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Bin zu doof Datenblätter zu finden.
entsteht. Zumindest mal Pin 9 und 10 scheinen identisch zusammengelegt. Ist der SO8 evtl. ein MOSFET? Mehr Bildausschnitt wäre hilfreich.
nämlich keine Auskunft bekommen. Harald A. schrieb im Beitrag #7877408: > Ist der SO8 evtl. ein MOSFET? Mehr Bildausschnitt wäre hilfreich. Nene, das ist schon ein Buck Converter... Aber dann wird das wohl entweder eine One-Off Geschichte sein oder aus Gründen nicht mehr im Netz herumgeistern.
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Bringen Aufdrucke zw. Pins eine höhere Spannungsfestigkeit?
Striche zu sehen, sowie zwischen den Pins des Elkos links daneben. Darüber hat der mittlere Pin eines MOSFET einen kreis spendiert bekommen. Der Rest ist mWn eher *üblich* markiert.
> sowie zwischen > den Pins des Elkos links daneben. > Darüber hat der mittlere Pin eines > MOSFET einen kreis spendiert bekommen. Der Rest ist mWn eher üblich > markiert. Vermutlich nur künstlerische Freiheit. Eine echte Verbesserung wage ich zu bezweifeln.
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Suche Bauteil (SMD Transistor?) im Growatt MIC Wechselrichter
zu entladen (oder was auch gerne gemacht wird, auf eine negative Spannung zu legen). Treiber mit MOSFET-Endstufen (wie dieser TLP352) verhalten sich dabei wie (niederohmige) Widerstände, wenn man das noch weg-optimieren möchte, hilft man mit einem bipolaren Treiber nach.
Ben B. schrieb im Beitrag #7877179: > Treiber mit MOSFET-Endstufen (wie > dieser TLP352) verhalten sich dabei wie (niederohmige) Widerstände, wenn > man das noch weg-optimieren möchte, hilft man mit einem bipolaren > Treiber nach. Allerdings reichen
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4AK17 Silicon N-Channel Power MOS FET Array
jemand einen Tipp für mich, wo ich dieses Arry als Ersatz > kurzfristig bekomme? Durch diskrete MOSFETs in TO-251 ersetzen?
Sternmotor? :D Die Stecker sehen aus, wie bei Militätechnik und rechts, unter dem Kabelbaum scheinen die MOSFET-Arys verbaut zu sein.
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Halbbrücke schaltet nur mit minimaler überlappung und nicht im Dutycycle
schalten soll. Das Funktioniert soweit so gut auch, doch leider hab ich ein Problem. Wenn ich die Mosfets mit einem kleineren Dutycycle ansteuere also zum beispiel oben 30% und unten 30% habe ich das Problem, dass die Mosfets nur einschalten bzw. Ausschalten wenn der jeweilig andere Mosfet seinen Status
schrieb im Beitrag #7877014: > Genau 1 und 4 ist die Gatespannung 1+2 gehören zu einem Mosfet > und 3+4 gehören zum anderen. Wie gehören dazu? Grün ist die Spannung D-S von Mosfet Gelb? Und Blau die D_S Spannung von Mosfet Rosa? > > Deadtime ist Softwareseitig vom µC eingebaut und
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Schaltplan einer MOSFET-Treiberbeschaltung
boot, R boot, 6.2, 1, FUS1ME, C Boot_1, C Boot_2, dafür da um die Schaltspannung für den High-Side Mosfet bereitzustellen., 400+, OutputA, 16, VDDA, 15, 10 nF, 14, VSSA, C Boot_2, C Boot_1, 15+, 10 uF, C3, 220nF, C4, 100nF, OutputB, 11, VDDB, 10, OUTB, 9, VSSB, 2, R off A, 1R, FUS1ME, D off A, 6.2, R on
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Schaltplan einer MOSFET-Treiberbeschaltung
boot, R boot, 6.2, 1, FUS1ME, C Boot_1, C Boot_2, dafür da um die Schaltspannung für den High-Side Mosfet bereitzustellen., 400+, OutputA, 16, VDDA, 15, 10 nF, 14, VSSA, C Boot_2, C Boot_1, 15+, 10 uF, C3, 220nF, C4, 100nF, OutputB, 11, VDDB, 10, OUTB, 9, VSSB, 2, R off A, 1R, FUS1ME, D off A, 6.2, R on
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Lithium-Akku lässt sich nicht mehr laden
vielleicht gibt es dort sowas wie eine Sicherung. Ansonsten wird das viel nachmessen, bspw. ob die MOSFETs gesperrt sind, ob der Controller Strom bekommt und arbeitet (falls irgendwie messbar).
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Linearregler sterben
Problem nicht lösen, sollten sie rein. Vor allem weil der TO einen LDO einsetzt. Der hat einen MOSFET und keinen NPN-Bipolartransistor...
als Regelelement ergibt so eine Diode erst recht keinen Sinn. Denn der MOSFET hat ja bereits eine Diode an *genau* der Stelle (die intrinsische /Bodydiode/). Und da das die gleiche Halbleiterstruktur ist, kann die Bodydiode mindestens so viel Strom wie der MOSFET selber.
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BMS Mosfets defekt?
Was haltet ihr von https://youtu.be/OGws_VIVFNc?feature=shared
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E-Bike Controller MOSFET defekt
75V 80A 200W 0.0009 R Ist das schlimm wenn ich durch diese MOSFETs ersetze IRF2807 N-CHANNEL 75V 80A 220W 0.0013 R ? Lg
Oben hochgeladenes Bild zeigt dass die mosfets alle Lose auf dem Tisch liegen mit einem testgerät. Ja ich habe alle im ausgebauten Zustand getestet.
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Schaltplan mit Spannungsregler und MOSFET
J1 JST_PH_B2B 1 VBUS R1 3M3 +3.3VP R2 3M3 +3.3VP R3 3M3 GND1 R4 10k GND1 J2 JST_PH_B2B 1 GND1 C5 1u GND1 C1 100n +3.3VP IC1 AMC1411QDWLRQ1 8 VDD2 7 IN1P C2 100n 6 OUTP 5 IN1N 4 GND2 3 SHTDN 2 OUTN 1 IN 1 VDD1 +3.3V U1 NXE1S0303MC 8 +VIN 3 C4 100n 7 +VOUT 4 GND 1 -VIN -VOUT L1 15u 744773115 GND1 C3 10u GND1 H1 MountingHole M2.5 H2 MountingHole M2.5 GND
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Artikel
Speicher
normalen Si-Dioden 600 mV bei (dann typischen) 10 µA. Noch besser ist die Verwendung eines kleinen MOSFETs, wie in diesem Beitrag gezeigt wird. Damit erreicht man eine Umschaltung der Versorgungsspannung ohne nennenswerten Spannungsabfall. Wesentlicher Vorteil dieser Schaltung ist die um Größenordungen
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2 Spannungen mit 1 Labornetzteil
beantwortet. Aber je nachdem, wo ich in der Schaltung die Masse abgreife mit dem DMM, habe ich am selben Mosfet z.B. mal 350V, 12V, 5V oder gar nix. Da weiss man ohne Schaltplan dann einfach nicht auf die schnelle, was jetzt das richtige ist und muss mit dem Ohmmeter erst mal die Wege verfolgen. Und aus dem
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ESP32 und ADS1115/MCP4725: 5Vcc für ADC und DAC möglich?
Harald K. schrieb im Beitrag #7873551: > Kann man zwar auch diskret mit Mosfets zurechtbasteln, aber das hier > kommt von denen, die sich mit I2C auskennen: Früher (tm) konnte man das auch in Europa noch mit einem MOSFET und zwei Widerständen aufbauen. Heute kommt so etwas
einem 5V-System laufen. Harald K. schrieb im Beitrag #7873551: > Kann man zwar auch diskret mit Mosfets zurechtbasteln, aber das hier > kommt von denen, die sich mit I2C auskennen: Auch die FET-Schaltung kommt "von denen, die sich mit I2C auskennen", Philips 1997. Wenn es ein IC sein soll, schaut
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Querstrom Sync. Boost
Wahl der FETs was machen? Nur in sehr begrenztem Rahmen. Es gibt Treiber, die mit bestimmten MOSFETs gut zusammenarbeiten und minimalen shoot thru haben, und mit anderen MOSFETs nicht so gut. Aber wenn die Kiste völlig daneben liegt, hilft die MOSFET Wahl alleine auch nicht mehr.
> Nur in sehr begrenztem Rahmen. Es gibt Treiber, die mit bestimmten > MOSFETs gut zusammenarbeiten und minimalen shoot thru haben, und mit > anderen MOSFETs nicht so gut. Und dann stellt sich die Frage wie da ueber die Temperatur so ist... Vanye
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Transistor nicht im Internet gefunden
bel_product/BLP05N08G/datasheet/BLP05N08G-P,B_V2.0_en.pdf https://www.lcsc.com/product-detail/MOSFETs_BL-Shanghai-Belling-BLP05N08G-P_C2924855.html
FETs eine Flex empfiehlt. Think big! Dannn hat er ausreichend Platz freigeflext :-) Denn einen MOSFET allein wird er den mit der 125er Scheibe kaum rausoperieren?
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Port Verhalten ESP8266 im DeepSleep
unbestimmten Zustand, verbleiben in ihrem Status oder High Z? Hintergrund: Ich schalte einen P Kanal Mosfet, also ziehe ich den Port auf low, im Deep Sleep soll aber der Mosfet ausgeschaltet also nicht leitend bleiben (über Pullup Widerstand). Vielen Dank schon mal.
Sascha R. schrieb im Beitrag #7872600: > Ich schalte einen P Kanal Mosfet, also ziehe ich den Port auf low, im > Deep Sleep soll aber der Mosfet ausgeschaltet also nicht leitend bleiben > (über Pullup Widerstand). Du willst im Deep Sleep über einen externen Pullup den
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Arduino Nano Störungen und Durchbrennen
Hans W. schrieb im Beitrag #7872894: > Die MOSFETs haben auch keinen Gate Vorwiderstand. Habe ich noch nie gemacht, 24V schalten ist Pillepalle. Erst bei 300V oder ner PWM ist sowas nötig, aber dann auch mit Treiberstufe.
Beitrag #7873278: > Anbei mal der neue Schaltplan Die Ansteuerung der Relais und der anderen MOSFETs ist Murks.
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Entladekreis für 6S Lipos, geht das so?
Nein. Da der unbelastete Akku in der Spannung wieder ansteigt, schaltet der Komparator den MOSFET gleich wieder ein, hält ihn sogar analog im halbdurchlässigen Zustand in der hohe Verlustleistung auftritt und der MOSFET abraucht. Warum man bei unbedingt einen LogicLevel MOSFET mit einer 5V Z-Diode
Michael B. schrieb im Beitrag #7872116: > Warum man bei unbedingt einen LogicLevel MOSFET mit einer 5V Z-Diode > begrenzen muss statt 12V Z-Diode und Standard-MOSFET erschliesst sich > mir nicht. Ehrlich gesagt ist mir der IRLZ44N bei der Suche nach einem MOSFET, der den Strom abkann
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LTspice - MOSFET-Temperatur nicht mehr anzeigbar
erfolgt im Video bei 08:55. Dort klickt die Person auf "tj#m1", also die Junction-Temperatur des MOSFETs M1. Nun habe ich LTspice 24 und wollte das Modell heute ausprobieren und habe es auch nochmal genauso nachgebaut, aber nun ist bei Traces der Verlauf tj#M1 gar nicht mehr dabei. Beiliegend das
das SOAtherm mit einem Foster oder Cauer Modell dahinter benutzen, aber blöd ist schon wenn das MOSFET Model die Temperatur rechnet und man es dann noch ein zweites mal parallel rechnen lassen muss
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Schaltplan einer MOSFET-Schaltung mit SPICE-Befehlen
R1 5 out V1 100 R2 50 V2 10 M1 IPB035N08N3 RthetaJA=62 Tambient=25 .tran 0 200 0 1 .options SOAaccounting=1
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Chip identifizieren - international rectifier P428H
Bestandteil einer Power Platine (DC-DC Konverter) eines hochwertigen Meßgerätes, insofern ist ein Mosfet Driver plausibel. Benennung: IR(Logo) P428H QYYS SI443S Das ähnlichste was ich finden konnte ist IR4428 DUAL LOW SIDE DRIVER. Was sagen die Experten? Gruß Wolfgang
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Bauteil identifizieren: Marking: 3X
Fahrradlampe. Am Ausgang des Akkupacks kommt keine Spannung an. 8810 ist ein Dual N-Channel Enhancement MOSFET. Vielen Dank für eure Hilfe.
Matze H. schrieb im Beitrag #7871737: >>> 8810 ist ein Dual N-Channel Enhancement MOSFET. >> Welche Ugs liegt da an? > 0V Kann an defektem MOSFET liegen.
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Suche programmierbare Lüftersteuerung
Lars L. schrieb im Beitrag #7871568: > Kennt jemand was anderes? ESP32 - Tasmota drauf - MOSFETS an Ausgang - fertig
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Solid State Relais
schalten. Da nimmt man besser einen Optokoppler (PC817) für die galvanische Trennung und einen MOSFET für die Leistung. Z.B. ein IPP044N03LF2SAKSA1 verbraucht bei 10A unter 0,5W, d.h. muß nicht gekühlt werden. https://www.digikey.de/de/products/detail/infineon-technologies/IPP044N03LF2SAKSA1/22572821
/22572821 Das heißt ich könnte ja eine Platine bauen wo ich 1 Optokoppler + 1 MOSFET und das gleiche daneben nochmal platziere. Dann hätte ich nur 1 Bauteil um beide Schaltkreise zu bedienen. Ich hätte einen ElektronikFachmann der mir das sicherlich ohne Probleme basteln kann ..
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dregeber 35 schritte gesucht 360grad Gesperrt
Hier ist die Fähigkeit zur Abstraktion gefragt. Die Verbindung kann auch je nach Signalart über MOSFETs oder über kleine Reedrelais gemacht werden. Diese lassen sich über 1:n Demultiplexer wie 74HC154 ansteuern - vorne kommt ein 6 Bit Binärcode rein, hinten wird genau ein Ausgang aktiviert. Das lässt
die lösung werden super danke lach , wenn ich an die ganzen vorhergehenden i2c , arduino, mosfets etc.. lösungen denke die ich nicht will , und brauchen kann wie war das wieder , keep it simple and possible ,, never change a running systhem... danke, vielen Dank
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[V] Defekte USV als Materialspender
und ie Dinger Überkopf zünden und kaputtgehen. Sicherlich kann man das heutzutage mit IGBT oder MOSFETs machen, aber man müßte das ganze Schaltungskonzep über den Haufen werfen. In sofern ist das bei einem modernen Wechselrichter, der auf einem Schaltnetzteil basiert fast noch enfacher, weil da "nur
. Die verfügbaren Bauteile werden halt besser und billiger. Aber Dein Teil verwendet bereits MOSFETs und wird das Sinussignal auch mittels PWM erzeugen - nur eben analog und nicht mit einem Mikrocontroller.
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LED-Streifen fiepen bei PWM <=100%
noch zu sehen. Bei 4,7kOhm ist es weg. Spricht was dagegen, 4,7kOhm zu nehem? Die Erwärmung des Mosfets hab ich noch nicht richtig getestet. Die sollte bei 50% PWM am höchsten sein? Bei 100% PMW und ca 1,1A wird der Mosfet kaum warm. Und 25kHz sollten auch reichen.
/irlz44.pdf Sirko S. schrieb im Beitrag #7892689: > Ich hab an einen ESP32-C3-Pin den IRLZ44 Mosfet via 1kOhm-Widerstand > angeschlossen. Ob hiermit der Original IRLZ44 von Vishay gemeint ist oder irgend ein anderer MOSFET - who knows.
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Produktseite eines SiC MOSFET Transistors
Besuche den CHANZON-Store 4,3 (3) Chanzon 10 Stück 4N65 TO-220 Sic Mosfet MOS N-Kanal Transistor n-fet 4A F-cell™ SVF4N65P XW9H10M
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Produktspezifikationen für TO220F MOS N-Kanal Transistor
MOS N-Kanal 4N65 N-Typ, Strom: 4 A, Spannung: 650V Marke: SVF4N65FSVF4N65F/SVF4N65 Original nmos Mosfets Transistoren Bipolar Junction Triode Für: Elektronisches DIY-Projekt Produktspezifikationen Hersteller: CHANZON Teilenummer: 4N65-TO-220F-10 Artikelgewicht: 28 g Produktabmessungen: 18 x 15 x 1,3
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Bauteilbezeichnung
So, Beide Mosfet ausgetausch. Die Lampe lässt sich komischerweise bei jeden 3 oder 4. mal einschalten und leuchtet, wenn sie AN ist,stark und kräftig, so wie sie soll. Der eine Mosfet wird nach 10 - 15 sekunden
MNBR schrieb im Beitrag #7874156: > So, Beide Mosfet ausgetausch. Die Lampe lässt sich komischerweise > bei > jeden > 3 oder 4. mal einschalten und leuchtet, wenn sie AN ist,stark und > kräftig, so wie sie soll. > Der eine Mosfet wird nach 10 -
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Eure Erfahrung mit Victron Produkten
neues. Selbstbeweihräucherung war noch nie eine gute Idee. So schnell sind Kugelfisch-Elkos und MOSFETs mit geplatzten Ärschen wieder vergessen. Das Einzige, was ich euch dabei gebe - man weiß leider nicht, wie viele dieser Schäden durch Fehler des Kunden verursacht werden. Aber wenn das Gerät eine
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innenwiderstand Röhrenmodell mit ltspice ermitteln
angezeigt. > mfg Klaus danke dir , ich hab nur keine ahnung von ops , das ist weder ein mosfet , noch eine röhre
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E-Bike Akku tiefentladen
messen. Hab das Ganze grad mit einem Giant Akku durch. Da ist im Endeffekt innen auf der Platine ein Mosfet kaputt. Ohne Zerlegen und möglicherweise gefährliche Bastelei wird das vermutlich nicht wiederzubeleben sein.
optimal. War mir auch etwas zu risky mit dem Quasikurzschluss des Akkus ohne Schutz durch die MOSFETs Irgendwann hab ich mir so ein Teil gegönnt: SEESII Punktschweißgerät für Akkus - SE-202 https://www.amazon.de/dp/B0BTHQ46FS Dauert zwar das Aufladen, aber dann ging es gut.
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Digitalkamera auf Basis von ESP32-P4, neue ST-Audiosoftware uvam
die wir gestaffelt vorstellen wollen. Erweiterung Nummero eins sind dabei strahlungsgehärtete MOSfets.  Bildquelle: MicroChip. In diesem Bereich steht eine Erweiterung des Portfolios sowie eine fortgeschrittene Zertifikation der Bauteile ante Portas: [c] . . . family of radiation-hardened (rad-hard) power MOSFETs to the MIL-PRF-19500/746 slash-sheet specification and the achievement of JANSF qualification for its JANSF2N8587U3, 100V N-channel MOSFET to 300 Krad (Si) Total Ionizing Dose (TID). Microchip’s
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Datenblatt Ausschnitt IRFB7430PbF MOSFET
HEXFET® Power MOSFET VDSS 40V RDS(on) typ. 1.0mΩ max. 1.3mΩ ID (Silicon Limited) 409A ID (Package Limited) 195A D S G TO-220AB IRFB7430PbF
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Dead Bell Schaltplan und Arduiono Code
learn.adafruit.com/adafruit-tlv493-triple-axis-magnetometer/downloads Das Schaltbild beweist, dass 5V auf 3.3V Mosfet Wandler mitintegriert sind. 5V ist also in Ordnung. 10K Pull-ups sind auch schon eingebaut. Könnten möglicherweise aber etwas zu hoch im Wert sein. 3.3K ist üblich. Nachtrag2: Ich würde vorschlagen
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Schaltplan mit Raspberry Pi Pico und MOSFET-Treiber
J2 24V, J3 0V, U3 R-78CK5.0-0.5, IN, OUT, GND, C3 10uF, C1 100uF, C2 100nF, R2 10k, R3 10k, U6 4N35, R1 220R, Q1 IRF 9540N, R4 10k, U7 4N35, GND, J4 Eingang, J1 Ausgang, U4 Raspberry Pi Pico, GPIO0 bis GPIO28, VBUS, VSYS, 3V3_EN, 3V3, ADC_VREF, GND, SWCLK, GND, SWDIO
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Produkt/Händler-Warnung
jede Woche anders. BTW: Viele Schaltungen funktionieren auch noch ein bisschen, wenn man einen MOSFET durch einen NPN ersetzt. Probiert es aus ;-)
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Ladegerät: Alternativtypen für CSF20L200CT und SMK1265
gemeinsamer Analyse haben wir herausgefunden: 1. Sicherung T3,15 A durchgebrannt 2. primärseitig MOSFET SMK1265 defekt https://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/425702/KODENSHI/SMK1265F.html Den gibt es bei eBay im 5er oder 10er Pack aus China. 3. sekundärseitig Doppel-Schottky-Diode CSF20L200CT
erfolgreich, denn nach dem Einschalten leuchtet die Rote LED kurz. Dabei schaltet der Freigabe Schalter Mosfet 9579GI den Akku kurz ein. Dann sperrt der Mosfet 9579GI wieder ab und die grüne LED leuchtet dauerhaft. Am Ausgang vom Ladegerät liegen dann 0V an. Wenn der Akku nicht angeschlossen ist blinkt die
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I/O-Beschaltung Raspberry Pico (für 24V)
MOSFET wird sehr heiß. Denn wenn man 24V mit einem N-Kanal schalten will, braucht der für's Gate eher 34V. Darum nimmt man einen fertigen Smart Switch. Oder einen P-Kanal + Pegelwandler.
schrieb im Beitrag #7867814: >> hab den Fehler beseitigt: IRF 9540N > > Jaja, ein 23A P-Kanal MOSFET, um 500mA zu schalten. So geht das heute! > ;-) Dafür kann er sich stundenlange SOA-gerechte Schaltflanken leisten ...
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Schaltplan mit Raspberry Pi Pico und MOSFET-Treiber
J2 24V, J3 0V, U3 R-78CK5.0-0.5, C1 100uF, C2 100nF, U6 4N35, R1 220R, U4 Raspberry Pi Pico, GPIO0 bis GPIO26, VBUS, VSYS, 3V3_EN, ADC_VREF, AGND, GND, SWCLK, GND, SWDIO, R2 10k, R3 10k, Q1 IRFU 9540N, R4 10k, U7 4N35, J4 Eingang, J1 Ausgang
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Transistor Schaltet anders
: >> Transistor schaltet anders > > Ja, das stimmt. Das eine ist ein BJT, das andere sind Mosfets. Das ist der Unterschied. Der BJT möchte einen Basisstrom, der zum Emitter wieder rauskommt, und damit sich dem Signal überlagert. Der andere ist rein spannungsgesteuert (gegenüber dem meist mit
auch die Rückwirkung auf die Steuerspannung deutlich geringer ist. Deswegen nimmt man für sowas Mosfets, und keine BJT, auch wenn man das mit einem BJT sicherlich auch "irgendwie" hinbekommen könnte. Ansonsten haben wir trotzdem noch keinen Schaltplan DEINES Aufbaus bekommen.
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Strompfade KTD2511
Recovery'? Den gäbe es nur, wenn die Diode D1 einen Sperrverzug hätte und noch leiten würde, wenn der Mosfet von LX nach GND durchschaltet. Weil Schottkydioden einen solchen Sperrverzug (Reverse Recovery) aber "im Prinzip" nicht kennen, ist dieser Strompfad nicht sehr ausgeprägt. Nichtsdestotrotz kann
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Brother Laserdrucker DCP-L2530DW - Netzteil defekt
c11 - ok (100pF und 470pf / 1000V) - vor dem Trafo Primär - OK - 320V DC -OK Sekundärkreis: MOSFET - ok Gleichrichtung - ok Elektrolytkondensatoren - ok Dioden, Zenerdioden - ok So ziemlch alle Bauteile gemessen und keine Auffälligkeiten gefunden. Im eingeschaltenen Zustand kann ich auch
MIP0050 in Verdacht. Der Trafo wird auch nicht angetaktet ich kann keine sauberen Impulse am Gate des MOSFET mit dem Oszi messen.
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Handgezeichneter Schaltplan mit Transistoren und MOSFET
+5V 10k 10k S Q3 G P-Mos NPN D 0-5V 10k PNP 470R 0-5V A 470R 10k E
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Infos zu Baustein MF AB 21-1 gesucht
zentrale SMPS-Controller zu sein: 8pin SMD mit dem Aufdruck "MF AB 21-1". Links daneben sitze ein MOSFET-Treiber (FAN7384), auf der anderen Platinenseite die MOSFETs dazu. Das passt alles zusammen. Wenn ich nur wuesste was dieser MF AB 21-1 macht ... Nun such ich mir im Netz, bei Chat-GPT, den gaengigen
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DELL P2717H 27“ HD Monitor Netzteil defekt
Gegenfragen: - hast Du den MOSFET mal ausgeloetet und getestet? Ist der denn wirklich defekt? Nach meiner Erfahrung legieren MOSFETs eher durch, wenn sie defekt sind. Und dann knallt's und die Sicherung fliegt - was fuer eine Bezeichnung
korrekterweise am Gate. Die orangene aber an der Kuehlfahne/-koerper. Und das ist bei fast allen MOSFETs der Drain.
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Induktions Doppelfeld (stand alone) - eine Seite hinüber.
den Schwingkreis nicht testweise auf AC12V > ohmsche Last (20W Halogen) ändern und nen normalen Mosfet > (oder kleinen IGBT) nehmen? Dann noch R(sense) anpassen > (~Faktor 1400W/20W) und das Feld müsste "laufen"? Oder > erkennt der Controller, dass es gar nicht wirklich schwingt, > weil er sich
nicht. Ich mag die Dinger sowieso nicht, wegen ihrer Probleme beim Sperren. 1200V (oder mehr) MOSFETs sind aber leider verdammt teuer, IGBTs angeblich robuster... aber man sieht ja, was es bringt.
