Pulldown auch über Transistor-Gate?

> ob ich vor dem Gate auch noch einen
> Pulldown-Widerstand einbauen sollte,

Ähhm, das Ding heißt Basis. Ein Transistor ist stromgesteuert. Ein 
Pulldown wäre ihm vollkommen egal.

Bau' doch einfach R4 zwischen Emitter und GND, dann kannst Du den 
Basiswiderstand weglassen.

Michael Knoelke schrieb:
> Es fliesst Strom über die CB Strecke und macht den Transistor auf wenn
> man das nicht verhindert.

Das ist Unsinn.

Der einzige Grund warum man einen Pulldown-Widerstand vorsehen wollen 
würde, ist wenn man den Transistor auch dann sicher gesperrt haben will, 
wenn der µC-Pin als Eingang mit aktiviertem Pullup konfiguriert ist.

Der Leckstrom eines als Eingang konfigurierten µC-Pins ohne Pullup liegt 
bei maximal 1µA (Vorzeichen nicht garantiert). Und das ist ein 
worst-case Wert, der normalerweise auch bei maximaler Betriebstemperatur 
nicht erreicht und unter normalen Bedingungen um einige Zehnerpotenzen 
unterschritten wird.

Beim Sperrstrom der Kollektor-Basis Strecke sieht es ähnlich aus. Das 
NXP Datenblatt sagt 15nA bei U_cb=30V und Raumtemperatur. Steigt bis 
maximal 5µA bei 150°C. Maximale Werte wohlgemerkt. Typische Werte 
dürften nochmal besser sein.

Nachtrag zu meinem Beitrag oben: wenn VCC nicht signifikant höher ist, 
als die Versorgungsspannung des Controllers, muss mit R4 auch die LED in 
den Emitter-Zweig! Dann ist weder ein Basis-Widerstand, noch ein 
Pull-Down notwendig.