Basics, warum leitet der MOSFET in der Simulation?
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Gast
#6333852
FET falsch herum. Bei dir ist Source oben und Drain unten.
Gast
#6333859
MOSFETs (auch alle FETs?) haben parasitäre Dioden. Die Diode leitet in gezeigten Verschaltung.
Gast
#6333862
Oh sorry, habe gerade an einen N-Kanal gedacht, sorry. Bei dir ist Source positiver als das Gate. Somit leitend.
W3ll S. schrieb: > Basics, warum leitet der MOSFET in der Simulation? Weil das Ausschalten fehlt.
Gast
#6333926
Es ist ein p-Channel. Die Source zieht sich irgendwo auf ca. 12 V hin. Das Gate wird bei 3V3 gehalten. Ugs ca. -9 V. Das Ding ist leitend, die Welt mal wieder gerettet.
W3ll S. schrieb: > Basics, warum leitet der MOSFET in der Simulation? Geh an die Tafel, schreib 1000 mal hin: "Das Gate darf nicht floaten!"
Gast
#6334092
Das Gate ist ein Kondensator. Wenn du den einmal aufgeladen hast und dann den Schalter öffnest, bleibt er geladen.
W3ll S. schrieb: > warum leitet der MOSFET in der Simulation? Weil seine Gate-Source Spannung (nicht: Gate-Spannung) niemals 0 werden kann. Nur dann sperrt er aber. > Basics Ja. Die fe len dir. Wie wärs, wenn du das änderst?
Gast
#6334371
W3ll S. schrieb: > Basics, warum leitet der MOSFET in der Simulation? Wieso musst du jetzt für diese Frage einen neuen Thread beginnen? Gefallen dir die Antworten in deinem alten Thread nicht? Beitrag "ADC Spannungsteiler Schaltungsvorschlag"
Molli schrieb: > Wieso musst du jetzt für diese Frage einen neuen Thread beginnen? > Gefallen dir die Antworten in deinem alten Thread nicht? Doch, ich wollte den aber nicht abdriften lassen, da ich mir erstmal die Basic anschauen moechte. Ich frage mich immer warum Amatuerfunker und Elektroniker so bissige Zeitgenossen sind.
Gast
#6334468
W3ll S. schrieb: > Ich frage mich immer warum Amatuerfunker und Elektroniker so bissige > Zeitgenossen sind. Wegen der blend-a-med!
W3ll S. schrieb: > Doch, ich wollte den aber nicht abdriften lassen, da ich mir erstmal die > Basic anschauen moechte. Dann hänge mal einen 1 GOhm Widerstand zwischen Gate und Source.
Gast
#6334511
Dieter D. schrieb: > W3ll S. schrieb: >> Doch, ich wollte den aber nicht abdriften lassen, da ich mir erstmal die >> Basic anschauen moechte. > > Dann hänge mal einen 1 GOhm Widerstand zwischen Gate und Source. xD zur Sicherheit lieber 1Tera-Ohm, dann ist der MosFet garantiert geerdet.
Dieter D. schrieb: > Dann hänge mal einen 1 GOhm Widerstand zwischen Gate und Source. Joa, Dieter ... Rentnerwitzchen?
Gast
#6334834
W3ll S. schrieb: > Dieter D. schrieb: >> Dann hänge mal einen 1 GOhm Widerstand zwischen Gate und Source. > > Joa, Dieter ... Rentnerwitzchen? Kein Witz.
>Basics, warum leitet der MOSFET in der Simulation?
Restströme - vermutlich vermutet Dein Transistormodell 10µA, was lt.
Datasheet auch sein darf.
Ansonsten ist die Gatebeschaltung witzlos.
W3ll S. schrieb: > Joa, Dieter ... Rentnerwitzchen? Wie hinz schon schrieb ist das kein Witz, sondern ein Hinweis auf den Hintergrund zu Deiner Eingangsfrage. Peter und Georg haben das Gleiche auch schon angesprochen. Peter D. schrieb: > Geh an die Tafel, schreib 1000 mal hin: "Das Gate darf nicht floaten!" Georg M. schrieb: > Weil das Ausschalten fehlt. Stefan ⛄ F. schrieb: > Das Gate ist ein Kondensator. Wenn du den einmal aufgeladen hast und > dann den Schalter öffnest, bleibt er geladen. Stefan hat noch eine Erklärung ergänzt. Und da setzt bei Dir nicht das eigenständige Denken ein? Da fäellt Dir nix besseres als "Rentnerwitzchen" ein? Da ist sprichwörtlich Hopfen und Malz verloren.
Gast
#6335763
W3ll S. schrieb: > Basics, warum leitet der MOSFET in der Simulation? An der Schaltung ist eigentlich alles falsch was geht. Ein MOSFET Gate wird nicht abgetrennt, um ihn zu sperren. Dein 3.3V Ausgang würde auch nicht abtrennen, selbst wenn er von Output auf Input geschaltet wird, sondern wechselt als Ausgang zwischen 0V low auf 3.3V high, UGS also zwischen 18.7 und 22V. Der MOSFET würde jedoch mit 22V UGS Differenzspannung mehr bekommen als nach Datenblatt erlaubt. Ein A/D Wandler Eingang darf nicht zu hochohmig angeschlossen werden, deine 180k sind zu hochohmig. Bei erlaubten 100nA Fehlerstrom ergäben 180k einen Fehler von 0.018V und somit eine Fehlmessung der 22V von 0.218V. Hinzu käme noch der Fehler durch Widerstandstoleranz. Aus 22V werden durch 2M:180k 1.8165V, durch 2M+1%:180k-1% 1.7834V und durch 2M-1%:180k+1% dann 1.850V. Zudem fliessen an 22V mit 2180k gerade mal 10uA. Wie gut sperrt dein MOSFET überhaupt, lässt der bei UGS=0V nicht noch 10uA durch ? Um eine Akkuspannungskontrolle ohne Dauerbelastung vorzunehmen, muss man also viel intelligenter vorgehen. Wenn man nur ungenau Tiefentladung verhindern will ist das einfacher als wenn man so genau sein muss um LiIon vor Überladung zu schützen.
MaWin schrieb: > Ein A/D Wandler Eingang darf nicht zu hochohmig angeschlossen werden, > deine 180k sind zu hochohmig. Bei erlaubten 100nA Fehlerstrom ergäben > 180k einen Fehler von 0.018V und somit eine Fehlmessung der 22V von > 0.218V. Danke MaWin. Ich habe den mal kleiner gemacht. Zieht dann halt 4mA. Ist ganz schoen viel? > Wenn man nur ungenau Tiefentladung verhindern will ist das einfacher als > wenn man so genau sein muss um LiIon vor Überladung zu schützen. Ja, nur Tiefentladung.
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Danke.
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