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sn761678b.pdf
TI Call TI SN761678BDBTR ACTIVE TSSOP DBT 30 2000 Green (RoHS & CU NIPDAU Level-2-260C-1 YEAR no Sb/Br) SN761678BDBTRG4 ACTIVE TSSOP DBT 30 2000 Green (RoHS & CU NIPDAU Level-2-260C-1 YEAR no Sb/Br) (1) The marketing status values are defined as follows: ACTIVE: Product device recommended for new designs
in „Infos zu TV-Tunern gesucht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IPB180P04P4.pdf
°C; D = 0 Z thJC= f(p ) parameter: t p parameter: D=t /Tp 1 1000 1 µs 10 10 µs 100 µs 100 1 ms 0.5 100 ] W A / 0.1 [ [ 10 -1 ID J 0.01 - t Z 10 0.05 10-2 single pulse -3 1 10 0.1 1 10 100 10-6 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 100 -V DS[V] tp[s] Rev. 1.3 page 4 2011-04-27 Final Data Sheet
in „wie pMOSFET für Strombegrenzung kühlen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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CS8130.pdf
constant signal. 16 DS134PP2 CS8130 Register 8, Baud Rate Divider Register #1 D3 D2 D1 D0 Register BR3 BR2 BR1 BR0 Reset (R) 0 1 1 1 Register 9, Baud Rate Divider Register #2 D3 D2 D1 D0 Register BR7 BR6 BR5 BR4 Reset (R) 0 0 0 1 BIT NAME VALUE FUNCTION BR7-0 Baud Rate Divider 01011111 95 2400 bps Value (BRD). 00101111 47 4800 bps BRD=(3.6864E6/ 00010111 23 R 9600 bps (16*BR))-1, 00001011 11 19.2 kbps where BRD = 00001001 5 38.4 kbps divider value and 00000010 2 76.8 kbps BR = desired baud 00000001 1 115.2 kbps rate. Register 10, Modulator Divider Register #1 D3 D2 D1 D0
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DCDC-Konverter.pdf
= 15 V POS POS 0 0 0.10 1 10 100 1000 0.1 1 10 100 1000 I − Output Current − mA O O − Output Current − mA Figure 9. Figure 10. TPS65130 TPS65131 EFFICIENCY EFFICIENCY vs vs OUTPUT CURRENT OUTPUT CURRENT 100 100 VIN= 4 V VIN= 5 V 90
in „DC-DC-Konverter Tps65131 Funktionalität“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IPP120P04.pdf
2) - -20 -200 Tj=125°C Gate-source leakage current I V =-16V, V =0V - - -100 nA GSS GS DS Drain-source on-state resistance R DS(on) VGS =-4.5V, D =-100A - 4.0 5.2 mW VGS =-4.5V, ID=-100A, - 3.7 4.9 SMD version V =-10V, I =-100A GS D - 2.9 3.4 VGS =-10V, ID=-100A, - 2.6 3.1 SMD
in „Highside, FET wird heiß“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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datasheet.pdf
Characteristics (Ta = 25°C) Item Symbol Min Typ Max Unit Test conditions Drain to source breakdown V (BR)DSS –20 — — V ID= –10 mA, V GS= 0 voltage Gate to source breakdown V (BR)GSS ±20 — — V IG= ±100 µA, V DS0 voltage Gate to source leak current I — — ±10 µA V = ±16 V, V = 0 GSS GS DS Zero gate voltage
in „Suche Mosfet oder Vergleichstyp“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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TLP281.pdf
Marking of Classification Min Max Blank 50 600 Blank ,Y,YE,G,G ,GR,B,BL,GB Rank Y 50 150 YE Rank GR 100 300 GR Rank BL 200 600 BL TLP281 Rank GB 100 600 GB ■ Rank YH 75 150 Y Rank GRL 100 200 G ■ Rank GRH 150 300 G Rank BLL 200 400 B Blank 50 600 Blank , GB TLP281-4 Rank GB 100 600 GB *1: Ex. rank GB:
in „Arduino ProMini galvanisch getrennt“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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NTS4409N-D.pdf
Min Typ Max Unit OFF CHARACTERISTICS Drain−to−Source Breakdown Voltage V V = 0 V, I = 250 mA 25 V (BR)DSS GS D Drain−to−Source Breakdown Voltage V /T 30 mV/°C (BR)DSS J Temperature Coefficient Zero Gate Voltage Drain Current IDSS TJ= 25°C 0.5 mA VGS = 0 V, V = 20 V TJ= 70°C 2.0 DS T J 125°C 5.0 Gate−
in „SMD Identifizieren“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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tlc1549_.pdf
Level-1-260C-UNLIM no Sb/Br) TLC1549IDG4 ACTIVE SOIC D 8 75 Green (RoHS & CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM no Sb/Br) TLC1549IDR ACTIVE SOIC D 8 2500 Green (RoHS & CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM no Sb/Br) TLC1549IDRG4 ACTIVE SOIC D 8
in „10 Bit ADC (seriell) wie TLC1549 gesucht“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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stgw60h65dfb.pdf
BR)CES VF GIPG170415EWF7WDVF V (BR)CES GIPD280820131415FSR (V) (norm) 2.8 1.1 IC=2mA 2.4 TJ=-40°C 2.0 T =25°C 1.0 J 1.6 TJ=175°C 1.2 0.8 0.9 20 40 60 80 100 IF(A) -50 0 50 100 150 TJ(°C) Figure 11. Normalized
in „PV Wechselrichter startet nicht mehr und verursacht Kurzschluss bzw. hohen Strom“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Ausschnitt aus einem Datenblatt des IRF540NPbF
Characteristics @ TJ = 25°C (unless otherwise specified) Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 100 — — V VGS = 0V, ID = 250µA ΔV(BR)DSS/ΔTJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient — 0.12 — V/°C Reference to 25°C, ID = 1mA RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance
in „Problem mit Mosfet IRL540 an 52V, öffnet nicht mehr“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik · · Screenshots
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untitled.html
title>Titel</title> </head> <style> * { font-family: Arial; } div.outbox { position: relative; width: 100%; height: 800px; background-color: grey; padding: 10px; } div.nummer { position: absolute; right: 0; bottom: 0; background-color: white; padding: 10px; } </style> <body> <div class="outbox"> Hier der Inhalt <br> <div class="nummer"> Seite 1 </div> oder auch hier<br> </div> <hr> <div class="outbox"> <div class="nummer"> Seite 2 </div> </div> <hr> <div class="outbox"> <div class="nummer"> Seite 3 </div> </div
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564932.pdf
Characteristics (Ta = 25 C) Item Symbol Min Typ Max Unit Test conditions Drain to source breakdown V(BR)DSS –30 — — V ID= –10 mA, V GS = 0 voltage Gate to source breakdown V(BR)GSS ±20 — — V IG = ±100 A, V DS0 voltage Gate to source leak current I — — ±10 A V = ±16 V, V = 0 GSS GS DS Zero gate voltage
in „Suche Mosfet oder Vergleichstyp“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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JMTK4004A.pdf
unless otherwise specified) Symbol Parameter Test Condition Min. Typ. Max. Units Off Characteristic V (BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage V GSV, I D250μA 40 - - V IDSS Zero Gate Voltage Drain Current V DS0V, V =GS, - - 1.0 μA IGSS Gate to Body Leakage Current V DSV, V =GS20V - - ±100 nA On Characteristics
in „Bauteil Identifikation SMD erwünscht => MosFet?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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BC237_BC238_BC239.pdf
OFF CHARACTERISTICS Collector–Emitter Breakdown Voltage BC237 V 45 — — V (I = 2.0 mA, I = 0) BC238 (BR)CEO 25 — — C B BC239 25 — — Emitter–Base Breakdown Voltage BC237 V(BR)EBO 6.0 — — V (E = 100 ▯AC I = 0) BC238 5.0 — — BC239 5.0 — — Collector Cutoff Current CES (CE = 30 V, BE = 0) BC238 — 0.2 15 nA
in „Warum geht ein Transistor kaputt, wenn man Emitter und Kollektor vertauscht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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bas33_1_.pdf
V (BR) 40 V Breakdown voltage t = 0.3 ms p BAS34 V (BR) 70 V Diode capacitance V = 0, f = 1 MHz C 3 pF R D Typical Characteristics T amb = 25 °C, unless otherwise specified 1000 10000 V R V RRM T = 25 °C ) A j ( 1000 ( 100 t n e Scattering Limit e Scattering Limit u u C 100 C 10 r a v r e o - 10 - 1 IR IF 1 0.1 0 40 80 120 160 200 0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 94 9079 Tj- Junction Temperature (°C) 94 9078 V F Forward Voltage
in „Frage zu ELV Netzteil“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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_FET-P__JCET_AO3401.pdf
Paramete r Symbol Test Condition Min Typ Max Unit Off characteristics Drain-source breakdown voltage V (BR)DSS VGS = 0V, I =-250µA -30 V Zero gate voltge drain current IDSS VDS =-24V,V GS= 0 V -1 µA Gate-source leakage current IGSS VGS =± 12V, VDS = 0V ±100 nA On ch aracteristics VGS =-10V, I =-4.2A 65 mΩ
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CAPTURE.TXT
rt28xx_init, Status=0 0x1300 = 00064300 ifconfig: ioctl 0x8913 failed: No such device brctl: bridge br0: No such device or address device ra0 entered promiscuous mode device eth2 entered promiscuous mode br0: port 2(eth2) entering learning state br0: port 1(ra0) entering learning state route: ioctl 0x890c
in „Plunder von Pollin:WMDR-143N“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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ths4509.pdf
! i i r RL=−100 W r t !80 t!80 i i c c R L−100 W n !90 n!90 o R L−200 W o r r R L−1−kW H H!100 r!100 R L−1−kW r R =−500 W d d L O O d!110 d!110 2 RL=−500 W 3 RL=−200 W !120 !120 1 10 100 1000 1 10 100 1000 f ! Frequency
in „Pipeline A/D-Wandler ADS5240 Verständnisproblem Analoge Eingangsspannung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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2124332.pdf
▯▯ 1.6 ▯▯▯ V TJ= -40°C 7M▯ ▯▯▯▯ & 7F▯▯▯▯ & 1.4 ▯PV 9 *( ▯▯▯▯9 1.2 ▯▯ ▯ VLQJOH▯SXOVH 0 20 40 60 80 100 I(A) ▯▯ ▯ ▯▯ ▯ ▯▯▯ 9&(9▯ Figure 10. Diode V vs. forward current Figure 11. Normalized V vs. junction F (BR)CES temperature 9 ) *,3*▯▯▯▯▯▯(:)▯:'9) V(BR)CES GIPD280820131415FSR ▯9▯ (norm) ▯▯▯ 1.1 I= 2mA
in „PV Wechselrichter startet nicht mehr und verursacht Kurzschluss bzw. hohen Strom“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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semtech-sc4503.pdf
ON SHDN/SS FB e GND i 70 R2 E 65 2 49.9k 60 VOUT 12V 55 50 C1: Murata GRM188R61A105K 0.001 0.010 0.100 1.000 C2: Murata GRM21BR61C475K Load Current) L1: Sumida CDC5D23B-4R7 Figure 1(a). 5V to 12V Boost Converter Figure 1(b). Efficiency of the 5V to 12V Boost Converter May 4, 2007 1 www.semtech.com SC4503
in „Welcher Schaltregler ist das?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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ths7316.pdf
bandwidth 31 MHz Typ Attenuation f = 27 MHz(2) 0.3 –0.3/2.4 –0.35/2.4 –0.4/2.6 dB Min/Max With respect to 100 kHz f = 74 MHz(2) 30 20 19 19 dB Min Group delay f = 100 kHz 16.2 ns Typ Group delay variation f = 27 MHz 5.4 ns Typ with respect to 100 kHz Channel-to-channel delay 0.3 ns Typ Differential gain NTSC
in „Videopfad - LM1881 -Sync-Problem“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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391639.pdf
Ok, dann warte ich mal ab.. Danke Re: DAB-Modul - IR-FB-Anschluss-Pin? WELCHER PIN? Autor: Helmut Br (Gast) Datum: 07.05.2016 18:51 Hallo UmBauDAB, ich kann Dir zwar nicht weiterhelfen. Aber vielleicht hast Du Deine Informatonen bereits anderweitig bekommen und kannst mir diese weitergeben. Ich habe
in „DAB-Modul - IR-FB-Anschluss-Pin? WELCHER PIN?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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70622B.pdf
CHARACTERISTICS Symbol Parameter Min Typ Max Unit Condition RSF Sensitivity (FSK) — -107 — dBm 869 MHz, BR = 25 kbps, fdev 50 kHz, c = 100 kHz — -103 — dBm 869 MHz, BR = 66.7 kbps, fdev 100 kHz, c = 200 kHz — -105 — dBm 915 MHz, BR = 25 kbps,dev= 50 kHz, f = 100 kHz c — -101 — dBm 915 MHz, BR = 66.7 kbps,
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70622B.pdf
CHARACTERISTICS Symbol Parameter Min Typ Max Unit Condition RSF Sensitivity (FSK) — -107 — dBm 869 MHz, BR = 25 kbps, fdev 50 kHz, c = 100 kHz — -103 — dBm 869 MHz, BR = 66.7 kbps, fdev 100 kHz, c = 200 kHz — -105 — dBm 915 MHz, BR = 25 kbps,dev= 50 kHz, f = 100 kHz c — -101 — dBm 915 MHz, BR = 66.7 kbps,
in „Wie genau funktioniert die drahtlose Kommunikation?“ · HF, Funk und Felder ·
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NTE2399.pdf
Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS = VGS, D = 250 A 2.0 − 4.0 V Forward Transconductance gfs VDS = 100V,DI = 1.9A, Note4 2.1 − − mhos Drain−to−Source Leakage Current I V = 1000V, V = 0V − − 100 A DSS DS GS VDS = 800V, GS= 0V, J = +125 C − − 500 A Gate−to−Source Forward Leakage GSS VGS = −20V − − −100
in „Kühlkörper eines NTE2399 berechnen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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nFET_ZXM61N02FTA.pdf
stated). PARAMETER SYMBOL MIN. TYP.(3) MAX. UNIT CONDITIONS. STATIC Drain-Source Breakdown Voltage V (BR)DSS 20 V ID=250 A, VGS=0V Zero Gate Voltage Drain Current IDSS 1 A VDS=20V, V GS=0V Gate-Body Leakage IGSS 100 nA VGS=± 12V, VDS=0V Gate-Source Threshold Voltage V 0.7 V I =250 A, V = V GS(th) D DS GS
in „Kann diese Schaltung den 74HC132 killen?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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715G6677-P02-001-0020_PSU.pdf
25V 470uF 25V 470uF 25V 3 VR MOSG-C 6 NC/1uF C9301 9 9 4 5 1NF BR C9302 R9305 3 3 Adj GND 9 L9303 C9303 2.2NF 82K 2W 10 3 4 1 3UH NC/1NF 3 7 0 0 2 C9324 2 0 P C9335 79C 7 9 S NC/1uF +12V_A N 5 NC/100P 50V U3 U 3 S + 0 V F6 F 7 0 C9327 9 V 0 R9327 470uF 25V 1 F R9301
in „Frage an die Experten“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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philips_715g6677-p02_psu.pdf
25V 470uF 25V 470uF 25V 3 VR MOSG-C 6 NC/1uF C9301 9 9 4 5 1NF BR C9302 R9305 3 3 Adj GND 9 L9303 C9303 2.2NF 82K 2W 10 3 4 1 3UH NC/1NF 3 7 0 0 2 C9324 2 0 P C9335 79C 7 9 S NC/1uF +12V_A N 5 NC/100P 50V U3 U 3 S + 0 V F6 F 7 0 C9327 9 V 0 R9327 470uF 25V 1 F R9301
in „TV Netzteil defekt (Philips LCD TV 40 PUK 6400/12 )“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ads5240.pdf
Voltage High, OPT or OUN RLOAD = 100 ± 1% 1375 1500 mV VOH See LVDS Timing Diagram, Page 7 VOL Output Voltage Low, OUP or OUTN RLOAD = 100 ± 1% 900 1025 mV |VOD| Output Differential Voltage,P|OUT -NOUT | RLOAD = 100 ± 1% 300 350 400 mV
in „Pipeline A/D-Wandler ADS5240 Verständnisproblem Analoge Eingangsspannung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Schaltplan eines mehrstufigen Netzteils
Pt1 right/left B ya 9 0.8V~ max. 0.5A~ max. VR 17 0.6A~ max. Cu protecting and shielding foil 18.5V~ BR1 C1000 C1 TD4020SP or L200H K1 bl 16 BX gr 21 0.6A~ max. BR2 C1000 C2 TD4020SP or L200H K2 bl 19 18.5V~ 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
in „WOMA HAMEG HM800X-Test Unit“ · Projekte & Code · · Schaltpläne
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Datei
model_MJE2955_MJE3055.txt
.MODEL MJE2955 PNP(Is=66.19f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=100 Bf=137.6 Ise=862.2f + Ne=1.481 Ikf=1.642 Nk=.5695 Xtb=2 Br=5.88 Isc=273.5f Nc=1.24 + Ikr=3.555 Rc=79.39m Cjc=870.4p Mjc=.6481 Vjc=.75 Fc=.5 + Cje=390.1p Mje=.4343 Vje=.75 Tr=235.4n Tf=23.21n Itf=71.33
in „LTSpice Simulation.Parameter?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Mosfet_PHT8N06_Nkanal.pdf
V; - 0.05 10 A T = 150˚C - - 100 A j IGSS Gate source leakage current V GS= ±5 V - 0.02 1 A Tj= 150˚C - - 5 A ±V (BR)GSS Gate source breakdown voltage I = G1 mA 10 - - V R DS(ON) Drain-source on-state V GS= 5 V; D = 5 A - 65 80 m resistance
in „FET Konfektionierung okay?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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slas242e.pdf
PW 28 50 Green (RoHS & CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM no Sb/Br) THS1031CPWR ACTIVE TSSOP PW 28 2000 Green (RoHS & CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM no Sb/Br) THS1031CPWRG4 ACTIVE TSSOP PW 28 2000 Green (RoHS & CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM no Sb/Br) THS1031IDW ACTIVE SOIC DW 28 20 Green (RoHS & CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM no Sb/Br) THS1031IDWG4 ACTIVE SOIC DW 28 20 Green (RoHS & CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM no Sb/Br) THS1031IPW ACTIVE TSSOP PW 28 50 Green (RoHS & CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM no Sb/Br) THS1031IPWG4 ACTIVE TSSOP
in „Signal für ADC anpassen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Infineon-IPP_B_I70P04P4_09-DS-v01_03-en.pdf
0 10 0.5 10 µs 100 100 µs ] 0.1 ] 1 ms / [ K 0.05 D [ 10-1 - h t Z 0.01 10 10 -2 single pulse 1 -3 10 0.1 1 10 100 10-6 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 100 -V DS[V] tp[s] Rev. 1.3 page 4 2011-02-14 IPB70P04P4-09 IPI70P04P4-09
in „MOSFET als Lastschalter“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ri-th1-cb1a-00.pdf
(user programmable) 2k bits organized in 64 x 32-bit blocks Typical programming cycles (at +25°C) 100,000 Data retention time (at +55°C) > 10 years Simultaneous Identification of Tags Up to 50 tags per second (reader/antenna dependent) Dimensions 85.6 mm x 54 mm x 0.76mm (according ISO 7810) Weight
in „[V] Verkaufe PROFI RF-ID Transponder Lesegerät mit 20x Blanko ID-Karte“ · Markt ·
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Infineon-IPP_B_I80N04S4_04-DS-v01_00-en-1518478.pdf
100 10 µs ] W 0.1 ] 100 µs K [ [ 10-1 ID J 0.05 1 ms t Z 0.01 10 10-2 single pulse -3 1 10 0.1 1 10 100 10-6 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 100 VDS [V] tp[s] Rev. 1.0 page 4 2010-04-06 IPB80N04S4-04 IPI80N04S4
in „Hilfe bei Halbbrückenschaltung benötigt“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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BSS139.pdf
transient thermal impedance ID=f(V DS); TA=25 °C; D=0 Z thJAf(tp) parameter: t parameter: D=t /T p p 100 103 limited by on-state resistance 10 µs 100 µs 1 ms 10-1 0.5 2 10 ms 10 ] 0.2 ] / A -2 K 0.1 [ 10 [A ID h t 0.05 Z DC 101 0.02 single pulse 0.01 -3 10 10-4 100 100 101 102 103 10-4 10-3 10-2 10-1 100
in „High-Side-Strom auf Low-Side spiegeln (Stromspiegel?!)“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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1.5KE400CA.pdf
Duty Cycle = 4 pulses per minute maximum) Forward Voltage F I = 50A 300µs Square Wave Pulse, VBR£ 100V 3.5 Unidirectional Only V BR> 100V VF 5.0 V Operating and Storage Temperature Range Tj,STG -55 to +175 °C Notes: 1. Suffix ‘C’ denotes bi-directional device. 2. For bi-directional devices Raving V
in „Ersatztypen für Diode“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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2N3819.pdf
Siliconix TYPICAL CHARACTERISTICS (T = 25_C UNLESS OTHERAISE NOTED) Input Admittance Forward Admittance 100 100 TA= 25_C TA= 25_C V DS= 15 V VDS = 15 V V GS= 0 V VGS = 0 V Common Source Common Source bis 10 10 gis gfs ) ) S S ( ( –bis 1 1 0.1 0.1 100 200 500 1000 100 200 500 1000 f – Frequency (MHz) f – Frequency
in „2N3819 Rdson Frage DB“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Ausschnitt aus einem Datenblatt eines MOSFETs
Rectifier Static @ TJ = 25°C (unless otherwise specified) Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 30 — — V VGS = 0V, ID = 250µA ΔV(BR)DSS/ΔTJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient — 0.028 — V/°C Reference to 25°C, ID = 1mA RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance
in „Step-Down-Spannungsregler stört ESP8266 oder MOSFET?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik · · Screenshots
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opa847.pdf
d –80 Figure n +5V 2kΩ t –85 100Ω 1.7pF INN t 0.001µF 20Ω 100pF i –90 OPA847 i 2nd-Harmonic o –95 r 3rd-Harmonic –5V 24.6dB Gain a –100 H –105 Ultra-High Dynamic Range Differential ADC Driver –110 10 20 30 40 50 Frequency (MHz) Please
in „ADC für OPA847“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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P-FET.pdf
otherwise stated) PARAMETER SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS STATIC Drain-Source Breakdown Voltage V (BR)DSS -30 V ID=-250µA, VGS =0V Zero Gate Voltage Drain Current I -1 µA V =-30V, V =0V DSS DS GS Gate-Body Leakage IGSS ⫾100 nA V GS=⫾20V, V DS=0V Gate-Source Threshold Voltage V GS(th) -1.0 V ID=-250µA
in „Review: Spannungsversorgung 3V->5V + Ein/Ausschalter“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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VCNT2020.pdf
PARAMETER TEST CONDITION SYMBOL VALUE UNIT INPUT (EMITTER) Reverse voltage V R 5 V Forward current I 100 mA F Forward surge current p ≤ 100 μs FSM 500 mA OUTPUT (DETECTOR) Collector emitter breakdown voltage V(BR)CEO 20 V Emitter collector voltage V ECO 7 V Collector current C 20 mA SENSOR Total power
in „Binärcode aus leitender Tinte von Papierkarte lesen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Ansteuer-IS_UC1698__Vers._1.21_fuer_DEM_240160AFGH-PW___240x160.pdf
production testing. Do NOT use. (26) ETLCD B IASRATIO Action C/D W/R D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 Set Bias Ratio BR [1:0] 0 0 1 1 1 0 1 0 BR1 BR0 Bias ratio definition: 00b =5 01b = 10 10b = 11 11b = 12 (27) STCOM E ND Action C/D W/R D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 Set CEN 0 0 1 1 1 1 0 0 0 1 (Double-byte command) 0 0 - CEN
in „LCD DEM240160 mit UC1698 wie Bildspeicher auslesen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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msp430fr5729.pdf
frequency External: UCLK SYSTEM MHz Duty cycle = 50% ±10% SCL SCL clock frequency 2 V, 3 V 0 400 kHz f = 100 kHz 4.0 HD,STA Hold time (repeated) START SCL 2 V, 3 V µs SCL > 100 kHz 0.6 SCL = 100 kHz 4.7 SU,STA Setup time for a repeated START 2 V, 3 V µs SCL > 100 kHz 0.6 t Data hold time 2 V, 3 V 0 ns HD,DAT
in „Implementierung eines ADT7301 an einem MSP430FR5729“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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simple_server.c
devices: static u8 mymac[6] = { 0x54, 0x55, 0x58, 0x10, 0x00, 0x24 }; static u8 myip[4] = { 192, 168, 2, 100 }; u8 st[10] = { 0,2,4,6 }; // base url (you can put a DNS name instead of an IP addr. if you have // a DNS server (baseurl must end in "/"): static char baseurl[] = "http://192.168.2.100/"; static
in „Webpage Webserver“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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mmc_stm32f1.c
/*------------------------------------------------------------------------*/ /* STM32F100: MMCv3/SDv1/SDv2 (SPI mode) control module */ /*------------------------------------------------------------------------*/ /* / Copyright (C) 2014, ChaN, all right reserved. / / * This software is a
in „STM32Fxxx: Frage zur Initialisierung mit der StdPeriphLib“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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FARBSENSOR_TCS_230.pdf
F.S. (Note 11) % % % % 〉 0.5 〉 0.5 〉 0.5 〉 0.5 O = 0 to 500 kHz % % % % % F.S. Recovery from power 100 100 100 100 s down Response time to out- 100 100 100 100 ns put enable (OE) NOTES: 3. Optical measurements are made using small-angle incident radiation from a light-emitting diode (LED) optical source
in „Farbsensor TCS 230“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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msp430f5529.pdf
Duty cycle = 50% ±10% SCL SCL clock frequency 2.2 V, 3 V 0 400 kHz t Hold time (repeated) START fSCL≤ 100 kHz 2.2 V, 3 V 4.0 µs HD,STA f > 100 kHz 0.6 SCL fSCL≤ 100 kHz 4.7 SU,STA Setup time for a repeated START 2.2 V, 3 V µs fSCL> 100 kHz 0.6 HD,DAT Data hold time 2.2 V, 3 V 0 ns t Data setup time 2.2 V, 3 V 250 ns SU,DAT fSCL≤ 100 kHz 4.0 SU,STO Setup time for STOP 2.2 V, 3 V µs fSCL> 100 kHz 0.6 2.2 V 50 600 SP Pulse duration of spikes suppressed by input filter 3 V 50 600 ns HD,STA tSU,STA tHD,STA BUF SDA tLOW HIGH tSP SCL
in „Tastatur komplett selbst erstellen“ · PC Hard- und Software ·
