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XCS20-3VQ100C.pdf
P33 167 SGCK2 (1) GND - - A4 P137 - GCK2 (2) I/O P7 P96 B4 P138 68 Not P30 P22 L3 P34 170 I/O P8 P97 C4 P139 71 Connect- I/O - - A3 P140 74 ed(1) I/O - - B3 P141 77 M1(2) I/O P9 P98 C3 P142 80 GND P31 P23 M1 P35 - MODE ,1) P32 P24 M2 P36 173 M0(2) 66 www.xilinx.com DS060 (v1.8) June 26, 2008 Product Specification
in „[V] Spartan FPGA“ · Markt ·
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IRLML6401.pdf
Voltage (V) -V DS , Drain-to-Source Voltage (V) DS Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 2.0 100.0 ID= -4.3A c a Α TJ= 25°C i ( s n R 1.5 r T J 150°C n u 10.0 O d C e e r r zl u o
in „3,3 V schalten mit möglichgst geringem Spannungsabfall“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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SpartanXL.pdf
i.e., an active IN T OUT Low enable), as shown in Table 11. X 1 Z IN 0 IN Z = (D • A) + (D B) + (D C) + (D N) ~100 kΩ A B C N D D D D A B C N BUFT BUFT BUFT BUFT A B C N "Weak Keeper" DS060_18_080400 Figure 18: 3-state Buffers Implement a Multiplexer DS060 (v1.7) June 27, 2002 www.xilinx.com 19 Product
in „Logic Analyzer bauen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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DSO203.pdf
programmable space for user application program Open Source Specification Display Full Color 3" TFT LCD 400 X 240 Input channel Analog: CH(A)\CH(B) Digital: CH(C)\CH(D) Max sample rate 72MS/s, 8bit Sample memory depth 4096 Points for each channel Vertical Scale 20mV-10V/div(xl probe) Vertical resolution 8
in „Welches aktuelle DSO ist gut ?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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ds17001.pdf
PC board with 5.0mm (0.03mm thick) land areas. DF005S – DF10S 2 of 5 November 2016 Document number: DS17001 Rev. 17 - 2 www.diodes.com © Diodes Incorporated DF005S – DF10S 1.0 ) 10 ( ) T ( N T R N R R U R C C R 1.0 D A R W A 0.5 O W F O S F U E E 0.1 A N R T V N A T V S I , I 0.01 0 40 60 80 100 120 140
in „Schutzwiderstand Dunstabzugshaube“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Bauteile_verkauf_1120.pdf
Controller DIP 1983 2 5,- Mikrocontroller: DS80C400 8051-Mikro+Ethernet 75MHz QFP100 1 20,- (Rarität) ADSP-BF533 Blackfin DSP 500MHz BGA 1 10,- MC9S12UF32PU (Motorola HCS12) QFP100 3 (Tape) 5,- MC9S12NE64VTU (Motorola HCS12) QFP100 5 (Tape) 5,-
in „[V] ICs, Mikrocontroller etc. aus Lagerräumung“ · Markt ·
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MCP41HVX1.pdf
V- = -5.0V, code = 00h, PxA = floating, PxB = V-. (Note 2) Nominal Resistance R AB/T — 50 — ppm/°C T A= -40°C to +85°C Tempco — 100 — ppm/°C T = -40°C to +125°C (see Appendix B.23) A Ratiometeric Tempco VWB /T — 15 — ppm/°C Code = Mid-scale (80h or 40h) (see Appendix B.22) Resistor Terminal InputVA
in „MCP41HVX READCMD falsch verstanden??“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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DS8816A-05.pdf
12V C i e f 82 a 10 E V 80 VIN= 19V o 5 c 78 d 76 I 0 VPSI= 1.2V, OUT = 1V VIN= 19V, VPVCC= 5V 74 -5 0.01 0.1 1 10 100 0 10 20 30 40 50 60 Load Current (A) Load Current (A) Current Limit Setting Current vs
in „Spule auf Synchronwandler wird innerhalb sekunden brennend heiß“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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AN-1126.pdf
rated MOSFET is much lower than the 200 V dc output voltage. T 454.6kHzQ CH1 MAX 57.6V 1 CH1 – DUTY 77.80% 2 CH1 10.0V M4.0ns A CH1 33.6V 3 T 30.80% 1 Figure22.SwitchNodeWaveformDuringFullLoadOperation,4nsperDivision 1 93 2 12V INPUT CH1 10.0V M400ns A CH1 33.6V 3 92 T 13.60% 1 91 Figure21.SwitchNodeWaveformDuringFullLoadOperation,400nsperDivision ) Figure 22 is the switch node waveform under the same condi- ( 90 C tions as those shown in Figure 21; however, it is the rising edge E 89 displayed with a faster oscilloscope time base
in „180VDC-Netzteil Ausgangsstrom zu gering“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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3454fa.pdf
25°C 1100 1100 2.2 )1000 )1000 ) V V ( 2.1 VINRISING ( 900 ( 900 L D D O 2.0 O 800 O 800 S S S VIH R 1.9 R 700 R 700 T 1.8 H VIH T 600 VIL O V FALLING E 600 V E V 1.7 IN B 500 IL B 500 U N N 1.6 E 400 E 400
in „Gibt es Buck-Converter, die einen regelbaren Konstantstrom liefern?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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PIC32MX3XX_Data_Sheet.pdf
C / A A M G A 6 U U L 1 S M M / P P A F M NA R P P 2 M E P 0/ U G P V A P C P L A M P DS61143E-page 6 Preliminary © 2008 Microchip Technology Inc. PIC32MX3XX/4XX Table of Contents High-Performance 80 MHz
in „PIC32 und Assembler“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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AN-4147_Design_Guidelines_for_RCD_Snubber_Flyback__FAI.pdf
MOSFET, and a junction capacitor of a secondary diode. d d id D i diode reverse recovery current t C j Vds V i+nVo n:1 L lk2 + resonance between V in Lm im iD Llk1and Coss Vo t (b) CCM operation Llk1 d + d d V ds D Coss id iD (a) Configuration with parasitic components resonance between t Lm and C oss
in „Flyback-Wandler Störungen auf Versorgung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Design_Guidelines_for_RCD_Snubber_of_Flyback_Converters-Fairchild_AN4147.pdf
MOSFET, and a junction capacitor of a secondary diode. d d id D i diode reverse recovery current t C j Vds V i+nVo n:1 L lk2 + resonance between V in Lm im iD Llk1and Coss Vo t (b) CCM operation Llk1 d + d d V ds D Coss id iD (a) Configuration with parasitic components resonance between t Lm and C oss
in „Schaltnetzteil Verständnisfrage“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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GSMParkHeatingControl.pdf
Umax=3.56V schwarz +12V Vbat K108 vio T101 R404 R405 R407 6 K109 braun D101 +4V F 1 F 2 n 3 +/ K110 C101 R105 5k6 1k8 500 1k8 T401 6 n 6 n 6 0 6 µ T100 SH_ON/OFF C 1 C 1 C 1 C 0 1K +12V D403 +4V_SW 1 BCW66 100nF IC400 IRLML6401 R106 a IC600 Lüften/Heizen i uD d o P6KE6V8CA C408 VL Vcc U600 680 + V G
in „Bitte um Überprüfung: GSM Steuerung mit GPS“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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GSMParkHeatingControl.pdf
Umax=3.56V schwarz +12V Vbat K108 vio T101 R404 R405 R407 6 K109 braun D101 +4V F 1 F 2 n 3 +/ K110 C101 R105 5k6 1k8 500 1k8 T401 6 n 6 n 6 0 6 µ T100 SH_ON/OFF C 1 C 1 C 1 C 0 1K +12V D403 +4V_SW 1 BCW66 100nF IC400 IRLML6401 R106 a IC600 Lüften/Heizen i uD d o P6KE6V8CA C408 VL Vcc U600 680 + V G
in „Bitte um Überprüfung: GSM Steuerung mit GPS“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Normen_bersicht.pdf
61076-4-101lautet: IEC61076-4-113lautet: DR=Leiterplattentiefe+20 DS=Leiterplattentiefe+12,78 (z.B.80+20=100). Anwendungsbeispiel CompactPCI DieFormelfürSteckverbindernach IEC61076-4-101lautet: DS=Leiterplattentiefe+12,14 Die maximale Dicke der Busplatine sollte 6 mm
in „Abmessungen von Platinen in 19-Zoll Gehäuse gesucht“ · Platinen ·
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Normenuebersicht.pdf
61076-4-101lautet: IEC61076-4-113lautet: DR=Leiterplattentiefe+20 DS=Leiterplattentiefe+12,78 (z.B.80+20=100). Anwendungsbeispiel CompactPCI DieFormelfürSteckverbindernach IEC61076-4-101lautet: DS=Leiterplattentiefe+12,14 Die maximale Dicke der Busplatine sollte 6 mm
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Carlo_Gavazzi__EM540DINAV23XS1X.pdf
association of the phases or the direction of the currents via software control. 07/07/2021 EM540 DS ENG Carlo Gavazzi Controls S.p.2. EM540 Structure A N 1 F 2 B 7 89011 2 F C A D E Fig. 1 Front Area Description A Voltage inputs/Current inputs B Display C LED D Browsing and configuration buttons
in „Wirkleistungsmessung 3-phasig, ca. 200 W“ · Haus & Smart Home ·
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datasheet_ao3400.pdf
Parameter Symbol Typ Max Units Maximum Junction-to-Ambient A t ≤ 10s A D RθJA 70 90 °C/W Maximum Junction-to-Ambient Steady-State 100 125 °C/W Steady-State Maximum Junction-to-Lead RθJL 63 80 °C/W Rev 8: Dec 2011 www.aosmd.com Page 1 of 5 AO3400 Electrical Characteristics (T =25°C unless
in „24v rgbww controller mosfets und ic's“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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1811081213_Alpha---Omega-Semicon-AO3400A_C20917.pdf
Parameter Symbol Typ Max Units Maximum Junction-to-Ambient A t ≤ 10s A D RθJA 70 90 °C/W Maximum Junction-to-Ambient Steady-State 100 125 °C/W Steady-State Maximum Junction-to-Lead RθJL 63 80 °C/W Rev 3: Dec 2011 www.aosmd.com Page 1 of 5 AO3400A Electrical Characteristics (T =25°C unless
in „Suche Bauteil XOXL-3E“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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AO3400A.pdf
Parameter Symbol Typ Max Units Maximum Junction-to-Ambient A t ≤ 10s A D RθJA 70 90 °C/W Maximum Junction-to-Ambient Steady-State 100 125 °C/W Steady-State Maximum Junction-to-Lead RθJL 63 80 °C/W Rev 3: Dec 2011 www.aosmd.com Page 1 of 5 AO3400A Electrical Characteristics (T =25°C unless
in „Umsetzung eines 5V Output mit ESP32 und AQY Halbleiterrelais“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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KS0074.pdf
and display shift enable bit. 39 s Mode S = "1" : make display shift of the Set enabled lines by the DS4 - DS1 bits in the Shift Enable instruction. S = "0":display shift disable Segment bi-direction function. 1 0 0 0 0 0 0 0 1 1 BID BID = "1" : Seg80 → Seg1, BID = "0" : Seg1 → Seg80. Set display/cursor
in „Informationen gesucht: 3,3V Display HB24208 für AVR32 / NGW100“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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16F648a_40044F.pdf
120 100 A ( D 80 I 60 -40°C 0°C 40 +25°C 20 0 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 V DD (Volts) © 2007 Microchip Technology Inc. DS40044F-page 149 PIC16F627A/628A/648A FIGURE 18-2: TYPICAL BASELINE I PD vs. VDD (85° C) 300
in „16f627A schaltet RA5 u RA6 nicht“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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DMN32D2LDF__KDV_ds31238.pdf
50 f = 1 MHz 40 Ciss F ( E C 30 A I C P 20 A , T C 10 Coss Crss 0 0 5 10 15 20 V DS DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V) Fig. 10 Typical Capacitance Ordering Information (Note 5) Part Number Case Packaging DMN32D2LDF-7 SOT-353 3000/Tape & Reel
in „(S)uche UPA572“ · Markt ·
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NDS356AP.pdf
DS g ForwardTransconductance V = -5 V, I = -1.1 A 2 S FS DS D DYNAMIC CHARACTERISTICS C InputCapacitance V = -10 V, V = 0 V, 280 pF iss DS GS f = 1.0 MHz C oss Output Capacitance 170 pF C rss ReverseTransferCapacitance
in „nds355/nds356“ · Markt ·
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MTP12P10_D-.pdf
10 ms N R R 30 R R C VGS = 20 V dc C I SINGLE PULSE I 20 R R , TC = 25°C , ID ID MTM/MTP12P06 1 R DS(on)IMIT MTM/MTP12P06 10 PACKAGE LIMIT THERMAL LIMIT MTM/MTP12P10 MTM/MTP12P10 0 1 10 100 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
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Bauteile.pdf
600V 45A TO-247 6 32 Mos-Fet IXKR40N60C 600V 38A NKanalMosFET 11 33 IGBT G4PH30K 300V 33A TO-247 Leistungstransistor 34 Mos-Fet IRFP054 60V 70A TO-247 Powermosfet 78 35 Brückengleichrichter FBI6M1M1 80V 5A 345 36 Relais AZ8-1CH-12DEA Zettlert 67 37 IGBT IRG4PH30K 600 10A NKanal 38 Mos-Fet IRF P360 400 23A NKanal 25 39 Mos-Fet 13NK60Z 600V 13A NKanal 14 40 Mos-Fet IRFPG50 1000V 6,1A NKanal 18 41 Mos-Fet STW12NK90Z 900V 11A 0,88Ω 5 42 PWMController TOP221YN 13 43 Mos-Fet 17N80C3 800V 17A NKanal 25
in „Elektronik Bauteile Neuwertig , meist Leistungselektronik“ · Markt ·
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sm6t100a.pdf
BR (2)(3) (4) (2)(3) (4) αT V CL IPP R D VCL PP RD Type 25 °C 85 °C Min. Typ. Max. Max. Max. Max. Max. Max. µA V V mA V A Ω V A Ω 10 /°C SM6T6V8A/CA 20 50 5.80 6.45 6.8 7.14 10 10.5 57 0.059 14.4 275 0.027 5.7 SM6T7V5A/CA 20 50 6.40 7.13 7.5 7.88 10 11.3 53 0.065
in „Suche Diode GP839“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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NTE2399.pdf
Note4 2.1 − − mhos Drain−to−Source Leakage Current I V = 1000V, V = 0V − − 100 A DSS DS GS VDS = 800V, GS= 0V, J = +125 C − − 500 A Gate−to−Source Forward Leakage GSS VGS = −20V − − −100 nA Gate−to−Source Reverse Leakage GSS VGS = 20V − − 100 nA Total Gate Charge Q g ID= 3.1A, DS = 400V, GS= 10V, − − 80 nC Gate−to−Source Charge Q Note 4 − − 10 nC gs Gate−to−Drain (“Miller”) Charge Qgd − − 42 nC Turn−On Delay Time td(on) VDD = 500V,DI = 3.1A,GR = 12 , − 12 − ns R D= 170 , Note 4 Rise Time r − 25 − ns
in „Kühlkörper eines NTE2399 berechnen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Doku_130816.pdf
Anzahl Bytes, (TWI-Adresse | 0x01), Adr_high, Adr_low, Anzahl Bytes 0xA5, 0xE1, 0x04, 0xA3, 0x00, 0x80, 0x10 (Sendet zuerst an den TWI-Slave 0xA2 die Adressbytes 0x00 und 0x80 und liest anschließend von der TWI-Adresse 0xA3 16 Byte aus.) TWI-Takt Der TWI-Takt ist nach einem Reset auf 102.400 KHz (TWBR
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ZLDO1117.pdf
with 10µF Tantalum Transient Load Regulation with 4.7µF MLCC Capacitor Capacitor ZLDO1117 2.5V C IN= 1µF, C OUT = 4.7µF MLCC I = 100mA LOAD 10 0 5V 4V 10µs/div Transient Line Regulation with 4.7µF MLCC Capacitor 90 85 )80 d n75 LOAD 100mA,IN OUT 3V c e70 R p65 R 60 55 50 10 100 1,000 10,000 100,000
in „Def. Mikrocontroller auf Geschirrspüler-Platine?“ · Haus & Smart Home ·
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main.c
/ Clock value: 125,000 kHz // Mode: Normal top=FFh // OC2 output: Disconnected ASSR=0x00; TCCR2=0x0c; TCNT2=0x00; OCR2= 124; // 1ms // External Interrupt(s) initialization // INT0: Off // INT1: On // INT1 Mode: Falling Edge // INT2: Off #ifdef INCR_GEBER GICR|=0x80; MCUCR=0x08; MCUCSR=0x00; GIFR=0x80
in „Heizungssteuerung mit ATMEGA 32“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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mitsubishi_CM800DZ-34H.pdf
PERFORMANCE CURVES OUTPUT CHARACTERISTICS TRANSFER CHARACTERISTICS (TYPICAL) TYPICAL ) 1600 1600 T= 25°C VGE= 15V V CE= 10V 1400 1400 VGE= 12V ) V GE= 20V ) ( 1200 (1200 T T N N R 1000 R1000 R VGE= 10V R U U C 800 C 800 O O T T E 600 E 600 L L O O C 400 C 400 VGE= 8V 200 200 Tj= 25°C Tj= 125°C 0 0 0 1 2
in „Kurzschlussfall an einem IGBT“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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DS75160__161__162_GPIB-Transceiver.pdf
or with DS75162A in a multi- E E 4 Connection Diagrams 8 8 Dual-In-Line Package Dual-In-Line Package G P B T a n c e v e r s TL/F/5804–15 Order Number DS75162AWM, DS75162AN See NS Package Number M24B or N24B Dual
in „PM2528 als Scannermultimeter mit GPIB“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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OV5620_CLCC_DS__1.3_.pdf
Information PCLK 40 9 PWDN NC 41 8 NC Product Package NC 42 7 NC 43 44 45 46 46 28 3 4 5 6 OV05620-C03A (Color) CLCC-48 N E C D D N D B D F F N S H S S S A O R R R R V D S V V 5620CLCC_DS_001 © 2007 OmniVision Technologies, Inc. VarioPixel, OmniVision, and the OmniVision logo are registered trademarks
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MT7811.pdf
1.5 uS TOFF_MAX Maximum OFF time 400 uS TON_MAX Maximum ON time 55 uS High-voltage Power MOSFET（DRAIN/SOURCE） Static drain-source VGS=10V/I DS.4A R DSON 16 Ω on-resistance Drain-source breakdown VGS=0V/I DS50uA BV DSS 500 V voltage MT7811
in „LED Stromquelle IC IKEA“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MT7811.pdf
1.5 uS TOFF_MAX Maximum OFF time 400 uS TON_MAX Maximum ON time 55 uS High-voltage Power MOSFET（DRAIN/SOURCE） Static drain-source VGS=10V/I DS.4A R DSON 16 Ω on-resistance Drain-source breakdown VGS=0V/I DS50uA BV DSS 500 V voltage MT7811
in „MT7771 led driver, wie strom einstellen?“ · Haus & Smart Home ·
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201612120034585136.pdf
voltage range V FLG -0.3~6.5 V EN pin voltage range VEN -0.3~6.5 V o Junction temperature T J -40~150 C Lead temperature(Soldering, 10s) T 260 C L Storage temperature Tstg -55 ~ 150 C HBM 8000 V IN, OUT Pin ESD Ratings MM 400 V HBM 4000 V FLG, EN Pin ESD Ratings MM 400 V These are stress ratings only.
in „Unbekannter SMD-Marking-Code CP5R und 4061 1616“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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93LC46.pdf
flash or protrusions shall not exceed .010” (0.254mm) per side. JEDEC Equivalent: MS-001 Drawing No. C04-018 DS21712B-page 12 2004 Microchip Technology Inc. 93LC46/56/66 8-Lead Plastic Small Outline (SN) – Narrow, 150 mil (SOIC) E E1 p D 2 B n 1 h α 45× c A2 A f β L A1 Units INCHES* MILLIMETERS Dimension
in „Probleme mit SPI EEPROM“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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40001722A.pdf
30 BANK 31 2 C00h C80h D00h D80h E00h E80h F00h F80h 1 2 Core Registers Core Registers Core Registers Core Registers Core Registers Core Registers Core Registers Core Registers - (Table 3-2) (Table 3-2) (Table 3-2)
in „PIC16(L)F1703 low voltage Programmierung?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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klassed_facharbeit.pdf
: UDS100V und I =DSA (bei 25°C; 20A bei 100°C) maximal. Benötigt wird U DS =70V, der Mosfet ist also um 23% überdimensioniert. Als Strom werden für 400 W bei 4 Ω 10A RMS verlangt (d.h. 14.1 A Spitzenstrom bei Sinus). Der Strom teilt
in „Suche Schaltplan für PWM Endstufe“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Typen.pdf
74HC193 50 SN74193N 200 SN74LS193 20 74FCT138AP 25 74LS191 15 MC14522CP 110 CA3086 60 MC14558CP 70 80C88A 8 MC14027BCP 17 MC14543BCP 20 SAE81C80A 23 MC14029 18 OPA621KP 10 CP82C88 13 8511K7 25 CD4724BE 100 HEF40097 90 P8224 19 MC3303 50 CD40193BE 40 DG303ACJ 130 MC14025BCP 170 MC14000CP 40 HEF40098 100 CLC400AJP 34 LF444CN 24 SN74S37N 50 COM81C17 20 MC14490VP 30 CA3054 70 MC10211P 40 D71082 11 PB824AD 9 SN74198N 3 C82C84 16 CD4099 20 28C86 80 DG444DJ 60 a-1-2405-5 23 SL2364C 55 SN7411BN 45 74HC20 60 74HCT151
in „Riesensammlung IC Prozessoren Halbleiter - Was tun?“ · Markt ·
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Typen_sort.pdf
19 CD4099 20 CD4724BE 100 CD74AC153E 75 CD74ACT00E 25 CD74HCT02E 35 CD74HCT174E 50 CD74HCT74E 25 CLC400AJP 34 COM81C17 20 CP82C88 13 CP82C93 30 CQX19 60 CQX31 30 CQY31 50 CQY35NF 120 CY7C187 20 CY7C281 30 D71082 11 D71087C 100 D8288 10 D8293 9 DG303ACJ 130 DG411DJ 11 DG412 40 DG412DJ 20 DG444DJ 60 DS8831N
in „Riesensammlung IC Prozessoren Halbleiter - Was tun?“ · Markt ·
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8810-TuofengSemiconductor_002.pdf
Ltd TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS 8810 2000 5 V DS0V =7A 4 ID 1600 F C iss ( s3 e1200 l n V i S c 800 V2 p a C C rss 1 400 Coss 0 0 0 5 10 15 20 0 5 10 15 20 Qg (nC) V DSVolts) Figure 7: Gate-Charge Characteristics Figure 8: Capacitance Characteristics 100.0 T J(Max)0°C 40 T A25°C TJ(Max)50°C TA=25°C RDS(ON) 10µs 30 10.0 limited 100µs s ) p 1ms ( m e20 ( 0.1s 10ms w I P 1.0 1s 10 10s DC 0.1 0 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 0.1 1 10 100 V DS(Volts) Pulse Width (s) Figure
in „LiPo Tiefentladeschutz 1S/Einzel-Zellen "Mini/Nano"“ · Platinen ·
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GSMParkHeatingControl.pdf
R406 Umin = 1.48V, Umax=3.56V K108 schwarz +12V R404 R405 R407 Vbat V K109 vio T101 1 K110 braun D101 C101 +4V 0 n 0 n 0 n 0 +F R105 5k6 1k8 500 1k8 T401 C 0 6 0 6 0 C µ T100 SH_ON/OFF +12V D403 1 C 1 C 1 1 100nF 1K IC400 +4V_SW BCW66 R106 k IRLML6401 IC600 Lüften/Heizen b P6KE6V8CA C408 680 i uN d / D402
in „Bitte um Überprüfung: GSM Steuerung mit GPS“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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DS90LV047A.pdf
Standard S The EN and EN* inputs are ANDed together and control thetrial operating temperature range (−40˚C toD+85˚C) TRI-STATE outputs. The enables are common to all fourailable in surface mount (SOIC) and low profili drivers. The DS90LV047A and companion line receiverTSSOP package f (DS90LV048A) provide
in „TFT Display 8bit 16bit 8080 Interface über LVDS“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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DS90LV047A.pdf
Standard S The EN and EN* inputs are ANDed together and control thetrial operating temperature range (−40˚C toD+85˚C) TRI-STATE outputs. The enables are common to all fourailable in surface mount (SOIC) and low profili drivers. The DS90LV047A and companion line receiverTSSOP package f (DS90LV048A) provide
in „Analogsignal über Twisted-Wire übertragen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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P-FET.pdf
0.23 Ω V GS=-4.5V, D =-0.8A Forward Transconductance (3) g 1.1 S V =-10V,I =-0.8A fs DS D DYNAMIC (3) Input Capacitance C iss 330 pF V DS=-25 V, GS =0V, Output Capacitance C oss 120 pF f=1MHz Reverse Transfer Capacitance C 45 pF rss SWITCHING (2) (3) Turn-On Delay Time td(on) 2.8 ns Rise
in „Review: Spannungsversorgung 3V->5V + Ein/Ausschalter“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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New_500V_Linear_MOSFET_for_a_120kw_active_Load.pdf
a minimum level. 1 The SOA test fixture uses a water-cooled heat sink to keep the case close to 25C. A test value of drain voltage is selected, typically 50 to 80 percent of the rated drain voltage. The drain current is sensed by a sense-resistor in series with the source. An op amp, with its non inverting
in „Stromsenke / el. Last“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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New_500V_Linear_MOSFET_for_a_120kw_active_Load.pdf
a minimum level. 1 The SOA test fixture uses a water-cooled heat sink to keep the case close to 25C. A test value of drain voltage is selected, typically 50 to 80 percent of the rated drain voltage. The drain current is sensed by a sense-resistor in series with the source. An op amp, with its non inverting
in „Kühlkörper bei etwa 200 Watt max Verlustleistung?“ · Mechanik, Gehäuse, Werkzeug ·