P Kanal Mosfet schlägt immer wieder mal Durch.

OP #7740400
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Hallo Ich gebe es zu P Kanal Mosfets sind nicht meine Baustelle und schon gar nicht, wenn VCC über Gate Spannung liegt.

Aber zum Problem. Ich habe einen IRF4905 mit Kühlkörper. Aber ich tue mich schwer ihn richtig anzusteuern. Ich hab mal auf die schnelle ein Schaltbild gebastelt.

Und vielleicht kann mir jemand sagen wie so der IRF4905 immer wieder kaputtgeht. Ein zu hoher Strom kann ich ausschließen also kommt nur noch die Gate Spannung infrage Denke ich.

Würde mich über eine Erleuchtung sehr freuen.

Vielen dank.

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#7740426
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Ich hatte 2x von denen parallel, um eine H7 im Auto zu steuern. Die 20mR gelten wohl tatsächlich erst bei 38Ampere und bei 20Grad. Wenn du dort 8A fließen lässt, wird der echt heiß. Das da aber nun tatsächlich zwei(!) Volt abfallen sollen, mag ich nicht glauben. Wären ja um die 0.5R rds_on. Miss doch mal direkt an den Anschlüssen mitm Multimeter. Einmal zwischen Gate und Source für die U-Gs und einmal direkt an Drain und source, ob das tatsächlich zwei Volt sind, die dort abfallen und eben wie groß die (negative) Gatespannung in dem Moment ist. Die 27K widerstände sind recht hochohmig. Da täten es 2.7K auch. Direkt parallel zu GS würde ich noch ne kleine Z-Diode (12V) schalten. Mir sind die, wenn sie kaputt gingen, durch Überspannung gestorben.

#7740427
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DAVID B. schrieb:

Ich habe einen IRF4905 mit Kühlkörper. Aber ich tue mich schwer ihn richtig anzusteuern. Ich hab mal auf die schnelle ein Schaltbild gebastelt.

Gib Dir etwas mehr Mühe. Es gibt keinen PNP Mosfet. Dein Schaltbild zeigt zudem einen N-Channel Mosfet.

Und vielleicht kann mir jemand sagen wie so der IRF4905 immer wieder kaputtgeht. Ein zu hoher Strom kann ich ausschließen also kommt nur noch die Gate Spannung infrage Denke ich.

Am Mosfet dürften ca. 160mV abfallen. Verlustleistung ca. 1,3W. Dürfte mit Kühlkörper kein Problem sein.

Messen, Fotos vom Aufbau und diesen Kommentar beachten:

H. H. schrieb:

Mach Fotos vom MOSFET, von beiden Seiten.

Beitrag "IRF4905 - RDSon zu hoch"

OP #7740476
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Vielen Dank für euer Input.

Also Bilder habe ich gemacht. Nochmalige Messungen erfolgen nach dem Einbau.

Es gibt keinen PNP Mosfet. Ja Stimmt habe ich mit Transistoren vertauscht. "Gelobe Besserung"

Dein Schaltbild zeigt zudem einen N-Channel Mosfet. Ja viel mir dann auch noch auf, War aber schon zu spät.

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(Firma: Hobbytheoretiker) #7740493
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DAVID B. schrieb:

Nochmalige Messungen erfolgen nach dem Einbau.

In dem Falle mitteilen, ob direkt an den Beinchen gemessen wurde.

  • Drain-Source Spannungsabfall
  • Gate-Source Spannung, wenn Mosfet durchgeschaltet ist.

Wenn es sich um einen schlechten Nachbau beim Mosfet handelt, wäre vielleicht noch eine Lösung die drei, die Du hast parallel zu schalten mit etwas kleineren Widerständen im Spannungsteiler und eine ZD zur Begrenzung der Gate-Source-Spannung auf rund 10V.

(Firma: Hobbytheoretiker) #7740504
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DAVID B. schrieb:

In dem Falle mitteilen, ob direkt an den Beinchen gemessen wurde. Ja natürlich an den Pins 5 Meter weiter weg machsts ja keinen sin :-)

Danke. Den Fall hatten wir mal. Da waren es keine 5m aber ettliche Zentimeter an Leitung aus Kupferersatz anstelle von Kupfer. Damals durch H's Fragen aufgedeckt. Versorgungseingang und Lastkontakt waren bequemer mit den Meßspitzen zugänglich gewesen.

(Firma: Hobbytheoretiker) #7740515
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Jörg R. schrieb:

Obige Lösung ist vollkommener Unsinn. Wie kann man so einen Blödsinn empfehlen?

Beitrag "MOSFETs parallel schalten? Temperatur absenken?"

Im Schaltbetrieb und wegen des positiven Temperaturkoeffizienten von Mosfet gegenüber Bipolarhalbleitern ginge das in diesem Fall als Zwischenlösung.

Das mit der Platznot vom TO kam übrigens 14:02 nach dem Vorschlag von mir 13:58, wodurch dieser Lösungsvorschlag obsolet wird.

#7740525
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Dieter D. schrieb:

Jörg R. schrieb:

Obige Lösung ist vollkommener Unsinn. Wie kann man so einen Blödsinn empfehlen?

Beitrag "MOSFETs parallel schalten? Temperatur absenken?"

Im Schaltbetrieb und wegen des positiven Temperaturkoeffizienten von Mosfet gegenüber Bipolarhalbleitern ginge das in diesem Fall als Zwischenlösung.

Das mit der Platznot vom TO kam übrigens 14:02 nach dem Vorschlag von mir 13:58, wodurch dieser Lösungsvorschlag obsolet wird.

Dein Vorschlag von 13:58 Uhr ist Blödsinn, vollkommen unabhängig von der Platznot. Wenn die Teile Fake sind gehören die in die Tonne.

Du hast so einen großen Zwang hier zu nahezu jedem Thema etwas zu schreiben, egal wie blödsinnig Deine Kommentare sind. Hauptsache schreiben.

(Firma: Hobbytheoretiker) #7740566
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Jörg R. schrieb:

Dein Vorschlag von 13:58 Uhr ist Blödsinn, vollkommen unabhängig von der Platznot.

Dein Kommentar ist Blödsinn, aber das weißt Du ja selber. Geht bei Dir und Deinesgleichen nach dem Prinzip desto dreister, desto besser, Klügere werden schon nachgeben und damit das letzte Wort haben...

Wenn die Teile Fake sind gehören die in die Tonne.

Den Mosfet-Fake kann man dann zwar nicht als IRF4905 verwenden, aber immer noch als Mosfet für andere primitvere Aufgaben, die dem unbekannten Chip darin entsprechen würde. Man kann aus den Werten ungefähr ableiten, wofür die noch taugen.

Übrigens wirft man das nicht einfach nicht wie Du in die Tonne, sondern bringt das bei Gelegenheit zur Elektronikschrottannahmestelle. Diese Diskussion ist auch nicht die erste.

(Firma: Hobbytheoretiker) #7740568
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DAVID B. schrieb:

"JA" ich weis haben andere Daten schon klar.

Ritchie hatte auch einige Fälschungen mit höhen Leckströmen im Off-Zustand zwischen Drain-Source. Wenn diese sich nicht mit einer Spannung unter oder über Null gegenüber dem Drain auf sehr niedrige Werte bringen lassen, sind diese Schrott (also auch nix mit Depletion zum Experimentieren für Energieharvesting).

Damit Du die Fälschugnen spätere nicht wieder verwechselst, kratze auf beide Seiten ein F ins Gehäuse.

OP #7740578
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Habe Jetzt mal auf mein Steck Brett was zusammen gesteckt "KEIN labortest".

Vcc = 13 Volt. Last 1A ( Glühbirnen) Messort = an den Pins D / S. Gate Spannung = VCC / GND DMM Messbereich < 200mv DC

IRF4905 = 68mv unterschied was grob 0.06 Ohm sind. IRF5305 = 62mv unterschied was grob 0.05x Ohm sind. Scheint so zu passen.

Der Besonders glänzende 5305 hatte aber 113 mV unterschied. also 0,1 Ohm ist wohl ein Nachbau.

OP #7740615
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Meine Letzte Reichelt Bestellung ist schon viele Monate her.

Jetzt habe ich mal einen der 5305 eingebaut und kann damit leben. Habe jetzt nur noch ca 350 mv Abfall bei 8A und wird nicht mehr heiß.

SUPER Vielen dank.

Eine Frage wäre aber noch wegen der Gate widerstände. Ich messe 13,6 Volt am Gate Pin und ein schnelles schalten ist NICHT nötig. Muss ich dennoch den ganzen heiß Kleber wieder mühselig ab fummeln oder kann ich die widerstände nicht doch so lassen ?

Es erfolgt KEIN PWM nur einfach an und später aus. Eine ZDiode hatte ich auch schon gedacht belastete mir aber die widerstände zu sehr. weswegen ich sie wieder raus riss.

VCC kann eigentlich nicht groß über 28 Volt kommen. was /2 14 Volt wären von den 20 maxi denke ich weit genug weg oder?

#7740704
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Dieter D. schrieb:

DAVID B. schrieb:

Nochmalige Messungen erfolgen nach dem Einbau.

In dem Falle mitteilen, ob direkt an den Beinchen gemessen wurde.

  • Drain-Source Spannungsabfall
  • Gate-Source Spannung, wenn Mosfet durchgeschaltet ist.

Wenn es sich um einen schlechten Nachbau beim Mosfet handelt, wäre vielleicht noch eine Lösung die drei, die Du hast parallel zu schalten mit etwas kleineren Widerständen im Spannungsteiler und eine ZD zur Begrenzung der Gate-Source-Spannung auf rund 10V.

Dieter D. schrieb:

Den Mosfet-Fake kann man dann zwar nicht als IRF4905 verwenden, aber immer noch als Mosfet für andere primitvere Aufgaben, die dem unbekannten Chip darin entsprechen würde. Man kann aus den Werten ungefähr ableiten, wofür die noch taugen.

Ich frage mich wirklich wie man auf so einen Unsinn kommt.

Übrigens wirft man das nicht einfach nicht wie Du in die Tonne, sondern bringt das bei Gelegenheit zur Elektronikschrottannahmestelle. Diese Diskussion ist auch nicht die erste.

Der Unsinn nimmt einfach kein Ende. Du schreibst ständig drauf los, ohne Sinn und Verstand.

Ich antworte Dir auch nicht auf das was Du geschrieben hast, du schnallst es einfach nicht. Du solltest Dir ein Forum für Schriftsteller oder Philosophen suchen, Hauptsache fernab von der Technik.

#7740720
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DAVID B. schrieb:

Last 1A ( Glühbirnen) Messort = an den Pins D / S. IRF5305 = 62mv unterschied was grob 0.05x Ohm sind.

Macht bei 8A dann 490mV entsprechend 4 Watt Abwärme! Beachte bitte, dass im Schaltbetrieb der D-S-Widerstand bei Erwärmung ansteigt.

DAVID B. schrieb:

Ich messe 13,6 Volt am Gate Pin und ein schnelles schalten ist NICHT nötig.

Wenn die G-S anliegen ist alles gut, in Deiner Schaltung sind mir die Bezüge nicht ganz klar.

#7740761
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Manfred P. schrieb:

DAVID B. schrieb:

Ich messe 13,6 Volt am Gate Pin und ein schnelles schalten ist NICHT nötig.

Wenn die G-S anliegen ist alles gut, in Deiner Schaltung sind mir die Bezüge nicht ganz klar.

Ich vermute ja das David gegen GND misst. Allerdings sind 13,6V dann etwas zu wenig, wenn die 28V tatsächlich 28V sind. Das spielt für die Funktion keine Rolle, trotzdem wäre es natürlich schön wenn man den Bezugspunkt wüsste.

(Firma: Hobbytheoretiker) #7740772
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DAVID B. schrieb:

VCC kann eigentlich nicht groß über 28 Volt kommen. was /2 14 Volt wären von den 20 maxi denke ich weit genug weg oder?

Das paßt und bist noch weit genug weg von Ugs_max.

Der IRF5305 hat eine geringere Gatekapazität, d.h. mit den gleichen Widerständen ist diese schneller umgeladen als ein IRF4905. Der SOA-Bereich ist bei gleicher Schaltgeschwindigkeit zwar schlechter, aber durch geringere Gatekapazitäten ist der Umschaltvorgang bereits schon schneller. Genaugenommen liegen bei den Werten (großzügig mit 5nF und 27k überschlagen) die Umschaltzeiten deutlich unter einer Millisekunde. D.h. im SOA-Diagramm wäre das eine Linie deutlich bei über 10A die rechte gestrichelte Senkrechte treffend.

In Asien ist es zum Beispiel möglich bei einigen Herstellern die Chips für SMD-Leistungshalbleiter in TO220 konfektionieren zu lassen wahlweise mit/ohne Typstempelungen. Sowas ist zum Beispiel eine Quelle für manche Fälscher und beschriften diese nach eigenem Ermessen.

#7740808
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Jörg R. schrieb:

Den Mosfet-Fake kann man dann zwar nicht als IRF4905 verwenden, aber immer noch als Mosfet für andere primitvere Aufgaben, die dem unbekannten Chip darin entsprechen würde. Man kann aus den Werten ungefähr ableiten, wofür die noch taugen.

Ich frage mich wirklich wie man auf so einen Unsinn kommt.

Vielleicht was bauen, wie diese Schraubenmänchen. Dafür sollte es noch reichen. Ich halte mich immer zurück, aber so langsam sollte Dieter doch in ein Märchen-Forum wechseln.

(Firma: Hobbytheoretiker) #7740860
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Frank O. schrieb:

Vielleicht was bauen, wie diese Schraubenmänchen.

Schraubenpersönchen lautet das gegendert.

Dafür sollte es noch reichen.

Zeig mal!

in ein Märchen-Forum wechseln.

Beschreib mal!

Real waeren zum Beispiel: https://www.pinterest.de/zimmermannsiege/elektronische-bauteile/

Die gefaelschten Mosfet sind meistens noch gut fuer solche Schaltungen: https://www.b-kainka.de/bastel137.html

OP #7740880
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Jörg R. schrieb:

Ich vermute ja das David gegen GND misst. Allerdings sind 13,6V dann etwas zu wenig, wenn die 28V tatsächlich 28V sind. Das spielt für die Funktion keine Rolle, trotzdem wäre es natürlich schön wenn man den Bezugspunkt wüsste.

Diese Unklarheit Liese sich leicht beseitigen. Ich habe 28 Volt auf der Zuleitung zum gerät verliere ich je nach last ca. 0,5-0,7 Volt und im gerät noch mal so 0,1-0,3 Volt je nach last. ist aber nicht von Bedeutung.

Und gemessen wurde im gerät selber mit 27,x und VCC zu Gate und GND zu Gate sinds ca. 13,6 Volt also passt schon.

Moderator (Firma: Titel) Persönliche Seite #7741027
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Jochen W. schrieb:

Wozu dient eigentlich die kurzgeschlossene 1,5KE 12A ?

Das, was sich da Schaltplan nennt, ist eigentlich ein Schema, also eine grobe Darstellung des Aufbaus.

Denn diese 4 Stück 2-poligen Spulen sind 4 parallelgeschaltete (!) DCDC-Wandlermodule mit jeweils mindestens 3 Anschlüssen.

Insgesamt ist diese namenlose TVS-Diode aber völlig unnötig, denn am Ende des DCDC-Wandlers wird keine Überspannung in ESD-Form auftreten. Und vor einer Überspannung eines amoklaufenden Wandlers kann diese winzige Diode nur ein paar ms lang schützen. Dann beginnt darin die Siliziumschmelze und der magische Rauch entweicht. Diese Informationen findet man im Datenblatt.

Aber wo wir es schon davon haben: wenn der Akku wirklich verpolt wird, wird sich die 1,5KE 30A, die wohl als Verpolschutz dienen soll, direkt in Rauch aufgehen. Vermutlich zusammen mit den Zuleitungen dorthin.

Abgesehen davon beginnt diese TVS-Diode schon im Nromalbetrieb bei 25,6V an zu leiten.

DAVID B. schrieb:

Ich habe 28 Volt auf der Zuleitung zum gerät verliere ich je nach last ca. 0,5-0,7 Volt

Ok, dann wird im Verpolungsfall sicher die Zuleitung auch mit abrauchen. Zum Glück.

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OP #7741051
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Ok Danke für die Einschätzungen.

Die TVS Dioden sind selektiert :-) so das sie grade noch nicht auslösen. Die 1,5KE 30A am Eingang soll nur auf Spannungsspitzen Reagieren. Ein Verpolen ist nicht vorgesehen. :- )

Also wie schon vermutet sind die TVS Dioden gegen Überspannung VOR und NACH den Wandlern (Spannungsspitzen).

Und sollte der Stepdown Wandler doch mal die 28 Volt Durchlassen muss die Diode solange halten bis ein Überstrom vom Atmega 328P gemessen wurde und eine Not Trennung macht ( 20-60 ms ca.

Was dann danach noch zu retten ist wird sich zeigen.

Moderator (Firma: Titel) Persönliche Seite #7741082
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DAVID B. schrieb:

Und sollte der Stepdown Wandler doch mal die 28 Volt Durchlassen muss die Diode solange halten bis ein Überstrom vom Atmega 328P gemessen wurde und eine Not Trennung macht ( 20-60 ms ca.

Jede Art von Abschaltung per Software im ms-Bereich ist im Kurzschlussfall zu langsam. Ich habe das schon mal per Software gemacht und es hat funktioniert, allerdings war da die Reaktionszeit sicher unter 10µs incl. der Abschaltzeit.

#7741205
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H. H. schrieb:

Michael schrieb:

H. H. schrieb:

Wenn am IRF4905 bei 8A 2V abfallen

Misst man u.U. die Vorwärtsspannung der Body Diode, weil man den falsch herum eingebaut hat.

Wenn man daher 2V misst, dann müssen da weit mehr als 200A fließen, und das macht der MOSFET nur ein paar µs lange mit.

Ein Herr H. H. (hhinz) hat am 22.09.2024 13:46 die FETs als Fälschungen deklariert. Damit ist doch jegliche Spekulation über U(DS) erledigt.

(Firma: Hobbytheoretiker) #7741236
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Übrigens David zum Umgang mit gefälschten Bauteilen wurde mir folgendes geraten zur Weiterverwendung, wenn man diese nicht mehr als Beweismittel verwenden kann, weil die Bezugsquelle nicht mehr belegt werden kann. Es müsse sicher gestellt sein, dass man nicht selbst aus Versehen diese unter der gefakten Bezeichnung in den Verkehr bringe, wenn man es herausfand.

Weil das Risiko zu groß in ein paar Jahren vielleicht nicht mehr daran zu denken, solle man die falschen Bezeichnungen unbedingt abschleifen und dann deutlich unterschiedlich für sich selbst markieren.

Besonders böse würde es fachkundige Personen erwischen. Daher rühre die Allergie bestimmter Forenmitglieder die Bauteile für andere Bastelleien noch zu verwenden, wo die deutlich schlechteren Leistungseigenschaften nicht stören.

Also rein technisch, was mit den Fakes noch gebastelt werden kann, wäre geschriebenes in Ordnung.

Aber vom rechtlich Aspekt wäre es katastrophal, außer man schleift ab oder macht die Bauteile unbrauchbar (z.B. Beinchen wird entfernt). Das sollte auch gemacht werden, wenn die Bauteile zur Elektroschrottverwertung abgegeben würden.

#7741242
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Manfred P. schrieb:

H. H. schrieb:

Michael schrieb:

H. H. schrieb:

Wenn am IRF4905 bei 8A 2V abfallen (..) Ein Herr H. H. (hhinz) hat am 22.09.2024 13:46 die FETs als Fälschungen deklariert. Damit ist doch jegliche Spekulation über U(DS) erledigt.

Die gefälschten schickt mir David zu, damit mache ich dann einige Messungen wie seinerzeit mit den IRF3708.

Danach schicke ich die Teile an Richard, zum sezieren.

#7741244
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DAVID B. schrieb:

Jörg R. schrieb:

Ich vermute ja das David gegen GND misst. Allerdings sind 13,6V dann etwas zu wenig, wenn die 28V tatsächlich 28V sind. Das spielt für die Funktion keine Rolle, trotzdem wäre es natürlich schön wenn man den Bezugspunkt wüsste.

Diese Unklarheit Liese sich leicht beseitigen. Ich habe 28 Volt auf der Zuleitung..

Und gemessen wurde im gerät selber mit 27,x und VCC zu Gate und GND zu Gate sinds ca. 13,6 Volt also passt schon.

Hallo David,

solche Unklarheiten lässt man besser erst gar nicht aufkommen. In Deiner Schaltung ist es recht einfach die Spannung am Gate zu bestimmen, sie ist ungefähr die halbe Versorgungsspannung, wenn der Mosfet schaltet. Das liegt einfach am Spannungsteiler den die 2 gleich großen Widerstände bilden. Uce vom NPN (Q2) kann man dabei vernachlässigen.

Besser ist es aber immer direkt anzugeben was man wo misst. Bei Deinem P-Channel wird Ugs korrekter Weise nicht gegen GND gemessen, sondern gegen die positive Versorgungsspannung. Das Multimeter zeigt übrigens, wenn man es korrekt anschließt, einen negativen Wert an. Bei Deinem Mosfet sollte er =< -10V sein, damit der Mosfet korrekt als Schalter arbeitet.

Klugscheiss Ende

H. H. schrieb:

Kannst die Widerstände so lassen.

Ja, ich würde sie aber kleiner auslegen.

Beitrag #7741264 wurde von einem Moderator gelöscht.
OP #7741290
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Jörg R. schrieb:

Die gefälschten schickt mir David zu, damit mache ich dann einige Messungen wie seinerzeit mit den IRF3708.

Schon erledigt wurde vorhin in einen Post Kasten geworfen.

Zum Thema Fälschungen: Solche werden entweder gleich entsorgt (war bei 10 stück 7815 von Ali der fall welche irgendwelche Spannungen ausgaben) oder die Tüte mit Fälschungen geschiftet.

Um sie mal für Sachen zu nutzen wo es überhaupt nicht drauf ankommt.

Und was Sicherungen an geht da hing es in der Vergangenheit immer an der Auslegung. Entweder zu schwach (ständiges wechseln) oder zu stark und unwirksam. // Kondensatoren // Einschalt ströme // PWM Lasten ..

Ja ist noch eine Baustelle aber um das ging es mir hier nicht.

Aber ein Großes "Danke" noch mal an die ganzen hilfreichen Tipps hat mir sehr weiter geholfen.

#7741292
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DAVID B. schrieb:

Jörg R. schrieb:

Die gefälschten schickt mir David zu, damit mache ich dann einige Messungen wie seinerzeit mit den IRF3708.

Schon erledigt wurde vorhin in einen Post Kasten geworfen.

👍

Zum Thema Fälschungen: Solche werden entweder gleich entsorgt (war bei 10 stück 7815 von Ali der fall welche irgendwelche Spannungen ausgaben) oder die Tüte mit Fälschungen geschiftet.

Ich bestelle grundsätzlich keine Bauteile bei Ali & Co. Mittlerweile bestelle ich fast nur noch bei Mouser. Bei den Stückzahlen die ich benötige kommt es nicht darauf an ein paar Euro zu sparen, vor allem wenn die Billigteile dann doch im Müll landen.

(Firma: Hobbytheoretiker) #7741293
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Peter X. schrieb:

David ist Bastler, er wird seine 3 Fake-IRF wohl nicht gewinnbringend weiter verkaufen wollen.

Daher trifft es ihn kaum böse im Vergleich zu fachkundigen Personen. Bei denen sind das häufiger keine Einzelexemplare sondern eher Tütchen aus der Zeit vor dem Lieferkettengesetz.

Nicht immer sind das nur wenige Centwertteile.

Es bleibt trotzdem was hängen, wenn was abfackelt. Daher auch nur für entsprechende unkritische Schaltungen, wie das verlinkte Beispiel, noch privat nutzbar.

Peter X. schrieb:

Fake-Bauteile gehören in die Tonne.

Das kommt auf die Umstände an. Wenn der TO Deiner Meinung hier folgen würde, dann würde Jörg diese IRF-Fakes nie als Messobjekt erhalten. Er ist ja schließlich keine Tonne.

(Firma: Hobbytheoretiker) #7741309
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Jörg R. schrieb:

Ist Dein ChatGPT kaputt? Auf so viel Unsinn kannst Du unmöglich allein kommen.

Hast Du nie beim Einkauf oder Produktion gefragt, warum eine Ladung Leistungshalbleiter durch abgeschnittenen Beinchen entwertet wurden und im Container lagen?

Differenzierter sind Fälle zu betrachten, in denen der Käufer zwar nichts von der Fälschung wusste, diese aber hätte erkennen müssen. Der Gesetzgeber spricht von „fahrlässiger Unkenntnis“. Der Einkauf kauft von irgendeiner Lieferquelle die Halbleiter eines namhaften Herstellers zum Preis von 0.10 Euro. Der Halbleiter kostet im Handel jedoch 0.50 Euro. Der Einkauf hätte aufgrund des niedrigen Preises misstrauisch werden müssen. Der Einkauf hatte sich nicht vom Lieferanten ein schriftliches ja, wäre echt, eingeholt um Arglistigkeit anführen zu können. Nur wo gearbeitet wird, passieren Fehler.

#7767545
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Jörg R. schrieb:

Manfred P. schrieb:

H. H. schrieb:

Michael schrieb:

H. H. schrieb:

Wenn am IRF4905 bei 8A 2V abfallen (..) Ein Herr H. H. (hhinz) hat am 22.09.2024 13:46 die FETs als Fälschungen deklariert. Damit ist doch jegliche Spekulation über U(DS) erledigt.

Die gefälschten schickt mir David zu, damit mache ich dann einige Messungen wie seinerzeit mit den IRF3708.

So, endlich bin ich dazu gekommen die IRF4905 zu testen. Viel zu berichten gibt es nicht, Hinz hatte die Mosfets ja schon als Fake identifiziert:

H. H. schrieb:

Beitrag "Re: P Kanal Mosfet schlägt immer wieder mal Durch."

https://www.mikrocontroller.net/attachment/646484/20240922_132649.jpg

Ich habe die 3 Mosfets mit einem von mir verglichen. Wenn ich mich recht erinnere habe ich den bei Mouser gekauft.

Zuerst habe ich Vgs(th) gemessen, also den Parameter ab wann der Mosfet beginnt zu leiten. Der Parameter ist mit 250uA spezifiziert und soll lt. DB im Bereich von 2V bis 4V erreicht werden. Dabei ist Vgs = Vds.

Die 3 von David erreichen die 250uA bereits bei 1,42V, meiner bei 2,9V. Die von David leiten also viel zu früh, meiner liegt genau in der Mitte der Specs.

Zum testen habe ich die Spannung bei denen von David auf 2V erhöht, also die lt. DB unterste Grenze. Da fließen dann bereits 350mA.

Der weitere Test bezog sich auf den Rds(on). Der liegt lt. DB bei max. 20mR. Meine Versorgungsspannung betrug 12V, die Last war ein LED-Band das ca. 2A Stromaufnahme hatte. Den Test habe ich mit Vgs -10V durchgeführt.

Die 3 Mosfets von David lagen bei ca. 66mR Rds(on), meiner bei ca. 16mR. Die 3 von David lagen daher deutlich über den Angaben im DB.

https://www.mikrocontroller.net/attachment/650618/IRF4905.pdf

Hinz hat daher recht das es sich um Fake-Bauteile handeln muss.

Angehängte Dateien:
#7767565
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Enrico E. schrieb:

Das konnte man heute bei der Sendung mit der Maus gut sehen. Es gibt Bakterien, die fressen sogar Neodymmagnete aus den Handys auf:

https://www.wdrmaus.de/aktuelle-sendung/

Hast du schon mal in letzter Zeit auf deinen Link geklickt? Was meinst du wohl, wo ein Link "./aktuelle-sendung/" einige Wochen später hin führt. Bestimmt nicht auf Neodymmagnet-fressende Bakterien. Internet-/Sprachkompetenz? :-(

  • fail
#7767708
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Rainer W. schrieb:

Internet-/Sprachkompetenz? :-(

Rainer, du bringst sicher auch Fachliches, aber mir fällst du immer wieder auf, wie du andere belehren willst. Wenn du das nur etwas anders formulieren würdest, käme es als ein Hinweis rüber und nicht wie diese lächerliche Besserwisserei. Was ist mit dir los? Hört Zuhause keiner auf dich oder wolltest du mal Lehrer werden?

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