Kurzschlussfall an einem IGBT

Rammsteiner Gast 22.07.2013 08:46 #3250101

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Hallo,

Meine Frage bezieht sich auf den folgenden Artikel im Bereich der 
Spannungsfestigkeit:

http://www.mikrocontroller.net/articles/IGBT

Dort wird geschrieben, dass die Schaltgeschwindigkeit an einem IGBT im 
falle eines Kurzschlusses folgendes beträgt:

Schaltgeschwindigkeit im Kurzschlußfall: dI/dt = 100A/µs

Wie sind die darauf gekommen? Handelt es sich hierbei darum, das an dem 
IGBT keine Induktive Last ist, also Kollektor und Emitter 
kurzgeschlossen sind?

Ich würde mich über antworten sehr freuen.

Danke euch!

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oszi40 Gast 22.07.2013 10:26 #3250236

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Was sagt das zugehörige Datenblatt?

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Rammsteiner Gast 22.07.2013 10:46 #3250288

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Das Datenblatt ist ja im eigentlichen Artikel vorhanden. Ich weis nicht 
welches Datenblatt sie dafür herangezogen haben. Das IGBT, für welches 
ich die Spannungsspitze berechnen möchte ist folgendes: Siehe Anhang

Angehängte Dateien:

mitsubishi_CM800DZ-34H.pdf (68,2 KB)

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Johannes E. (cpt_nemo) 22.07.2013 11:58 #3250383

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Rammsteiner schrieb:
> Wie sind die darauf gekommen?

Ich denke, das ist einfach nur ein Beispiel, wie man die Spannungsspitze 
in so einem Fall abschätzen kann. Die 100 A/µs sind willkürlich gewählt.

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oszi40 Gast 22.07.2013 14:43 #3250580

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Evtl. liefern Deine Kurven im Datenblatt einen groben Anhaltspunkt? 
Berechnen ist wohl nicht ganz einfach, solage jeder Anschluß etwas 
Induktivität darstellt bei diesen Strömen. Zwischen Berechnung und 
Aufbau können Welten liegen.

Je nach Flankensteilheit ist alles nur ein Kompromiss zwischen EMV und 
Halbleiterfriedhof.

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Rammsteiner Gast 22.07.2013 16:34 #3250735

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mir geht es darum, das ich eine Bachelorarbeit über ein gewisses Thema 
schreibe, in dem ein Bauteil vorkommt, auf dem diese IGBTs verbaut sind. 
Der Prof wollte einige grundliegende Berechnungen zum Thema der 
Bauteildimensionierung sehen. Aber ich glaube ich schreibe dann in die 
Thesis, das ich für den Anstieg an einer Induktivität für di/dt den 
folgenden wert 100A A/us annehme, da es sich um einen Kurzschluss an 
einem induktivbehafteten zweig handelt und nur verdeutlichen soll, 
welche Spannungsspitzen sich beim Schalten an einer Induktivität ergeben 
die durch Freilaufdioden kompensiert werden müssen.

denkt ihr, das man das so machen kann?

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IGBT Gast 22.07.2013 16:37 #3250740

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Nein, im Kurzschlussfall interessiert die Lastinduktivität nur minim. 
Dort ist lediglich die Induktivität der DC-Anbindung relevant und die 
ist im Idealfall sehr klein...

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