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Safe Operating Area Diagramm eines MOSFETs
1000 100 ID max (pulse) * 1 ms * 100 µs * 10 µs * 1 µs * 100 ns * 10 ID max (continuous) DC operation Tc = 25 °C 1 0,5 This area is limited by RDS(ON) 0.1 0.01 Curves must be derated linearly with increase in temperature. 0.001 0.1 1 10 100 1000 Drain current ID (A) Drain-source voltage VDS (V) VDSS max ~140 Fig. 8.17 Safe Operating Area (Guaranteed Maximum)
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LTSpice: Kondensator mit Mosfet entladen seltsames Verhalten
zusammen, Meine Simulation besteht aus einem RC-Glied, dessen Kondensator periodisch mit einem Mosfet entladen wird. Die Kondensatorspannung startet mit jedem Ladevorgang jedoch bei -100 mV und steigt am Ende des Ladevorgangs um ebendiese 100 mV sprunghaft an. Wie kann ich Spice dieses Verhalten
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Datenblatt Ausschnitte BC847 und IRLML6344TRPbF
BC857, BC858, BC859, and BC860 1. Base 2. Emitter 3. Collector SOT-23 IRLML6344TRPbF HEXFET® Power MOSFET G 1 S 2 D 3 Micro3™ (SOT-23) IRLML6344TRPbF
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Handgezeichneter Schaltplan mit MOSFET
+5V, 2k2, A1, A2, D, G, Q1, S
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Schaltplan mit MOSFETs, Induktivitäten und Mikrocontroller-Modulen
+5V,Diode? 1N5817?,Pin2 D,G,Pin3 S,Pin1,Vcc,A,1,5,B,2,Y,4,GND,?,1,2,GND,I/O,UCC,121
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Schaltplan mit zwei MOSFETs und Induktivitäten
+5V,GND,2,1,GND,I/O,VCC,A,B,121,Pin2,D,G,Pin1,Pin3,S
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Logic Level (3,3V) MOSFET (bedrahtet oder großes SMD)
betreiben möchte. Ob ich am Ende dann 12 oder 24V Lüfter nehme, hängt im Grunde nur davon ab, welchen MOSFET ich wähle. Ich suche jetzt schon einige Zeit hier im Forum herum und finde nichts passendes. Das Thema mit Logic Level MOSFETs, die bei 3.3V sicher durchschalten (in den Datenblättern ist das dann
ja schon gesagt) du nimmst einen Treiber (oder baust ihn selber) und einen beliebigen n- oder p-MOSFET.
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Frage zu BLDC-Motor
Die 1000W sind dann auch weithergeholt. https://www.lmingmotor.com/9mosfet-4860v-25-28a
weithergeholt. Für die Nähmaschine wirds locker reichen. > https://www.lmingmotor.com/9mosfet-4860v-25-28a Und?
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Handgezeichneter Schaltplan mit MOSFET
+5V, 2k2, A1, A2, D, G, Q1, S
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Schaltplan mit zwei Modulen und Induktivitäten
Transistor, Mosfet, Relais, ...? X 2 GND A I/O B VCC 121 1 GND A I/O B VCC 121 GND +5V
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UND Schaltung einer 5V Spule
Sensoren in Serie zu schalten hat im Probeaufbau funktioniert Nein nein. Deine Spulen per MOSFET zu schalten ist schon ok, Spulen haben keinen relevant erhöhten Anlaufstrom. Du kannst nicht die Sensoren in Reihe schalten, aber die MOSFETs. [pre] +5V --+------+-----+-----+ | |
Falls man für die Schaltung nur einen einzigen N-MOSFET einsetzen möchte, dann könnte man aus zwei Dioden eine UND-Verknüpfung realisieren.
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Rumpel-Maxe hat als Schnäppchen Wechselrichter
bei 28V. Amplitude skaliert mit Eingangsspannung, Rastgrad regelt dagegen. Controller AZ7500. Mosfet auf 24V Seite FTP23N10A. Lüfter läuft bei Last (20W) sofort an. Habe ihm auch mal 5 Minuten an 240W ohmscher Last laufen lassen und danach noch >2Stunden im Leerlauf, alles am Labornetzteil.
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Regelstrecke isoliert & analog
J. schrieb im Beitrag #7964287: > ich möchte einen Längsregler bauen mit High-Side N-Mosfet. Regelung soll > analog ablaufen (OP). Was genau soll das ganze werden? Spannung? Strom? Last? Warum Mosfet und kein NPN oder PNP? > Da der N-Mos High-Side liegt brauche ich eine galvanische
schrieb im Beitrag #7964307: > Was genau soll das ganze werden? Spannung? Strom? Last? > Warum Mosfet und kein NPN oder PNP? Spannung im Bereich von 9 bis 130 VDC bei bis zu 250 W. Last ist ein Converter mit Eingangskapazitäten von 1000 bis 3000 µF. Ich dachte mit einem MOSFET wäre der Aufwand
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Taster Öffner zu Schließer (3D Taster)
Opto-Mosfet bipolar. Was es nicht alles gibt. Zu Deiner Beschreibung (die Zeilenumbrüche sind leider weg): Ja, braun über Widerstand an SSR(1) und blau an SSR(2). ich würde aber weiß an SSR(1) legen und grün
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ESP32-C6 an 18650 Akku betreiben
sehr gute DC-DC Step-Down Wandler (z.B. TPS62840) die auch 0V Dropout können, indem einfach der MOSFET auf 100% Duty-Cycle geschaltet wird und somit die Akkuspannung fast direkt (über die Induktivität) am Ausgang anliegt. Olli Z. schrieb im Beitrag #7964085: > möglichst lange Verträgt sich sowieso
vermutlich den Akku nur bei einer Messung zum Spannungsteiler/ADC zu führen? Z.B. mit einem kleinen Mosfet dessen Gate von einem IO-Pin gesteuert wird. IOs habe ich ja genug und dann fließt nur Strom während einer Messung. Die muss man ja auch nicht all zu oft machen, alle 10 Minuten würde ja reichen?
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Unbekannte Bauteile in Gys Ladegerät abgebrannt, Hilfe bei Ursache und Identifikation
gekennzeichnet und hat jemand eine Idee, warum die weggebrannt sind (evtl. einer der neuen N-Channel Mosfets)? Vielen Dank für eure Hilfe im Voraus, Michael
Falls Du es noch weiter versuchen willst, mich würde mal interessieren, ob die sekundärseitigen MOSFETs am Trafo (für die Sychrongleichrichtung) noch intakt sind. Oder weißt Du eigentlich, wie der Defekt entstanden ist?
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Schaltung Tastersignal +12v in Masseschalter umwandeln (kein Relais)
gemeinsame Versorgungsspannung oder müssen beide gegeneinander isoliert sein? Von Transistor (BJT oder MOSFET) über Optokoppler, PhotoMOS und Relais gibt es verschiedene Möglichkeiten.
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Netzteil ESO1AP aus Medion Nähmaschine
ich bis jetzt gemacht habe: - Alle Halbleiter durchgemessen, Dioden auch auf Sperrspannung. - MOSFET manuell angesteuert, Strom fließt bis zur Strombegrenzung. - TL431 samt Optokoppler auf Funktion geprüft. Schaltet sauber bei Anstieg auf 24V bis zur Primärseite durch. Optokoppler auch testhalber
zerbrochen. Das Oszillogramm zeigt in Blau die Gate-Ansteuerung des MOSFETs, Gelb der Verlauf der Betriebsspannung des R7731. Was mich wundert ist die Tatsache, dass die Spannung nicht höher wird wenn die Ansteuerung losgeht. Das Schaltbild aus der AppNote anbei, entspricht
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Handgezeichneter Schaltplan eines Schaltnetzteils
230V / 115V 350V 47uF 56k 250k ? Drain Mosfet Buz80 Ringkern
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Kaum bekannte Differenzverstärkerschaltung?
abfallen? Die Bildersuche mit lens.google bringt wenig brauchbares, und die KI erklärt mir nur welcher Mosfet das ist.
nirgends gefunden Ewig alt, high side current sense, mit einem OpAmp wie es der ZXCT1009 tut und MOSFET: [pre] --+---SHUNT----+-- | | 1k | | | +---------+ | | | | S| /-|--+ | BS250 I|--< |
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Schaltplan mit Operationsverstärkern und MOSFET
V4 U=1 mV V1 U=15 V V3 U=3 V SUB1 VCC VEE R1 R=1 kOhm T_BSS84_1 Vt0=-1.6 R2 R=1000 kOhm SUB2 VCC VEE V2 U=15 V
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Sipart DR24 Netzteil defekt
idee? tja so sieht das netzteil aus, gibt kein muks von sich neben den beiden blauen elkos ist ein mosfet buz80(kühlblech) hab ich schon ausgelötet gehabt und geprüft, war in ordnung. denn ist da noch ein Triac aber denk der wirds auch nicht sein. Die dicken blauen Elkos werden auf 114 volt geladen, bei
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Backlight Hintergrundbeleuchtung fällt aus Samsung Monitor, + PCB Bilder S27C590H LS27C590HS
Anstecken des Power Supply läuft er einwandfrei, alle 4 Led Stripes bekommen 60 Volt, der D478 Mosfet hat 10V (rechter Pin). aber dann nach kurzer Zeit setzt die Hintergrundbeleuchtung aus, es leuchtet nur noch 1 Stipe 3 Led Stripes haben 13 volt, einer hat 67 Volt, der D478 Mosfet hat 7V.
alle 4 Led Stripes haben 13 Volt. Ab und an blitzt die Beleuchtung wieder komplett an. Der D478 Mosfet hat 14V. Dazu ist noch zu sagen, dass das Power Supply genau 14,3 Volt liefert. Damit ist festgestellt, dass die Spannungsversorgung der Leds nicht mehr funktioniert, evtl. ist der Step Up Prozess
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2 LiFePO4 Akkus laden / entladen stark unterschiedlich Kabelverlängerung einbauen?
Plastiksäckchen drin. Und das können auch mehrere sein und die müssen nicht alle die selbe Kennlinie haben. Mosfets sind ja z.B. auch in einem Gehäuse. Intern aber teilweise viele parallelgeschaltet.
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IC-Identifikation: Q5A + KK9
aber nicht der Fall ist. Anhand der Spannungen ist auch klar, warum: Zum einen muss der High-Side MOSFET Q102 von der Controller-PCB aktiviert werden. Zusätzlich müssen die beiden N-Kanal MOSFETs Q100 und Q101 im GND-Zweig eingeschaltet sein. Es wird jedoch nur Q101 angesteuert, Q100 hat 0 V am Gate.
nach könnte dies ein Unterspannungsschutz sein. Ich verstehe jedoch nicht, warum das IC nur einen MOSFET ansteuert und nicht beide. Meiner Ansicht nach sollten entweder beide oder kein MOSFET angesteuert werden. Die Spannungen liegen meines Erachtens im Rahmen, sodass das IC einschalten sollte. Hat
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Hochleistungsoperationsverstärker, flexible Steckverbinder, Labormäntel und mehr
en-eu/products/sensor/co2/overview/advantages ### Nexperia - für Parallelschaltung optimierte MOSFETs Wer mehrere Transistoren parallel schaltet, erhält - in der Theorie - höhere Spitzenstromfähigkeit. In der Praxis sorgen Unterschiede in den individuellen Impendanzen dafür, dass das praktische Schaltungsdesign
zur Thematik.  Bildquelle: https://www.nexperia.com/products/mosfets/application-specific-mosfets/asfets-for-motor-control/enhanced-dynamic-current-sharing-in-parallel-for-high-power-bldc ### Microchip MCP41U83 / MCP42U83 - digitale Potentiometer mit Persistenz
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Produktbeschreibung von ASFETs für parallele MOSFET-Anwendungen
ASFETs with enhanced dynamic current sharing are designed to meet the demands of high-power parallel MOSFET applications, ensuring balanced load distribution and reliable operation in BLDC and other demanding inductive systems: • No VGS(th) matching required – simplifies design and production. • Enhanced
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Indirekte LED-Hintergrundbeleuchtung (6 m RGBCCT)
Chinaconttrollern. Ich hab mir meine eigenen Universalplatinen entworfen, die sich wahlweise RGBW mit MOSFET Endstufen, RS485 Controller, für lange Datenleitungen, oder bis zu 2 Levelshiftern für die diversen Pixel bestücken lassen. Als Eingangsspannung verdauen sie, dank 78xx Schaltregler, 12 oder 24V,
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Transistor-Übersicht
Transistor für eine bestimmte Anwendung passend ist, dafür wurde dieser Wikieintrag angelegt. Wie in der Mosfet-Übersicht und der Dioden-Übersicht soll hier eine Liste entstehen mit gängigen Bipolar-Transistoren, die leicht erhältlich sind. Für die Typbezeichnung siehe Kennzeichnung von Halbleitern. Eine allgemeine
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Kennlinien von MOSFETs IRF3708, IRL3803 und IRLB4030
IRF3708, IRL3803, IRLB4030, ID, Drain-to-Source Current (A), VGS, Gate-to-Source Voltage (V), VDS, TJ = 25°C, TJ = 175°C, VGS = 10V, ID = 15A, VGS = 4.5V, ID = 12A, VGS = 2.8V, ID = 7.5A, VDS = 15V, 20us PULSE WIDTH, VGS = 10V, ID = 71A, VGS = 4.5V, ID = 59A, VDS = 25V, 20us PULSE WIDTH, VGS = 10V, ID = 110A, VGS = 4.5V, ID = 92A, VDS = 50V, 60us PULSE WIDTH
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Leiterplatte mit IRF3700 MOSFET
IRF3700
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24-Kanal PWM Led-Controller mit key-scan
für z.B. 25mA (den Strom den die LED halt für die maximale gewünschte Helligkeit brauchen). Ein LL-MOSFET, der den Strom schalten kann (z.B. IRLML2502). Und ein PWM-tauglicher GPIO an deinen µC. Fertig. 24 × 25mA (jede LED einzeln) ergibt halt schon 600mA. Da muß deine "Fernbedienung" schon eine dicke
z.B. 25mA (den Strom den die LED halt für die maximale > gewünschte Helligkeit brauchen). Ein LL-MOSFET, der den Strom schalten > kann (z.B. IRLML2502). Und ein PWM-tauglicher GPIO an deinen µC. Fertig. > > 24 × 25mA (jede LED einzeln) ergibt halt schon 600mA. Da muß deine > "Fernbedienung" schon
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Signalrelais minimale Schaltspannung
Ein leckstromarmer MOSFET hat bei RT einen Leckstrom im Bereich weniger nA.
Alexander schrieb im Beitrag #7960209: > Mit einem MOSFET kommt man nicht bis GND runter. Warum nicht? Guck dir einmal die Kennlinie eines MOSFET an. Es geht nicht um einen BJT.
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Leiterplatte mit Bauteilbeschriftungen und Markierungen
1500W, Infineon, BTS43E2, Smart Highside Power Switch, GESTION BATTERIE, NTD24N06L/24N6LG, Power MOSFET 24A/60V, N-channel, MOTEUR DE COUPE, NTD4302/T4302G, Power MOSFET 68A/30V, N-channel, NTD25P03LG, Power MOSFET 25A/30V, P-channel, MOTEURS DE ROUES, ST17NF03L, Power MOSFET 17A/30V, ON Semiconductor, NTD24N06L/24N6LG, Power MOSFET 24A/60V, N-channel, ON Semiconductor, NTD25P03LG, Power MOSFET 25A/30V, P-channel, Résistances de Gate 10 ohm, Résistances shunt 1 ohm 0805 en parallel, Moteur Gauche, Moteur Droit
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Hat jemand eine V!STAPOOL ESP32WIFI V3
Jasmin B. schrieb im Beitrag #7959083: > MosFet > (33063) Das ist ein MC33063, ein Schaltregler. Basierend auf den Leiterbahnen könnten R9/R10 der Spannungsteiler zum Einstellen der Ausgangsspannung sein. U9 ist ein LDO für die 3.3V, demnach
Jasmin B. schrieb im Beitrag #7963015: > Kümmere mich die tage mal drum den Mosfet zu bekommen Auf deinem gezeigten Board ist kein MOSFET enthalten.
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Austauschtyp für IRL 3803
sind. Da lötest du was Aktuelles drauf und hast dann für Lochraster und andere Projekte TO220 LL-MOSFET
Einen Grund muß es ja geben, warum der MOSFET in der Originalschaltung ersetzt werden soll.
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Türklingelschaltsignal an ESP anschließen
das der Taster nicht gedrückt ist durch Messung der > Spannungsdifferenz. Du vergisst, dass MOSFETs ein isoliertes Gate besitzen und spannungsgesteuert sind. Es gibt also Alternativen zu deinem vorbeigeleiteten Strom.
der Taster nicht gedrückt ist durch Messung der >> Spannungsdifferenz. > > Du vergisst, dass MOSFETs ein isoliertes Gate besitzen und > spannungsgesteuert sind. Es gibt also Alternativen zu deinem > vorbeigeleiteten Strom. Ich würde mich nicht darauf verlassen wollen, dass ein Eingang des ESP
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LEDs mit PWM dimmen - Komponentenauswahl, was bedenken?
Danke erstmal - das ein MOSFET sinnvoller ist, ist mir bekannt; ich hatte damals die TIP112 genommen, weil ich so ca. 64 Stück brauchte, und AliExpress noch kein Ding war... und die alternativen MOSFETs hätten damals an die 100€
ganz anderer Schnack sind. Für die kann man ggf. auch ne eigene Schaltung mit angemessen großen MOSFETs bauen, vllt. sowas wie IRLZ34N. Bei 15 MOSFETs für die RGB-Steuerung fände ich schon einen Einstiegspreis unter 20 Cent ... attraktiv. Daher würde ich für die Anwendung definitiv auf die
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bldc-controller
Hall-Anschlüssen. mach ich morgen. Verständnisfrage: Wie ist der Stromlauf? AT + VCC => Mosfet1 => Spule MA => Sternpunkt und dann? Wenn Mosfet(AT) an VCC durchschaltet, sind dann Mosfet(BB)+(CB) an Gnd? braucht es eine Totzeit?
Der Strom fließt den Weg zurück über einen der Low-Side MOSFETs und einen Shunt zu GND. Die Totzeit macht der Treiber automatisch. Wenn Du den nicht verwendest musst Du natürlich eine Totzeit selbst einbauen. Es sind sechs MOSFETs im Schaltplan, nicht drei. Es
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Low Noise Netzteil?
Induktivität möglichst gering sein. Wenn du etwa 0.1 A mit einer Anstiegszeit von 10 ns mit einem Mosfet schaltest, dann hast du an 5 cm Leiterbahn mit ca. 50 nH einen Spannungsabfall von 0.5 Volt (dU=L*di/dt). Das ist schon arg knapp dran an der 0.8 Volt Schwelle für Logikgatter (Stichwort Ground
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Blitzlampe mit Schaltregler 78S40 defekt.
Das TX134 heißt meiner Meinung nach TX13A oder ähnlich. Nö, der heißt schon TX134. Ein 200V n-MOSFET für gut 10A.
einziger Treffer zum TX134: https://www.oemsemi.com/ic/TA75358FB/476758.html TX134 TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,9A I(D),TO-220AB Hinz, was meinst Du zu dessen Hersteller?
