Was ist der höhste U-Verstärkungsfaktor mit jFET?

jon schrieb:
> gibt es so etwas wie einen höchstmöglichen Spannungs-Verstärkungsfaktor
> mit einem jFET in Source-Schaltung?

Ja, das ist die Steilheit multipliziert mit den am Drain wirksamen 
Widerständen.

jon schrieb:
> Kann es sein, dass man mit einem jFET maximal eine Spannungsverstärkung
> um den Faktor 3 hinbekommt?

Nöö, da geht wesentlich mehr. Z.B. wenn man den Drainwiderstand durch 
eine Konstantstromquelle ersetzt und das Signal hochohmig abnimmt.

jon schrieb:
> Ich will mit einem BF244, BF245 oder J310 an 9V eine möglichst hohe
> Verstärkung für ein Audiosignal erzielen.

Du erkaufst dir eine "möglichst hohe Verstärkung" aber unter Umständen 
mit rel. großen Verzerrungen, weil höchstmögliche Verstärkung und 
linearisierende Gegenkopplung natürliche Feinde sind.

ArnoR schrieb:
> jon schrieb:
>> Kann es sein, dass man mit einem jFET maximal eine Spannungsverstärkung
>> um den Faktor 3 hinbekommt?
>
> Nöö, da geht wesentlich mehr. Z.B. wenn man den Drainwiderstand durch
> eine Konstantstromquelle ersetzt und das Signal hochohmig abnimmt.

Hier mal zu Illustration eine kleine Simu dazu. Die Schaltung hat eine 
Spannungsverstärkung von knapp 200 und sogar eine gewisse 
Arbeitspunktstabilisierung.

ArnoR schrieb:
> Hier mal zu Illustration eine kleine Simu dazu. Die Schaltung hat eine
> Spannungsverstärkung von knapp 200

Allerdings auch nur, wenn dieBetriebsspannung hoch genug ist, so dass 
der FET im waagerechten Teil der I_DS/U_DS-Kennlinien arbeitet.

Der fast waagerechte Verlauf ist gleichbedeutend mit einem hohen 
Ausgangswiderstand *) des Transistors.
Bei geringer Spannung (1..2V), steigen die Kennlinien, und das bedeutet, 
dass der Ausgangswiderstand des FET geringer ist und somit auch die 
mögliche Verstärkung.



*) Das ist nicht der Lastwiderstand!
Sondern dieser innere Widerstand des Transistors liegt elektrisch 
paralell zum Lastwiderstand  und verringert die maximal mögliche 
Spannungsverstärkung.

Bei der üblichen Darstellung in den Datenblättern, U_DS waagerecht und 
I_DS senkrecht aufgetragen, entspricht die Steigung der Kennlinien einem 
Leitwert (Einheit Siemens).
Wenn du die Diagramme um 90° drehst, entspricht die Steigung einem 
Widerstand (Einheit Ohm).

Da möchte ich mal mit ein bisschen Theorie die Verhältnisse klären, auch 
wenn Theorie nicht gerade meine Stärke ist:

Zunächst erzeugt der FET mit seiner (bereits genannten) 
Vorwärts-Steilheit eine Drain-Stromänderung. Die ist weitgehend, aber 
nicht vollständig, unabhängig von der Drain-Spannung. Die 
Ausgangsadmittanz (der Kehrwert der Impedanz) sorgt dafür, dass bei 
einer idealen Konstantstromquelle im Drain die Verstärkung nicht 
unendlich ist. In ArnoRs Schaltung hat auch die KSQ eine Impedanz, die 
erheblich kleiner als die Admittamz (bzw. deren der Kehrwert) des FETs 
ist. Allein die 62k belasten den Ausgang schon relativ stark.

Die höchste Spannungsverstärkung mit idealen KSQs im Drain wird bei 
kleinen Drainströmen erreicht. In einer Simulation des J310 hat sich ca. 
4000 ergeben. Ob, oder wie weit das Simualtionsmodell des J310 stimmt, 
weiß ich nicht.

Aber eigentlich gilt das alles gar nicht. In dem Moment, in dem man eine 
aktives Bauelement, z. B. für einen KSQ einsetzt, kann man dieses 
Element auch anderweitig verwenden, um die Verstärkung so hoch zu 
treiben. Ziel muss lt. Ausgangsfrage wohl bleiben, den _FET als einziges 
aktives Element_ zu haben. Dann ergibt sich: Möglichst hohe 
Betriebsspannung um einen möglichst hohen Arbeitswiderstand zu bekommen, 
und möglichst einen geringen Drainstrom. In der Simulation mit dem J310, 
12 V Betriebsspannung, 1 MOhm Drain-R und 4 µA Drainstrom hat sich eine 
Verstärkung von ca. 200 ergeben. Soviel wie bei ArnoR, aber das eher 
zufällig. Mit 0,4 µA und 10 MOhm schon ein Faktor von 650. Mit einem 
BF245C waren es noch 300.

Es gibt also nicht die höchstmögliche Verstärkung. Und dass die 
tatsächlich erreichbaren Werte in der Praxis dann völlig sinnlos sind, 
ist offensichtlich. Aber darum geht es mir nicht.

Und korrigiert mich, wenn ich es nicht korrekt theoretisch beschrieben 
habe.

Der Zahn der Zeit schrieb:
> In ArnoRs Schaltung hat auch die KSQ eine Impedanz, die
> erheblich kleiner als die Admittamz (bzw. deren der Kehrwert) des FETs
> ist. Allein die 62k belasten den Ausgang schon relativ stark.

Der BF244A hat bei Idss und Uds~4,5V (also dem AP in meiner Schaltung, 
9V-Versorgung war vom TO vorgegeben) einen rds von ~109k. Dadurch, daß 
der JFET bei Idss betrieben wird, hat der eine viel größere Steilheit 
als bei solch kleinen Strömen, die du vorschlägst (0,4...4µA). Man 
bekommt damit eine rel. hohe Verstärkung ohne utopisch große Drain- bzw. 
Lastwiderstände.

Bei Idss und Uds=4,5V hat die Steilheit des BF244A den Wert: S=5mA/V 
(Wert aus Simulator). Die maximale Spannungsverstärkung an diesem AP ist 
bei Verwendung einer idealen KStQ und ohne Last am Ausgang: 
Vumax=rds*S=109kOhm*5mA/V=545.

Ich hatte auch ausdrücklich nicht gesagt, daß meine Schaltung die 
höchstmögliche Verstärkung liefert (man beachte das Zitat in meinem 
Post), sondern nur eine Verstärkung viel größer als 3, indem man eine 
KStQ einsetzt.

Danke für die Antworten und an ArnoR vielen Dank für die Simulation!

Dann benötigt man also eine KSQ oder einen ziemlich großen 
Drain-Widerstand, um auf höhrere Verstärkungsfaktoren zu kommen.

Nach den ganzen Anregungen hier versuche ich einfach mal, das ganze mit 
LTspice zu simulieren.

Runde Verzerrungen sind mir lieber als hartklippende Verzerrungen, 
deshalb die Idee mit dem jFET als Vorverstärker.


@ArnoR: mit welcher Software hast du eigentlich die Simu gefahren?

Dann verwende noch einen FET ala Konstantstromquelle anstelle des 
Transistorteils.

jon schrieb:
> @ArnoR: mit welcher Software hast du eigentlich die Simu gefahren?

http://www.ti.com/tool/tina-ti

Dieter schrieb:
> Dann verwende noch einen FET ala Konstantstromquelle anstelle des
> Transistorteils.

Gute Idee! Ist das dann egal ob mit FET oder BiPo eine 
Kaskoden-Schaltung?


ArnoR schrieb:
> http://www.ti.com/tool/tina-ti

Danke! Glaube, da habe ich schon mal mit gearbeitet (vor ca. 8 Jahren). 
Handliches Programm!


jon schrieb:
> Nach den ganzen Anregungen hier versuche ich einfach mal, das ganze mit
> LTspice zu simulieren.

Habe jetz versucht, mit LTspice zu simulieren, aber das Programm kennt 
anscheinend keine Fremd-FETs.
Also hier noch ein Folge-Beitrag von mir:
Beitrag "Kennt sich jemand mit LTspice XVII aus - Modell einfügen"

Wenn jemand Rat weiß, wie man ein bestehendes Modell in LTspice 
einbinden kann, bitte dort posten!

jon schrieb:
> Gute Idee! Ist das dann egal ob mit FET oder BiPo eine
> Kaskoden-Schaltung?
Nur J-FET, wie hier verwenden:
https://www.mikrocontroller.net/articles/Konstantstromquelle
(R_L ist dann dein J-FET Verstärkerschaltung, d.h. zum Drain ...)

jon schrieb:
> Dieter schrieb:
>> Dann verwende noch einen FET ala Konstantstromquelle anstelle des
>> Transistorteils.

Dieter schrieb:
> Nur J-FET, wie hier verwenden:
> https://www.mikrocontroller.net/articles/Konstantstromquelle
> (R_L ist dann dein J-FET Verstärkerschaltung, d.h. zum Drain ...)

Damit wird er sicher nicht glücklich, weil die JFET-KStQ sehr genau 
abgeglichen werden muss und das dennoch nicht stabil bleibt. Im 
angehängten Bilchen ist in der Bipo-KStQ (links) der 232R-Widerstand 
variiert und in der JFET-KStQ (rechts) der 220R-Widerstand. Gezeigt ist 
jeweils die DC-Ausgangsspannung.

Man sieht, daß in der JFET-KStQ eine Abweichung von wenigen Ohm 
ausreicht, um den Arbeitsbereich zu verlassen. Dabei ist die 
Signalverstärkung gerade mal um 6dB größer als in der Bipo-Version. Die 
statische Arbeitspunktempfindlichkeit der JFET-Version ist aber um den 
Faktor 58 größer. Aus diesem Grund hatte ich damals in die Bipo-Version 
eine Abhängigkeit von der DC-Ausgangsspannung eingebaut.

ArnoR schrieb:
> ist in der Bipo-KStQ (links) der 232R-Widerstand
> variiert und in der JFET-KStQ (rechts) der 220R-Widerstand

Mist, ist genau umgekehrt, 220R in der Bipo-KStQ (links) und 232R in der 
JFET-KStQ (rechts).

Mit der ungeregelten Stromquelle bräuchte man noch eine Stabilisierung 
des Arbeitspunktes - die DC Verstärkung wird damit schon unhandlich 
hoch. Die Variante mit dem PNP und der DC Nachregelung ist das schon 
einfacher.

Gleiches würde passieren, wenn eine Konstantstromquelle mit Transistor 
und ZD (oder 2 Dioden oder LED) verwenden würde.
D.h. genau diese:
https://www.elektronik-kompendium.de/sites/slt/0210253.htm

Es gibt aber für den FET auch eine Version mit ähnlich schwimmenden AP, 
die Deiner Transistorschaltung entspricht. Dafür muss man aber einen 
Komplementärtyp verwenden, d.h. p-JFET und nicht einen n-JFET.

Dieter schrieb:
> Gleiches würde passieren, wenn eine Konstantstromquelle mit Transistor
> und ZD (oder 2 Dioden oder LED) verwenden würde.

Ja, sagte ich doch:

ArnoR schrieb:
> Aus diesem Grund hatte ich damals in die Bipo-Version
> eine Abhängigkeit von der DC-Ausgangsspannung eingebaut.

D.h. statt dem Transistor wird ein p-JFET eingebaut in Deine Schaltung. 
Die Anzahl der Bauteile wäre damit unverändert. Einziger Vorteil wäre 
dass die Widerstände an der Basis hochohmiger und der Kondensator einen 
kleineren Wert aufweisen darf.

Ob das wirklich so ist, kann nur jon, der TO, sagen.

Vielleicht geht es ihm aber nur um den Rauschabstand zu den folgenden 
Verstärkungsstufen.

Sven S. schrieb:
> Nur so als Idee:
> So arbeitet der obere FET als variable Stromquelle und sorgt für höhere
> Verstärkung. Der Bipo stabilisiert den Arbeitspunkt. Wer das bauen
> möchte, muß sich die richtigen Bauteilwerte noch austüfteln. Viel Spaß.

Danke Sven! Sieht interessant aus! Werde es bei Gelegenheit mal 
simulieren, wenn das LTspice XVII endlich meine FET-Modelle annimmt...

Beitrag "Kennt sich jemand mit LTspice XVII aus - Modell einfügen"

Allerdings gilt auch, desto höher auf diesen Weg die Verstärkung wird, 
desto stärker wird diese durch den Eingangswiderstand der nächsten Stufe 
wieder geschwächt.

Hier noch ein Vorschlag für eine einfache JFET-Verstärkerstufe ohne 
Bipo-Hilfskrücke zu Stabilisierung, die temperaturstabil und stabil 
gegen Versorgungsänderungen ist, und bei der man ganz einfach die 
Verstärkung durch einen Widerstand einstellen kann ohne die anderen 
Eigenschaften zu verändern.

Harald W. schrieb:
> Es geht also nicht um eine saubere Verstärkung, sondern um eine
> verzerrte?

Ich habe auch nie verstanden warum Verstärker "klingen" sollen.
Für mich soll ein Verstärker verstärken, und zwar möglichst sauber ohne 
Verzerrungen.

Und warum bringt man den Vsrtärker überhaupt in die Übersteuerung?

Aber ich bin Nichtmusiker, vieleicht liegt darin meine begrenzte 
Auffassungsgabe.

Für ArnoR mal wieder ein dickes Danke für seine Schaltungsideen.
:-)

ArnoR schrieb:
> Hier noch ein Vorschlag für eine einfache JFET-Verstärkerstufe ohne
> Bipo-Hilfskrücke zu Stabilisierung, die temperaturstabil und stabil
> gegen Versorgungsänderungen ist, und bei der man ganz einfach die
> Verstärkung durch einen Widerstand einstellen kann ohne die anderen
> Eigenschaften zu verändern.

Danke ArnoR! Cool!


Der Andere schrieb:
> Und warum bringt man den Vsrtärker überhaupt in die Übersteuerung?

Kurz gesagt, eine E-Gitarre besteht als Instrument aus Gitarre UND 
Verstärker. Der Verstärker ist also Teil des Instruments. Schon alleine 
der Gitarrenlautsprecher (meistens 12") ist alles andere als linear. 
Dazu kommt, dass er meist mit hohem Dämpfungsfaktor angesteuert wird 
(also eher mit einer Stromsteuerung denn mit einer Spannungssteuerung 
wie im HiFi), wodurch er mehr sein Eigenleben führen kann, was zu einem 
lebendigeren, luftigen Klangbild führt (Zweifler mögen es bitte 
ausprobieren!).

Zum anderen ist der Dynamikbereich einer E-Gitarre sehr groß. Schrammt 
man mal aus Versehen zu stark über die Saiten, soll dass in einer 
sanften Verzerrung untergehen und nicht gleich den Lautsprecher und die 
Ohren zur Explosion bringen.
Zum anderen erzeugt leichte Verzerrung (weiche Übersteuerung wie bei 
Ge-Dioden) ein paar Obertöne mehr, was dem Klangbild oftmals gut tut.
Das ist allerdings ein riesen Thema, es spielt auch noch eine große 
Rolle, ob symmetrisch oder asymmetrisch begrenzt wird usw.
Teilweise höhrt man eine sehr weiche Übersteuerung fast gar nicht, 
trotzdem wird dadurch der Dynamikbereich komprimiert und subjektiv 
klingt dadurch eine Saite viel länger als es sonst der Fall wäre.

Mir geht es hier in diesem Beitrag darum, einen Vorverstärker 
aufzubauen, der relativ hoch verstärken kann, der hauptsächlich linear 
verstärkt und der bei eventuelle Übersteuerung weich in die Eisen geht. 
Und eigentlich soll er auch relativ einfach aufgebaut sein.

Hoffe, ich konnte für Axel, Harald und der Andere ein wenig Licht in die 
Sache bringen.

Keine Ursache!

Ja, für reinsten Clearsound ist das eher nichts und beim nächsten Mal 
weise ich in einer Fussnote darauf hin.

jon schrieb:
> Mir geht es hier in diesem Beitrag darum, einen Vorverstärker
> aufzubauen, der relativ hoch verstärken kann, der hauptsächlich linear
> verstärkt und der bei eventuelle Übersteuerung weich in die Eisen geht.

Meine Schaltung geht bei Übersteuerung symmetrisch in die Begrenzung, 
macht also überwiegend 3., 5. usw. Grundfrequenz als Oberwellen. 
Unterhalb der Begrenzung ist der Klirrfaktor recht klein, die gezeigten 
Kurven haben <0,01%. Eingangssignal war 100mVpp, Sinus, 1kHz. Es wurde 
nicht die Eingangsspannung, sondern die Verstärkung variiert (gleiche 
Schaltung wie heute morgen).

Für unsymmetrische Begrenzung verwendet man entweder 2 ein wenig 
verschiedene JFET, also z.B. BF244A und BF244B, wobei der Transistor mit 
größerem Idss oben eingesetzt werden sollte und die Begrenzung dann 
zuerst oben erfolgt. Oder man verstellt den 100k-Teiler am oberen JFET. 
Dabei kann man wählen, ob die Begrenzung zuerst oben oder unten erfolgen 
soll.

> Und eigentlich soll er auch relativ einfach aufgebaut sein.

Was einfacheres (mit den Eigenschaften) ist mir nicht eingefallen.

Wow, sieht auch sehr cool aus! Danke Arno! Habe es auch schon bei TINA 
eingefüttert, um selber damit zu experimentieren. Spannend :)


Wo wir bei jFETs sind, eine Frage geistert mir schon länger durch den 
Kopf.

Kann man mit einem jFET (z.B. J310) einen Impedanzwandler 
(Drainschaltung, Sourcewiderstand=Poti) oder einen 
Verstärker+Impedanzwandler (Sourceschaltung, Verstärkung irgendwo bei 2x 
bis 10x, Drainwiderstand=Poti) aufbauen, der im Spannungsbereich 3,5V 
bis 4,2V (Liion-Akku) stabil arbeitet?

Oder sind 3,5V für einen jFET wie den J310 einfach zu wenig?

jon schrieb:
> Kann man mit einem jFET (z.B. J310) einen Impedanzwandler
> (Drainschaltung, Sourcewiderstand=Poti) oder einen
> Verstärker+Impedanzwandler (Sourceschaltung, Verstärkung irgendwo bei 2x
> bis 10x, Drainwiderstand=Poti) aufbauen, der im Spannungsbereich 3,5V
> bis 4,2V (Liion-Akku) stabil arbeitet?

So kleine Spannungen (es bleiben für den Transistor weniger als 2V Uds) 
sind bei JFETs nicht besonders vorteilhaft, erst recht nicht für Typen 
mit hohem Idss, wie dem J310. Man kommt dort kaum in den Abschnürbereich 
mit hohem differentiellem Ausgangswiderstand. Die Widerstandswerte für 
ohmsche Drain- bzw. Sourcewiderstände müssten sehr klein werden, was in 
Verbindung mit der geringen Steilheit der JFETs zu kleinen Verstärkungen 
bzw. deutlicher Dämpfung führt.

Der J310 hat 24...60mA Idss, willst du soviel Strom verheizen? Sicher 
nicht. Man müsste also das Gate deutlich negativ vorspannen 
(Sourcewiderstand), um auf erträgliche Ströme zu kommen. Das verringert 
die Uds und den Ausgangswiderstand weiter. Außerdem haben Typen mit 
geringem Idss eine höhere Steilheit bei gleichem Strom als Typen mit 
hohem Idss. Man bekommt bei denen also mehr Verstärkung bei weniger 
Strom. Daher wäre der Einsatz von BF244/45/56 o.ä. mMn sinnvoller.

Eine kurze Simulation von Sourceschaltungen (bei Idss), Drainschaltungen 
und meiner oben gezeigten Schaltung mit jeweils J310 und BF244 zeigt 
durchweg schlechtere Ergebnisse für den J310 und das bei erheblich 
höherem Stromverbrauch. Mit nur einem ohmschen Drainwiderstand ergeben 
sich selbst in Sourceschaltung überhaupt keine Verstärkungen, man muss 
also aktive Schaltungen einsetzen, um auf Verstärkungen von 2...10 zu 
kommen.

Meine Schaltung ergibt mit dem BF244 zwar noch hohe Verstärkungen bis 
etwa 40dB, aber nur noch geringe Aussteuerbarkeit. Mit dem J310 gibt es 
weder nVerstärkung noch Aussteuerbarkeit.

Wenn mit Komplementären JFET gearbeitet würde, dann kann der n- und 
p-JFET einen Sourcewiderstand bekommen, so dass die Schaltung mit 
weniger Stromverbrauch arbeitet und die Verstärkungsverringerung fällt 
relativ gering aus.

Danke an ArnoR für die Schaltung. Du bist hier im Analog-Teil wirklich 
einer der Urgesteine.

Warum diese bzgl. Versorgungsänderung stabil ist begreife ich aber nicht 
ganz. Wenn die Hoch geht, ändert sich doch die Spannung am oberen Gate 
über den Spannungsteiler.
Und das RC wirkt doch bei statischer Spannungsänderung gar nicht. Also 
was wohl die Verstärkung einstellt.

Kann da jemand etwas erklärend zu sagen?

Venkman schrieb:
> Warum diese bzgl. Versorgungsänderung stabil ist begreife ich aber nicht
> ganz. Wenn die Hoch geht, ändert sich doch die Spannung am oberen Gate
> über den Spannungsteiler.

Mit stabil gegen Versorgungsänderungen ist hier folgendes gemeint: Der 
Ausgangsknoten bleibt (DC-mäßig) immer genau in der Mitte der 
Versorgungsspannung, egal wie stark die Spannung sich ändert. Dadurch 
bleibet immer die maximale Ausgangsaussteuerbarkeit und die symmetrische 
Begrenzung erhalten.

Würde man einfach auf konstante DC-Spannung regeln, würde die 
Aussteuerbarkeit bei Versorgungsänderungen abnehmen, weil der Ausgang 
dann nicht mehr symmetrisch zur Versorgung liegt.

>Der Ausgangsknoten bleibt (DC-mäßig) immer genau in der Mitte der
>Versorgungsspannung,

warum macht der das denn? Der untere Transistor hat ja UGS=0 V wegen dem 
1 MOhm nach gnd. Das heißt der ist maximal ausgesteuert.
Und bei dem oberen Transistor hat man Vcc/2 am Gate und Source ist 
DC-technisch unabhängig davon. Der Kondensator ist ja ein Leerlauf.
Das sieht ja so aus wie eine Kaskode und da ist doch gerade der Witz, 
dass am oberen Transistor unterschiedlich viel Uds abfällt und der 
untere konstantes Uds hat.
Verstehe ich irgendwie nicht. Also ich glaube ich verstehe die ganze 
Schaltung wohl nciht. :-(

Venkman schrieb:
> warum macht der das denn? Der untere Transistor hat ja UGS=0 V wegen dem
> 1 MOhm nach gnd. Das heißt der ist maximal ausgesteuert.
> Und bei dem oberen Transistor hat man Vcc/2 am Gate und Source ist
> DC-technisch unabhängig davon.

Nein, das Sourcepotential des oberen ist keineswegs frei.

Der untere Transistor arbeitet mit Idss, das ist wegen das Ugs=0 sofort 
zu sehen. Das Gate des oberen wird durch den Teiler immer auf Vdd/2 
gehalten. Da durch beide Transistoren der gleiche Strom fließen muss, 
nämlich Idss(unten), wird das Sourcepotential des oberen so eingestellt, 
das auch beim oberen Ugs=0 ist, nur dann fließt durch ihn auch Idss. Und 
das ergibt dann eben immer Vdd/2 am Ausgangsknoten.

Eigentlich leicht zu sehen... Jetzt ist es klar, danke!

ArnoR schrieb:
> So kleine Spannungen (es bleiben für den Transistor weniger als 2V Uds)
> sind bei JFETs nicht besonders vorteilhaft, erst recht nicht für Typen
> mit hohem Idss, wie dem J310. Man kommt dort kaum in den Abschnürbereich
> mit hohem differentiellem Ausgangswiderstand.

Hallo ArnoR, Danke für die guten Erklärungen!

Hatte im ersten Moment gedacht, die große Steilheit könnte hier ein 
Vorteil sein (als Impedanzwandler). Ansonsten ist bei 
Liion-Akku-Verwendung der Stromverbrauch nicht mehr ganz so kritisch, 
auch wegen der relativ kleinen Spannung von ca. 3,7V.
Dann wäre wahrscheinlich ein Rail-to-Rail-OpAmp als Impedanzwandler 
besser geeignet bei +Ub = 3,7V (3,5V bis 4,2V).

Apropos Strom, wie kann man bei TINA-TI den Strom messen? Ein A-Meter 
scheint es ja zu geben.


Noch eine Frage. Bei der unteren Schaltung hier
https://www.mikrocontroller.net/attachment/393714/BF244Sourceschaltung_3a.png
hat der BF244A gar keinen Source-Widerstand. Kan er deswegen nur sehr 
kleine Eingangsspannungen verzerrungsfrei verstärken?

jon schrieb:
> Apropos Strom, wie kann man bei TINA-TI den Strom messen? Ein A-Meter
> scheint es ja zu geben.

TINA hat einen Strommeßpfeil (die fünfte Schaltfläche von links in 
"Meters"), den legst du in die zu messende Leitung. Dann gibt´s bei AC 
und TRAN eine Kurve und bei DC einen Wert rangeschrieben.

jon schrieb:
> Bei der unteren Schaltung hier
> https://www.mikrocontroller.net/attachment/393714/BF244Sourceschaltung_3a.png
> hat der BF244A gar keinen Source-Widerstand. Kan er deswegen nur sehr
> kleine Eingangsspannungen verzerrungsfrei verstärken?

Lies doch bitte mal den Text zu dem Bild.