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standard.bjt.txt
=0.4 is=100n ikf=45m vaf=30 mje=0.5 mjc=0.5 rc=20 rb=80 rbm=10 irb=1m ise=25n ne=1.5 isc=.7u nc=1.4 mfg=GERMANIUM_USSR .model GT322A pnp bf=100 br=.3 eg=0.72 cje=10p cjc=4p tf=1n tr=.4u xcjc=0.3 is=50n ikf
in „Hilfe bei LTSpice nötig!“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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PH7030L.pdf
A; T j 25 °C; - 6.9 7.9 mΩ see Figure 9; see Figure 10 Dynamic characteristics QG(tot) total gate charge D = 20 A; V DS= 10 V; V GS = 5 V; - 12 - nC Tj= 25 °C; see Figure 11 QGS gate-source charge - 4.1 - nC Q
in „Am3 Mainboard Vcore instabil wenn kalt“ · PC Hard- und Software ·
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NCP300L.PDF
= 0.5 V; 1.5 − 4.9 VinV = 5.0 VOUT = 0.5 V, Active High ‘H’ Suffix Devices www.onsemi.com 10 NCP300, NCP301 1.0 10.5 TA= 25°C TA= 25°C 0.9 ) 0.8 ) 2.5 ( A T 0.7 ( N T 2.0 E 0.6 E R R U 0.5 U 1.5 C C U 0.4 T P P 1.0 I
in „High-Side-Strom auf Low-Side spiegeln (Stromspiegel?!)“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MPT2P50E.pdf
ELECTRICAL CHARACTERISTICS 4 4 V = 10 V TJ= 25⋅C GS 7 V VDS ↓10 V ) 3.5 8 V )3.5 P P A 3 A 3 100⋅C T 6 V T TJ= -55⋅C N 2.5 N2.5 R R 25⋅C U 2 U 2 C C A 1.5 A1.5 R R , 5 V , ID 1 I 1 0.5 0.5 4 V 0 0 0 4 8 12 16 20 24 28 2 2.5 3 3.5
in „Ersatztypen für Diode“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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LM2594HVM-5.0_Datenblatt.pdf
age HFQ Series Series Capacitor Series 595D Series Capacitor (V) (µF/V) (µF/V) (µF/V) (µF/V) 1.2 220/25 220/25 0 220/10 220/10 0 4 180/25 180/25 4.7 nF 100/10 120/10 4.7 nF 6 82/25 82/25 4.7 nF 100/10 120/10 4.7 nF 9 82/25 82/25 3.3 nF 100/16 100/16 3.3 nF 1 2 82/25 82/25 2.2 nF 100/16 100/16 2.2 nF 1 5 82/25 82/25 1.5 nF 68/20 100/20 1.5 nF 2 4 82/50 120/50 1 nF 10/35 15/35 220 pF 2 8 82/50 120/50 820 pF 10/35 15/35 220 pF FIGURE 3. Output Capacitor and Feedforward Capacitor Selection Table www.national.com
in „Idee für ein ||transportables|| Handyladegerät“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Sony_M610__MBX-176_.pdf
PCI_AD30 REC_LED 54 N N O J O J 1 8 2 _ 2 PCI_AD27 37 GROUND_3 AD30 38 C _ _ P V P V 2 5 9 4 1 0 PCI_AD25 39 AD27 3.3V_6 40 PCI_AD28 C 2 _ 2 _ _ 1 0 _ 1 0 0 _ 1 41 AD25 AD28 42 4 1 0 4 1 0 0 _ 0 _ 8 0 C1569 43 RESERVED_2
in „Blitzschaden an Sony Vaio Notebook“ · PC Hard- und Software ·
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BUK962R5-60E_NMOS.pdf
charge D = 25 A; V DS = 48 V; VGS = 5 V; - 120 - nC Q GS gate-source charge Fig. 13; Fig. 14 - 25.6 - nC BUK962R5-60E All information provided in this document is subject to legal disclaimers. Nexperia B.V. 2017.
in „Kann der NMOS so kaputt gehen?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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PC2402LRS-AWA-H.pdf
direction N.G. Major Appearance Bezel assembled in opposite direction N.G. Major A=( L + W )¡2 Shadow within LCD V./A + 1.0 mm N.G. Major Dirty particle0.4 mm N.G. Minor 4 Dirty particle leng3.0mm Dirty particle
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Datasheet_MOSFET.pdf
l e h 2.8 e 15 e a h S 12 - 2.6 n h O 9 S 2.4 -) G ( 6 V 2.2 D R 3 2 0 −75 −25 25 75 125 175 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 TC- Case Temperature (ºC) G001 VGS - Gate-to- Source Voltage (V) G001 I = 250 µA D Figure 6. Threshold Voltage vs Temperature Figure 7. On-State Resistance vs Gate-to-Source Voltage 2.2 100 V = 6V T = 25°C e 2 GS ) C n V GS= 10V t 10 TC= 125°C t 1.8 n s r e 1.6 u 1 e n a 1.4 a S D 0.1 n 1.2 t O e e 1 r 0.01 l o a S r 0.8 − N S0.001 0.6 I 0.−75 −25 25 75 125 175 0.00010 0.2 0.4 0.6 0.8 1 TC- Case Temperature
in „DRV8711 Steppermotortreiber - Hohe Geschwindigkeiten“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MURATA.pdf
specifications before ordering. 08.8.27 Continued from the preceding page. Temperature Characteristics TZB4R200 TZB4R500 R200 (N750 400ppm/°C) R500 (N750 300ppm/°C) ) ) ( ( g +10 g +10 n +8 n +8 h h . +6 . +6 a a C +4 C +4 +2 +2 +20 +55 +85 +20 +55 +85 –25 0 0 Temp. (°C) –25 0 0 Temp.(°C) –2 –2 –4 –4 –6 –6
in „Welches Bauteil ist zu sehen?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irl2203n.pdf
––– RG= 1.8 tf Fall Time ––– 66 ––– VGS = 4.5V, See Fig. 10 L Internal Drain Inductance ––– 4.5 ––– Between lead, D D 6mm (0.25in.) nH G from package LS Internal Source Inductance ––– 7.5 ––– and center of die contact S Ciss Input Capacitance
in „Saito Pro Charger Batterieladegerät - Mikrocontroller ATmel ATTINY26L defekt?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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vers_13.pdf
Spannungsquelle V S stellt * D:\Circuit\DCF77_9.cir * GS S 0 value = {V(y)*V(x)} Vmod y 0 Pulse (1 0.25 20ms + 10n 10ns 20ms 50ms) VS x 0 AC 112V + Sin(0V 158V 77.5kHz) * RS r 0 2.4 * LS S r 200µH L0 5 a 1.4mH Ks LS L0 4E-11 C0 5 b 3.012nF RL a 0 {RL} RC b 0 1.1 * .Param RL = 5.7 *.Step Param RL 4 7 1
in „Strecke mainflingen Köln simulieren“ · HF, Funk und Felder ·
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top200yai.pdf
on C5 begins to of the transformer primary is driven by exceed the shunt regulator voltage, D2 L1 1N5822 (Bead) 5 V VR1 1N4764 C2 C3 330 F 150 F 25 V 25 V RTN D1 UF4005 D3 1N4148 DC INPUT CIRCUIT PERFORMANCE: Load Regulation - ±4% C5 (10% to 100%) 47 F T1 Line Regulation - ±1.5% 95 to 370 V DC DRAIN
in „Reparatur Ladegerät DBL430-14 Überspannung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ADXL350.pdf
,V =2.5V S S 40 60 –40°C TO +25°C +25°C TO +85°C ) ) ( ( 30 N N I I T 40 A L L U P O O P P 20 F F O O T N E 20 E C R E E 10 P P 0 0 7 7 8 8 9 9 0 0 1 1 2 2 3 3 4 4 5 3 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 4 4 4 4 4 4 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 - . . .
in „Beschleunigungssensor Unklarheiten“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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ADXL350.pdf
,V =2.5V S S 40 60 –40°C TO +25°C +25°C TO +85°C ) ) ( ( 30 N N I I T 40 A L L U P O O P P 20 F F O O T N E 20 E C R E E 10 P P 0 0 7 7 8 8 9 9 0 0 1 1 2 2 3 3 4 4 5 3 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 4 4 4 4 4 4 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 - . . .
in „Neigungswinkelinkelmessung beweglicher Teile“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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2n3958.pdf
2N3958 Vishay Siliconix Monolithic N-Channel JFET Dual PRODUCT SUMMARY V GS(off)(V) V (BR)GSS Min (V) gfsin (mS) IG Max (pA) jVGS1 – VGS2 j Max (mV) –1.0 to –4.5 –50 1 –50 25 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS
in „JFET prüfen mit transistortester“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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2n3958.pdf
2N3958 Vishay Siliconix Monolithic N-Channel JFET Dual PRODUCT SUMMARY V GS(off)(V) V (BR)GSS Min (V) gfsin (mS) IG Max (pA) jVGS1 – VGS2 j Max (mV) –1.0 to –4.5 –50 1 –50 25 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS
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ucc28c43.pdf
CURRENT vs vs TIMING RESISTANCE AND CAPACITANCE TEMPERATURE 10 M 9.5 CT = 220 pF A m t CT = 470 pF n 9.0 1 M r u e CT = 1 nF r 8.5 H h − c c 100 k i n r u t 8.0 e i F c − O f 10 k − H 7.5 S CT = 4.7 nF D CT = 2.2 nF I 1 k 7.0 1 k 10 k 100 k −50 −25 0 25 50 75 100 125 R − Timing Resistance − W TJ− Temperature
in „SNT will nicht anlaufen - falsches TI Datenblatt?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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TPS3824-33DBVR.pdf
for TPS3823A-33 Devices at 25°C (Unit Count = 20) TPS3823A-33 Devices at 125°C (Unit Count = 20) 8 8 7 7 6 6 5 5 t t n n o4 o 4 C C 3 3 2 2 1 1 0 0 0.9 1.1 1.3 1.5 1.7 1.9 2.1 2.3 2.5 0.9 1.1 1.3 1.5 1.7 1.9 2.1 2.3 2.5 Watchdog
in „Watchdog Timer der beim Ansprechen Ausgangssignal nicht toggelt“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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irf540n.pdf
Gate-to-SourceVoltage 1000 1000 OPERATION IN THIS AREA ) ) LIMITED BY RDS (on) ( ( n100 n100 r r u T = 175 C u C J C a c D 10 u 10 100µsec e S r t v J= 25 C n 1msec R r , 1 D 1 IS , TA= 25°C 10msec ID TJ= 175°C VGS = 0 V Single Pulse 0.1 0.1 0.2 0.6 1.0 1.4 1.8 VSD,Source-to-Drain Voltage
in „Mosfet vor negativer Spannung / Wechselspannung schützen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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70667.pdf
Document Number: 70667 2 S09-0767-Rev. E, 04-May-09 Si4920DY Vishay Siliconix TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted 40 40 VGS = 10 V thru 5 V 32 30 ) 4 V ) ( t n n e 24 r u C C n 20 a r D 16 D - - I I TC= 125 °C 10 8 3 V 25 °C - 55 °C 0 0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 0 1 2 3 4 5 V
in „Li-Ion-Anschlussbezeichnungen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ecp_ec.pdf
4 T PB23A 4 T R14 PB23B 4 C D4/SPID3 PB23B 4 C D4/SPID3 P12 PB24A 4 T PB24A 4 T P13 PB24B 4 C D5/SPID2 PB24B 4 C D5/SPID2 N11 PB25A 4 T PB25A 4 T - - - GND4 4 N12 PB25B 4 C D6/SPID1 PB25B 4 C D6/SPID1
in „Verwendung der Pins eines Lattice LFECP6 mit Config-Dual-Funktion als I/Os“ · FPGA, VHDL & Co. ·
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ecp_ec.pdf
4 T PB23A 4 T R14 PB23B 4 C D4/SPID3 PB23B 4 C D4/SPID3 P12 PB24A 4 T PB24A 4 T P13 PB24B 4 C D5/SPID2 PB24B 4 C D5/SPID2 N11 PB25A 4 T PB25A 4 T - - - GND4 4 N12 PB25B 4 C D6/SPID1 PB25B 4 C D6/SPID1
in „SPI-Slave im FPGA, Signal-Delay an MISO minimieren“ · FPGA, VHDL & Co. ·
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IRF3205.pdf
value limitJd to T = 175°C. 2 www.irf.com IRF3205 1000 1000 VGS TOP 15V ) TOP 10V ) 10V ( 7.0V ( 7.0V n 6.0V n 6.0V e 5.0V e 5.0V u BOTTOM4.5V u BOTTOM4.5V 100 C00 c c u u S S o o 4.5V n n a 10 a 10 D 4.5V D , , I I 20µs PULSE WIDTH 20µs PULSE WIDTH TJ= 25 C TJ= 175 C 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 V DS , Drain-to-Source
in „Hohe Ströme aus Akku Entladen ?!“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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irf3205.pdf
value limitJd to T = 175°C. 2 www.irf.com IRF3205 1000 1000 VGS TOP 15V ) TOP 10V ) 10V ( 7.0V ( 7.0V n 6.0V n 6.0V e 5.0V e 5.0V u BOTTOM4.5V u BOTTOM4.5V 100 C00 c c u u S S o o 4.5V n n a 10 a 10 D 4.5V D , , I I 20µs PULSE WIDTH 20µs PULSE WIDTH TJ= 25 C TJ= 175 C 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 V DS , Drain-to-Source
in „Erzeugt ein 9V-Printtrafo mehr als 750V?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MGA52543.pdf
losses at each frequency band. 3 MGA-52543 Typical Performance, continued All data are measured at T = 25cC, V = 5V, dnd in the following test system unless stated otherwise. 35 3.2 3.2 RLin 30 RLout 2.8 2.8 B (25 S ) ) S B2.4 B 2.4 L20 ( ( N F F R N2.0 N 2.0 T15 R 10 1.6 4.5V 1.6 5.0V -40°C 5.5V +25°C 5
in „Wie ist ein MMIC intern aufgebaut?“ · HF, Funk und Felder ·
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LTC6803-2_4.pdf
L N–1.5 V C = 1µF V–20 L L–20 C = 3.3µF L T C C C = 0µF T–3.0 –25 CELL 1, 13ms CELL MEASUREMENT –25 C = 0.1µF REPETITION C = 1µF V CELL= 3.3V C = 3.3µF –4.5 –30 –30 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.54.0 4.5 5.0
in „uC für Schaltregler“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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AN_Hybrid_Kit_for_HP2_module_V1.1.pdf
VEE2 9 1n/50V/X7R GND1 VEE2 4u7/25V/X7R 20 GND1 VEE2 10 4u7/25V/X7R GND 1ED020I12-FA GND VN 100n/50V/X7R GND Figure 13 Booster Application Note 17 V1.1, 2009-02 Driver board for HybridPack2™ Evaluation Driver
in „Linksammlung für Leistungselektronik“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Frequenzzaehler_Sprut211120A.pdf
4 13 12 11 10 9 8 5 IN1 SSCAL 2 0 4 GND 74AC14N SV5 S 150 nH GND 1 D K2 T 3 V OUT 3 B K2 74AC14N 74AC14N R24 74AC14N R25 IC6E _ 2 N L1 S 2 3 1k 1k 3 4 u 1 6 IN2 G n 4 5 GND 74AC14N i 1 U813BSSIP6 D D C12
in „Frequenzzähler Sprut 1GHz“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Voltcraft_PS_3635.pdf
RL2A RL3 NC C1 C2 C3 C4 NO R10 100 C3 10000uf/63V IC3 7812 C C +ve NO NC R11 4K7 C4 10000uf/63V T1 2N3773 V IN V OUT D8 4 R12 10K C5 T2 2N3773 IC2 1 A R202 D1 GND a RL1B K2B R R OUT PUT R13 1K5, 1 C6 1000uf/25V T3 2N3773 R11 R14 D3 R6 D5 R19 R22 D6 R24 0 C7 R21 D 0-36VDC R14 33K C7 100kpf T4 2N3773 D2 C8 R12 8 6 - 7 D7 V C404 R15 10K C8 47uf/25V T5 2N3773 C6 R15 3+ 5 + R25 T7 B D C403 0-35A RATED/40A-SURGE 2- 1 T6 R23 IC1B R O R16 100K C9 10uf/25V T6 C2236 R13 PR1 4 IC1A R17 D4 R2C10 PR2
in „Reparatur Labornetzteil Voltcraft PS 3635“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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TGL79XX_DATA_E.pdf
IO= 5 mA to 1.5 A TJ= 25°C 100 mV IO = 250 to 750 mA TJ= 25°C 50 d Quiescent Current T J 25°C 3 mA ∆Id Quiescent Current Change IO= 5 mA to 1 A 0.5 mA V I= -8 to -25 V 1.3 ∆VO /∆T Output Voltage Drift IO= 5 mA -0.4 mV/°C eN
in „Netzteil für Röhrenvorstufe“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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25040.pdf
be obtained from our web site: www.microchip.com. © 2006 Microchip Technology Inc. DS21204E-page 3 25AA040/25LC040/25C040 FIGURE 1-1: HOLD TIMING CS 17 17 16 16 SCK 18 19 High-impedance SO n + 2 n + 1 n n n - 1 Don’t Care 5 SI n + 2 n + 1 n n n - 1 HOLD FIGURE 1-2: SERIAL INPUT TIMING 4 CS 12 2 11 Mode
in „Eeprom Philip Pines Auslesen mit CH341“ · Fahrzeugelektronik ·
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Haier_LT26M1CA__LT26M1C_LCD_TV.pdf
12.5*15 C670 067G215L681 4N KY25VB680M-L 12.5*15 C677 067G215S471 4N EC 105℃ CAP 470UF M 25V C914 067T215B4713PV EC 470uF M 16V 10*13 L601 073T 253158 H CHOKE COIL 22uH+/-25% L602 073T 253158 H CHOKE COIL 22uH+/-25% CN106 088G
in „Philips LCD TV kein Bild aber Ton [46PFL7655K/02]“ · Haus & Smart Home ·
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es51966.pdf
420,000. 2 The ranges from 4.2nF to 4200nF have a maximum counts of 42000. The other ranges 6 06/04/25 ES51966 4 3/4 and 5 3/4 A/D (Peak &Cap) from 40uF to 40000uF could only be counted up to 40,000 regardless the oscillator frequency
in „Multimeter UT71A - defekte Kapazitätsmessung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MOSFET_Texas_Instruments.pdf
e 6 o R s1.6 a 5 r S 4 T1.4 n ) O 3 (1.2 ) G 1 ( 2 V D 0.8 R 1 0.6 0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 200 TC- Case Temperature (qC) D006 VGS- Gate-to-Source Voltage (V) D007 ID= 250 µA Figure
in „Übertragung eines Pspice-Makromodells(OpV) in LTSpice“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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LB_LT_M673_Pb_free.pdf
Lichtstärke Relative Forward Voltage 2) page 18 Relative Luminous Intensity 2) page 17 ΔV =FV - VF F(25 °C)= f(T j; IF= 10 mA (blue) IV V(25 °C) = f(T j;IF = 10 mA OHL02352 OHL13637 0.4 IV 1.4 V ΔV F IV(25˚C) 0.3 1.2 0.2 1.0 0.1 0.8 truegreen blue 0.0 0.6 -0.1 0.4 -0.2 0.2 -0.3 0 -60 -40 -20 0 20 40 60
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auirs2123.pdf
AUIRS2123S, AUIRS2124S s 800 s 800 ( ( e 700 e 700 i 600 i 600 l 500 T 500 a a f 400 F 400 O 300 O 300 n n 200 Max. u 200 Max. u T 100 T 100 0 Typ 0 Typ. -50 -25 0 25 50 75 100 125 10 12 14 16 18 20 o V Supply Voltage(V) Temperature () BIAS Figure 4A. Turn-Off Fall Time (VBS=17V) Figure 4B. Turn-Off Fall
in „High-Side Treiber Baustein“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irfb3077pbf.pdf
Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 1000 2.5 c ID = 75A ) a V = 10V Α i GS n e e R 2.0 u 100 n C T = 175°C O ) c J r e u u l S S a1.5 o t r - n N a 10 TJ= 25°C a ( D D , ) 1.0 ID n VDS = 25V ( ≤ 60μs PULSE WIDTH D R 1 0.5 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80
in „Suche nach Treiber für Power-Mosfet“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MOSFET.pdf
Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 1000 2.5 c D = 180A a V = 10V Α i GS n e e R 2.0 u 100 TJ= 175°C n C O ) c c e u u l o S a1.5 o T J 25°C o r - - N a 10 a ( r D , , 1.0 ID n V DS = 25V ( ≤ 60μs PULSE WIDTH S RD 1 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 0.5 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100
in „LeistungsMosfet Kühlfläche als Drain-Anschluss nutzen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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2N5088-89.pdf
D. © Semiconductor Components Industries, LLC, 2007 1 Publication Order Number: March, 2007 − Rev. 4 2N5088/D 2N5088, 2N5089 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (A = 25°C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Min Max Unit OFF CHARACTERISTICS Collector−Emitter Breakdown Voltage (Note 2) V(BR)CEO Vdc (
in „rauscharmer NPN min 200v gesucht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Farnell_1330644_LT1364.pdf
Range vs Input Bias Current vs and Temperature Supply Voltage Input Common Mode Voltage 10 V+ 1.0 TA= 25°C VS= 15V –0.5 VOS < 1mV TA = 25°C 8 )1.0 ) B+ + B– A 125°C ( A 0.8 IB= ————2 ( G1.5 T N 6 25°C A E R E2.0 R U O C 0.6 C –55°C M A P 4 O2.0 B U M1.5 U S O I 0.4 2 C1.0 0.5 0 V– 0.2 0 5 10 15 20 0 5 10
in „Schneller Peak-Detector (Spitzenwertspeicher)“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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samsung_bn44-00262a.pdf
CM861 CM862 DET-5V 3216 68J 1nF 1nF 1nF 27 LP801S 3216 50V 50V 50V CP801S 5 4 3 2 1 H2-FHD-PFC DP801 RP805 RGP15M RM815 1608 1608 1608 13Vm E-PWM 26 Min. 400V BD5 KDS184 10J RP810 DM801 68J 1 3216 LB803 3216 3216 DI835 25 2 Min. 6.1A
in „Reparatur TV-Netzteil“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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SSM5N15FU__DP_.pdf
V O N Ta = 100°C e ( e ( 3 r S r S o D 4 o D 25°C - R - R 2 i i r 4 V r D 2 D −25°C 1 0 0 0 40 80 120 160 200 0 2 4 6 8 10 Drain current ID (mA) Gate-Source voltage VGS (V) R – Ta V – Ta DS (ON) th 8 2 Common Source Common Source 7 ID = 10 mA 1.8 D = 0.1 mA ) VDS = 3 V ( 1.6 c 6 h t Vt 1.4 i ) e ( 5 e 1.2 r VGS = 2.5 V a o N o e ( 4 v 1 u S l o D 3 h 0.8 - R 4 V e a t 0.6 r 2 e D a 0.4 G 1 0.2 0 0 −25 0 25 50 75 100 125 150 −25 0 25 50 75 100 125 150 Ambient temperature Ta (°C) Ambient
in „(S)uche UPA572“ · Markt ·
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BK4802N_Datasheet_V1.1_EN.pdf
R B15~B00: Threshold for “0”/”1” ASK Data Decision Proprietary and Confidential Page 8 of 19 BK4802N 4 Pin Assignment L L T D P X L L D T C C T T Q O D B V V X X S V C V 32 31 30 29 28 27 26 25 VDDVCO 1 24 RSSI / ASKOUT VCCRF 2 23 TRX VDDRF 3 22 B0 ANT 4 BK4802N 21 C0 VCCPA 5 QFN4x4 20 C1 VCCIF 6 19
in „Tranceiver Chip RDA1846 Erfahrungen Selbstbau“ · HF, Funk und Felder ·
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BSS84_P-Kanal_FET.pdf
Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 2.0% BSS84 Rev B(W) B S S Typical Characteristics 8 4 1 2 V GS= -5V -4.5V -3.5V E N1.8 ) 0.8 A ( D S VGS-3.0V T Z SI E L E1.6 R 0.6 -3.0V A - U M N C O O1.4 I N C A 0.4 ,N R -3.5V D ( U1.2 D D S -4.0V -4.5V - -2.5V R N -5.0V 0.2 A R 1 D 0 0.8 0 1 2 3 4
in „FET-Schaltung für Relais-Steuerung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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LT1082.pdf
( 2.8 SW = 1A E TJ= 150°C E A1.50 1.8 A 2.7 L TJ= 100°C L V T = 25°C s V SW = 0A N1.25 J ( 1.6 U 2.6 T M P A1.00 T I U 1.4 U 2.5 A0.75 I H TJ= –50°C I T0.50 1.2 M 2.4 W S0.25 1.0 2.3 –75 –50 –25 0 25 50 75 100 125 150 –75 –50 –25 0 25 50 75 100 125 150 00 0.25 0.50
in „Boost Converter 2MHz 50V“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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CET_CEU3252.PDF
CED3252/CEU3252 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 25A, R = 28mW @V = 10V. DS(ON) GS R = 39mW @V = 4.5V. DS(ON) GS Super high dense cell design for extremely low R. DS(ON) High power and
in „Was ist das für ein Bauteil "3252 914AG" ?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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csd18502kcs.pdf
to 150 °C TSTG Temperature Range Avalanche Energy, single pulse EAS 330 mJ ID= 81A, L = 0.1mH, G = 25Ω (1) Pulse duration ≤300μs, duty cycle ≤2% RDS(on)vs V GS GATE CHARGE ) 12 10 TC= 25°C Id = 100A ) D = 100A ( 10 TC= 125ºC Id = 100A ( VDS= 20V e g 8 n l t 8 o s e 6 e r e 6 o a - - - 4 n 4 t - G n -
in „Netzteil: 2 Mosfets parallel OK?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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HFBR-14XX_Optolink.pdf
+85˚C T I R T UNDERDRIVE R R -2 UNDERDRIVE TYPICAL 26˚C 40 R M -3 30 U M -3 30 U T UNDERDRIVE U S -4 TYPICAL +25 ˚C C S -4 TYPICAL +25 ˚C C M C N UNDERDRIVE R N UNDERDRIVE R N -3 30 R R -5 20 A R -5 20 A R W T B W T B W T O E (d -6 R E (d-6 O Z -4 R I -7 F I -7 F L E A R A E M CABLE ATTENUATION dB/km
in „Debuggen bei EMV-Tests“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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ina125.pdf
0.10 a B 4 u I 0.05 n 2 OS I 0 0 –75 –50 –25 0 25 50 75 100 125 –75 –50 –25 0 25 50 75 100 125 Temperature (°C) Temperature (°C) ® 6 INA125 TYPICAL PERFORMANCE CURVES (CONT) At T = +25°C and V = ±15V, unless otherwise
in „Kraftsensor PSD-S1 in Verbindung mit INA125“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·