Widerstände so spezifiziert, dass sie ohne zusätzlichen
Kühlkörper auskommen...
> Na und? 100 Watt sind 100 Watt. Egal, wo sie herkommen.> mfg.
Wenn Dir der 4 fache Preis und die ebenso hoeheren Abmessungen und das
Gewicht egal sind ... kommerziell waere das auf jeden Fall unklug.
Das mag ja sein. Wenn ich aber Heizen will, wie der TO dann nimmt man
besser einen Widerstand mit geringer Leistungsdichte und mehr Volumen.
Bei Mosfets besteht ja immer die Gefahr durch Hotspots, welche zum
Ausfall führen können. Bei einem Widerstand verteilt sich diese Leistung
besser. Zumal Hochlastwiderstände eine größere Fläche für den
Wärmeübergang zum Kühlkörper haben.
LG Christian
Lothar Miller schrieb:> Aber idR. sind Widerstände so spezifiziert, dass sie ohne zusätzlichen> Kühlkörper auskommen...
Hochlastwiderstände in dieser Leistungsklasse nicht. Die brauchen einen
Kuehlkoerper.
Thomas Eckmann schrieb:> Na und? 100 Watt sind 100 Watt. Egal, wo sie herkommen.
Nicht ganz, weils eher interessiert wie sie wieder wegkommen. Der MOSFET
mach bei 150°C Schluss und braucht einen dicken Kühlkörper. Einem
Drahtwiderstand kannst du 300°C zumuten, wenn weder Finger noch
Kunststoff noch Lötzinn ihm zu nahe kommen.
Das soll ein Studentenversuch werden wenn ichs richtig verstanden habe.
Da sind alle Temperaturen über 100°C (und vermutlich auch schon ein
wenig darunter) nicht wirklich geeignet.
Gibt bestimmt wieder die Spezialisten die hinfassen müssen.
Marko B. schrieb:> Lothar Miller schrieb:>> Aber idR. sind Widerstände so spezifiziert, dass sie ohne zusätzlichen>> Kühlkörper auskommen...> Hochlastwiderstände in dieser Leistungsklasse nicht. Die brauchen einen> Kuehlkoerper.
Falle gestellt, Beute gefangen, Tagwerk getan.
Was bringt mir ein Mosfet mit einer 10fachen "Leistungsdichte", wenn ich
hinterher den exakt gleichen Kühlkörper brauche (oder eher noch einen
besseren, um die punktuelle Wärme abzuführen)?
> Bei Mosfets besteht ja immer die Gefahr durch Hotspots, welche zum> Ausfall führen können.
Das ist falsch. MOSFETS haben keinen Second Breakdown wie
Bipolartransistoren. Die SOA wird durch die Bonddraehte bzw. die
Diegroesse und den daraus resultierenden thermischen Widerstand
begrenzt.
Marko B. schrieb:> Ein MOSFET der 100W verheizen kann, kostet> 1,65. 2 50 Watt Widerstaende kosten 5,30.
Der preisgünstigste 100W-"Strom/Wärme-Umsetzer" mit perfekter
Eigenkühlung, Dauerbetriebssicherheit und lötfreiem Anschluß bleibt
100W-Glühobst...
;-)
Johannes O. schrieb:> Gibt bestimmt wieder die Spezialisten die hinfassen müssen.
Eben. Die sollen dabei was lernen. Sonst kommen die nie über das Stadium
"Der 7805 kann doch 1A, warum funktioniert der bei 20V nicht?" hinaus.
Marko B. schrieb:> MOSFETS haben keinen Second Breakdown wie Bipolartransistoren.
Und was soll das hier helfen?
Wenn du im Grenzbereich bist, passiert doch das hier:
Der Rdson steigt mit steigender Temperatur an --> die Verluste über dem
Rds steigen an --> die Temperatur steigt an --> der Rds steigt --> die
Temperatur steigt --> Rds steigt --> Temperatur steigt --> puff
Lothar Miller schrieb:> Der Rdson steigt mit steigender Temperatur an --> die Verluste über dem> Rds steigen an
Bei mir sinkt bei konstanter Spannung und steigendem Rds(on) der Strom
und die Leistung sinkt.
Lothar Miller schrieb:> Was bringt mir ein Mosfet mit einer 10fachen "Leistungsdichte", wenn ich> hinterher den exakt gleichen Kühlkörper brauche
Er kostet nur 1/4, braucht weniger Platz und wiegt weniger.
> (oder eher noch einen besseren, um die punktuelle Wärme abzuführen)?
Die meisten Kuehlkoerper sind fuer Halbleiter konstruiert. Das sieht man
an der relativ dicken Grundplatte, die dazu da ist die Waerme
grossflaechig zu verteilen.
Wenn man nur ein duennes Blech verwenden wuerde saehe das anders aus.
>> MOSFETS haben keinen Second Breakdown wie Bipolartransistoren.> Und was soll das hier helfen?> Der Rdson steigt mit steigender Temperatur an --> die Verluste über dem> Rds steigen an --> die Temperatur steigt an --> der Rds steigt --> die> Temperatur steigt --> Rds steigt --> Temperatur steigt --> puff
Nein, der Operationsverstaerker im LM723 regelt den Strom durch den
Transistor.
Ich kann dir die Schaltung gerne erklaeren wenn du sie nicht verstanden
hast.
> Bei mir sinkt bei konstanter Spannung und steigendem Rds(on) der Strom> und die Leistung sinkt.
Da haettest du Recht. Allerdings ist der Rdson hier irrelevant (das hat
schon Lothar Miller nicht verstanden) da der FET im linearen Bereich
betrieben wird. Und hier zaehlt die Vgsth. Und die hat einen negativen
Temperaturkoeffizienten.
A. K. schrieb:> Dafür ist der Kühlkörper umso grösser und teurer.
Nein, denn beide Kuehlkoerper fuehren ja dieselbe Leistung ab.
Man koennte hoechstens argumentieren, dass der Kuehlkoerper fuer den
Widerstand kleiner sein darf, weil die maximale Temperatur fuer
Hochlastwiderstaende ueblicherweise 250 Grad Celsius ist, im Vergleich
zu 175 fuer TO-247 FETs. Allerdings wird der Kuehlkoerper dann deutlich
heisser und muss vor Beruehrung geschuetzt werden.
Marko B. schrieb:> Man koennte hoechstens argumentieren, dass der Kuehlkoerper fuer den> Widerstand kleiner sein darf, weil die maximale Temperatur fuer> Hochlastwiderstaende ueblicherweise 250 Grad Celsius ist,
Ebendies. Eine Handvoll 17W Keramikwiderstände, ein 08/15-Propeller -
plus 2 Blatt Papier und ein dicker roter Filzer als Warnschild.
Dauereinrichtung solls ausdrücklich nicht werden.
Wenns natürlich kleinkindsicher sein soll, dann wirds so oder so gross,
denn der Kühlkörper des MOSFETs ist bei Nennlast nicht mehr
berührungssicher, wenn nicht stark überdimensioniert.
Hey Leute,
warum laßt Ihr dem TO nicht seinen Laborversuch?
Ich finde, der macht durchaus Sinn ...
Natürlich würde man in der Praxis einen möglichst niedrigen RDSon im
Bereich von 2..20mOhm wählen, aber dann wird der FET bei 10A nicht
wirklich warm.
... es geht doch offensichtlich darum, dass ein MOSFET nunmal kein
idealer Schalter ist, sondern auch hier durchaus nennenswerte Verluste
entstehen können, die abgeführt werden müssen.
Wenn man jetzt für den Versuch einen MOSFET mit 5mOhm nimmt, dann
entseht da bei 10A (und niedriger Frequenz*) grade mal ein Verlust von
einem halben Watt ... das könnte von den Versuchsteilnehmern als
vernachlässigbar abgetan werden.
Bei 200mOhm sind das immerhin schonmal 20W - das ist nennenswert und
mess- und fühlbar ... damit kann man schön veranschaulichen, was da
passiert.
Dass man mit einer handvoll Widerstände auch heizen kann ist sicher
jedem klar - aber hier geht es (soweit ich den TO verstanden habe) doch
nicht darum, irgendwelche Wärme abzuführen, sondern eben um die
Verluste, die beim Schalten eines MOSFETs entstehen ...
*bei entsprechen hoher Schaltfrequenz werden die Verluste natürlich noch
deutlich höher, besonders wenn die Treiberstufe nicht ausreichend Power
hat, um die Gatekapazität schnell genug zu (ent-)laden ...
my .02
- Karl
A. K. schrieb:> Ebendies. Eine Handvoll 17W Keramikwiderstände, ein 08/15-Propeller -> plus 2 Blatt Papier und ein dicker roter Filzer als Warnschild.> Dauereinrichtung solls ausdrücklich nicht werden.>> Wenns natürlich kleinkindsicher sein soll, dann wirds so oder so gross,> denn der Kühlkörper des MOSFETs ist bei Nennlast nicht mehr> berührungssicher, wenn nicht stark überdimensioniert.
Hey, ich fasse lieber an 100 Grad heisses Aluminium als an 200 Grad
heisses :P
Ist eine Moeglichkeit, allerdings kann man den Strom/die Verlustleistung
dann hoechstens per Reihen/Parallelschaltung einstellen.
Marko B. schrieb:>> Bei Mosfets besteht ja immer die Gefahr durch Hotspots, welche zum>> Ausfall führen können.>> Das ist falsch. MOSFETS haben keinen Second Breakdown wie> Bipolartransistoren. Die SOA wird durch die Bonddraehte bzw. die> Diegroesse und den daraus resultierenden thermischen Widerstand> begrenzt.
Du redest vom Schaltbetrieb. Gleichzeitig postest du aber eine KSQ
Marko B. schrieb:> Hier mal eine Stromsenke bzw. elektronische Last mit dem LM723. R1/R2> sind ein Poti, mit dem man den Strom durch M1 einstellt. Wie man sieht> ist die Verlustleistung in M1 dazu proportional.
dort hast du auf jeden Fall das Problem von Hotspots, deshalb sind ja
auch viele Schalttransistoren nicht für linearen Betrieb geeignet, bzw.
fürfen nur weit unter den Grenzdaten für den Schaltbetrieb belastet
werden.
Eure Diskussion ist aber müßig, solange niemand weiss was das für ein
krudes Konzept für ein Studentenpraktikum sein soll.
Dazu müsste der TO mal präzise das Ziel des Praktikumsversuchs
beschreiben.
Kannst du die genaue Beschreibung die du vom Prof erhalten hast hier
reinstellen? Evtl. gehst du einfach nur vom falschen Ansatz aus, denn
ich kanns mir nicht vorstellen dass da drinsteht: "Suchen sie einen
exotischen Mosfet mit möglichst hoher Rdson, um hernach diesen mit 10A
auf >100°C zu erhitzen"
@Udo Schmitt (urschmitt)
> Du redest vom Schaltbetrieb.seufz nein, tue ich nicht. habe ich nie.
Lies dir doch das mal durch. MOSFET Basics:
http://www.irf.com/technical-info/appnotes/mosfet.pdf
Zitat:
"Plus, they can withstand simultaneous application of high current and
voltage without undergoing destructive failure due to second breakdown."
"deshalb sind ja auch viele Schalttransistoren nicht für linearen
Betrieb geeignet, bzw. fürfen nur weit unter den Grenzdaten für den
Schaltbetrieb belastet werden"
Das hat nichts mit "Schalttransistoren" zu tun (die gibts naemlich
nicht) sondern damit, dass im Schaltbetrieb viel weniger Verlustleistung
anfaellt. Duh! Das ist bei Bipolartransistoren genauso. Der 2N3055 kann
auch 15A im Schaltbetrieb!
Marko B. schrieb:> Da haettest du Recht. Allerdings ist der Rdson hier irrelevant
Richtig.
> (das hat schon Lothar Miller nicht verstanden)
Sagt dir das Stichwort "Advocatus diaboli" etwas... ;-)
Ich schliesse mich vorbehaltlos dem an, was Udo Schmitt schrieb im
Beitrag #2351678:
> Eure Diskussion ist aber müßig
@Falk
Was habe ich Unwahres gesagt? Mit Kühlkörper bersteht sich von selbst.
Aber du hast glaub ich sowieso nicht alle Latten am Zaun, so wie du dich
aufführst.
Knut
Mach doch mit 2 Mosfets eine termische Regelung (Gegenkopplung), dann
benötigst du auch keine PWM.
Außerdem wird es schwierig geeignete Typen (Linear) zu finden, die man
ohne hohe Schaltverluste schalten kann.
Grüße
walkingtoaster schrieb:> Kennt noch jemand einen mit höherem Widerstand oder eben eine Seite mit> Filter ? Suche jetzt schon recht lange bei reichelt und conrad ohne> großen Erfolg.>> Schon mal vielen Dank :)
Nachdem Deine Frage im Forum nicht beantwortet wird, dafür jede Menge
anderes Zeug was nicht gefragt wurde beantwortet wird hier nun 2-3
Suchmöglichkeiten:
Farnell (http://de.farnell.com/) und Digikey (http://www.digikey.de/)
bieten unterschiedlich gute Suchmöglichkeiten für Deine Frage an, mußt
dich bei Farnell nur etwas "durchbeißen" damit Du zu Deinen Mosfets
kommst. Mouser (http://at.mouser.com/) hat angeblich auch eine
brauchbare Suche, die kenn ich aber nicht.
Über die Sinnhaftigkeit der Hausarbeit.... Naja, besser so auf diese
Tour errechnen und vor allem erfahren.... was später ansonsten in einem
netten Feuerwerk endet oder hier im Forum für das übliche unterirdisch
schlechte Rauschen an Fragen sorgt.
Grüße
Miwi
Grüße
MiWi schrieb:> Nachdem Deine Frage im Forum nicht beantwortet wird
Weil sie unsinnig ist.
Oder hilfst du einem Betrunkenen aus Hilfsbereitschaft ins Auto?
Oder einem Selbstmörder hoch aufs Brückengeländer?
> oder hier im Forum für das übliche unterirdisch schlechte Rauschen an> Fragen sorgt.
ROTFL... :-D
Umd die Frage nochmal aufzufrischen:
walkingtoaster schrieb:> bin auf der Suche nach einem n-Kanal Mosfet mit möglichst hohem RDS on.
Blöd an dieser Fragestellung ist nämlich, dass ein Mindest-Rdson nicht
garantiert wird, weil es ja in den Datenblättern immer um einem
maximalen Wert geht!
Lothar Miller schrieb:> Weil sie unsinnig ist.> Oder hilfst du einem Betrunkenen aus Hilfsbereitschaft ins Auto?> Oder einem Selbstmörder hoch aufs Brückengeländer?
Mit welchem Selbstverständis gehst Du (oder alle anderen, die hier nicht
auf gestellte Fragen antworten) davon aus, das der OP nicht weiß was er
will? Und wenn - warum nimmst Du ihm bei dieser harmlosen Frage die
Möglichkeit selber den Mist zu bauen, den Du vor vielen Jahren - mit
viel Lehre dabei - vermutlich selbst gemacht hast?
>> bin auf der Suche nach einem n-Kanal Mosfet mit möglichst hohem RDS on.>Blöd an dieser Fragestellung ist nämlich, dass ein Mindest-Rdson nicht>garantiert wird, weil es ja in den Datenblättern immer um einem>maximalen Wert geht!
soooo unsinnig ist die Frage nicht, solange Du nicht genau weißt, was
der OP will. Und siehe da - ja, er weiß was er will - sogar in der
ersten Frage dieses Threads: eine bessere Suchmaschine als conrad oder
Reichelt.
Danach wird er unter anderem dann gelernt haben, das Datenblätter zu
lesen sind, meist nur irgendwelche Grenzwerte angegeben sind und er sich
dann verwundert die Augen reiben wird wenn die Realität mit der Theorie
in Einklang gebracht werden muß. Laß ihm doch die Freude..... und lad
ihn dann zur nächsten Frage ein.
PS - Bei allem Respekt für den hinkenden Vergleich: einen Mosfet mit 10A
grillen ist was anderes als einem Besoffenen helfen sein und das Leben
anderer zu riskieren. Und was den Selbstmörder betrifft - ich dachte das
der Vergleich mit dem Besoffenen nicht unterboten werden kann... und es
geht doch noch tiefer. Nicht gut.
Aber was solls. Der OP hat sich eh schon - aus guten Gründen wie mir
scheint - verabschiedet.
Grüße
MiWi
MiWi schrieb:> soooo unsinnig ist die Frage nicht, solange Du nicht genau weißt, was> der OP will.
Oh, wir wissen schon was der TO möchte. Zumindest so genau wie er es
selbst weiss und in der Lage war zu erklären.
Nur wollten wir ihn nicht ins Messer rennen lassen, daß er das mit
seinen eher unsinnigen Annahmen ausarbeitet und evt. sogar aufbaut, und
damit dann der Dumme ist wenns nicht funktioniert, oder schlimmer noch
die Studenten dann die Blöden sind die sich mit einem idiotischen
Versuch rumschlagen müssen.
Du lässt ihn unreflektiert ins eigene Messer rennen, du bist halt der
Gutmensch, wir versuchen das eigentliche Problem zu erkennen und eine
gute Lösung zu finden und sind halt die Bösen.
Beiträge wie deine sind für Anfänger, die nicht selbst beurteilen können
was gut und was Unsinn ist das eigentlich Übel.
und bevor du hier herumprollst, solltest du wenigstens mal 1/10 so
vielen Leuten wirklich geholfen haben wie Lothar Miller. Aber das wirst
du nicht schaffen!
