manually writes to the data registers could achieve fairly good timing, it is recommended to use a timer base together with events and DMA transfers for applications that require precise timing. However, for applications that do not have strict timing requirements or use static output values, it is not necessary
ich habe gefunden diese : https://www.effectrode.com/knowledge-base/binson-echorec-schematic/ Leider ist mein English , so gut wie mein Deutsch und ich verstehe wenig von der Funktionsbeschreibung, kann man Diesen verwenden lg grosi
doktorant ,32 der sequenzer(synthi) baut und hobby dj macht 4. ein allter haudegen der röhrenszene mit ü70j der nix mit musik am hut hatt ja und ich , aber das zählt nicht alle hörten den unterschied innerhalb 3 sek fragen dazu?
<base>\examples_ccsv4\Cpp\source Shared source code for the C++ example <base>\examples_ccsv4\Cpp\<device> Each device family has its own project folder <base>\examples\cmd Linker command files used by the
Faktor 0,00385. Die beiden Messungen dauern ca. 14 µs, was bei 5 Messungen/s eine Einschaltzeit von 70 µs/s ergibt. Durch dieses kleine Tastverhaeltnis wird dem PT1000 eine vernachlaessigbare Leistung von lediglich < 200 nW zugeführt. Aus dem gemessenen ADC_wert und R_REF wird der Widerstand PT_x ermittelt
RoHS & Green NIPDAU N / A for Pkg Type 0 to 70 TL071ACP TL071BCD ACTIVE SOIC D 8 75 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM 0 to 70 071BC TL071BCDR ACTIVE SOIC D 8 2500 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM 0 to 70 071BC TL071BCP ACTIVE PDIP P 8 50 RoHS & Green NIPDAU N / A for Pkg Type 0 to 70 TL071BCP TL071CD ACTIVE SOIC D 8 75 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM 0 to 70 TL071C TL071CDR ACTIVE SOIC D 8 2500 RoHS & Green NIPDAU Level-1-260C-UNLIM 0 to 70 TL071C TL071CDRE4 ACTIVE SOIC D
Endlich konnte man unter einem Host OS ein anderes Gast OS performant ausführen. Ja, flimmerfreie 70 Hz CRT Monitore waren auch wichtig, mein erster 14" VGA Monitor konnte das noch nicht. Das konnte erst mein 15" Nachfolger.
ohne direktem Lötkontakt bei Computern. Das kam mir alles sehr bekannt vor. Ungefähr Stand Ende der 70er. Die Bauteile waren neu, das Niveau nicht.
automotive-qualified-products-aec-q100-q101/automotive-diodes/automotive-switching-diodes/automotive-general-purpose-switching-diodes/BAS21AVD.html mit vier Einzeldioden. Scheint aber dort das Maximum zu sein; Doppeldioden gibt es dagegen reichlich. Ist die Frage, wofür du das brauchst: mit N Doppeldioden in SOT-23 oder SC-70 solltest
region to a corresponding bit in the bit-band region. The mapping formula is: bit_word_addr = bit_band_base + (byte_offset x 32) + (bit_number × 4) where: – bit_word_addr is the address of the word in the alias memory region that maps to the targeted bit – bit_band_base is the starting address of the alias
allocation: I (263) heap_init: At 3FFAE6E0 len 00001920 (6 KiB): DRAM I (269) heap_init: At 3FFB3F70 len 0002C090 (176 KiB): DRAM I (275) heap_init: At 3FFE0440 len 00003AE0 (14 KiB): D/IRAM I (282) heap_init: At 3FFE4350 len 0001BCB0 (111 KiB): D/IRAM I (288) heap_init: At 4008ADE4 len 0001521C
Starting scheduler on PRO CPU. I (0) cpu_start: Starting scheduler on APP CPU. I (334) system_api: Base MAC address is not set I (344) system_api: read default base MAC address from EFUSE I (344) WIFI_STA MAC: 0x8c, 0xaa, 0xb5, 0x8b, 0x25, 0x50 I (354) main: Starting program I (394) main: Done nvs_flash_init
gibt welche, die bei ca. 15ns liegen. Also hätte ich 2x15ns = 30ns für das Levelshifting und hätte 70ns Zeit für den ESP32. Die werden aber anscheinend nicht reichen, da der ja an den Ausgängen so langsam schaltet. Vielen Dank an euch alle :) Gruß Frank
Halt" hat. Aber dazu habe ich hier etwas gefunden: https://codebase64.org/lib/exe/fetch.php?media=base:safely_freezing_the_c64.pdf Danke Gruß Frank
32-bit multiplier, a 32-bit divider, and a 40-bit MAC • Support for 32 interrupt vectors from about 70 interrupt sources The single-/dual-CPU interfaces include: • Xtensa RAM/ROM Interface for instructions and data • Xtensa Local Memory Interface for fast peripheral register access • External and internal
Indirect. Indirect with Displacement. This mode of addressing reaches 63 address locations from the base address given by the Y- or Z-register. Indirect with Pre-decrement. In this mode the address register is automatically decremented before access. Address pointer registers (X, Y, and Z) are located
Jahren mal sowas gemacht, und mußte mich erst ein paar Stunden einlesen. Warum hast du nicht LCD.BAS genommen? Ich habe das damals als Vorlage benutzt und eigentlich keine Schwierigkeiten mit der Umstellung auf den MEGA-8 gehabt. Da ist doch alles schön dokumentiert. Tim D. schrieb im Beitrag
Infos drin. Und schaue dir mal diesen Link an. https://docs.google.com/spreadsheets/d/1qFvc3Q70RriJS3m_ywBoJvZ47gSTVAuN_X04SI0_XBw/edit#gid=0 Das ist eine Liste aller verfügbaren Libs die schon mal im Voraus dabei sind, oder im Forum nachgeladen werden können. Ich weiß aber nicht ob die vollständig
dank der 3 Pins nur schlecht verpolt bestückt werden. Aber es gibt ja auch Dioden im SOT23 oder SC70-Gehäuse...
dank der 3 Pins nur schlecht verpolt bestückt > werden. Aber es gibt ja auch Dioden im SOT23 oder SC70-Gehäuse... Außerdem 1/3 Mehrverbrauch an Paste, wenn von 2 auf 3 Pins ausgegangen wird!
possible to unplug the two harnesses from the rear connector PCB. Lift the top panel clear of the base and place on a clear work surface. Reassembly is the reverse procedure, but take great care to fit the harnesses correctly and to ensure that the ribbon cables do not get trapped between any of the
greater than maximum address like below, data of out of range will be ignored. 1. 128X160 memory base (GM = ’011’) (Parameter range: 0 < XS [15:0] < XE [15:0] < 127 (007Fh)): MV=”0”) Restriction (Parameter range: 0 < XS [15:0] < XE [15:0] < 159 (009Fh)): MV=”1”) 2. 132X162 memory base (GM = ’000’) (
die vielen CP/M Programme vom Z80 auf den > PC portieren konnte. Da hat mir ein in den späten 70ern/frühen 80ern bei Intel beschäftigter Lehrstuhl-Mitarbeiter noch was anderes erzählt: Ein auch sehr gewichtiger Grund, den 8088 zu nehmen, war das für damalige Verhältnisse geradezu monströse DIL64
auf einen /aktuellen/ Wissensstand... "The load store pipelines are optimized for zero-segment-base operations. A load or store that has a non-zero segment base suffers a one-cycle penalty in the load-store pipeline." (AMD) > Und seit ca. 20 Jahren gibt es den 64 Bit Modus, wo es keine Segmente
base. Polarizedglass Repeat steps 1 to 3 for remaining polarized glasses. mounting base Fig.1- 1 Main Board R-Polarized Glass Mounting Base A A B-Polarized Glass Mounting Base G-Polarized Glass A Mounting
increases when the lamp heats up, and the current through the transistors by the RC network at the base of the transistor, falls to its steady-state value). Diode D prevents which increases the rate of charge extraction from S the base at turn-off. The network also serves to the small-value resistor R Eisrupting the operation decouple the base from the oscillation caused by of the filter. thebasetransformeratturn-off,preventingspurious After a short time (a few operating cycles), the turn-on of the device. capacitor C Sill become discharged
1 Collector−Emitter Voltage VCEO(sus) 400 Vdc 2 3 Collector−Emitter Voltage V CEV 700 Vdc Emitter−Base Voltage V 9 Vdc EBO MARKING DIAGRAM Collector Current− Continuous C 12 Adc − Peak (Note 1) ICM 24 Base Current − Continuous B 6 Adc − Peak (Note 1) IBM 12 MJE13009G Emitter Current − Continuous E 18
https://infozaehler.de/logJSONProt.txt Das Rohprotokoll steckt in der Variable "buffer" und ist mit BASE64 codiert. Decode mit: https://base64.guru/converter/decode/ascii Gruß Peter
Server1 192.168.178.1 DNS Server2 2003:cc:e70d:4100:de15:c8ff:fec8:81a6 HTTP API Enabled MQTT Host MQTT Port 1883 MQTT TLS Disabled MQTT User DVES_USER MQTT Client DVES_22B358 MQTT Topic tasmota_%06X MQTT Group Topic 1 cmnd/tasmotas
for fusing tp= 10 ms 2 A s Critical rate of rise of on-state current dl/dt 50 A/µs IG= 5 mA dIG/dt = 70 mA/µs PG(AV) Average gate power dissipation 300 mW PGM Peak gate power dissipation tp= 20 µs 2 W IGM Peak gate current tp= 20 µs 1 A VRGM Maximum peak reverse gate voltage 6 V -40 to +150 Tstg Storage
cycles: 10 Endurance P max 450 mW < 3% No visible t: 1000 h damage Long-term stability Temperature: 70 °C < 5% No visible (empirical value) t: 10000 h damage Note Contact of NTC thermistors with any liquids and solvents shall be prevented. It must be ensured that no water enters the NTC thermistors (e.g
Antenna systems ■ Automotive electronics ■ Telecommunications ■ Industrial electronics Terminals ■ Base material CuSn6 ■ Layer composition Cu, Ag, Sn (lead-free) ■ Electro-plated Marking ■ Marking on component: Manufacturer and letter “C”, L value (in nH), tolerance of L value (coded), date of manufacture
flag (U flag). This flag is located at the position of bit 7 in the flag register (FLG). (7) Static base register (SB) Static base register (SB) is configured with 16 bits, and is used for SB relative addressing. (8) Flag register (FLG) Flag register (FLG) is configured with 11 bits, each bit is used as
Vielen Dank für die schnellen Rückmeldungen! >Zum Vergleich hat die BAT70 maximal 100nA bei 50V. Natürlich werden das auch >uA wenn sie heiss wird. Die BAT70 konnte ich nicht finden - Wahrscheinlich war BAS70 gemeint(?) Diese Diode ist denke ich die bessere Alternative
im normalen Betrieb nichts :-) Schau dir auch mal die Leckströme der dioden im Bereich -20V...+70C . Man(n) landet ziemlich schnell bei der BAV 199 als sehr guten Kompromiss für diese Schutzschaltung.
molded epoxy over glass body IFSM 30 A Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating IR 10 μA Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade Base P/NHE3 - RoHS-compliant, AEC-Q101 qualified EAS 5 mJ VF 1.1 V, 1.2 V Terminals: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD 22-B102 TJmax
m 10 E r l r c 0 E 0 - l r c Z −10 - −10 u F −20 −20 −30 −30 −50−40−30−20 −10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 −50 −40 −30−20 −10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 T − Temperature − ▯C T − Temperature − ▯C Figure 5. Figure 6. I HISTOGRAM SOURCE AND SINK CURRENT CAPABILITY DD 2500 5 V = 5 V DD
diode, ifb breakdown voltage is above 10V so this method is more un- current is injected into the base of Q2, this transistor turns common. In either case, once the SCR is turned on a large on, and a collector current beta times its base current flowsm current will flow froCCVto ground, causing the CMOS cir- into the base of Q1. Q1 in turn amplifies this current by beta cuit to malfunction and possibly damage itself. and feeds it back into the base of Q2, where the current is I CMOS SCR problems can be minimized by proper
Kunden"; und der Kunde hatte grundsötzlich Recht. Finanziert wurde das über satte Margen. In den 70ern wandelten sich Ansprüche und Vorstellungen; plötzlich war Geiz geil, auch wenn es damals noch nicht so hieß. Aber schon damals konnte man sparen und die Preisbindung umgehen, indem man Geräte 2. Wahl
zurück. Keineswegs; ich kenne das noch caus den 90ern, wie schon berichtet. Tatsächlich seit den 70ern entfallen ist die Zulässigkeit von Preisvorgaben und ~absprachen; Ausnahmen sind die Preisbindung bei Tabakwaren und Verlagserzeugnissen im Printbereich.
aber selber mehr oder wenige selber für deren Vermüllung sorgen. Typisches Bild für mich aus den 70ern: Überall,wo ein Auto mir Anti-AKW-Aufkleber stand, sah man zumindest bei Abwesenheit vom Stammparkplatz dort eine schwarze Öllache..
Mit > Gebläse für Stoßweises dampfen/rauchen In Filmen habe ich bisher nur rauchende/dampfende MoBas gesehen, das sah aus, als ob jemand ein Zigarette in die Lok gelegt hat - völlig unrealistisch.
100 95 O 95 VO= 1.8 V 90 V = 3.7 V 90 I VI= 2.7 V 85 85 80 VI= 5 V 80 % − 75 − 75 V = 3.7 V y y I n 70 n 70 c i f 65 fi 65 E E 60 60 VI= 5 V 55 55 50 50 45 45 40 40 0.010 0.100 1 10 100 1000 0.010 0.100 1 10 100 1000 I − Load Current − mA I −Load Current − mA L L Figure 6. Efficiency vs Load Current Figure
Sockets +IN 3 6 OUT 125 C Temperature-Tested Dice V– 4 5 NC NC = NO CONNECT APPLICATIONS Wireless Base Station Control Circuits Optical Network Control Circuits Instrumentation Sensors and Controls Thermocouples RTDs Strain Bridges Shunt Current Measurements high closed-loop gains. Stability of offsets
±0.001 ±1.0 mA Common-Mode Rejection CMR V CM= ±12 V G = 1000 110 130 dB G = 100 90 113 dB G = 10 70 94 dB G = 1 50 74 dB Power Supply Rejection PSR V S ±5 V to ±18 V G = 1000 110 124 dB G = 100 110 118 dB G = 10 90 101 dB G = 1 70 82 dB Input Voltage Range IVR ±12 V Input Resistance R Differential,
