Hallo zusammen, ich steuer das Gate eines P-FET zum Schalten einer variablen Eingangsspannung über einen Spannungsteiler an. Zur Begrenzung der Gatespannung soll eine Zener-Dode dienen. Da das Gerät Batteriebetrieben ist möchte ich den Spannungsteiler möglichst hochohmig machen. Die Schaltgeschwindigket spielt keine Rolle. Nun tue ich mich aber schwer mit der Auswahl der Zener-Diode und des Spannungsteilers. Grundsätzlich würde ich bei meinen Ugs <= +/-20V des FET eine 15V Zener nehmen, oder kann/sollte man noch weiter hoch (oder gar runter?) gehen? Wenn ich den Spannungsteiler wie im Anhang wähle (1M zu 2M2) komme ich in der LTspice Simulation auf einen Strom durch die Zener von rund 800nA wenn diese im oberen Spannungsbereich dann leitet. Gibt die Simulation das hier korrekt wieder? Arbeitet die BZX84C15L bei diesem einigermaßen korrekt? Wo kann ich im Datenblatt das rauslesen? Finde das irgendwie nicht. Habe sonst noch die Z1SMA15 gefunden. Dort finde ich im Datenblatt neben den Angaben wie bei der BZX84C15L Iz=5mA -> 13.8<=Vz<=15.6 noch Ir=1ua -> Vr>10V Interpetier ich das rchtig das de Zenerspannung immer weiter sinkt wenn der Strom sinkt und das für diesen Typ mir mndestens 10V garantiert werden bei 1uA? Was ja voll OK wäre, dann müsste ich den Spannungsteiler nur minimal niederohmiger machen (oder sind die 200nA egal?) Hab ich das so richtig verstanden? Aufgrund von Beschaffung und Preis wäre mir aber ne BZX84C15L lieber. Wie krieg ich raus ob die das auch kann? Was sind sonst so die Wald- und Wiesen alternativen in SMD (idealerweise 2pol. gehäuse) für dese Anforderung? Danke und schönen Gruß Alec
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Zener-meas.jpg
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