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Handgezeichneter Schaltplan mit MOSFET und Diode
G 10K D N S
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Schaltplan mit MOSFET und Bipolar-Transistor
Rg D2 M1 R2 Q2
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Schaltplan einer LED-Ansteuerung mit MOSFET
VCC LED 3K3 10K
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Schaltplan einer LED-Ansteuerung mit MOSFET
V2 3.3 V, R2 9 Ω, D1 TSAL6200, M1 PSMN022-30PL, R1 260 Ω, R3 100 kΩ, ATmega328_out_port 2.6 V
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Elektronischer Schaltplan mit MOSFETs und Operationsverstärker
VCC, R2, 0 ohm, PWM, Q2, BSSB4, R4, 1k, Mod1, R1, 0 ohm, Q1, 2N70D2, D1, BAV99, GND, TP3, TestPoint, +BATT, D3, LED1, R6, 1k, U14, LM2904, Q4, RSD05DN06TL, 2, 1, R8, 1 ohm, TP6, TestPoint, R9, 1 ohm, R12, 1 ohm, TP7, TestPoint, GND
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Schaltplan eines Schaltreglers mit Induktivitäten und MOSFETs
1mH 1mH 1mH 1k 40kHz
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Schaltplan einer MOSFET-H-Brücke
+5V, R4, 4,7K, D, Q2, PMOS, S, D1, PWM, G, Q3, NMOS, S, G, R5, 4,7K, GND
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Diagramm der typischen Ausgangskennlinien eines MOSFETs
Fig 1. Typical Output Characteristics 1000 100 10 1 0.1 ID, Drain-to-Source Current(A) TJ = 175°C TJ = 25°C VDS = 25V ≤ 60µs PULSE WIDTH 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
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Leiterplatte mit Lötstellen und neue MOSFETs
Neue Mosfets vor dem Einbau
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Schaltplan und Simulationsergebnisse einer MOSFET-Schaltung
PhotoMOS_00.asc PhotoMOS_00.raw PULSE(0 14u 500u 10u 10u 2m 4) R3 1 J1 SST201 R2 12 M1 SP8K31 V1 12 gate C1 500p R1 100k .tran 3m I(R3) 60uA 0uA -60uA -120uA -180uA -240uA -300uA -360uA -420uA -480uA -540uA -600uA V(gate) I(R2) 8.8V 1.1A 8.0V 1.0A 7.2V 0.9A 6.4V 0.8A 5.6V 0.7A 4.8V 0.6A 4.0V 0.5A 3.2V 0.4A 2.4V 0.3A 1.6V 0.2A 0.8V 0.1A 0.0V -0.1A 0.0ms 0.3ms 0.6ms 0.9ms 1.2ms 1.5ms 1.8ms 2.1ms 2.4ms 2.7ms 3.0ms
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Schaltplan einer optokopplergesteuerten MOSFET-Schaltung
230VAC/FH1 J3-SCHRAUBANSCHLUSS Lampe L N ACHTUNG: Geschalteter N Phase liegt immer an U8 4N35M +12VDC_ISO 1 2 3 NC 6 5 4 4N35 sollte mit LS0 Vorwiderstand auch an 5V betrieben werden können Q4 IRF840PBF Q3 IRF840PBF R12 10k GND 0VAC 0VDC_ISO
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Schaltplan einer CMOS-Schaltung mit MOSFETs
hvp, C7, c=[Cmos], r=100k, Q1, NMOS, D5, C5, r=100k, D4, Q3, NMOS, C6, r=100k, POS_DRAIN, Q5, NMOS, D2, D, GND, D1, Q2, PMOS, NEG_DRAIN, D3, C2, r=100k, Q4, PMOS, C3, r=100k, D6, C4, c=[Cmos], r=100k, Q6, PMOS, hvn
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Schaltplan einer Leistungsschaltung mit MOSFET und Snubber
12V Schaltregler, VCC +24 VDC, D50 D2M10-M3/H_NE, J3 7796, R1 30HM, D21 SR12100-D10, 500mm, 1,5mm2, J1, 7796, R60W61005000K, C5, GND, J2 7796, D17 SMCJ60A, RC snubber, Q2 FDP150N10A-F102, R8 200V, TS4148_NE, D11, IC3 UCC27517DBVR, R4 16Ω, OUT, IN+, GND, VDD, IN-, CMD_1, C7 1uF, C9 100nF, C4 100uF
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Schaltplan einer Schaltung mit Operationsverstärker und MOSFET
IN+ IN- OUT+ OUT- IC1A IC1B TS912 R1 10k R2 1k R3 1k R4 R5 400R C1 100p C2 D1 3V Z-Diode LED1 R6 1M IRFU8721 T1
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Schaltplan einer H-Brücke mit MOSFETs
vp vn V2 100 V3 -100 V1 0 Q2 vn vp Q1 Q3 Q5 Q6 R1 100k R2 10k Q4 Q7 Q8 I1 I2 vn
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Bauteile auf einer Leiterplatte mit Elektrolytkondensator und MOSFET
11N60S5 11N60S5 220 220 220 20130419P203183
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Leistungs-MOSFET auf Kühlkörper mit Verkabelung
IRFP360 IZR 928P -08
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Handgezeichneter Schaltplan und MOSFET-Bauteil
+40V DC (PV) R rein ohmsch 50 Ω +15V G 1 kΩ 1 MΩ E DG30X07T2 dosemi TEPDGAF02
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Schaltplan mit Mikrocontroller, MOSFET und LED
+5V R10 560 R11 22k D1 LED RED 2 Q4 FDD8880 1 R8 1k R9 10k PIC16F1508 GND
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Schaltplan und Oszilloskop-Messkurven eines MOSFETs
MOSFET_langsam.raw R1 S drain esw V2 1N4148 1Meg M1 IXTH8N30P B1 250 V(gate) 14V 12V 10V 8V 6V 4V 2V 0V V(drain) 440V 400V 360V 320V 280V 240V 200V 160V 120V 80V 40V 0V V(esw) V(M1) 66A 64A 62A 60A 58A 56A
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Schaltplan einer Heizungssteuerung mit MOSFET und Operationsverstärkern
VIN (5V) Heater+ R16 1K C12 0.1uF J11 Heater (5V, max. 1.6A) 1 2 D11 LED Heater- Q11 IRF7413 G D S U11A TS912 3 + 1 2 - R15 120k UNDERTEMP R14 10k R13 10k R12 10k NTC 3435K U11C TS912 8 4 V- C11 0.1uF R11 18k GND GND GND U11B TS912 5 + 6 - 7 GND
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Schaltplan einer Heizungssteuerung mit NTC und MOSFET
VIN (5V) R11 18k C11 0.1uF U11C TS912 R13 10k R15 120k U11A TS912 3 2 1 R12 10k NTC 3435K R14 10k GND UNDERTEMP Q11 IRF7413 D R16 1K D11 LED C12 0.1uF Heater+ J11 Heater (5V, max. 0.6A) Heater- U11B TS912 5 6 7 GND
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Handgezeichneter Schaltplan und MOSFET-Bauteil
+40V DC (PV) R rein ohmsch 50 Ω +15V G 1 kΩ 1 MΩ E DG30X07T2 dosemi TEPDGAF02
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Datenblatt eines p-Kanal MOSFETs
M104 enhancement-type p-channel MOSFET designed for... Analog Switches Digital Switching BENEFITS High Off-Isolation ID(off) < 100 pA IS(off) < 100 pA Very High Impedance Cgs < 100 pA IGSS < 100 pA Rugged Zener Protected Input ABSOLUTE
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Schaltplan eines MOSFETs mit Zener-Dioden
D(2, TAB) G(1) S(3)
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Schaltplan mit MOSFET, Widerständen und Messwerten
I(37.0 mA) I(SS): 0 A I(eff): 0 A I(do): 37.0 mA I(freq): -- Q1 IRLML2244TRPBF V: 3.86 V V(SS): 0 V V(eff): 0 V V(do): 3.86 V V(freq): -- A TK1 A TK2 TK3 S1 I: 13.4 nA I(SS): 0 A I(eff): 0 A I(do): 13.4 nA I(freq): -- Taste i chen 10 kOhm [4108R-1-103] R1A Netzteil 5V R2A 100 Ohm [4108R-1-101] LIPO 4.2V
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Schaltplan einer Leistungsschaltung mit Optokopplern und MOSFETs
U1 LTV-817 2 3 4 1 U2 5V V_in GND GND OV C2 1uF C3 B0515S 0,1uF 6 7 5 U3 TLP250 2 3 8 R2 330 R3 330 U4 D1 Mini 3V3 5V 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 A0 D0 SCL/D1 SDA/D2 D1 D3 D4 SCK/D5 MISD/D6 MOSI/D7 CS/D8 GND TX RX 240V AC L 1 2 PE N 3 J1 1N4005 D1 R1 100k Q1 STP12NM50 L 3 2 C4 1mF 400V N Q2 650V 23mOhm 2 3 U5 TLP250 3 2 5 7 6 8 C5 1mF 400V U6 GND 5V V_in +Vo GND OV B0515S 0,1uF C6 1uF C7
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Schaltplan einer MOSFET-Schaltung mit Zenerdiode
+12V_EXT WJ500V-5.08-2P-14-00A Q1 IRF9530NPBF +12V D1 BZT52C15_C35356 R2 100k GND
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Schaltplan einer Motorsteuerung mit MOSFET und Operationsverstärker
V2 16 EC301 22µ, 35V D301 M S34 D304 Q301 D R303 .39 R301 10k u_drv R302 100k R304 1k C301 R308 1k U301 + R306 24k7 C302 R305 1k R307 1k i_mot C2
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Handgezeichneter Schaltplan mit MOSFET und Diode
Vss, DO, 1kΩ, 70kΩ, AO3400, Out Pin, GND, 1N400x
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Tabelle der elektrischen Kennwerte eines MOSFETs
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AO3400A Electrical Characteristics (TJ=25°C unless otherwise noted) STATIC PARAMETERS Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Units BV_DSS Drain-Source Breakdown Voltage ID=250µA, VGS=0V 30 1 V IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS=30V, VGS=0V TJ=55°C 5 µA IGSS Gate-Body leakage current VDS=0V, VGS=±12V 100 nA VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS=VGS ID=250µA 0.65 1.05 1.45 V ID(ON) On state drain current VGS=4.5V, VDS=5V 30 A RDS(ON) Static Drain-Source On-Resistance VGS=10V, ID=5.7A 18 26.5 mΩ VGS=4.5V, ID=5A TJ=125°C 28 38 mΩ VGS=2.5V, ID=3A 19 32 mΩ
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Schaltplan einer optischen Kopplung mit MOSFET
Eingang AC1 AC2 B1 Q1 DN 2540 R2 OK1 1 4 V+ 2 3 R4 GND Ausgang
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Handgezeichneter Schaltplan mit MOSFET und LEDs
Vcc R1 IRLML2502 Platine
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Schaltplan einer Transistor- und MOSFET-Schaltung
V1 5 R2 1M R3 10k Q3 NPN Q1 PNP B E B R1 1M D Q2 NMOS G V_ADC V2 30 V3 VPULSE y1=0 y2=10 td=2u tr=2u tf=2u tw=500m per=1000m R5 10k
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Schaltplan mit Optokoppler und MOSFET-Treiber
3k 10k IRF9Z34N 12 Last/Gerät
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Schaltplan mit MOSFETs und Bipolar-Transistor
12V, RbPi, 2K2, IRF4905, BC547, 1k, 47K, Device, 1N5819, IRLZ44N, RbPi Input, 100K, 47K, GND, RbPi Output
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Schaltplan mit MOSFETs und Bipolar-Transistor
12V RbPi 3,3V 2K2 IRF4905 Device IRLZ44N RbPi Output 1k BC547 47K 100K RbPi Input 47K GND
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Schaltplan mit MOSFETs und Bipolar-Transistor
12V RbPi 3,3V 2K2 IRF4905 1N5819 Device 1k BC547 510 Ohm IRLZ44N RbPi Input 1 kOhm 47K 47K GND
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Handgezeichneter Schaltplan mit MOSFET und Spule
+24V X D G n-Kanal S
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Handgezeichneter Schaltplan mit MOSFET und Spule
+24V,X,D,G,n-kanal,S
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Schaltplan einer H-Brücke mit MOSFETs
Q12A 2N7002DW MotCh1 2 6 1 22k RN1A Mot1 22k RN3A BackEMF1 RN6D 22k RN6C 22k VBUS RN6B 22k RN6A Q12B 2N7002DW MotCh2 5 3 4 22k RN1B Mot2 22k RN3B BackEMF2 Q15 DMHC3025LSD 8 2 1 4 5 6 MotCh1N VCC 3k3 RN5B MotCh2N VCC 3k3 RN5C
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Schaltplan mit MOSFETs, Dioden und Pulsquellen
V3 PULSE(0 10 1 10u 10u 230u 500u 1600) R1 27k D3 1N914 C1 1u V2 PULSE(0 -5 1 1u 1u 0.8 1 2) R2 680R D8 1N914 D2 1N914 C4 10u V1 PULSE(0 5 1m 1u 1u 0.8 1 2) R3 680R D6 1N914 M1 2N7002 M2 BSS84 D7 1N914 D5 1N914 R5 470R C2 1u QTLP690C GRUEN ROT GELB .tran 3.6 startup
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IRL408215 MOSFET Bauteil
IRL408215 IOR J328P B9P0
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Schaltplan mit MOSFET, Kondensator und Voltmeter
10uF 1k V 3.3 V +3.3V
