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Raspberry GPIO Schaltung Taster und Relais
wie es erfahrene Elektroniker machen: steuere deine Relais mit einem NPN-BJT oder einem N-Kanal-Mosfet an: [pre] 12V | o-----. | | | - [/]----\ ^ | | | |
kann ich und jeder anderde leicht kopieren und ändern (siehe oben die Schaltung mit dem BJT und dem Mosfet). Aber gerne jeder nach seinem Gusto.
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Was für ein IC ist das?
Hallo, ich vermute es ist ein Dual Mosfet. Würde nur gerne wissen was für einer. Danke
AO4630.pdf Und Werners ist auch von A&O. Unter dem gleichen Namen fertigt auch HXY einen p/n-MOSFET, allerdings mit deutlich anderen Eigenschaften.
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[F] Gebt mir mal Tips: Partner zur Produktion von Solarladern suchen?
08, 2842, 3525. Ebenso TL5001, TL598 und ev. LTC4156 Manche der Chips können die Gates der MOSFETs direkt treiben und ersparen separate Gate-Treiber. Das wäre ein Pluspunkt für die Kombi, wie Du sie favorisierst.
Aufbau ich noch mache, egal ob SMD oder eine zweite Lochraster-Platine, die bekommt definitiv eine MOSFET-Treiberstufe hinter dem TL494. Einen IR2110 habe ich bestimmt noch herumzuliegen. SMD hätte wieder den Vorteil, daß man deutlich neuere Schaltkreise bekommt und nutzen könnte. Für den Vergleich, wieviel
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Opas PV Anlage mit freiliegenden 60V Akkus
das hatte ich mir auch überlegt aber ich denke bei einem Defekt von BMS oder Balancer werden erst MOSFets oder Leiterbahnen abbrennen Ist jemand was bekannt das es durch defekte BMS-Sense-Leitungen oder durch aktive Balancer jemals zu Brandschäden gekommen ist?
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Bauteil raten und Datenblatt suche.
Ich rate mal "aus Delhi" https://www.indiamart.com/proddetail/sop-8-external-mosfet-based-50w-ic-lc8680b-2854058030455.html SOP-8 External Mosfet Based 50W IC LC8680B LED driver IC
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Wohnmobil Elektroblock EBL 119 defekt keine Ladung der Barrerie
an vielen anderen Controllern) verliert oft Kapazität und hat dann nicht mehr die Reserve, um den MOSFet zu starten.
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LWL Schnittstelle Halb-Duplex (nur ein LWL!)
werden muß oder nur durchgeschaltet. Aber letzteres erfordert einfach einen Transistor (heute eher MOSFET) und ersteres eine Konstantstromquelle bzw. im einfachsten Fall einen Widerstand und eine ausreichend hohe Spannung (z.B. 24V). Die drei Komponenten LED, Stromschalter und Stromquelle werden einfach
muß oder nur durchgeschaltet. Aber letzteres erfordert einfach einen > Transistor (heute eher MOSFET) und ersteres eine Konstantstromquelle > bzw. im einfachsten Fall einen Widerstand und eine ausreichend hohe > Spannung (z.B. 24V). > Zur Versorgung habe ich 5V aus einem Netzteil das maximal
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Anran Q3 Max Akku - Spannung zu niedrig
Danke für Tipps. franc -- Auf den ICs steht: [8205A](https://www.shotech.de/de/dual-n-kanal-mosfet-8205a.html) 2223 Das sind Dual N-Kanal MOSFET laut Internet [DW01A 2](https://www.shotech.de/de/battery-protection-ic-dw01a-g.html) Das ist ein "18650 Batteries Protection" IC. Auf dem Akkupack
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Oszilloskop-Spielereien
Zeiten noch Zeilentrafos gebunkert. Damit geht es sehr leicht, wenngleich falsche Polarität. Ein MOSFET und Freilaufdiode reicht fast schon. Ab und zu stehen ja noch CRT-Monitore am Straßenrand.
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Reparatur PA Amp - Frequenzgang
zerstört wurden. Beide Kanäle sind repariert. Es wurden alle Endtransistoren getauschen, sowie alle Mosfets in den Buck Konvertern. Alles hochwertige originale Bauteile von Mouser. Jetzt habe ich allerdings das Problem, dass bei einem Kanal ab ca. 6kHz bis 20kHz der Gain um ca. 8dB einbricht. Der Endstufe
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Platine aus E-Schweissgerät ca. 80er Jahre
www.mikrocontroller.net/topic/transistortester-avr Dieser misst auch Widerstände, Kondensatoren, Spulen, Mosfet, Dioden um mal einiges aufzuzählen. Zum Beispiel dort erhältlich: https://www.pollin.de/p/joy-it-messgeraet-lcr-t7-transistortester-830961 Schließlich lassen sich die Bauteile ausgelötet in
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IC-Bezeichnung übersetzen
Art Schaltwandler oder Led-Treiber", hab ich übersehen. Die meiste Leistung wird in den beiden MOSFET verbraten, daher der gute Gesamtwirkungsgrad um 90%, mehr würde das winzige Bauteil auch nicht verkraften. Trotzdem ein Grund unserer Schwarmintelligenz auf die Schulter zu klopfen.
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Transistor und Kondensator
65R550F BRG3
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viele Maxwell Boostcap 310F
In dem China- Schweißgerät sind ein paar richtig dicke SMD-MOSFETs parallel drin, so daß man den Strom für eine definierte Zeitspanne fließen lassen kann. @Benjamin K. (bentschie) Ich muss mich für Kiste 4 leider löschen lassen, er möchte die Kondensatoren nicht
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ESP8266 D1 Mini + Relaismodul: Relais bleibt bei D1 dauerhaft eingeschaltet
Marcel V. schrieb im Beitrag #8077363: > NPN-Transistor Das geht auch mit einem N-Kanal-MOSFET.
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Hobby-Austausch: Welche Projekte beschäftigen euch aktuell? (Mit Altersangabe)
.) Die Hardware dafür bekomme ich aus meinen Reverse Engineering/Teardown Projekten. (PY32 MCU, Mosfet usw..) E-Bike Multifunktionsanhänger Konstruieren. Modularsystem, ob als Arbeitsmobil mit Werkzeug ausgestattet zum Camping, Einkauf, Funken oder Transport von sperrigen Lasten, der schleppt je
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Thinkpad T 220 und 420: ultrarobust - gesucht: würdiger & ähnl. unverwüstlicher Nachfolger
W530 definitiv nicht, bei denen kacken gerade nach und nach die Mosfets für den Vcore ab, natürlich schönener fine-pitch BGA P15 G2 sieht noch nice aus, Grafik ist glaub sogar modular auf dem Board, nur wie mit Langzeit-Stabilität aussieht, keine Ahnung. Persönliches
schrieb im Beitrag #8078177: > W530 definitiv nicht, bei denen kacken gerade nach und nach die Mosfets > für den Vcore ab, natürlich schönener fine-pitch BGA > > P15 G2 sieht noch nice aus, Grafik ist glaub sogar modular auf dem > Board, nur wie mit Langzeit-Stabilität aussieht, keine Ahnung
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Integration TP4056
hat. Der Auschnitt scheint die beiden Pfade und deren Trennung zu zeigen. Ich würde mir mal den MOSFET beschaffen, das nachbauen und hoffen das es so geht. Leider bin ich nicht sehr erfahren mit Transistoren, mein Ding ist mechanisches Design und Softwareentwicklung.
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Taster Öffner zu Schließer (3D Taster)
Opto-Mosfet bipolar. Was es nicht alles gibt. Zu Deiner Beschreibung (die Zeilenumbrüche sind leider weg): Ja, braun über Widerstand an SSR(1) und blau an SSR(2). ich würde aber weiß an SSR(1) legen und grün
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Linearantrieb mittels PWM ansteuern (proportional)
hat. Oder ein externes Gestänge mit Poti, Z.B. Elobau (nicht günstig aber gut). Ein paar passende MOSFET-Module kann man raussuchen, ein Arduino-Programm, dass aus Servosignal eine Ansteuerung macht, ist kein großes Problem. Wie gesagt, aus dem Katalog wird es das nicht geben.
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Bauteilbestimmung Asus Zenbook 15
Hallo, ich habe hier einen P-Channel Mosfet, den ich austauschen muss aber anhand der aufgedruckten Bezeichnung finde ich keinen Ersatz. Dokumente zum Board sind nicht verfügbar. Hat jemand eine Idee?
Das ist kein MOSFET, sondern eine Doppeldiode von Panjit: BAV99W.
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Schaltung Tastersignal +12v in Masseschalter umwandeln (kein Relais)
gemeinsame Versorgungsspannung oder müssen beide gegeneinander isoliert sein? Von Transistor (BJT oder MOSFET) über Optokoppler, PhotoMOS und Relais gibt es verschiedene Möglichkeiten.
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Thyristor für Induktionskochplatte
#8062836: > Was ist den der Unterschied? Der IGBT ist quasi eine Mischung aus Bipolartransistor und MOSFET und ein Thyristor ist wie ein Schalter, der aber nur eingeschaltet werden kann. Entweder schließt der Thyristor durch ein Absinken der Sinusspannung oder im Gleichstrombereich muss er aktiv gelöscht
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Relais mit Logik ansteuern
sich hier die Berechnung des Basiswiderstands. Rechts im Bild wird das Relais mit einem N-Channel MOSFET gesteuert. Der Vorteil ist hier der wesentlich geringere Steuerstrom im statischen HIGH Zustand (praktisch Null). Wichtig ist hier R1. Dieser Pull-Down-Widerstand sorgt dafür, dass der MOSFET sicher
schaltenden Leistungen kommt daher oft vor dem Schalttransistor/FET ein Treiber zum Einsatz. Große MOSFETs brauchen meist 10-15V Gatespannung um voll durchzusteuern, deshalb wird ein Pegelwandler bzw. Treiber benötigt und wir haben etwas Mehrstufiges. Ausnahmen sind sogenannte Logic Level MOSFETs, welche
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Schaltplan mit MOSFET und Signalkurven
VG HIGH LOW VPOW HIGH LOW S D G VPOW 1M
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Schaltplan mit Optokoppler und MOSFETs
VDD 16V= J1 Eingang 19~ R1 22 kOhm 1 2 4 1 U2 LTV-814, PC814 2 3 R2 47 kOhm C1 10 uF R3 2,2 kOhm D2 LED rot Q1 2N2700 R4 2,2 kOhm D3 LED grün Q2 2N2700 GND
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Schaltplan mit Optokoppler und MOSFETs
VDD 16V= R3 2,2 kΩ R4 2,2 kΩ D2 LED rot D3 LED grün Q2 2N2700 Q1 2N2700 R2 47 kΩ J1 Eingang 19V~ R1 22 kΩ U2 LTV-814, PC814 C1 10 µF GND
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Schaltplan mit Optokoppler und MOSFETs
VDD 16V= R3 2,2 kΩ R4 2,2 kΩ D2 LED rot D3 LED grün Q2 2N2700 Q1 2N2700 R2 47 kΩ J1 Eingang 19V~ R1 22 kΩ U2 LTV-814, PC814 C1 10 µF GND
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Schaltplan mit MOSFET und Relais
+12V Q6 BSS84 R17 1k R18 10k Trigger 8 10 5 3 G6S-2-DC12 K1 D15 MMSD4148 9 4 12 1 GND
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Schaltplan mit Transistoren und MOSFETs
R2 680 R4 200 Q4 PNP R3 200 Q3 PNP R1 680 Q2 NPN Q1 NPN Q6 BUZ11 R6 1k R8 470m Q5 BUZ11 R5 1k R7 470m
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Schaltplan mit MOSFET und Widerständen
R3 4k7 +12V G Q1 IRF5305 R2 100 D
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Schaltplan mit MOSFET und Batterien
R? R 1 2 Q? IRF540N 3 BT? Battery BT? Battery R? R
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Schaltplan mit Operationsverstärkern und MOSFET
V4 U=1 mV V1 U=15 V V3 U=3 V SUB1 VCC VEE R1 R=1 kOhm T_BSS84_1 Vt0=-1.6 R2 R=1000 kOhm SUB2 VCC VEE V2 U=15 V
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Handgezeichneter Schaltplan mit MOSFET
+5V, 2k2, A1, A2, D, G, Q1, S
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Handgezeichneter Schaltplan mit MOSFET
+5V, 2k2, A1, A2, D, G, Q1, S
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Schaltplan mit MOSFETs und Relais
R3 10k C3 100n R4 10k D2 ES1D V2 Relais_Panasonic_AHE3295 R2 30R D1 MBR0530L M1 IRLML6344 C1 4700u M2 IRLML6344 D4 MBR0530L R1 150R M6 IRLML6344 .tran 40 startup .step param VBAT list 5.6V 9V
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Schaltplan mit MOSFETs und Schalter
.model SW1 SW(Ron=.1 Roff=1Meg Vt=2 Vh=0 ) R2 220K SW1 S1 V1 3.3 BSS84 M1 R1 220K M3 BSS123 C1 1uF R4 1K V2
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Schaltplan mit MOSFET als Schalter
12V RL D G RG Input from controller S
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Produktdetailseite eines Infineon MOSFETs
Active and preferred RoHS Compliant BUP06CP038F-01 Radiation tolerant, -60V, -35A, P-channel MOSFET, PG-TO252, 30krad(Si) TID Data Sheet Package
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Schaltplan mit MOSFETs und Widerständen
VCC R3 10k ESP32_EN S1 C8 1uF Q1 BSS138 FTDL_NDTR R1 10k FTDL_NRTS R2 10k BSS138 Q2 S2 R4 10k VCC ESP32_IO0
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Schaltplan mit MOSFET und Spannungsregler
+5V, VBAT, 3, Q1, BSS84, 1, D1, 2, VIN, R3, 100K, C1, 10uF, GND, 3, 100K, TP1, U3, ME6211, 1, VIN, VOUT, 5, +3V3, EN, 2, GND, C2, 10uF, GND
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Nahaufnahme eines MOSFETs auf einem Kühlkörper
MOTOROLA 713 SJE950
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Schaltplan mit MOSFETs und Widerständen
+30V_1 PWR_FLAG Q501 DOD4185 1 2 3 R501 47k D503 18V Q502 DOD4185 1 2 3 R502 47k Q521 AO3400A 1 2 3 R522 100 R521 10k GND
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Schaltplan mit Optokopplern und MOSFETs
R10 100K, R161 2.2K, C8, S1, R15 220K, Q4, K3850-E, D11, S1NB60-7101, Q1, Q2, IC3, TC/013BP, Vdd, CLK2, RES2, DT2, SET2, Vss, C11, S2, C10 4700P, DT1, RES1, SET1, CLK1, R14 220K, R13 1M, IC2, TLP421GR, MAB08-M, R11 100, 0.2, 0.01, IC1, TLP421GR, 1.0, 2.2
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Schaltplan mit MOSFET und Spannungsteiler
VSYS R5 200K 63mW 1% M1005 3V3 1 3 2 GPIO29_ADC3 Q1 DMG1012T C3 1n M0603 25V X7R 10% R6 100K 63mW 1% M1005
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Schaltplan einer MOSFET-Treiberstufe
+15V, D1, UF4004, C1, 47u, R3, 510, Q3, D2, UF4004, R4, 6R8, Q4, V+, Q2, 2k2, R5, Q1, HS-PWM, R1, 2k2, R2, 2k2, Q5, GND
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Produkteigenschaften Tabelle eines MOSFETs
Similar Products Show Empty Attributes Category Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs Mfr onsemi Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4 nC @ 10 V Series PowerTrench® Vgs (Max) ±20V Packaging Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
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Datenblatt-Spezifikationen eines MOSFETs
Category: Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs Mfr: Taiwan Semiconductor Corporation Packaging: Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel® Part Status: Active FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to
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Schaltplan einer MOSFET-Treiberstufe
+13,8V,Z1 15V,R3 4,7kohm,T2,IRF4905,R2 1 kOhm,C,B,T1 BC547,E,D,R4 100 Ohm / 1W,D1 1N4007,PTT-Taste,zur Spule (Bias-T)
