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Kaskodenschaltung
die Schutzbeschaltung ist sowieso viel zu langsam. Mit einem Avalance-Transistor auf das Gate des IRF840 einzuprügeln ist schon heftig. Aber wenn man aus einem Transistor, der normal in 20-30 ns schaltet, 2 ns herausholen will, muss man wohl so vorgehen. Auch auf die 10M-Symmetrierwiderstände könnte man verzichten. Auch die IRF840 hatten schon brauchbares Avalanceverhalten. Generell kann man alle Si-MOSFET auch als Zenerdiode betreiben, solange man es mit dem Strom nicht übertreibt. 60 kV bekommt man durchaus noch auf einer
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UC3843 Flyback-Wandler 12V -> 180V
Stromverbrauch (Wirkungsgrad) angeht. Aber die Dimensionierung ist wichtig, ich hab da 10k, 200nF und nen IRF840.
Wirkungsgrad) angeht. > > Aber die Dimensionierung ist wichtig, ich hab da 10k, 200nF und nen > IRF840. Ich habe mir das Thema grad nochmal angesehen - jetzt hab ich glaube ich diesen Snubber erst mal richtig verstanden. Ja mit dem höheren Widerstandswert macht das auch Sinn. Letzendlich muss man
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Welcher MOSFET für KSQ 0,1-10mA bei 200V DC
IRF840
Bei MOSFETs ist die Auswahl nicht so einfach. Ein IRF840 ist übertreiben groß - ein IRF810 sollte locker reichen. Dagegen bekommt man normale Transistoren in dem Leistungsbereich relativ gut, etwa BF459, halt Typen für die Video Endstufe im Fernseher.
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Zündschaltung für Xenon-Blitzröhre /Stroboskop unzuverlässig
soll per Mikrocontroller ausgelöst werden. Schaltplan hab ich aufgezeichnet. Mosfet ist ein IRF840. Der Kondensator ganz links ist ein größerer Elko. Das Problem ist, dass die Blitzauslösung sehr unzuverlässig ist. Es scheint so als wäre der Zündimpuls nicht stark genug. Wenn ich Source und Drain
der dafür spricht dass ein negativer Puls besser ist? Kann jemand was über die Eignung des IRF840 sagen? Flanken des Mosfettreibers sollten ja steil genug sein...(Werd ich auch nochmal messen) Da das Stichwort Blitz-IGBT gefallen ist hab ich mal recherchiert. Die haben wohl den Zweck auch die
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MOSFET Verlgeichstyp fqpf9n50c aus Schaltnetzteil
Kategorie wenig Spannung, viel Strom. Beispiel, ich hatte den IRF740 in der Kiste, dann ist mir der IRF840 unter gekommen, er schließt Strom und Spannung des IRF740 ein, aber der Innenwid. ist beispielsweise höher... naja, so hat "jeder" Transistor nat. seinen "Grund" - logischerweise, aber der eine oder
der Primärseite eines SNT ... >Beispiel, ich hatte den IRF740 in der Kiste, dann ist mir der IRF840 >unter gekommen, er schließt Strom und Spannung des IRF740 ein, aber der >Innenwid. ist beispielsweise höher... naja, so hat "jeder" Transistor >nat. seinen "Grund" - logischerweise, aber der
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Emag Emmi 40HC Ultraschallreiniger liefert zu wenig Leistung
ebenfalls ein Emmy 40 aber eine andere Platine drinn als auf deinen Bildern und als Transistoren IRF840.Als Kondensatoren sitzen bei mir 4x4,7nf und 2x3,3uf. Das Emmy ist etwas älter.Bei mir verabschieden sich immer die Transistoren nach etwa 20 Minuten betrieb.
hier ebenfalls mit einem Emmi 40 eco (ca 15 Jahre alt), das nach 1-2 Minuten Betrieb die MosFets (IRF840) durchschiesst. Ich habe schon alle Kondensatoren gewechselt etc. Auf den Aktoren ist ebenfalls "37.9" drauf geschrieben, also kHz. Vermutlich dasselbe Modell wie bei Thomas. Den Zustand der Piezo-Aktoren
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Diskussion zum Artikel "Single Chip Frequenzumrichter" für den 2. MC Wettbewerb
Protokollen bei den gekauften FU's verrenken muss. Ich habe auf der Lastseite einen IR2130 und 6 IRF840 verwendet. Zur Probe habe ich 3 R's in Stern Schaltung mit C's nach "Last-GND" an die Ausgaenge gehaengt und die Schaltung lastseitig mit 12V betrieben. Resultat, es kamen wunderschoene Kurven
. Also doch besser trennen. Ich möchte das Ganze mit 12V statt 18V aufbauen. Als Mosfet habe ich irf840 bestellt. Geht z.B. PC817, 4n35?
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Hochspannungsregler Version 2, Meinungen bitte
Ich habe mir ArnoRs Regler nochmal vorgenommen, den Längstransistor durch einen FET ersetzt (IRF840) und den Strom durch den Differenzverstärker auf ein bisschen mehr als 1,5mA gelegt. Alle anderen Transistoren sind TO-92, was Mouser eben mit Spannungsfestigkeit CE > 400V liefern konnte. hFE ist
aber laut Spice bei starkem Lastwechsel nicht stabil, je nach Mosfet (Auf der Platine ist es ein IRF840) schwingt sie dann los oder es gibt heftige Überschwinger. Ich weiß nicht wie ich das übersehen konnte. Die Version von ArnoR läuft super und lässt sich nicht beeindrucken von C2, der Wert ist ziemlich
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Entwicklung HV-Netzteil, Strom-Messung High-Side?
kompensieren, da der eh einen Tiefpass bildet. Hab mir das gerade noch mal angesehen und mit IRF840 (anstelle IRFPC50) und IRF820 (anstelle der Bipos) simuliert. Der Pol an der Stelle liegt höher als aus dem Bauch heraus gedacht und wohl hoch genug, dass man die Schaltung so korrigieren kann, dass
Georg T. schrieb im Beitrag #4368273: > Den IRFPC50 würde ich gerne > behalten, da der irf840 nur bis 500V geht. Ich fände das TO-247 auch das > bessere Package für die hier vorliegenden Leistungen. Ich hab den IRF840 in der Simu verwendet (3x parallel), um das dynamische Verhalten in etwa
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Schaltplan einer optokopplergesteuerten MOSFET-Schaltung
12VDC_ISO 1 2 3 NC 6 5 4 4N35 sollte mit LS0 Vorwiderstand auch an 5V betrieben werden können Q4 IRF840PBF Q3 IRF840PBF R12 10k GND 0VAC 0VDC_ISO
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Problem mit Mosfet Halbbrückentreiber
deutlich höher als bei der alten Schaltung. Ich werde daher jetzt wieder die alte Schaltung mit dem IRF840 verwenden, der hat ziemlich symmetrische on/off Zeiten.
Peaks führen oder ob es doch noch shoot-through ist. Ich denke ich werde die Schaltung mit den IRF840 einfach mal an 300V ausprobieren, denn den Gatesignalen und den Werten aus dem Datenblatt nach, sollte es kein shoot-through geben. Schlimmstenfalls brennen halt wieder die Mosfets ab...
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Elektronischer Schaltplan mit mehreren Verstärkerstufen
/50V, R24 2200P, R23 1UF/50V, R22 10K, R21 75K, U3A LM324, U4B LM324, LM358, MUR1640, STP55NF06, IRF840, IRF840, AY50
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[V] Transistoren HF Universal Bipolar FET MOSFET
Stück) Power MOSFET 11 Stück IRF9530, n-channel Si,TO220,100V/10A (€ 0,25/Stück) 1 Stück IRF840A, TO220AB, 500V/8A (€ 0,35) 1 Stück IRFI740GBPF, TO220AB, 400V/5,4A (€ 0,40) Bipolare Universaltransistoren, npn/pnp 20 Stück BC141/10, Universal Si,npn,TO39, 60V/1A
--------------------- 11 Stück IRF9530, n-channel Si,TO220,100V/10A (€ 0,25/Stück) 1 Stück IRF840A, TO220AB, 500V/8A (€ 0,35) 1 Stück IRFI740GBPF, TO220AB, 400V/5,4A (€ 0,40) Bei Interesse bitte PN Werner
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Schaltnetzteil, Elko wird warm, Ursachensuchen
Mosfets. Das Mysterium löst sich auf, wenn in der Schaltung ursprünglich "langsame" Typen (Z.B. IRF840) vorgesehen waren, die dann ohne weitere Maßnahmen durch die schnellen Typen von STM ersetzt wurden. Also: Gate-Beinchen ablöten, hochbiegen, Ferritperle drauf, wieder anlöten. Bei bedrahteten Ferritperlen
#5306316: > Das Mysterium löst sich > auf, wenn in der Schaltung ursprünglich "langsame" Typen (Z.B. IRF840) > vorgesehen waren, die dann ohne weitere Maßnahmen durch die schnellen > Typen von STM ersetzt wurden. Hi, Also aller Wahrscheinlichkeit doch der Schaltungsentwickler (und die Folgeserien-Änderungen
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Eigenbau Verstärker - Verbesserungen
Versuchen habe ich in der Endstufe IRFZ46N MOSFET verwendet und diese verglichen ( vom Klang her ) mit IRF840 MOSFET. Die IRFZ klangen auffällig besser. Der Grund dafür, wie sich aus dem Datenblatt ergibt, ist das Verhältnis aus Gatespannung zu Drainstrom. Daher habe ich nach MOSFET gesucht, die viel Strom
/2*(Ugs-Uth)² Allenfalls kann man wegen der großen Steilheit deines Transistors gegenüber dem IRF840 geltend machen, dass nur ein kleinerer Teil der Eingangskennlinie durchlaufen wird.
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suche SMD-Spannungsregler
Und ein IRF840 geht auch nie und nimmer, weil 500V * 8A ja immerhin!!!! 4kW sind und das geht nicht in einem TO220. Jawolll!!!!!!11 Nuhr.
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Fragen zu meinem Platinen Layout
Es ist 330V bis 6,2V alles vorhanden. Keine digitalen Elemente oder Prozessoren. Es ist nur ein IRF840 und zwei LM317 vorhanden. Das grüne Layer ist das obere, dieses wird auch komplett als Masse Layer verwendet. Die roten unten sind die Signalführenden. Wie mache ich das nun am besten? entweder
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36V Motor mit uC schalten
Würde es denn funktionieren wenn ich den Diskreten Treiber 2 nehme und statt den IRF840 einen IRF1405
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Transistor für hohe Frequenz und hohe Leistung gesucht
Z.B IRF840 oder IRF7401, siehe [[Mosfet-Übersicht]].
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low ESR high voltage elko
Hi Arno, Versuche mit einem Step-Up (MC34064 + IRF840) waren bis zu einer gewissen Leistung eigentlich zufriedenstellend. Wahrscheinlich muss man auch mit der Induktivität noch mehr austesten. Welche Schaltung würdest Du verwenden? Gruss
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Speichertrafo ohne dritte Wicklung
nicht nochmal so machen. Der 0,48 Ohm Sense Widerstand ist eigentlich nen Tick zu groß. Der IRF840 hat zwar nen Kühlkörper, wird aber nur mäßig warm. Das was hier als Trafo eingezeichnet ist, ist bei mir ein Ringkern den ich erst mit einer Metallsäge angesägt und dann mit Kupferlackdraht bewickelt
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Ultraschall-Wandler testen
Ultraschallreiniger ist nach 4 Jahren Dienst müde geworden. Die MOSFETs der Endstufe (Halbbrücke aus 2x IRF840) geben den Geist auf und bilden einen Kurzschluss, wodurch die Eingangssicherung durchbrennt. Ich habe einige male die MOSFETs ersetzt, danach funktionierte der Reiniger wieder 5-10 Minuten lang bevor
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Diode gesucht
zu erkennen und 0,1v Durchgang in beide Richtungen. In Kombination mit einem L6384 und 2 Stück IRF840 Weiß jemand einen passenden Ersatz? Vielen Dank
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Frage zu mosfet
fr3709z Rumliegen habe ich aber nurnoch diesen http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/fairchild/IRF840.pdf Kann ich den Verwenden? Wenn nicht, welchen Mosfet der verbeitet ist, also günstig, kann ich verwenden?
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High Voltage Coill Mosfet-Alternative?
IRF840 vielleicht? habe ich bei mir drinne. Hat, aufgrund seiner Fertigungstechnologie, sozusagen eine intergrierte Z-Diode drinn (erster Durchbruch). Du kannst die Spule also direkt anschliessen, solange
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Sperrwandler Fehlfunktion
bringt oder einfach versuchen die Spannungsspitzen mit dem Snubber weg zu bügeln? Habe jetzt den IRF840 mal noch gegen einen IRF3710 ausgetauscht, der bleibt wesentlich kühler.
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(S) Sipmos-Transistor BUZ 25
kleine tests zu diesem Thema gemacht: http://dareal.info/test/ Dabei anfangs von "popligen" IRF840 über div. IRFP-Typen, dann über IXYS-Mosfets sowie derzeit bei ISOTOP-Mosfets angelangt (Tests mit IXYS und ISOTOP nicht mehr auf der Seite dokumentiert). Man sollte sich halt vor Augen halten:
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Gegentaktendstufe für Mosfet
Hallo Community, ich habe mir für eine Ansteuerung eines Mosfets (z.B. IRF840, IRF530, IRF730,...) mit Mikrocontroller (z.B. Atmega8, 16, 32, ...) eine Schaltung (Im Anhang ein Bild der Schaltung )zusammengestellt. Es handelt sich dabei um eine Gegentaktendstufe. Diese soll
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Mosfet-Empfehlung für defekten 12V->230V Wechselrichter
Dann die üblichen Verdächtigen... 15N60 bis 20N60, was man da so bekommt. Ich habe auch schon IRF840 an dieser Stelle gesehen... Gehäuseform ist TO-220. Auf jeden Fall die Gate-Ansteuerung prüfen so gut es geht. Wenn da durch die defekten FETs ein Folgefehler entstanden ist, platzt den Ersatz-FETs
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Totzeit einstellen
(Clamp-Diode !!!) - nur für n-channel MOSFETs (Steuerspannung wird erzeugt !!! (z.B. IRF830, IRF840) - auch die Totzeit ist fest, gerade mal so lang dass nicht beide Fets gleichzeitig schalten und, und ... Aber das musst Du jetzt selber machen, das Ganze war nur ein Hinweis von mir !!
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DC Netzteil: 2 FETs durchgebrannt, passiert das einfach so?
Das Netzteil heißt eigentlich Manson HCS-3100. Die IRF840 sind für das Netzteil knapp, und wenn die durchlegieren, dann kann auch die Ansteuerung Schaden nehmen. Du wirst also schon die entsprechenden Bauteile kontrollieren müssen. Als Ersatz dann ehr
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was für ein Kondensator
Die 2A/T Sicherung war raus, und bei der Fehlersuche habe ich zwei defekte MosFets IRF840 gefunden (DS-Kurzschluss). Diese habe ich ersetzt, aber nach ca 10 Min im Betrieb war wieder Schluss. Schaltplan versuche ich gerade zu zeichnen..., poste ich wenn fertig. Die Schaltung basiert
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Transistor durch MosFet ersetzen
). Kann ich den Transistor einfach durch einen (bzw. zwei parallele) MosFet (ich habe hier z.B. IRF840 liegen) ersetzen?
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Wo gibt es Speichertransformatoren?
schöne PWM zu machen mit einer Frequenz grösser 90 kHz. Zum Schalten des Trafos benutze ich einen IRF840 MOSFET. Eingangsspannung des NT ist 15...150 Volt, Ausgang gerne 48V (das funktioniert). Gruss Tobias
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Auswahl FET-Transistoren
Side n-Channel. Niedriges Rdson ist schön(IRLZ34N), manchmal braucht man aber auch hohes Udsmax (IRF840). TO220 ist schön, manchmal hätte man aber gern was in SMD. Einzeltransistoren sind nicht schlecht, manchmal hätte man aber auch gern 2 Transistoren in einem Package. Das kommt alles drauf
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Vierquadrantensteller in Kombination mit Scheibenwischermotor
Da würde sich jetzt folgende Liste ergeben: IRF 530 (0.44€) BUK100 (1.40€) IRLZ34N (0.42€) IRF840 .. Quasi unendlich viele. :) Gibts noch ein weiteres Kriterium auf das ich bei einer Ansteuerung per PWM achten muss, oder kann ich getrost einen von den genannten Transistoren benutzen? Danke
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Gyrator zum entkoppeln
altmodischen Bipolar-Transistor, spart viel Strom. Am FET fällt mindestens Ugs(th) (= 2…4V beim IRF840) ab, am NPN sind's nur 0.7V.
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[Projekt] MEGA Lamp
P-Kanal MOSFET ist. Für deine 12V LED-Leisten brauchst du sinnvollerweise einen N-Kanal MOSFET. Z.B. IRF840 MFG Falk
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N-FET für Phasenabschnitt für 230VAC gesucht
der FET schalten soll kann ich ja mittels popligem Optokoppler (z.B. CNY17) übertragen. Von den IRF840A mit 0,85Ohm Kanalwiderstand hätte ich noch einige da. Allerdings heizen die dann je nach last doch schon ganz schön... Gibts da nix besseres mit weniger RDS-on? Andy :)
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Meinung zu Phasenabschnittsdimmer
auch so aus ? Q1 ist kein Spannungsregler, letztlich ist er überflüssig. 6V2 wären für einen IRF840 auch zu wenig Gatespannung. R2 verballert ziemlich viel Leistung. 100u sind übertrieben viel. Es gibt keinerlei Vorkehrungen gegen Spannungsspitzen aus dem Netz und Begrenzungen der Stromänderungsgeschwindigkeit
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200w 12vdc/230vac reparieren/Kombinieren
durchgebrannter Transformator. Nö. Das ist das letzte, was da kaputt geht. Kaputt gehen meist die IRF840 in der H-Brücke oder die IRFZ44 im Primärkreis. Das ist eben alles auf Kante genäht und etwaige Überstromsicherungen werden von den Konstrukteuren lediglich als Kostenfaktor eingestuft.
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MosFET für induktive Last, 200V und 4A gesucht
Step-Down-Wandler, welcher soweit auch Funktioniert, allerdings wird mein Schalttransistor, ein IRF840, dezent Warm. Nun suche ich einen bezahlbaren Transitor (möglichst < 2€) mit etwas weniger Rdson. Gemessene Werte sind dabei 200V und 4A, die der FET abkönnen muss, plus ein wenig Tolleranzen. Denke
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Kleiner RGB Kontroller
schon beschrieben wie man aus wenigen Timern mehr PWM Ausgänge raus holt. Zur Schaltung ob der IRF840 geeignet ist weiß ich nicht, üblicher weise wird etwas in die Richtung genommen: IRLIZ44N IRLIZ34N IRLZ34N, und der Mosfet sollte den GND Schalten, sogenate Low-Side-Schalter., RGB Stripes haben auch
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Unterlagen Spannungswandler? (techtron G-12-300 S)
der hier auf der aufrecht stehenden Platine aufgebaut ist. Die Sinus Endstufe sind hier 4 Stück IRF840. Der Teil spielt bei mir unter Belastung nicht mit, ich habe dann irgendwann das Ding beiseite gelegt für lange Winterabende. Die letzte Induktivität ist die Siebdrossel am 230V Ausgang im Foto
