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PCF8574 + A3144 über 120 m Leitung – Eingang störsicher auslegen
über den Widerstand abfällt. Hintergrund dabei: Wenn Du einen sehr hochohmigen Eingang wie der MOSFET-Eingang deines PCF8574 hast, dann braucht es relativ wenig Energie um einen Spannungspuls in der Zuleitung zu induzieren. Um 20mA fließen zu lassen, bedarf es deutlich mehr Energie. Stromschnittstellen
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Indirekte LED-Hintergrundbeleuchtung (6 m RGBCCT)
Chinaconttrollern. Ich hab mir meine eigenen Universalplatinen entworfen, die sich wahlweise RGBW mit MOSFET Endstufen, RS485 Controller, für lange Datenleitungen, oder bis zu 2 Levelshiftern für die diversen Pixel bestücken lassen. Als Eingangsspannung verdauen sie, dank 78xx Schaltregler, 12 oder 24V,
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Microchip Werbeübersicht für Power Discrete Solutions
Packages (D-Melf, B-Melf, A-Melf, C-Melf) TO-247 CLC SMD Package PLAD Package Rad-Hard N-channel MOSFETs 100V - 250V in SMD-0.5 DLA JANP Qualified 1.5kW TVS 5V - 175V Working Voltage HI-REL Glass SMD Diodes Signal/Rectifier/Zener/Schottky MNS Rad-Tolerant MOSFETs 100V - 250V in TO-247 CLC SMD HI-REL
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Technische Daten eines N-Kanal MOSFETs
Category Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs Mfr Taiwan Semiconductor Corporation Packaging Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Part Status Active FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source
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Technische Daten eines N-Kanal MOSFETs
Category Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs Mfr Nexperia USA Inc. Packaging Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel (R) Part Status Discontinued at DigiKey FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source
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PFC IC Identifikation
und bricht dann wieder zusammen. Nach einigen Sekunden gleiches Spiel. Was ich geprüft habe. MOSFETs okay (am DCA75 Komponententester) Lastdiode okay 220pF Snubber an Drain-Source okay (Kapazität+1kV Test) Shunts okay Hochvolt-Spannungsteiler okay Was ich bis jetzt nicht identifizieren konnte
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Ein Ladegerät, zwei Akkus und der „current divider“
//www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/4412fb.pdf figure 6 sind da wohl 2 MOSFETs als ideale Diode drin nur halt auf chinesisch f>r mehr als 28V und die Bezeichnung current divider ist wohl eher irreführend. Bei 10A würde schon 1V Akkuspannungsdifferenz sonst zu Verlusten von 5W
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Quelle für Reprofilme Leiterplattenbelichtung
Ätzmittel und Entwickler verbrauche und die Platine mehr gekühlt wird.Mal sehen was mein 8 mOhm Mosfet an Wärme abgeben wird (Sepicwandler mit LT3757)Die Fotoplatinen werden wohl morgen geliefert...dann kommt erstmal eine PIC-Testplatine ran, die hat nur wenig SMD-Zeug.
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Problemlösung bei einer Schaltung auf dem Breadboard
Der Verdacht liegt nahe, dass auf einer der Platinen die Body-Diode eines Mosfet für das Wunder verantwortlich sein müsse.
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Bauteil identifizieren beim Roborock
LBSS139WT1G, MOSFET von LRC.
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Rothenberger Presse ROMAX 3000 reparieren
MOSFET durchlegiert.
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Schaltplan mit MOSFETs, Induktivitäten und Mikrocontroller-Modulen
+5V,Diode? 1N5817?,Pin2 D,G,Pin3 S,Pin1,Vcc,A,1,5,B,2,Y,4,GND,?,1,2,GND,I/O,UCC,121
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Safe Operating Area Diagramm eines MOSFETs
1000 100 ID max (pulse) * 1 ms * 100 µs * 10 µs * 1 µs * 100 ns * 10 ID max (continuous) DC operation Tc = 25 °C 1 0,5 This area is limited by RDS(ON) 0.1 0.01 Curves must be derated linearly with increase in temperature. 0.001 0.1 1 10 100 1000 Drain current ID (A) Drain-source voltage VDS (V) VDSS max ~140 Fig. 8.17 Safe Operating Area (Guaranteed Maximum)
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Handgezeichneter Schaltplan einer H-Brücke mit MOSFETs
+12V 2x 470uF NPO R2 100k Q3 P-Ch R1 1k D5 1N4148 S3 L1 D1 1N4007 D2 1N4007 L2 R3 10u R4 10u R5 10u R6 10u Q1 N-ch D3 1N4148 S1 Q2 N-ch D4 1N4148 S2
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Schaltplan mit Reed-Kontakt und MOSFET-Schaltung
VBAT_MUX, +4.2V, 10k, REED CONTACT, 10k, 100nF, 10k, 20k, 10k
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Schaltplan einer MOSFET-Schaltung mit Spule und Freilaufdiode
+12V 2 10K 1 S1 1 2 2 T1 2 IRLZ44N 1 3 2 10K 1 1 2 D1 1 2
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Schaltplan eines Inverters mit NE555 und MOSFET
24 V, 7812, RB, RA, 100, 22 kΩ, 1.5 kΩ, 10 nF, 2 kV, pri, sek, HV, DST, Vorwiderstand! 20 MΩ, Kühlung! IRFP 460, D, MUR460, 12V ZD, IRFP 460: G D S, 10 nF, 100 nF, 50 Ω, 10 kΩ, t_high = 0.67 * (RA + RB) * C, t_low = 0.67 * RA * C, f = [3170, 48100] Hz
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Schaltplan mit ATtiny85, LEDs und MOSFET
6V, 5x AA NIMH, C1 100nF, U1 ATtiny85-20S, VCC, AREF/PB0, PWM, PB1, PB2, XTAL1/PB3, XTAL2/PB4, RESET/PB5, GND, D1 LED White5mm, D2 LED White5mm, D3 LED White5mm, D4 LED White5mm, C7 0.1µF-100V, LEDd1 AL5809 20mA, R5 150, R6 10k, Q1 IRLB3813PBF, C2 1µF, R7 1M, D5 1N4148, signal, PIR MH-SR602, GND
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Liste von Bauteilbezeichnungen für MOSFET-Konfigurationen
Q_Dual_NMOS_G1S2G2D2S1D1 Q_Dual_NMOS_PMOS_G1S2G2D2S1D1 Q_Dual_NMOS_S1G1D2S2G2D1 Q_Dual_NMOS_S1G1S2G2D2D1D1 Q_Dual_PMOS_G1S2G2D2S1D1 Q_Dual_PMOS_S1G1D2S2G2D1 Q_Dual_PMOS_S1G1S2G2D2D1D1 Q_NMOS_DGS Q_NMOS_DSG Q_NMOS_GDS Q_NMOS_GDSD Q_NMOS_GSD Q_NMOS_SDGD Q_NMOS_SGD Q_NMOS_SSSG D_AvalancheRated Q_PMOS_DGS Q_PMOS_DSG Q_PMOS_GDS Q_PMOS_GDSD Q_PMOS_GSD Q_PMOS_SDG Q_PMOS_SDGD Q_PMOS_SGD
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Fritzing-Schaltplan mit Arduino, MOSFET und Akku
E4104-L58-1 E585460-4121 2000mAh 3.7V 27.6kΩ 10kΩ IRLZ44N 330Ω 10kΩ 100µF fritzing
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Kennlinien eines BSP320S MOSFETs
Infineon BSP320S Typ. output characteristics ID = f(VDS) parameter: tp = 80 µs BSP320S 7.0 6.0 5.5 5.0 4.5 4.0 3.5 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 V Drain-source on-resistance RDS(on) = f(Tj) parameter: ID = 2.9 A, VGS = 10 V BSP320S 0.30 0.24 0.22 0.20 0.18 0.16 0.14 0.12 0.10 0.08 0.06 0.04 0.02 0.00 -60 -20 20 60 100 180 °C 98% typ
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Fritzing-Schaltplan mit Arduino, Akku und MOSFETs
27.6kΩ, 10kΩ, 10kΩ, 1kΩ, 100kΩ, E585460-4121, 2000mAh 3.7V, LOINZNE, ITG/MPU, Mosfet P-Ch - IRF5305, Mosfet N-Ch - 2N7000, fritzing
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Fritzing-Schaltplan mit Arduino, Akku und MOSFETs
27.6kΩ, 10kΩ, 10kΩ, 1kΩ, 100kΩ, E585460-4121, 2000mAh 3.7V, Mosfet P-Ch - IRF5305, Mosfet N-Ch - 2N7000, fritzing
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Fritzing-Schaltplan mit Arduino, Akku und MOSFETs
27.6kΩ, 10kΩ, 10kΩ, 1kΩ, 100kΩ, E585460-4121, 2000mAh 3.7V, Mosfet P-Ch - IRF5305, Mosfet N-Ch - 2N7000, fritzing
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Produktseite eines Infineon MOSFETs bei RS Components
RS Menü Teile-Nr. Suche nach Schlagwort oder Teilennr. Halbleiter / Diskrete Halbleiter / MOSFET Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 800 V / 400 A 81 W, 8-Pin TO-263 RS Best.-Nr.: 244-0907 Herst. Teile-Nr.: IPT026N10N5ATMA1 Marke: Infineon
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Schaltplan mit NE555 Timer und MOSFETs
V1 5 C2 100n R5 50k MCU Trigger D1 D U1 NE555 TR 2 5 CV 4 R GND 6 THR 1 C_Schwelle C3 5u R3 950k R7 5k Q NE555 3 1 R10 100 Q7 A03400A 3 R13 100 1 Q8 A03400A 2 R6 180 3 D2 D Vpulse R11 100 V2 VPULSE Q1 A03400A 3 2 C1 10n GND .options compatibility=full .tran 1m 15 0 uic Sim.Library: CMOS-555.lib y1=0 y2=5 td=1 tr=2n tf=6s per=10s
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Schaltplan einer Transistor-Steuerung mit MOSFET und Relais
+13,8V Z1 15V R2 1 kOhm R3 4,7kOhm T2 S IRF9540 G D R4 100 Ohm / 1W P6KE47CA B T1 BC547 E PTT-Taste zur Spule (Bias-T) P6KE47CA P6KE47CA Finder 40.51.9.012.0000
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Schaltplan einer Transistor-Schaltung mit MOSFET und Relais
+13,8V R1 4,7kohm V1 R2 4,7kohm T2 S G IRF9610 D R3 (notwendig?) zur Spule (Bias-T) PTT-Taste SB1100 D1 D2 D3 D4 P6KE47A P6KE47A Finder 40.51.9.014.0000 (Spulenwiderstand 300 Ohm)
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Transistor-Tester mit Messwerten eines N-MOSFETs
M-Tester N-E-MOS D 2 1 G 648mV Cg=397pF Vt=1.21V RDS=.2Ω S 3 M-TESTER LCR T7 IR START
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Schaltplan mit NE55 Timer und MOSFET
Lampe 3.3Ω, Q2, R2 10Ω, R5 10kΩ, R3 7.5kΩ, R1 8.5kΩ, D1, C1 5.6nF 35V, C2 10nF 35V, C3 47nF 35V, U1 5 Timer, V1 12V
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Schaltplan zweier Schaltungen mit Mikrocontroller und MOSFET
Schaltung 1 Schaltung 2 +24V +5V uC Inp Regl. +5V uC GND BC846B GND 1K5G S BS250 D K1: 24V/2880 Ohm
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Schaltplan zweier Schaltungen mit Mikrocontroller und MOSFET
Schaltung 1 Schaltung 2 +24V +5V Regl. uC Inp +5V uC BC846B GND GND 1K G S BS250 D K1: 24V/2880 Ohm
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Schaltplan einer Entladeschaltung mit Depletion-Mode MOSFET
converter dc in HV out AC line in ~ com com in out com discharge ckt Figure 3.113. Depletion-mode MOSFET $Q_1$ discharges the 100 µF high voltage capacitor $C_1$ when power is removed; when powered it is inactive.
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P-Kanal MOSFET/JFET - Wo liegt derzeit max. Ugth und min. Rds_on?
Hallo zusammen, anbei hätte ich eine Frage bezogen auf p-Kanal Typen von MOSFET/JFET. Wo liegen derzeit die Daten für die maximale Spannungsfestigkeit Drain-Source und zweitrangig für kleinen On-Widerstand Drain-Source? Zu finden im Netz wäre zum Beispiel folgender Typ:
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Bauteil Identifikation
https://www.alldatasheet.com/view_marking.jsp?Searchword=A07 also wohl ein P-MOSFET 3407 oder 2307 verschiedener Hersteller.
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Transistor GA5R2H
In einem 12/24Volt Akkuladegerät Panther IQ Load 7000plus ist als Lastschalter ein SMD MOSFET(?) verbaut der vermutlich defekt ist. Leider sind beim Ablöten die Füße weggebrochen so daß ich den nun nicht mehr durchmessen kann. Also neu. Aber die Beschriftung führt zu keinem Datenblatt. Habt
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12/24Volt Akkuladegerät Panther IQ Load 7000plus defekt
E1 und will mit vollem Strom unbegrenzt laden. Der defekte Bereich könnte die Ansteuerung für die MOSFETS sein, bei der SMD Bestückung und der Verbrennung aber nicht sauber zu erkennen. Ohne Schaltplan komme ich nicht weiter. Habt ihr Hinweise?
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Neue Bauteile: Passives, Spannungsmanagement und MPUs
auskommt: [c] Dank des robusten Silizium-auf-Isolator-(SOI)-Prozesses von ST kann der SRK1004 den MOSFET sowohl in einer Low-Side- als auch High-Side-Konfiguration mit einer Drain-Source-Spannung von bis zu 190 V steuern. Mit einem weiten Versorgungsspannungsbereich von 4 V bis 36 V kann der IC in einer
