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PWM auf mehrere Schaltausgänge verteilen
einen kleinen T vorschalten und das als Darlington betreiben. Ok? Da ich noch jede Menge von den IRF640 habe, wollte ich diese dann an die Ausgänge schalten. Ich weis, das der FET bei TTL-Pegel nicht ganz aufmacht, was mir aber sogar sehr recht ist, da ich nicht die volle Spanung benötige. Geht
Fet! Warum nimmst du nicht für den Taktgenerator auch einen N-Fet? Allerdings wird das mit deinen IRF540N bei 5V fast nichts bis garnichts...
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Treiber FET Schaltnetzteil
geregelt werden, der Code dazu wird schon. Die Wahl des FETs fiel auf einen NMOS, genauer gesagt den IRF540N, der für meine Zwecke ausreichend scheint. Nun brauche ich ja zum vollständigen durchschalten eine positive GS-Spannung, die ich aber nur durch einen High side driver realisieren kann, richtig?
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überdimensionierter Mosfet
noch natürlich noch die Verlustleistung durch die Schaltvorgänge. Jetzt wurde ein Mosfet gewählt (IRF540NS) welcher ein RthJA von 40K/W (PCB mount) hat. Die Umgebungstemperatur nehme ich zu 40°C an, die maximale Junction-Temperatur beträgt 175°C. Daraus folgt für mich eine maximale Verlustleistung von
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Thermische Kopplung von MOSFETs, Transistoren und Dioden
b) müßte nach P=UxU/R nicht der kleinere Rds mehr heizen? Hier noch etwas Lektüre http://www.irf.com/technical-info/appnotes/para.pdf
niederohmigeren :-o Das hat aber dieselbe Wirkung. Ein Rechenbeispiel: Also wir kaufen uns 2 Stück IRL540 und schalten die parallel. Bei einem haben wir Glück, der hat 30mOhm Rds (das ist der T1), der andere ist ein Grenzfall mit 50mOhm (der heißt jetzt mal T2). Jeder einzelne kann 20A, dann lassen wir
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MOSFET verändert Rechteckspannung.
Übrigens, die Schaltung funktiniert nun wie in meinem Schaltplan beschrieben. Ich habe nur den IRF540N mit eine Gatecapacität vom 1980pF durch einen IRF510 mit 150pF getauscht. Nun schaltet der MOSFET eine Saubere Rechtechspannung. Es lag also an der Capacität. Ich hätte dazu noch eine Frage. Den IRf540N möchte ich verwenden weil der RDS sehr klein ist dafür ist die Capacität sehr hoch. Beim 510er ist es genau andersrum. Optimal wäre halt ein IRF540N mit kleinerer capacität. Wie kann ich die Capacität
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Mosfetauswahl für Linearbetrieb
IRF(9)540 Wenn du aber viel Energie verheizen willst, dann würde ich einen mit größerem Gehäuse wie den IRFP150 oder so verwenden.
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Stromsenke für 10A bei 24V
meisten Strom genehmigen und daduch noch wärmer werden...and so on Als Beispiel soll hier mal ein IRF540 dienen, in dessen Datenblatt ist es die Abb. 3(Typical Transfer Characteristics): Niedriger geforderter Strom durch die MOSFET -> niedrige notwendige V_GS ->der wärmste MOSFET bekommt am meisten
analogen Schaltungen. Viele Datenblätter besagen das ja auch in Form eines Diagramms, wie eben auch IRF3205 (http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/irf/irf3205.pdf, Fig.3). Aber für thermische Abhängigkeiten interessiert sich ja meist keiner so recht, wenn es mal ums Detail geht ... ;-). Das sieht
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N-FET schaltet Gate Spannung ohne Drain Spannung durch?
Hallo zusammen, ich habe ein kleines Problem. Ich versuche einen N-FET IRF540N zu verstehen. Der Transistor ist laut angehängert schaltung verschaltet. Am Gate hängt eine Rechteckspannung mit 20 KHz die wie im unten angehängten Screen des Oszis CH I auch gemessen wird
Wäre nützlich, mehr über die Last zu erfahren. Denn um nur einen Oszi anzuschliessen ist ein IRF540 vielleicht etwas übertrieben. Und mit einer diesem Typ adäquaten Last dran löst sich das Problem sowieso in Luft auf.
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Mosfet vor negativer Spannung / Wechselspannung schützen
gedacht die AvalancheCurrent wäre der maximal zulässige Strom für die Diode. Datenblatt siehe Anhang (IRF540N)
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Hilfe bei Auswahl von N-Kanal MOSFETs
Id=20A 2.) Uds=30V Id=30A Hab in der MOSFET Liste nachgeschaut und folgende gefunden: 1.)IRF540 kann 100V aber leider Rdson=77mOhm 2.)IRF3205 55V 110A 8mOhm Habt ihr bessere Vorschläge bei der Auswahl der FETs? Und noch was: In einer anderen Anwendung muss ich 120V/5A Schalten. Würde
muss ein deutliches Derating bezüglich der Stromtragfähigkeit in Kauf genommen werden. zu 1) Den IRF540 halte ich für deutlich zu schwach dimensioniert. Schau dir mal den IRF3710 an. Bei einem sehr guten, niederinduktiven Aufbau des Leistungsteils könntest Du eventuell versuchen, noch einen 75V-Typ
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(S) Sipmos-Transistor BUZ 25
Altmetallvergoldern" zu finden. http://www.datasheetcrawler.com/crossreference/BUZ25.html gibt als Ersatz den IRF140 an, den wirst du genau so suchen müssen. Von wann und von wem ist denn das Schaltbild/Artikel? Wieso ist da keine Modifikation möglich? Arno
Hallo Vielen dank für eure Hilfe,habe den passenden Mosfet gefunden IRF 540. Und nochmal entschuldigung daß der Schaltplan auf dem Kopf stand,ich wollte nicht daß es Dir schwindlig oder schlacht wird. Gruß Joachim
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Projet um die Kapazität von Akkus zu messen
. Meine Regelung macht der µC, dass sie langsam ist, stört beim Test von Akkus nicht. Um den IRF540 bei höherer Spannung / höheren Strömen thermisch zu entlasten, schalte ich Widerstände parallel - meine Auslegung geht bis 14 Volt bei maximal 1,5A Laststrom. Ich hänge ein Schaltbild an: Das
dimensioniert werden muß: Ich habe zwei niederohmige LL-FETs samt Leistungswiderstand eingesetzt, der IRF540 im Analogbetrieb übernimmt nur noch die Feinregelung bzw. wenig Leistung. Wann welcher Widerstand zugeschaltet wird, kann der µC rechnen.
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Basiswiderstand für Transistor
danke, ok, bei reichelt ist der IRL 540N und IRL 540NS gelistet. Welcher ist egal, oder? MfG Jannek
Diese Info findet man i.A. im Datenblatt: Auf den Weg dorthin zeigt dir Google... ;-) http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irl540ns.pdf
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einzellzellen entladung für nimh akku
solltest du an die mögliche Leistung der Fet`s denken. Schließlich soll er die Ladung "verheizen". Der IRF540 ist kein LogikLevel Fet. Gruß Sascha
Hallo, der IRF530 ist nicht so toll zu hohe Threshold-Spannung und zu hoher Widerstand es gibt bei weitem bessere. Nimm z.B. den IRLZ34, Datenblatt im Anhang, der ist Logik-Kompatibel den kannst du direkt mit einem
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Transistoren parallel schalten für Leistungstransistor??
10 Ampere ist gar kein Problem für einen MOSFET, guck mal den IRL1004 an. http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irl1004.pdf http://www.reichelt.de/?;ARTICLE=41750 oder sonst einen Darlington BD 6xx weiss grad keine Nummer, der wird aber im Gegensatz zu dem FET ein bisschen
Kaiser Ja hab ich aber Du noch nicht :) schalte in einer Tauchlampe 12V 120W mit 1kHZ mit eimem IRL540 ohne Kühlung!
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12V Verbraucher schalten
Nimm einen IRF540 soweit ich weiß für etwas über 1€ zu haben, das ist ein MOS-FET der schaltet bei 5V schon 9A und den kannst du direkt an den MEGA dranhängen ohne Widerstände etc. Braucht auch keine Kühlung. Bist
dem Atmega32 verbinden muss? "Welche Last willst Du denn wie oft schalten." - Wenn ich den IRF540 z.B. jede Sekunde ein und ausschalten lasse, würde das ein Problem geben?
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BLDC mit Zwangskommutierung betreiben mit Mega168
besorgt, nicht ganz Billig kann aber recht viel Strom um das Gate umzuladen. Als FET hab ich den IRF540A beschafft (10 Stück, also etwas Reserve :D) Da hab ich noch nen paar Fragen dazu: Wie hoch kann ich mit der PWM-Frequenz gehen bei dem Treiber? Gibts was besseres wie den IRF540a? Sollte 100V
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Welcher Treiber f IRF540
hallo zusammen, ich suche einen Treiberbaustein für meinen MOSFET IRF540. ich habe bis jetzt noch nie mit Treibern gearbeitet und weiss nicht genau welcher Treiber dafür geeignet ist. Weiss jemand von euch Rat? besten Dank im Voraus, AnfängerAlex
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Schwebende Kugel
als ein paar Minuten durchhält. > Kann mir mal einer ein Mostreibertyp für das Projekt nennen? IRF540, IRFZ44, IRF1404 usw.
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Leistungstransistor / Hitzeentwicklung
Mit den max. 5V des AVRs kannst du einen IRF540 nicht sauber durchschalten, er bleibt also hochohmig mit viel Verlustleistung. Du brauchst einen Logic-Level-FET oder eine Treiberschaltung die ~10V am Gate erzeugt. Wichtig bei einer Treiberschaltung
Stimmt, ihr habt recht... weis garnicht mehr wieso ich eigentlich nen IRF540 genommen hab... naja egal... hab mir gerade mal hier ne Übersicht verschafft: http://www.mikrocontroller.net/articles/Mosfet-%C3%9Cbersicht#N-Kanal was haltet ihr vom IRF3205 oder gibts einen
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H-Brücke, PWM, 6A
IRF1404 geht nicht da kein "Logic Level" Typ. Einfach mal vielleicht die leicht erhältlichen Typen abklappern und schauen, welcher bei Ugs = 5V (meistens sind 4.5V spezifiziert) noch einen niedrigen RDSon
irgendwo.. Ja, zumindest Herstellerbezogen auf deren Homepage. => parametric search zB www.irf.com
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Transistor (Verzweiflung)
schalten kann. Ich gehe davon hinaus, dass das reichen wird. Den MOSFET findet man hier: http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf540n.pdf Gestern habe ich mit einem Steckbrett gearbeitet. Heute werde ich es löten. Eine Frage hätte ich noch und zwar reicht eine Gate Spannung von 5V überhaupt
zwischen G und S dranlassen. Wenn dann der Motor immer noch läuft ist entweder der IRF540 im Eimer oder der Strom hat einen anderen Weg um den IRF540 herum gefunden. Grüße, Peter
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BUZ11 geht kaputt..
Rating haben. Eine 12V Zenerdiode zwischen Gate und Source ist Pflicht! Empfehlen kann ich den IRF730, den hab ich noch nicht kaputtgekriegt.
Also mit MOSFET geht das allemal und wird auch häufig gemacht. IRF540,IRF840,IRFBC40.... Was die Schaltverluste angeht sind MOSFET meist besser als Bipolar. Weniger Leistung zum Schalten bei höheren Schaltgeschwindigkeiten. Deswegen werden auch in fast allen Schaltnetzteilen
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Vorwiderstand für Mosfet um LED's zu schalten
Ich möchte mit einem ATMEGA48 über ein IRF540N Mosfet reichlich LED's schalten. Bin beim Stöbern auf angehängte Schaltung gestossen. Dort wir ein 100 Ohm Widerstand vor den FET geschaltet obwohl das ein Logik-Level Mosfet ist. Kann mir jemand mit einfachen Worten erklären wofür das gut sein soll/kann? http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf540n.pdf
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MOSFETs werden heiß - Brushlesscontroller
, die sind nicht wirklich hoch. Hmm im Datenblatt steht nix drin, aber ich hab ein App-Note von IRF gefunden dass allgemein das Bootstrapping beschreibt, da ist eine Formel drin mit der ich auf ca 1,2µF komme (allerdings hab ich da schon großzügig gerechnet). Muss also passen. Du meinst Chip-Elkos
Der IR2102 ist jetzt nicht unbedingt der stärkste Treiber, aber IRF540 haben auch relativ kleine Gateladungen im vergleich zu modernen Leistungsmosfets. Eigentlich sollten 220nF ausreichen. Wie groß ist denn deine maximale Einschaltdauer des Highside Fets?
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OK als LED Treiber? Elektors Ambilight Projekt.
Widerstand zum IC müsste wohl deutlich erhöht werden) BS170 (Widerstand müsste auch erhöht werden) oder IRF540N (etwas überdimensioniert)? Wie berechnet man die Größe des Widerstands zw. Pin und Transistor? Gruß Sirko
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[V] jede Menge Bauteile
Sim1-0505 5V DC/DC - Wandler neu 5.00 Amis42700 neu 5.00 Amis42700 gebraucht 3.50 IRF 9540 TO220 neu 1.00 IRF 540 TO220 neu 0.70 ATMEGA 128L AI neu 5.00 ATMEGA 32L 8AU neu 3.50 ATMEGA 8L AU neu 2.00 ATMEGA 168 20AU neu 4.50 TLE 5206-2 P-TO220
AUFREGER leg los! und dieses mal zu recht !!!!! sind ja preise über neuwert!!!!!!!!!!!!!! beispiel IRF 9540 kostet maximal 0,68 dc/dc 2,49
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MC 34063 Schaltregler
Frage: Kann ich dann aus der Schaltung soviel Strom ziehen wie der MOS-FET verträgt? Also z.B.: IRF540N 33 A ? Macht das der MC 34063 mit ? Entstehen Stromspitzen die den Schaltregler zerstören? Hat jemand Erfahrungen mit diesen Schaltregler. gibt es bessere? P.S.: Die Spulen und anderen externen
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Erfahrungen mit LT1161
Hab noch ne Frage: Ich nutze zur ansteuerung der IRF540N MOSFET´s den LT1161. Doch das Fatenblatt verwirt mich ein bisschen in sachen Betriebsspannungen. Einmahl steht da -15 to 60V auf Seite 2 oben links. Jedoch auf seite 1 Steht 8 to 48V. Die
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Shunt Problem MOSFET Strommessung ohne Shunt ?
! Warum eigentlich ? Kann ich nicht den innenwiderstant des MOSFET´s nutzen ? Also z.B.: IRF540N RDS(on) = 44mOhm = 0,044 Ohm U = R * I U = 0,044 * 6A U = 0,254V Da meine Schaltung eine H Brücke ist liegen zwei Mosfet´s in Reihe. Also: RDS(on) = 0,088 Ohm * 6 A = 0,528V Mit OP
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Erfahrungen ULN2803 bei 50kHz
Datenblatt wird eine Testschaltung mit 50µs betrieben, das sind aber nur 20kHz. Ich möchte damit den MOSFET IRF540N ansteuern. Gibt es einen besseren Driver ? Sollte ich lieber den BC547 verwenden ?
@ Michael (Gast) >nur 20kHz. Ich möchte damit den MOSFET IRF540N ansteuern. Gibt es einen besseren Driver ? Das macht man mit einem MOSFET Treiber. Die haben Push-Pull Ausgänge- Der ULN hat nur Open Kollektor. [[Ausgangsstufen Logik-ICs]] >Sollte ich
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Gefälschte Transistoren!
Hersteller bekommen. Früher haben die immer die Hersteller dazugeschrieben so das man wählen konnte z.b. IRF540 ST oder IRF540 NS..... Nen Standarttransistor wie einen BC548X bekommst du auch mindestens bei einem Dutzend Hersteller als Fälschung würde ich das dann nicht bezeichnen, könnte auch gut sein
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Schaltung für Motorsteuerung
zu kompliziert ??? R4 schätze ich mal hat was zu tun mit der Gate - Source Schwellenspannung beim IRF540N 2-4V. Grobi
(Lastwiderstand) gegen Masse geschaltet. Gleichzeitig fließt die Akkuspannung auf das Gate von Q1 (IRF540 N MosFet) welcher nun durchschaltet und den Strom durch den Motor fließen läßt. Ich hoffe mal das die Gatespannung also ca. 7.2V vom Akku ausreichend ist für Q1 damit er auch genug Strom durchlassen
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Alternative zu TLP250
Alternative, am besten bei Reichelt bestellbar? Ich bentze sie als universelle Möglichkeit für FETs, z.B. IRF540 bei Strömen bis 15 A, benötige also nicht mal zwingend die optische Entkopplung. Danke im Voraus ReinHerR
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MOSFET schwingt bei PWM Signal wenn er sperren soll
Ohne jetzt den IRF zu kennen würde ich zwischen Drain und Source /GND eine schnelle Freilaufdiode setzen und einen Pull-Down ans Gate (mit 10k würde ich mal anfangen, messen und kleiner werden)
geringer Qualität, es kann was bringen paralell zum FET eine Schottky zu schalten. (bei meinem FET IRL540N war sie bei ca. 25kHz PWM Takt ausreichend). Die geringe Spannung die Du misst kommt von der Gegenspannung des Motors in den Schaltpausen. Wenn Du die Schaltung mal statisch oder sehr langsamer
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N-Channel Power Mosfet
IRF530 oder irf540 sollten gut genug sein
dann gesehen das ich mich vertan habe. Asche auf mein Haupt ! Es ist ein P-Channel... Würde ein IRF830STM reichen ? (jetzt ein P-Mos =) ) Hm, Id müsste 10A sein, ich finde jetzt kein Datasheet zu dem IRF830STM!? Aber ein IRF830S hat nur 4,5A =*( ich bin jetzt nicht so erfahren und finde irgendwie
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Eltako Relais f.12V KfZ in Elektronik nachgebaut?
eines Tasters. Bei der Frage nach dem FET -> wieviel Strom , Induktive oder Ohmische Last ? z.b. IRF540 (100V , 27A ,0.077 Ron) Versorgungsspannung der Schaltung wäre noch zu Filtern.
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Verständnsiproblem ULN2003A (Spannungsabfall)
nutze passt das mit den 500mA! Der ULN wird nicht heiß ober überlastet oder ähnliches sondern die etwa 540mA bleiben stabil, nur die Spannung am Ausgang bricht ein, also der Drop des ULN steigt deutlich über die im Datenblatt angegeben 1,6V max. Ich habe bei 5V Eingangsspannung etwa 2,5V am Ausgang. Wenn
Ich würde den IRF4905 nehmen wenn unbedingt Plus geschaltet werden sollte. Grüße Björn
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IRF4905 fragen zur Beschaltung
Hallo erstmal, also, von Reichelt habe ich jetzt hier einen IRF 4905 der ja wohl LL Mosfet ist. Ich würde nun gerne mal etwas "dickere" Lasten schalten. Also denke ich mir erstmal Versuchsweise 5V Vcc an Source anzulegen, an drain Ground und an das Gate ebenfalls
Also das DB vom IRF4905 sagt, wenn ich das Gehäuse auf unter 50°C halten kann, dass knappe 70A drin sind. Ok, verstehe, also müsste ich mir 10V ans Gate legen, damit meine Last bei der Leistung betrieben werden kann
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Step Up 30VDC - 48VDC
MC34063 recht gut denke ich. Die Frage ist nur welchen Leistungs-FET nehme ich. Laut Datenblatt wäre der IRF540 gut geeignet, da dieser eine D-S Spannung von 100V hat. Den IRLZ34N kann ich glaube ich nicht einsetzen, da die D-S Spannung nur bei 55V liegt. Da der Ausgang ja schon 48 Volt hergeben soll weiß
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BLDC, Synchronmaschine, Drehfeld Experimentierschaltung Gesperrt
zumindest aus meiner Perspektive. Schnell genug scheint der auch zu sein, und die Dead time ist dann von 540ns..5µs einstellbar, 5µs würde vermutlich sogar für die IGBTS reichen. Doch wenn die günstig sind nehm ich die. Danke Axel.
meiner Meinung nach ausreichend schnell. Je höher die Spannung, desto langsamer die Dioden (siehe z.B. IRF540-IRF840)