Hallo, ich habe eine Schaltung wie im Bild gezeigt um mir den Status eines digitalen I/Os eines Arduinos mit einer LED zu visualisieren. Der Transistor ist ein BC850-NPN. Meine Frage ist jetzt, ob ich vor dem Gate auch noch einen Pulldown-Widerstand einbauen sollte, oder ob der Weg über den 10k Widerstand und den Transistor bereits als Pulldown ausreichend wäre. Wenn ein weiterer Pulldown von Nöten wäre, würde ich einen 47k vor den 10k zu GND einbauen. Vielen Dank für den Rat, Max
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> ob ich vor dem Gate auch noch einen > Pulldown-Widerstand einbauen sollte, Ähhm, das Ding heißt Basis. Ein Transistor ist stromgesteuert. Ein Pulldown wäre ihm vollkommen egal.
Pull Down an die Basis macht Sinn wenn man undefiniertes Verhalten im Einschaltmoment vermeiden will. Während Reset und bis zur Konfiguration der Ports sind die auf Input. Der Pull Down sorgt solange für sicheres Sperren.
Bei einem bipolaren Transistor würde ich mir da aber viel weniger Sorgen machen las bei einem FET.
Anstatt mir über den Grad meiner Besorgniss einen Kopf zu machen sorge ich lieber dafür das der zu ist wenn er zu sein soll. Es fliesst Strom über die CB Strecke und macht den Transistor auf wenn man das nicht verhindert. Der Strom ist klein, aber wirklich gesperrt ist der Transistor in dem Fall nicht. Zudem ist ein MCU Input Pin nur in der Theorie 'floating'. Für die gezeigte LED Ansteuerung ist das natürlich völlig Wurst.
Bau' doch einfach R4 zwischen Emitter und GND, dann kannst Du den Basiswiderstand weglassen.
Michael Knoelke schrieb: > Es fliesst Strom über die CB Strecke und macht den Transistor auf wenn > man das nicht verhindert. Das ist Unsinn. Der einzige Grund warum man einen Pulldown-Widerstand vorsehen wollen würde, ist wenn man den Transistor auch dann sicher gesperrt haben will, wenn der µC-Pin als Eingang mit aktiviertem Pullup konfiguriert ist. Der Leckstrom eines als Eingang konfigurierten µC-Pins ohne Pullup liegt bei maximal 1µA (Vorzeichen nicht garantiert). Und das ist ein worst-case Wert, der normalerweise auch bei maximaler Betriebstemperatur nicht erreicht und unter normalen Bedingungen um einige Zehnerpotenzen unterschritten wird. Beim Sperrstrom der Kollektor-Basis Strecke sieht es ähnlich aus. Das NXP Datenblatt sagt 15nA bei U_cb=30V und Raumtemperatur. Steigt bis maximal 5µA bei 150°C. Maximale Werte wohlgemerkt. Typische Werte dürften nochmal besser sein.
Axel Schwenke schrieb: > Das ist Unsinn. Das must Du mir erklären. Da ich von maximalen Werten ausgehen muss komme ich nach Deiner Ausführung auf 6uA worst case Basisstrom ohne Pull Down. Nach NXP Datasheet, hfE Group C bei IC 2mA = hfe 520 rechne ich mal zurück auf den IB und komme auf 3,8uA bei denen bereits diese 2mA fliessen. 2mA wäre bei einer Logig Veriegelung schon der Unterschied zwischen gesperrt und freigeschaltet Das mag jetzt in diesem speziellen Fall Haarspalterei sein, aber generell betrachtet ist es richtig das in dieser Konfiguration ohne Pull Down im reset state kein sicheres sperren erfolgt.
Nachtrag zu meinem Beitrag oben: wenn VCC nicht signifikant höher ist, als die Versorgungsspannung des Controllers, muss mit R4 auch die LED in den Emitter-Zweig! Dann ist weder ein Basis-Widerstand, noch ein Pull-Down notwendig.
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