Hier ein Bild der Eingangsversorgungsschutzschaltung des Raspi Modell
B+. Ich hänge jetzt seit ner halben Stunde da dran und je mehr ich
darüber nachdenke umso verwirrender wird dit janze.
Kann jemand erklären wie die Schaltung funktioniert? Und unter welcher
Bedingung leitet der selbstsperrende Mosfet Q3?
Hallo,
Funktion:
5V an J1, Q3-2 = 0V: Transistor U14/6-1 ist leitend, R2 liegt quasi an
der Stromversorgung von J1 und sperrt U14/5-4. Dadurch liegt R3 auf
0-Volt und schaltet Q3 durch. Die Energieflussrichtung ist jetzt 5V nach
J1.
J1 offen, 5V vorhanden: U14/5-4 ist durchgeschaltet, R3 liegt auf 5V und
sperrt Q3. J1 ist quasi abgeschaltet.
Wird J1 angesteckt und die 5V sind vorhanden, werden die 5V auf J1
durchgeschaltet.
Gruß Manfred
Noch ein Nachtrag: so wie es gezeichnet ist, ist natürlich die Diode in
Q3 auch noch beteiligt. Danach würde jede Spannung an J1, die höher als
die 5V sind, auf die 5V geschaltet und Q3 gesperrt.
Gruß Manfred
Rasputin schrieb:> Und unter welcher> Bedingung leitet der selbstsperrende Mosfet Q3?
Zunächst leitet der immer dann, wenn an seinem Pin 3 (D) die Spannung
höher ist als an Pin 2 (S).
Bei zu niedriger Eingangsspannung ist dies nicht der Fall, es muss
zumindest die UGS groß genug sein, um ihn aufsteuern zu können, d.h. die
Eingangsspannung muss einen Mindestwert haben. Bis dahin leitet dann die
Body-Diode des FET mit dem üblichen Spannungsabfall.
Der Vorteil der Schaltung gegenüber einfachen
MOSFET-Verpolschutzschaltungen (pMOSFET mit Gatewiderstand nach GND +
ggf. Schutmaßnahmen für UGS) ist die Tatsache, dass diese Schaltung eine
Rückspeisung verhindert, wenn z.B. die Spannung über C5 schnell kleiner
wird, dann wird C1 nicht mit entladen - so wie bei einer echte Diode.
Danke für die Hilfe.
Ich probier's mal:
1)
Im Moment des Anlegens von 5V an J1 schalten beide Transistoren von U14
ein und sperren sich danach sofort(!) selbst? Kann man das so sagen?
2)
Mein Problem war der P-Kanal Mosfet.
Der leitet nur wenn er (quasi) auf Masse liegt. Richtig?
Ich hatte mal mit nem ich glaube BS170 (Fet?) experimentiert und war
ziemlich erschrocken weil das Teil erst bei negativer Vorspannung am
Gate, glaub -5 Volt oder so, zum sperren kam. Seitdem mache ich um Fets,
egal welcher Art immer einen großen Bogen.
Rasputin schrieb:> 1)> Im Moment des Anlegens von 5V an J1 schalten beide Transistoren von U14> ein und sperren sich danach sofort(!) selbst? Kann man das so sagen?
Nimm LTSpice und simulier das einfach mal.
So, wie du es sagst, kann man es aber nicht sagen. Beide Transistoren
sind im Betrieb mehr oder weniger leitend. Wenn die Ausgangsspannung
kleiner wird, dann wird der rechte Transistor weniger leiten und die
Spannung an seinem Kollektor (Pin 4) wird sinken -> der FET wird stärker
durchgesteuert und die Ausgangsspannung steigt wieder. So hält das
System die Dropspannung über dem FET auf einige zig mV.
> 2)> Mein Problem war der P-Kanal Mosfet.> Der leitet nur wenn er (quasi) auf Masse liegt. Richtig?
Er leitet, wenn die Spannung am Gate einige Volt (je nach Typ) negativer
ist als die Source. Es muss nicht Masse sein.
>> Ich hatte mal mit nem ich glaube BS170 (Fet?) experimentiert und war> ziemlich erschrocken weil das Teil erst bei negativer Vorspannung am> Gate, glaub -5 Volt oder so, zum sperren kam. Seitdem mache ich um Fets,> egal welcher Art immer einen großen Bogen.
Das war dann entweder kein BS170 oder er war kaputt oder, was am
Wahrscheinlichsten ist, es war ein Sperrschicht-FET (z.B. ein BF245).
Letzterer verhält sich deutlich anders als ein MOSFET.
Ich finde die Schaltung ausgesprochen interessant. Es wundert mich sehr,
dass hier noch niemandem aufgefallen ist, dass diese Schaltung sehr
einer klassischen mit Bipolartransistoren aufgebauten OP-Eingangsstufe
(Differenzverstärker) ähnelt, abgesehen davon, dass die beiden
"Eingänge" miteinander verbunden sind und die Ansteuerung über die
Emitter erfolgt. Damit handelt es sich sozusagen um einen
"Differenzverstärker in Basisschaltung".
Axel S. schrieb:> Suchfunktion benutzen!
Mit welchem Suchbegriff? Mit "ideale diode" finde ich viel, aber leider
wenig Gescheites.
Die Frage: Wie kommt man auf die Widerstandswerte 10k und 47k ist noch
offen.
Uhu U. schrieb:> Die Frage: Wie kommt man auf die Widerstandswerte 10k und 47k ist noch> offen.
Wichtig ist, dass R2 niederohmiger ist als R3
damit er Q3 entriegeln kann und beim Einschalten
von 5V Q(345)leitend wird und Q3 sperrt.
Q(126) ist eine Diode.
1K und 4K7 würden auch funktionieren.
Zu hochohmige Werte wie 100K und 470K erhöhen
die Storanfälligkeit.
Zum Glück kannte ich diese clevere Schaltung bis eben nicht.
Für meinen Arduino habe ich einen einzigen BJT dafür
eingesetzt.
LG
old.
??? schrieb:> Ist beim FET nicht Source und Drain vertauscht. So leitet die> Schutzdiode ja dauernd.
Die Schutzdiode wird üblicherweise als Bodydiode oder Bulkdiode
bezeichnet. Bei der Schaltung geht es darum, dass kein Strom aus dem
Gerät in den USB-Eingang zurückfließen darf, z.B. wenn des Gerät noch
eine weitere Spannungsversorgung hat. Gerade bei Entwicklungsboards oder
ähnlichen Geräten (z.B. Programmieradaptern) besteht sonst die Gefahr,
bei ausgeschalteter USB-Versorgung entweder diese weitere
Spannungsversorgung oder das Gerät zu überlasten.
MOSFETs kann man üblicherweise auch "rückwärts" betreiben, so dass der
eigentliche Kanal zur Überbrückung der Bodydiode dient, um deren
Spannungsabfall zu minimieren. Bipolartransistoren hätten um
Rückwärtsbetrieb jedoch eine viel zu geringe Stromverstärkung.
Andreas S. schrieb:> Bipolartransistoren hätten um> Rückwärtsbetrieb jedoch eine viel zu geringe Stromverstärkung.
Eben. Deshalb kann das ein BJT auch alleine.
Anbei die Schaltung für meinen Arduino Nano.
Im Bild rot eingekreist.
Ohne den PNP-Transistor als low-drop-diode,
hatte ich mir langsam die Schottky-Diode im
Nano ruiniert. Beim Einstecken des USB wurde
C2 schlagartig geladen und die Sottky immer
hochohmiger.
LG
old.
CO2 ist ihm N. schrieb:> Eben. Deshalb kann das ein BJT auch alleine.> Anbei die Schaltung für meinen Arduino Nano.> Im Bild rot eingekreist.
Deine Schaltung dient nicht zur Vermeidung einer
Rückspeisung, sondern stellt nur eine Strombegrenzung
dar. Das hat so gar nichts mit einer idealen Diode
zu tun.
> Ohne den PNP-Transistor als low-drop-diode,> hatte ich mir langsam die Schottky-Diode im> Nano ruiniert. Beim Einstecken des USB wurde> C2 schlagartig geladen und die Sottky immer> hochohmiger.
Klar, der Strom wird in Rückwärtsrichtung auf nur
einige zig Milliampere begrenzt, in Vorwärtsrichtung
allerdings auch auf wenige hundert Milliampere,
natürlich stark abhängig von Exemplarsteuerungen
des Transistors.
Deine Schaltung funktioniert nur deswegen, weil Du
über USB nur ca. 5V anlegst. Bei höheren Spannungen
(> ca. 8V) würde im Einschaltmoment die BE-Strecke von
Q17 durchschlagen.
Axel S. schrieb:> Die Schaltung wurde hier schon zig-tausendmal durchgekaut.> Suchfunktion benutzen!
Jetzt oute ich mich mal. Seit rund 50 Jahren bin ich unterwegs in
Analog-Schaltungstechnik.
Und kannte bis heute diese Schaltung nicht!
Mein Gott, ist das peinlich!!!
Die beiden Transistor von U14 sind ein PNP-Stromspiegel, vor Q3 fließt
ein Strom durch den Spiegel und durch R2... dieser Strom wird dann
gespiegelt und fließt über R3. Da R3 Faktor 4,7 größer ist als R2 sollte
dann dort auch eine höhere Spannung anliegen als über R2.... und diese
Spannung steuert das Gate von Q3 an...
In der Literatur findet man fast nur NPN-Stromspiegel... die PNP
variante dürfte ziemlich exotisch sein...
Andreas S. schrieb:> Klar, der Strom wird in Rückwärtsrichtung auf nur> einige zig Milliampere begrenzt, in Vorwärtsrichtung> allerdings auch auf wenige hundert Milliampere,
Wunderbar, so soll es sein. :-)
Andreas S. schrieb:> idealen Diode
Das ist eine richtig miese Low-Drop-Diode.
Sie ist langsam und hat einen relativ hohen Rückstrom.
Bei der Anwendung spielt das aber keine Geige.
Andreas S. schrieb:> Deine Schaltung funktioniert nur deswegen, weil Du> über USB nur ca. 5V anlegst. Bei höheren Spannungen> (> ca. 8V) würde im Einschaltmoment die BE-Strecke von> Q17 durchschlagen.
Och, wenn über USD mehr als 5,5V kommen,
habe ich ganz andere Sorgen.
Uhu U. schrieb:> so funktioniert es nicht
Last anklemmen !
LG
old.
Uhu U. schrieb:> Ich habe die Schaltung mal mit einer Schottky anstelle von Q(126)> simuliert - so funktioniert es nicht.
Natürlich funktioniert das so nicht. Es ist auch kein Zufall, dass ein
Doppeltransistor statt zweier Einzeltransistoren verwendet wurde. Das
ganze ist schließlich, je nach Sichtweise, eine Variation eines
Differenzverstärkers oder Stromspiegels. In integrierten Schaltungen hat
man noch den Freiheitgrad, über die Flächenverhältnisse der Transistoren
bei Stromspiegeln von 1:1 abweichende Spiegelungen zu realisieren. In
den vereinfachten Schaltbildern einiger analoger Bauelemente wie z.B.
OPs werden solche Transistoren dann mit unterschiedlichen
Kollektoranschlüssen, z.B. aus mehreren Linien bestehend, dargestellt.
Eine Schottkydiode besitzt hingegen so eklantant andere Eigenschaften
als die BE-Strecke eines Transistors, dass der Transistor wahrscheinlich
sogar komplett sperrt.
Uhu U. schrieb:> sieht das offenbar anders...
Ja, leider. Schade.
Bei verbundenen Emittern muss der rechte Collector
gegen Emitter ziehen.
Das hast Du erst sicher wenn der rechte Widerstand
hochohmiger als der linke Widerstand ist.
Mit gleichen Widerständen besteht die Gefahr, dass
der FET nicht aufmacht.
Das hat jemand beim Raspi auch erkannt. :-)
LG
old.
Uhu U. schrieb:> Ist dir
Ich habe Dir mal eine Simu gemacht die das Problem
mit dem Entriegeln zeigt.
Der Transistor links hat eine höhere Stromverstärkung
als der Transistor rechts. Kann ja vorkommen.
V2 liegt ständig an, V1 wird kurz mal angesteckt.
Mit gleichen Widerständen entriegelt M1 nicht mehr.
Auch ohne V1 bleibt U1=U2.
Mit R2 >= 4*R1, wie beim Raspi, ist die Schaltung
dagegen sicher.
Überzeugt?
LG
old.
Uhu U. schrieb:> Welchen Sinn hat D1?
Sorgt dafür das Du U1 mit V1 nicht an GND legen kannst.
Wenn Du den USB-Stecker ziehst macht Du ja auch keinen
Kurzschluss danach.
V1 mit D1 stellt also den USB-Anschluss dar.
Uhu U. schrieb:> kann man auch nachvollziehen,> wo du die Spannung gemessen hast...
Starte die Simu und alles ist klar.
Zudem habe ich Deine Labels übernommen
um es Dir leicht zu machen.
LG
old.
CO2 ist ihm N. schrieb:> Starte die Simu und alles ist klar.
Das hilft nicht viel - man muss alle Knoten durchprobieren.
>> Welchen Sinn hat D1?>> Sorgt dafür das Du U1 mit V1 nicht an GND legen kannst.
Das macht doch überhaupt keinen Sinn: in der Simulation nicht und in der
Realität ziehst du die Spannungsquelle mit dem USB-Stecker ab - da kann
es keinen Kurzen geben.
Skyper hat die Schaltung hier:
Beitrag "Re: Transistor-Schutzschalung" prima erklärt - man
muss nur die beiden PNPs als Baustein "Stromspiegel" mit seinen
Eigenschaften sehen und schon klappts.
Ich habe das Teil mal alleine simuliert. Merkwürdig, dass selbst mit
simulierten Transistoren der Ausgang einen geringfügig höheren Strom
erzeugt.
Warum hast du in deiner Simulation als Q2 nur einen BC 557B genommen?
Damit die Schaltung mit gleichen Widerständen nicht funktioniert?
Nachtrag: Da hast du schlicht und einfach beschissen...
zudem konterkarierst du damit den Stromspiegel, der entweder vollständig
integriert wird, oder als Dual-Transistor ausgeführt wird, damit beide
Transistoren gleiche Eigenschaften haben.
Sogar bei R gibts einen PNP- und einen NPN-Stromspiegel als SMD mit 4
Anschlüssen: BCV61 und BCV62 - so exotisch sind also PNP-Stromspiegel
doch nicht.
Uhu U. schrieb:> Warum hast du in deiner Simulation als Q2 nur einen BC 557B genommen?
Antwort:
CO2 ist ihm N. schrieb:> Der Transistor links hat eine höhere Stromverstärkung> als der Transistor rechts. Kann ja vorkommen.Uhu U. schrieb:> Nachtrag: Da hast du schlicht und einfach beschissen...
Oha. Wenn Du weiter von mir Hilfe bekommen möchtest,
versuche es mit einem neuem Nickname.
LG
old.
CO2 ist ihm N. schrieb:> Oha. Wenn Du weiter von mir Hilfe bekommen möchtest,> versuche es mit einem neuem Nickname.
1. bescheiße ich nicht
2. Hilfe, die mehr verwirrt, als klärt, ist keine.
Rasputin schrieb:> Danke für die Hilfe.>>> Ich probier's mal:>> 1)> Im Moment des Anlegens von 5V an J1 schalten beide Transistoren von U14> ein und sperren sich danach sofort(!) selbst? Kann man das so sagen?>> 2)> Mein Problem war der P-Kanal Mosfet.> Der leitet nur wenn er (quasi) auf Masse liegt. Richtig?>>> Ich hatte mal mit nem ich glaube BS170 (Fet?) experimentiert und war> ziemlich erschrocken weil das Teil erst bei negativer Vorspannung am> Gate, glaub -5 Volt oder so, zum sperren kam. Seitdem mache ich um Fets,> egal welcher Art immer einen großen Bogen.
??
https://www.youtube.com/watch?v=IrB-FPcv1Dc
für die ander Frage
"Wilson Stromspiegel" suchen.
Man findet viele gute Erklärungen :-)
Uhu U. schrieb:>> Ich habe das Teil mal alleine simuliert. Merkwürdig, dass selbst mit> simulierten Transistoren der Ausgang einen geringfügig höheren Strom> erzeugt.
Dessen Kollektor-Emitter-Spannung ist ja viel höher. Da schlägt der
Early-Effekt zu.
CO2 ist ihm N. schrieb:> Vorsicht! Einen Verpolungsschutz bietet Dir die Schaltung> https://www.mikrocontroller.net/attachment/331737/Raspi_B__Schutzschaltung.png> hier nicht.
Doch, die Schaltung funktioniert zusätzlich auch als Verpolschutz bis
ca. -8V, da der MOSFET in solche einem Fall "richtig herum" gepolt ist,
d.h. in Sperrichtung liegt. Sein Gate kann auch nicht auf ein
niedrigeres Potential als Source gezogen werden, so dass er auch nicht
durchschalten kann.
HildeK schrieb:> Erklär das mal näher
Bild:
https://www.mikrocontroller.net/attachment/331737/Raspi_B__Schutzschaltung.png
Rechte Seite +5Volt.
Pins 1,2,3 von U14 haben dann etwa 4,3V.
Verpolte 5V an Pin 6 macht 9,3V zwischen
Basis und Emitter des linken Transistors in U14.
Laut Datenblatt zu viel für die BE-Strecke.
Wird abrauchen oder der Bonddraht schmelzen.
HildeK schrieb:> Ich habe die schon aufgebaut und sie tut es sehr wohl.
Wenn rechts keine 5V liegen, glaube ich Dir das.
Wie verpolt man sich bei USB?
Merkst Du ob die Schaltung es wirklich noch tut?
LG
old.
CO2 ist ihm N. schrieb:> Rechte Seite +5Volt.> Pins 1,2,3 von U14 haben dann etwa 4,3V.> Verpolte 5V an Pin 6 macht 9,3V zwischen> Basis und Emitter des linken Transistors in U14.> Laut Datenblatt zu viel für die BE-Strecke.> Wird abrauchen oder der Bonddraht schmelzen.
Es ist wirklich interessant, deine ideologische Rangehensweise selbst an
technische Probleme zu beobachten...
Oben hast du festgestellt, Q(125) sei eine Diode -
Beitrag "Re: Transistor-Schutzschalung". Ich habe daraufhin
in der Simulation den Transistor durch eine Schottky-Diode und siehe da,
sie funktioniert nicht mehr. Also doch keine Diode.
Dann verdrehst du meine Feststellung in ihr Gegenteil: CO2 ist ihm N.
schrieb im Beitrag #5029605:
> Ich habe es so verstanden, dass es bei ihm nur mit der Schottky klappt.
Auf meine Entgegnung i.S. Dimensionierung der Widerstände ("Wichtig ist,
dass R2 niederohmiger ist als R3") lenkst du erst mal ein:
CO2 ist ihm N. schrieb:> Ja, leider. Schade.
um dann mit deiner Fake-Simulation
Beitrag "Re: Transistor-Schutzschaltung Widerstände" zu versuchen, mir
weis zu machen, du hättest doch Recht.
Als die Sache auffliegt, konterst du mit "Liebesentzug":
Beitrag "Re: Transistor-Schutzschalung"
Nun das nächste Beispiel: Funktioniert die Schaltung auch als
Verpolschutz?
Das eigentlich angebrachte "im Prinzip ja, aber..." kommt dir nicht über
die Tastatur. Stattdessen ziehst du dich einseitig auf die nicht völlig
falsche Argumentation mit den Grenzwerten des eingesetzen
Transistorpärchens zurück - nur um mal wieder Recht zu haben. Aber knapp
vorbei ist eben doch daneben...
Ich möchte das alles nicht werten, sondern einfach nur feststellen, dass
diese Winkelzüge bei dir keine Ausrutscher sind und Diskussionen mit dir
ziemlich unerquicklich machen. Bei politischen Themen ist das ziemlich
offensichtlich, dass sich das Muster aber auch durch technische Themen
zieht, ist zumindest bemerkenswert.
Denk einfach mal darüber nach.
Uhu U. schrieb:> Ich möchte das alles nicht werten, sondern einfach nur feststellen, dass> diese Winkelzüge bei dir keine Ausrutscher sind und Diskussionen mit dir> ziemlich unerquicklich machen. Bei politischen Themen ist das ganz> offensichtlich, dass sich das Muster aber auch durch technische Themen> zieht, ist zumindest bemerkenswert.
Klasse. Da haben sich 2 ebenbürtige Holzschädel getroffen und knallen
hohl klingend immer wieder aufeinander. Das ist nicht unterhaltsam und
auch nicht mal nur ein wenig lächerlich. Das sind die Gesichter von
Rechthabern und Provokateuren im Jahr 2017, die sie im realen Leben
nicht zeigen können, weil sonst am nächsten Morgen die Zahnbürste ins
Leere griffe.
HildeK schrieb:> Pin 5 und 6
Ja danke, ist eine Lösung. :-)
Ich meine es ist günstiger die Transistoren invers zu betreiben.
Damit ist das Spannungsproblem sogar unter Beibehaltung der
Steilheit gelöst.
Möglicherweise machen die das beim Raspi, bitte mal
nachprüfen wer kann. Ich habe keinen.
Was mich ja total entzückt:
LTSpice macht Inversbetrieb und auch die Stromverstärkung
passt. asc zum Spielen anbei.
Real sollte BE-Z-Diode jetzt das Gate schützen,
habe ich aber noch nicht simuliert.
LG
old.
CO2 ist ihm N. schrieb:> Ich meine es ist günstiger die Transistoren invers zu betreiben.
Richgig, damit taugt die Schaltung auch für mehr als 5V verpolt (je nach
Transistor-Sperrspannung).
ths schrieb:> Es gibt
Interessant.
Mir dünkt, dass die unterste Schaltung nicht entriegelt.
Beitrag "Re: Transistor-Schutzschaltung Widerstände"
Werde die mittlere und unterste Schaltung später*
mal daraufhin abklopfen.
MaWin schrieb:> damit taugt die Schaltung auch für mehr als 5V verpolt
Danke für die Bestätigung. :-)
LG
old.
*Hänge mal wieder an einen Arduino-Softwareproblem ...
ths schrieb:> Nanana
Ich komme mit der unteren Schaltung vom Regen in die Traufe.
Wenn links keine Spannung ist, kann das Gate von Q6 floaten.
So wie sie ist --> Tonne.
LG
old.
ths schrieb:> hier halt auch noch ein Widerstand
Auch mit Widerstand ein Satz mit X.
CO2 ist ihm N. schrieb:> Die beigefügte asc
Anbei mal ein Screenshot für die Leser ohne LTspice.
LG
old.
CO2 ist ihm N. schrieb:> Ich meine es ist günstiger die Transistoren invers zu betreiben.> Damit ist das Spannungsproblem sogar unter Beibehaltung der> Steilheit gelöst.> Möglicherweise machen die das beim Raspi, bitte mal> nachprüfen wer kann. Ich habe keinen.>> Was mich ja total entzückt:> LTSpice macht Inversbetrieb und auch die Stromverstärkung> passt. asc zum Spielen anbei.> Real sollte BE-Z-Diode jetzt das Gate schützen,> habe ich aber noch nicht simuliert.
Ich hab mir diese Schaltung mal angeschaut. Mir ist aufgefallen, daß das
Gate dabei gar nicht richtig aufgesteuert wurde, das blieb so bei -1V
rum hängen.
Erst als ich R1 deutlich größer als R2 gemacht habe ging das Gate
richtig auf.
Meine Simulation anbei. Ich verpole da richtig und habe auch einen
Kondensator drin wie er bei dem klassischen Verpolungsschutz mit P-FET
zu Problemen führen würde.
Gerd E. schrieb:> Erst als ich R1 deutlich größer als R2 gemacht habe ging das Gate> richtig auf.
Und was bringt Dir das? Nichts!
Der MOSFET entriegelt dann nicht mehr. Du kannst das mit
der asc aus diesem Beitrag
Beitrag "Re: Transistor-Schutzschaltung Widerstände"
leicht prüfen.
Die Raspischaltung regelt auf die Differenzspannung
der BE-Strecken. Der MOSFET ist da kein Schalter.
Das ist ja das Geniale an der Raspi-Schaltung.
Dieses Regeln kannst Du sehr schön sehen, wenn
Du den Wert des Lastwiderstandes änderst.
LG
old.
Gerd E. schrieb:> Mir ist aufgefallen, daß das> Gate dabei gar nicht richtig aufgesteuert wurde
Der Rds_on ist auch sehr gering, sodass die Regelung
es gar nicht für nötig hält "richtig aufzusteuern".
Um das darzustellen kann man die Regelung aber an ihre
Grenzen bringen, indem man einfach einen zusätlichen
Widerstand hinzufügt der >= dem erforderlichen Rds ist.
Das habe ich in der beigefügten Simulation mal gemacht.
Man erkennt, dass die Regelung bei Bedarf durchaus
dazu fähig ist "voll aufzusteuern".
CO2 ist ihm N. schrieb:> Real sollte BE-Z-Diode jetzt das Gate schützen,> habe ich aber noch nicht simuliert.
Jetzt habe ich das mal simuliert und es ist tatsächlich so.
Also gleich zwei Vorteile durch den Inversbetrieb der
BJTs. Das gefällt mir ausgesprochen. :-)
LG
old.
Raspi_B__Schutzschaltung.png
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