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Schaltplan_Wecker.pdf
9 8 7 6 5 4 G 1 2 1 2 1 2 1 2 9 2 8 2 7 1 6 1 5 1 4 1 3 1 2 1 1 JP4 VCC D J1 D S D 1 Display Q2 2 BS170 6 7 Buzzer 2 2 7,2V 1 2 3 4
in „LCD Backlight bringt LCD/uC zum Abstutz“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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WC_MiniDev_Shield_v6.pdf
GPIO2 C4 3 A9 GPIO13 GPIO15 GPIO15 WS2812 4 GDN VCC GND R10 100nF LM358N VCC B0 Q1 4 6 +3V3 2 k 82 BS170 R8 7 DCF77 1 0 0 a R 1 R 1 4 n LED1 680 5 4 12 T t DCF IC2B T DD B O R8, LED1 und IC2 nur erforderlich, GND B 2 wenn DCF verwendet wird D GND GND GND GND AMS1117 3 1-2 > RUN 3 V A A V 3 2-3 > PROG
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entblitz.txt
10 4 x 881 408 887 411 4 10 6 w 928 208 976 208 0 r 928 208 928 272 0 3300 x 655 471 693 474 4 12 BS170 w 752 208 816 208 0 w 752 272 816 272 0 c 816 208 816 272 0 0.000001 0.6903215623741232 0.001 187 224 272 224 320 0 0.1 100000000 710 0.00001 w 224 272 288 272 0 w 224 320 224 608 0 w 224 640 160 640
in „Nulldurchgangsschalter als "Euro-Zwischenstecker"?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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LNG_BG_v2.11.pdf
0R82/5W 2 pS 1 1 R90 B D6 R3 SpicSpiceOrder 1 OFF VSS 1 J3 2 1N4148 220 S S OUT- V Q90 2 1 1 V+ 2 BS170 +12V 1 J4 LM317 + 1 2 6 6 X X IN OUT 1 k k 9 + - ADJ 9 0 7 R e e R 1 4 s s C12 IC4 +C10 IC91 e e 220 C16 7 3 1k5 LED Standby S S 100n 1µ 100n DISCH OUT X7-1 R51 R94 X7-2 V V 5 k 6 TRSH V 1 LED Temp
in „Labornetzgerät - Fragen zum Schaltplan“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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LNG_BG_v2.11__1_.pdf
0R82/5W 2 pS 1 1 R90 B D6 R3 SpicSpiceOrder 1 OFF VSS 1 J3 2 1N4148 220 S S OUT- V Q90 2 1 1 V+ 2 BS170 +12V 1 J4 LM317 + 1 2 6 6 X X IN OUT 1 k k 9 + - ADJ 9 0 7 R e e R 1 4 s s C12 IC4 +C10 IC91 e e 220 C16 7 3 1k5 LED Standby S S 100n 1µ 100n DISCH OUT X7-1 R51 R94 X7-2 V V 5 k 6 TRSH V 1 LED Temp
in „"Labor"-Netzteil mit Tracking Preregulator“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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1998_02_08_weidezauntester.pdf
Halbleiter geachtet werden. Die Impulslänge wird durch die Zeit- Die LEDs sollten einen Abstand von BS170......................................... T1 konstante C3/R39 bestimmt und beträgt 19 mm zur Platine aufweisen ( gemessen BA159 ................................. D1-D4 etwa 300 ms. Der Ausgang von IC
in „Weidezauntester“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MELEXIS_Sensor-IC-MLX90316KDC_EN.pdf
Ω) R4 (Ω) R5 (Ω) Type (V) (V) (V) 5V μCtrl w/o O.D. w/o 3.3V 5V 5V 5V 100 1000 20,000 1000 20,000 BS170 5V μCtrl w/o O.D. w/ 3.3V 5V 3.3V 5V 150 1000 N/A 1000 20,000 BS170 (30) 3.3V μCtrl w/o O.D. 3.3V 3.3V 5V 150 1000 N/A N/A N/A BS170 5V μCtrl w/ O.D. w/o 3.3V) 5V 5V 5V 100 1000 20,000 1000 20,000
in „MLX90316 mit Atmega8 über SPI“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Transistortester092k.pdf
26637, 1424mV NPN, B=28227, 1423mV BC516 PNP, B=795, 1433mV PNP, B=21410, 1430mV PNP, B=39664, 1413mV BS170 N-E-MOS,D,2217mV,0pF N-E-MOS,D,2628mV, 68pF N-E-MOS,D,2576mV, 66pF N-JFET N-JFET N-JFET J310 BRY55/200 Thyristor Thyristor Thyristor IRFU120N N-E-MOS,D,3314mV,1.07n N-E-MOS,D,4170mV, 913pF N-E-MOS,
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Chip_222_-_alternative_555.pdf
Shustov http://www.iaras.org/iaras/journals/ijce comparator (Fig.32) is made on a transistor VT1 BS170. The upper limit of the window switching is smoothly regulated by the R2 potentiometer. The width of the switching window is set by the potentiometer R4.The device operates at a frequency of 1 kHz,
in „Chip 222 - alternative 555“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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65013-8_LP_Lernpaket_Experimente_mit_USB.pdf
_0204/7 R4 10K R-EU_0204/7 R5 10K R-EU_0204/7 S1 20Pin, DIL20 gedrehter Sockel T1 BC557 A TO92 T2 BS170 TO USB 2X05 181 Sachverzeichnis A FT_Close 41, 48 A/D-Wandler 99 FT_ClrDtr 50 Ampelschaltung 63 FT_ClrRts 53 FTD2XX.DLL 39 B FTD2XX.SYS 39 binär 18 FT_GetBitMode 93 Binärzähler 120 FT_GetModemStatus
in „Buderus EMS-"Gateway" mit PIC18F / Sammelbestellung“ · Haus & Smart Home ·
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Transistortester093k.pdf
, 1438mV PNP, B=10770, 1431mV N-E-MOS,D,2634mV,67pF N-E-MOS,D,2591mV, 71pF N-E-MOS,D,2582mV, 68pF BS170 J310 N-JFET N-JFET N-JFET BRY55/200 Thyristor Thyristor Thyristor IRFU120N N-E-MOS,D,4185mV, 912pF N-E-MOS,D,4195mV, 918pF N-E-MOS,D,4185mV, 925pF IRFU9024 P-E-MOS, D,1153mV, 959pF P-E-MOS, D,1157mV
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Transistortester094k.pdf
, 1420mV PNP, B=65535, 1417mV N-E-MOS,D,2616mV,66pF N-E-MOS,D,2562mV, 67pF N-E-MOS,D,2564mV, 68pF BS170 J310 N-JFET N-JFET N-JFET BRY55/200 Thyristor Thyristor Thyristor IRFU120N N-E-MOS,D,4151mV, 922pF N-E-MOS,D,4156mV,894pF N-E-MOS,D,4153mV, 933pF IRFU9024 P-E-MOS, D,3525mV, 960pF P-E-MOS, D,3525mV
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Values.txt
D 2 CY7C68013A-56PVXC 2 CR2450V 2 CQ1-12V 2 CODOERSCHALTERSMD 2 CERA-DIODE 2 C 2 BUZ272 2 BUZ11 2 BS170 2 BRUECKE 2 BL02RN2 2 BFS20 2 BF245 2 BC847BSMD 2 BC847B 2 BC817 2 BC558B 2 BC 557B 2 BC 547B 2 BA243A 2 B40S 2 AXBA 2 AVR-ISP-10 2 ATMEGA8 2 AT90S8535J-S 2 AT90S4433P 2 AT90CAN128 2 AT8C51SND1A-PLCC84
in „[KiCad] Bibliotheksaufbau - Konzeptideen gesucht“ · Platinen ·
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Devices.txt
CAP01 2 C5B5 2 C5/7.2 2 C2,5@3 2 C1111 2 C 2 BZX85 2 BUZ172 2 BUZ11BV 2 BUZ11BH 2 BUZ11 2 BULCD 2 BS170 2 BRUECKE 2 BFS20 2 BC817 2 BC558B 2 BC368-NPN-TO92-ECB 2 BC327-16-PNP-TO92-EBC 2 BAT42 2 BA243A 2 AXBA 2 AVR-ISP-10 2 AT90S8535J-S 2 AT90CAN128 2 AT24C 2 AK300/4 2 ADXL322JCP-HS 2 ADUM1301 2 AA_BATTERIE
in „[KiCad] Bibliotheksaufbau - Konzeptideen gesucht“ · Platinen ·
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TransistorTester_eng_094k.pdf
, 1420mV PNP, B=65535, 1417mV N-E-MOS,D,2616mV,66pF N-E-MOS,D,2562mV, 67pF N-E-MOS,D,2564mV, 68pF BS170 J310 N-JFET N-JFET N-JFET BRY55/200 Thyristor Thyristor Thyristor IRFU120N N-E-MOS,D,4151mV, 922pF N-E-MOS,D,4156mV,894pF N-E-MOS,D,4153mV, 933pF IRFU9024 P-E-MOS, D,3525mV, 960pF P-E-MOS, D,3525mV
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TransistorTester_eng_095k.pdf
, 1420mV PNP, B=65535, 1417mV N-E-MOS,D,2616mV,66pF N-E-MOS,D,2562mV, 67pF N-E-MOS,D,2564mV, 68pF BS170 J310 N-JFET N-JFET N-JFET BRY55/200 Thyristor Thyristor Thyristor IRFU120N N-E-MOS,D,4151mV, 922pF N-E-MOS,D,4156mV,894pF N-E-MOS,D,4153mV, 933pF IRFU9024 P-E-MOS, D,3525mV, 960pF P-E-MOS, D,3525mV
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Transistortester097k.pdf
8MHz Type Signatur 1E9307 Signatur 1E9406 Signatur 1E9406 WITH AUTO REF WITH AUTO REF AUTOSCALE ADC BS170 N-E-MOS,D, 2616mV N-E-MOS,D, 2562mV N-E-MOS,D, 2564mV 66pF 67pF 68pF J310 N-JFET N-JFET N-JFET IRFU120N N-E-MOS,D, 4151mV N-E-MOS,D, 4156mV N-E-MOS,D, 4153mV 922pF 894pF 933pF IRFU9024 P-E-MOS,D, 3525mV
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ADNS-3080-Avago.pdf
Internal Lens HLMP-ED80 10 16 GND Image Vcc Vpp Sensor 187Ω 19 SURFACE 1/8 W D + 16 D + GND 15 21 3 BS170 D - D - P0.7* SCLK 5 1.3 KΩ LED_CTRL GND 11 Vreg P0.6 22 2 MISO 8 17 3 P1.7 P0.5* 23 4 S 13 18 C MOSI D REFC Vcc SHLD P1.5 S - P0.4* 24 1 A + 2.2 E 3 NCS uF 3 P 7 3 10 KΩ 6 REFB 14 Vcc C C P0.2 RESET
in „ADNS3080 Steuerung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Schematics.pdf
GND X2-1 +5VDIGITAL E + C1 C2 10µ C3 Fan 100µ 100n 100n 1 0 5 k R7 1 9 R 4 R 1 R 3 X2-2 330k T10 A BS170 V-REF R 0 S R4 5 IC2B GND GND GND 5 R8 E 22k 7 6 18k 5 Tag Name Dr. Mario Hellmich 1 2 3 Temp Fuse LT1490 2 H H H Trip Point C22 5 Bearb. Salzgitter C8 k V + 3 3 R3 R 1 D 1 10µ T I L Gepr. Benennung
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Bidirektionale_RS232_Funkbr_cke_mit_RFM12_2.pdf
Vergessenheit geraten. Wigbert Autor: Dirk Schlage (Gast) Datum: 31.05.2008 15:13 Hallo, könnte man den BS170 (invertieren der Interruptanforderung vom RFM12 aus) auch weglassen und statt dessen den Interrupt von pegelgetriggert auf flankengetriggert umschalten, oder müsste man dafür die ganze Software überarbeiten
in „bidirektionale RS232 Funkbrücke mit RFM12“ · Projekte & Code ·
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LTC2945.pdf
VIN V INTVCC 48V C1 DD C2 1/2 ACPL-064L* 3.3V 1μF 1μF R5 2k VCC LTC2945-1 M1 SDAO GND R6 R7 V DD BS170 2k 2k V CC μP SDAI ISO_SDA SDA GND GND GND 1/2 ACPL-064L* 2945 F13 * CMOS OUTPUT Figure 13. Opto-Isolation of a 10kHz I C Interface Between LTC2945 and Microcontroller (SCL Omitted for Clarity) GND
in „U/I/P Metrer für Netzteile“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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2945f.pdf
VIN V INTVCC 48V C1 DD C2 1/2 ACPL-064L* 3.3V 1μF 1μF R5 2k VCC LTC2945-1 M1 SDAO GND R6 R7 V DD BS170 2k 2k V CC μP SDAI ISO_SDA SDA GND GND GND 1/2 ACPL-064L* 2945 F13 * CMOS OUTPUT Figure 13. Opto-Isolation of a 10kHz I C Interface Between LTC2945 and Microcontroller (SCL Omitted for Clarity) GND
in „I2C mit Bascom Fehlersuche bei LTC2945“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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TTester_096k.pdf
Type signature 1E9307 signature 1E9307 signature 1E9406 WITH AUTO REF WITH AUTO REF AUTOSCALE ADC BS170 N-E-MOS,D, 2616mV N-E-MOS,D, 2562mV N-E-MOS,D, 2564mV 66pF 67pF 68pF J310 N-JFET N-JFET N-JFET IRFU120N N-E-MOS,D, 4151mV N-E-MOS,D, 4156mV N-E-MOS,D, 4153mV 922pF 894pF 933pF IRFU9024 P-E-MOS,D, 3525mV
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TTester_096k.pdf
Type signature 1E9307 signature 1E9406 signature 1E9406 WITH AUTO REF WITH AUTO REF AUTOSCALE ADC BS170 N-E-MOS,D, 2616mV N-E-MOS,D, 2562mV N-E-MOS,D, 2564mV 66pF 67pF 68pF J310 N-JFET N-JFET N-JFET IRFU120N N-E-MOS,D, 4151mV N-E-MOS,D, 4156mV N-E-MOS,D, 4153mV 922pF 894pF 933pF IRFU9024 P-E-MOS,D, 3525mV
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catalog.pdf
Desc]: Mosfet, Power; N-ch; Vdss 200V; Rds(on) 0.35 Ohm; Id 9A; TO-220; Pd 75W; Vgs +/-20V; Gfs MPN: BS170F [ID]: 000192 [Price]: 0.4 USD [QTY]: 5 [Category]: MOSFETs [Desc]: Trans MOSFET N-CH 60V 0.00015A Automotive 3-Pin SOT-23 MPN: FDS6672A [ID]: 000193 [Price]: 1.52 USD [QTY]: 60 [Category]: MOSFETs
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catalog.pdf
Desc]: Mosfet, Power; N-ch; Vdss 200V; Rds(on) 0.35 Ohm; Id 9A; TO-220; Pd 75W; Vgs +/-20V; Gfs MPN: BS170F [ID]: 000192 [Price]: 0.4 USD [QTY]: 5 [Category]: MOSFETs [Desc]: Trans MOSFET N-CH 60V 0.00015A Automotive 3-Pin SOT-23 MPN: FDS6672A [ID]: 000193 [Price]: 1.52 USD [QTY]: 60 [Category]: MOSFETs
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catalog-3.pdf
Desc]: Mosfet, Power; N-ch; Vdss 200V; Rds(on) 0.35 Ohm; Id 9A; TO-220; Pd 75W; Vgs +/-20V; Gfs MPN: BS170F [ID]: 000192 [Price]: 0.5512 USD [QTY]: 5 [Category]: MOSFETs [Desc]: Trans MOSFET N-CH 60V 0.00015A Automotive 3-Pin SOT-23 MPN: FDS6672A [ID]: 000193 [Price]: 2.0946 USD [QTY]: 60 [Category]: MOSFETs
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ttester.pdf
1.5V 147pF 139pF 140pF IRF530N N-E-MOS,D, 3.6V N-E-MOS,D, 3.6V N-E-MOS,D, 3.6V 1.55nF 1.54nF 1.56nF BS170 N-E-MOS,D, 2.6V N-E-MOS,D, 2.6V N-E-MOS,D, 2.6V 78pF 68pF 70pF IRL3803 N-E-MOS,D, 2.3V N-E-MOS,D, 2.3V N-E-MOS,D, 2.3V 9.81nF 9.71nF 9.80nF IRFU120N N-E-MOS,D, 4.2V N-E-MOS,D, 4.2V N-E-MOS,D, 4.2V
in „Sammelbestellung Transistortester III - schnelle Runde“ · Markt ·
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ttester_ger109k.pdf
1.5V 147pF 139pF 140pF IRF530N N-E-MOS,D, 3.6V N-E-MOS,D, 3.6V N-E-MOS,D, 3.6V 1.55nF 1.54nF 1.56nF BS170 N-E-MOS,D, 2.6V N-E-MOS,D, 2.6V N-E-MOS,D, 2.6V 78pF 68pF 70pF IRL3803 N-E-MOS,D, 2.3V N-E-MOS,D, 2.3V N-E-MOS,D, 2.3V 9.81nF 9.71nF 9.80nF IRFU120N N-E-MOS,D, 4.2V N-E-MOS,D, 4.2V N-E-MOS,D, 4.2V
in „Sammelbestellung Transistortester III - schnelle Runde“ · Markt ·
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PSpice_LibraryguideOrCAD.pdf
ZETEX.OLB Zetex, Inc. Bipolar Transistor BFS18 BFS18/PLP PHIL_BJT.OLB Philips Bipolar Transistor BS170 BS170/SIE SIEMPWR.OLB Siemens Bipolar Transistor BS170 BS170/ZTX ZETEX.OLB Zetex, Inc. Bipolar Transistor BSP125 BSP125/SIE SIEMPWR.OLB Siemens Bipolar Transistor BSP149 BSP149/SIE SIEMPWR.OLB Siemens
in „pSpice - Bauteil hinzufügen.“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ttester_eng104k.pdf
1.5V 142pF 146pF 141pF IRF530N N-E-MOS,D, 3.6V N-E-MOS,D, 3.6V N-E-MOS,D, 3.6V 1.55nF 1.56nF 1.55nF BS170 N-E-MOS,D, 2.6V N-E-MOS,D, 2.6V N-E-MOS,D, 2.6V 71pF 73pF 70pF IRL3803 N-E-MOS,D, 2.3V N-E-MOS,D, 2.3V N-E-MOS,D, 2.3V 9.82nF 9.82nF 9.79nF IRFU120N N-E-MOS,D, 4.2V N-E-MOS,D, 4.2V N-E-MOS,D, 4.2V
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Transistoren_cht.pdf
2SK3128 A Toshiba 2SK3176 200 0.052 30 TO-3P(N) 2SK3176 A Toshiba BS107 200 26 0.13 TO-92 Siemens BS170 60 5 0.5 0.83 TO-92 Fairchild BS170 60 5 0.3 TO-92 Siemens BS270 60 2 0.4 0.625 TO-92 Fairchild BSO307N 30 0.075 4.2 SOP-8(Single) TPC8004 A Siemens BSO615N 60 0.15 2.6 SOP-8(Single) Siemens BSO615NV
in „Frage Mosfet“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Power_MOSET_Cross_reference.pdf
2SK3128 A Toshiba 2SK3176 200 0.052 30 TO-3P(N) 2SK3176 A Toshiba BS107 200 26 0.13 TO-92 Siemens BS170 60 5 0.5 0.83 TO-92 Fairchild BS170 60 5 0.3 TO-92 Siemens BS270 60 2 0.4 0.625 TO-92 Fairchild BSO307N 30 0.075 4.2 SOP-8(Single) TPC8004 A Siemens BSO615N 60 0.15 2.6 SOP-8(Single) Siemens BSO615NV
in „Schaltregler Fragen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ttester.pdf
147pF D, 1.5V,141pF D, 1.5V, 140pF IRF530N N-E-MOS D, 3.6V, 1.55nF D, 3.6V, 1.54nF D, 3.6V, 1.54nF BS170 N-E-MOS D, 2.6V, 78pF D, 2.6V, 68pF D, 2.6V, 68pF IRL3803 N-E-MOS D, 2.3V, 9.81nF D, 2.3V, 9.71nF D, 2.3V, 9.74nF IRFU120N N-E-MOS D, 4.2V, 909pF D, 4.2V, 913pF D, 4.2V, 911pF BUZ71A N-E-MOS D, 3.2V
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ttester.pdf
147pF D, 1.5V,141pF D, 1.5V, 140pF IRF530N N-E-MOS D, 3.6V, 1.55nF D, 3.6V, 1.54nF D, 3.6V, 1.54nF BS170 N-E-MOS D, 2.6V, 78pF D, 2.6V, 68pF D, 2.6V, 68pF IRL3803 N-E-MOS D, 2.3V, 9.81nF D, 2.3V, 9.71nF D, 2.3V, 9.74nF IRFU120N N-E-MOS D, 4.2V, 909pF D, 4.2V, 913pF D, 4.2V, 911pF BUZ71A N-E-MOS D, 3.2V
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ttester.pdf
147pF D, 1.5V,141pF D, 1.5V, 140pF IRF530N N-E-MOS D, 3.6V, 1.55nF D, 3.6V, 1.54nF D, 3.6V, 1.54nF BS170 N-E-MOS D, 2.6V, 78pF D, 2.6V, 68pF D, 2.6V, 68pF IRL3803 N-E-MOS D, 2.3V, 9.81nF D, 2.3V, 9.71nF D, 2.3V, 9.74nF IRFU120N N-E-MOS D, 4.2V, 909pF D, 4.2V, 913pF D, 4.2V, 911pF BUZ71A N-E-MOS D, 3.2V
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All.txt
BUZ11H IRF9530 TO220BV P-CHANNEL HEXFET POWER-MOS-FET 1 Q2 BSS138 BSS123 SOT23 N-CHANNEL MOS FET 1 Q2 BS170 BS170 SOT54E N-CHANNEL MOS FET 1 Q2 BD140 BD140 TO126AV PNP TRANSISTOR 1 Q2 BD139 BD139 TO126AV NPN TRANSISTOR 1 Q2 BCY58-IX BCY58-IX TO18 NPN Transistor 1 Q2 BC850SMD BC850SMD SOT23-BEC NPN Transistor
in „[KiCad] Bibliotheksaufbau - Konzeptideen gesucht“ · Platinen ·
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311_Schaltungen.pdf
Schaltung teile aus. Ein PWM-Schaltregler TL494, sind die Primär- und Sekundärseite mitei- zwei MOS-FETs BS170, ein handelsübli- nander vertauscht. An den 4-V-Wicklun- cher 230-V-Kleintrafo sowie eine Span- gen liegt ungefähr die zweifache Nenn- 60 Personal Download for Hans-Jürgen Heidenreich | copyright
in „[S] Sammlung von elektr. Schaltungen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Transistor_Database.pdf
175MHz BLY94 SI-N 65V 6A 50W 175MHz BS107 N-FET 200V 0.13A 0.8W 26R BS108 N-FET 200V 0.23A 0.8W 8E BS170 N-FET 60V 0.3A 0.8W 5R BS208 P-FET 200V 0.2A 0.8W BS250 P-FET 45V 0.18A 0.83W BSN254A N-FET 250V 0.3A 1W <7E BSN274 N-FET 270V 0.25A 1W <8E BSN304 N-FET 300V 0.25A 1W <8E BSR14 SI-N 75V 0.8A <35/285ns
in „Bauteilebeschaffung !!“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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175MHz BLY94 SI-N 65V 6A 50W 175MHz BS107 N-FET 200V 0.13A 0.8W 26R BS108 N-FET 200V 0.23A 0.8W 8E BS170 N-FET 60V 0.3A 0.8W 5R BS208 P-FET 200V 0.2A 0.8W BS250 P-FET 45V 0.18A 0.83W BSN254A N-FET 250V 0.3A 1W <7E BSN274 N-FET 270V 0.25A 1W <8E BSN304 N-FET 300V 0.25A 1W <8E BSR14 SI-N 75V 0.8A <35/285ns
in „Transistor-Datenbank“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ttester.pdf
147pF D, 1.5V,141pF D, 1.5V, 140pF IRF530N N-E-MOS D, 3.6V, 1.55nF D, 3.6V, 1.54nF D, 3.6V, 1.54nF BS170 N-E-MOS D, 2.6V, 78pF D, 2.6V, 68pF D, 2.6V, 68pF IRL3803 N-E-MOS D, 2.3V, 9.81nF D, 2.3V, 9.71nF D, 2.3V, 9.74nF IRFU120N N-E-MOS D, 4.2V, 909pF D, 4.2V, 913pF D, 4.2V, 911pF BUZ71A N-E-MOS D, 3.2V
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Bestandsliste_mit_Preisen1.pdf
Leistungs-MOS-FET 3 Stk 0,52 € 1,57 € IRFZ34N Transistor N-Kanal MOS-FET 26A 60V 68W 14 Stk 0,53 € 7,35 € BS170 Transistor N-Kanal MOS-FET 60V 5R 0.4W 18 Stk 0,09 € 1,67 € BUX48 Transistor NPN 400V 10A TO3 10 Stk 1,16 € 11,58 € BUX47 Transistor NPN 400V 5A TO3 9 Stk 0,82 € 7,40 € BUT76A Transistor NPN 450V 5A
in „Auflösung Elektronik Shop“ · Markt ·
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AVR-ASM-Tutorial_16_05_08_v3.pdf
hängen" (engl. float). R1 verhindert das. Schaltstrom [mA] Steuerspannung [V] Transistortyp 500 Q1=BS170 5-10 200 Q1=BSS138(SMD) 3,3-10 Bei großen zu schaltenden Leistungen kommt daher oft vor dem Schalttransistor/FET ein Treiber zum Einsatz. Grosse MOSFETs brauchen meist 10-15V Gatespannung um voll durchzusteuern
in „AVR-ASM-Tutorial: PDF 16.5.08“ · www.mikrocontroller.net ·
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3 Stk 0,52 € 1,57 € 1980 IRFZ34N Transistor N-Kanal MOS-FET 26A 60V 68W 14Stk 0,53 € 7,35 € 1981 BS170 Transistor N-Kanal MOS-FET 60V 5R 0.4W 18Stk 0,09 € 1,67 € 1982 BUX48 Transistor NPN 400V 10A TO3 10Stk 1,16 € 11,58 € 1983 BUX47 Transistor NPN 400V 5A TO3 9 Stk 0,82 € 7,40 € 1984 BUT76A Transistor
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