Kurzschlussfall an einem IGBT

Rammsteiner Gast #3250101
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Hallo,

Meine Frage bezieht sich auf den folgenden Artikel im Bereich der 
Spannungsfestigkeit:

http://www.mikrocontroller.net/articles/IGBT

Dort wird geschrieben, dass die Schaltgeschwindigkeit an einem IGBT im 
falle eines Kurzschlusses folgendes beträgt:

Schaltgeschwindigkeit im Kurzschlußfall: dI/dt = 100A/µs

Wie sind die darauf gekommen? Handelt es sich hierbei darum, das an dem 
IGBT keine Induktive Last ist, also Kollektor und Emitter 
kurzgeschlossen sind?

Ich würde mich über antworten sehr freuen.

Danke euch!
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oszi40 Gast #3250580
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Evtl. liefern Deine Kurven im Datenblatt einen groben Anhaltspunkt? 
Berechnen ist wohl nicht ganz einfach, solage jeder Anschluß etwas 
Induktivität darstellt bei diesen Strömen. Zwischen Berechnung und 
Aufbau können Welten liegen.

Je nach Flankensteilheit ist alles nur ein Kompromiss zwischen EMV und 
Halbleiterfriedhof.
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Rammsteiner Gast #3250735
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mir geht es darum, das ich eine Bachelorarbeit über ein gewisses Thema 
schreibe, in dem ein Bauteil vorkommt, auf dem diese IGBTs verbaut sind. 
Der Prof wollte einige grundliegende Berechnungen zum Thema der 
Bauteildimensionierung sehen. Aber ich glaube ich schreibe dann in die 
Thesis, das ich für den Anstieg an einer Induktivität für di/dt den 
folgenden wert 100A A/us annehme, da es sich um einen Kurzschluss an 
einem induktivbehafteten zweig handelt und nur verdeutlichen soll, 
welche Spannungsspitzen sich beim Schalten an einer Induktivität ergeben 
die durch Freilaufdioden kompensiert werden müssen.

denkt ihr, das man das so machen kann?
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