Ich habe einen Mikrocontroller der den Transistor ansteuert.
Am Out habe ich meinen Verbraucher der circa 6A benötigt.
Daher habe ich mir die im Bild dargestellte Schaltung überlegt.
Ich habe allerdings nicht so richtig ne Ahnung von MOSFETs, hoffe daher
auf ein wenig Rückmeldung.
Funktioniert die Schaltung so? Ich hab am Source Betriebsspannung und am
Gate dieselbe Spannung bis der Transistor durchschaltet. Sobald der
Transistor durchschaltet leiter der Mosfet, weil die Gate Spannung
geringer ist als die Source Spannung?
Die Frage ist nun, da die Schaltung an 5V betrieben werden soll, reicht
der Spannungsunterschied um den Mosfet durchzuschalten (Hab mal was von
mindestens 10V gelesen?)
Mosfet_neuling schrieb:> Hab mal was von> mindestens 10V gelesen?
Wo kann man das denn lesen? Gibt es dazu einen Link? Würde mich wirklich
interessieren ...
Und wenn ich so ins Datenblatt schaue
VGSO gate-source voltage (DC) open drain − ±20 V
(der Schei..., der hier steht
http://www.mikrocontroller.net/articles/FET
ist ja sowieso nicht ernst gemeint)
dann liegen Deine 10 V bestimmt im optimalen Bereich. Ich würde auch gar
nicht erst mit LTSpice simulieren oder gar auf Breadboard aufbauen und
ausprobieren - einfach eine Platine bestellen, Lötkolben an und die
Bauteile drauf.
Da Du offensichtlich Eagle bedienen kannst ist doch sowieso alles klar -
oder?
Bei dem oben verwendeten Schaltzeichen eines p-Kanal Mosfet bilden gate
und source eine gerade Linie.
Das Schaltzeichen muss gespiegelt und gedreht werden, sodass gate und
source oben sind (Richtung Vcc)
und drain muss unten sein (Richtung GND)
(ähnliche Polung wie einem PNP-Transistor)
Danke für die ganzen Antworten. Ich werd mir die Artiekl gleich nochmal
durchlesen.
Und ich hab beim bauen der schematic eben einfach nur irgendeinen
P-Kanal Mosfet genommen, wusste nicht das es ausser der Spannung so
große Unterschiede da gibt.
Ich brauche also einen Logik-Mosfet
Lies das Datenblatt. Da sind normalerweise Plots drin, aus denen du
ablesen kannst, ob das Bauteil unter den gegebenen Bedingungen tut was
es soll.
Wozu eigentlich der zweite Transistor (der links)?
Wenn ihr wissen wollt ob 5V ausreichen um den MOSFET durchzuschalten
müsst ihr euch die Output Characteristics im Datenblatt des jeweiligen
Transistors anschaun. Im Anhang hab ich mal die vom Buz11 gepackt damit
ihr wisst was ich meine. Da könnt ihr dann nachschaun wieviel Strom bei
5V Ugs der Transistor liefern kann und wie hoch der Spannungsfall über
die DS-Strecke dann ist.
Die 10V Ugs ist nur ne Faustformel, passt aber häufig ganz gut.
Ja, da hast du eigendlich recht...
gut dann schließ ich den Controller direkt ans Gate an, bleibt trotzdem
die Frage ob ich das Datenblatt richtig gelesen habe und mir den
passende MOSFET aus einem anderen Shop organisieren muss.
Habe die schaltung nun überarbeitet...der nun eingetragenen MOSFET ist
einer der wenigen die gerade so gehen würden laut Datenblatt...
...scheint schwierig zu sein P-Channel Mosfets zu bekommen die direkt
mit 5V komplett durchschaltbar sind.
Du möchtest also einen Inverieten Teiber, denn mit P-FET mit Source an
+5V ist der bei +5V am Gate ausgeschaltet, denn Deine Last ist R1 oder
eine zweite ohmsche Last gegen Masse an Out, richtig?
Logic-Level P-FET sind in der Tat recht selten gehen würde da der
IRLIB9343.
Wenn es kein Problem ist die Last an FET Drain und +5V zu legen wäre in
N-FET mit Source an Masse die einfachere Lösung da gibt es eine Menge
Logic Level FET (IRL520 gibt es schon für unter 1€ mit Gate Threshold
von 1-2V und massig Stromreserve). Damit der Ausgang dann inveriert ist
braucht es aber wieder den T1.
Wenn Vcc nicht auch Vcc des Kontrollers ist, kann das erhebliche
Probleme geben:
Arbeitet z.B. der Mosfet an einem Vcc von 12V und der Kontroller an 5V,
bleibt der Mosfet mit 7V als UGS ständig geöffnet.
Das ist der eigentliche Grund für die Verwendung des bipolaren Treibers:
Er ermöglicht zwei getrennte Spannungsversorgungen: Eine hochwertige und
weitgehend belastungsunabhängige Versorgung des Kontrollers und eine
Versorgung des Lastteils mit einer robusten Spannung, die auch mal durch
Schaltvorgänge, Anlaufströme usw. zusammenbrechen kann.
Du musst deinen Verbraucher fest auf der + Seite verbinden und der
N-Kanal Mosfet kommt in die Masseleitung des Verbrauchers. Dann kannst
du ihn mit High Pegel ein und mit Low Pegel (evtl. noch ein Pulldown
Widerstand vom Gate auf Masse)ausschalten.
Achte darauf das er mit Logicpegeln zurecht kommt also voll
durchschalten viele machen erst ab 10V voll auf. Kommt auch etwas auf
den Strom an.
Michael Köhler schrieb:> Wenn ihr wissen wollt ob 5V ausreichen um den MOSFET durchzuschalten> müsst ihr euch die Output Characteristics im Datenblatt des jeweiligen> Transistors anschaun. Im Anhang hab ich mal die vom Buz11 gepackt damit> ihr wisst was ich meine. Da könnt ihr dann nachschaun wieviel Strom bei> 5V Ugs der Transistor liefern kann und wie hoch der Spannungsfall über> die DS-Strecke dann ist.
Schreib nicht so einen Scheiss.
Das Diagramm ist "typisch", die reale UGS Spannung, die nötig ist, um
die Kurve zu ergeben, kann, so wie die UGS(th) Angabe im Datenblatt, um
den Faktor 1:2 schwanken. Oder anders gesagt: Nur die Hälfte der
Exemplare erreicht unter der Hälfte der Betriebsbedingungen diese Kurve.
Oder noch anders: Man braucht die doppelte Spannung, damit die Kurve
garantiert erreicht wird.
Schlauer ist es bei RDS(on) im Datenblatt nach der UGS Spannung zu
gucken, oberhalb derer der Hersteller GARANTIERT, daß der MOSFET so gut
durchschaltet.
> Die 10V Ugs ist nur ne Faustformel, passt aber häufig ganz gut.
Nein, die bei RD(on) stehende UGS ist GARANTIERT, und damit wesentlich
besser als dumme Fäuste.
Wer weniger braucht, sucht einen MOSFET, bei dem RDS(on) bei 4.5V oder
2.7V UGS garantiert wird, eine LogicLevel bzw. Ultra low threshold
MOSFET.
Mosfet_neuling schrieb:> Habe die schaltung nun überarbeitet
Funktioniert nur, wenn VCC vom Verbraucher gleich VCC des ansteuernden
Mikrocontroller ist, also beide 5V.
> ...scheint schwierig zu sein P-Channel Mosfets zu bekommen die direkt> mit 5V komplett durchschaltbar sind.TPS1110 schaltet 6A bei -4.5V
MaWin schrieb:> Das Diagramm ist "typisch", die reale UGS Spannung, die nötig ist, um> die Kurve zu ergeben, kann, so wie die UGS(th) Angabe im Datenblatt, um> den Faktor 1:2 schwanke
Bei Ugs(th) stimm ich dir zu, ich habe es aber noch nicht erlebt, dass
das Ausgangskennlinienfeld so dermaßen daneben liegt wie du beschrieben
hast. Mein bisher schlechtester Transistor lag keine 10% neben den
Ausgangskennlinienfeld. Wobei ich bisher auch noch nicht viele
Transistoren ausgemessen habe (so rund 20).
MaWin schrieb:> Nein, die bei RD(on) stehende UGS ist GARANTIERT, und damit wesentlich> besser als dumme Fäuste
Nun, auch das kommt drauf an (gibt ja mehrere Rds(on), z.B. min, typ und
max, aber mal ne Frage: Der Begriff "Faustformel" ist dir schon bekannt,
oder?
Michael Köhler schrieb:> Der Begriff "Faustformel" ist dir schon bekannt, oder?
Ja, ein Rechenweg von Schwachsinnigen das man nur mit der Faust
ausmerzen kann, weil der Verstand bei denen nicht reicht um so Falsches
zu verstehen und aufzugeben.
Mosfet_Switch.PNG
(3,4 KB)
