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Welcher Transistor
liegt am Mosfet die erhöhte Spannung vom Elko an, so dass die Verlustleistung nicht so hoch am Mosfet wird. https://www.elektronik-labor.de/Notizen/0911Blinker.html Allerdings ist dieser Durchbruch bei einigen
dort: https://electronics.stackexchange.com/questions/661080/why-does-this-automotive-blinkers-n-mosfet-get-so-hot
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sensibler operationsverstaerker
ich denke bei den Transistoren ist es ähnlich, nur daß hier +0,2V bis -0,2V begrenzt ist, wenn es Mosfet wäre, hier kann aber der Leckstrom bei Transistoren kleiner sein, Transistor als Diode. Mein Halbwissen
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analog Signal 5v ausgeben mit 3v3 µC
Katalog eines Distributors > (Mouser, Digikey, uswusf), nach eigendwelchen R2R-OP. Bei OPs mit MOSFET-Ausgang hängt die Spannung zusätzlich vom Ausgangsstrom ab.
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Motorsteuerung per H Brücke mit HIP4081
High-Side-Treiber Bootstrapkondensatoren. Um diese aufzuladen, müssen zuerst die zugeh. Low-Side-MOSFETs aktiviert werden. Die Ladungspumpe des Treibers ermöglicht dann auch Dauer-Ein der Highside-MOSFETs. Grüßle, Volker
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I2C als Hausbus
z.B. LM75). Die Auswirkungen eines lokalen Stromausfalls begrenzt ein klassischer Pegelshifter mit MOSFET, zwischen Bus und Slave geschaltet, bereits zuverlässig. Das Erlauben von Clock-Stretching ist generell ein Problem, da das Bus-Timing und somit die Reaktion des Gesamtsystems in Echtzeit nicht mehr
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Verständnisfrage FET
Zwei MOSFETs so "antiseriell" zu verschalten wird oft gemacht, auch bei großen Leistungen, eben um den Stromfluss in beide Richtungen zu verhindern. Manche BMS ICs haben das genau so integriert. Wenn die MOSFETs
leiten sie (effizient) in beide Richtungen. Kann man auch beim High-Side schalten mit p-Channel-MOSFETs machen, oder auch high-side mit n-Channel-MOSFETs und Ladungspumpe. Die Body-Dioden kann man auch gewinnbringend einsetzen, indem man z.B. nur *einen* der MOSFETs einschaltet, sodass der andere
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Komischer Sinus im Oszi
einklemmen,Nagel einklemmen ... man braucht eine Spitze und keine Krokoklemme wenn man z.b. ein TO-220 Mosfet messen möchte. Wie ofts hats da schon gekracht. Hat jemand einen Trick? Ich kann ja nicht an jedes zu messende Bauteil ein Draht anlöten. Im übrigen hab ich das an der Krokoklemme versucht. Irgendwann
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Stromteiler für Status-LED nach Optokoppler
Die IOs sind leider alle belegt, sonst hätte ich es mir einfach gemacht > :´) Der OK treibt einen Mosfet und ist nur dafür da, galvanisch zu > trennen, weil ich unterschiedliche Spannungen und Stromquellen nutze. Dafür braucht man aber keine 30mA sondern einen galvanisch getrennten MOSFET-Treiber.
im Beitrag #7856382: > Dafür braucht man aber keine 30mA sondern einen galvanisch getrennten > MOSFET-Treiber. Die brauchen je nach Typ 5-10mA am Eingang. Schau ich mir mal an. Mir war nicht bewusst, dass es sowas galvanisch getrennt gibt, sehr praktisch. Was Mosfets angeht, bin ich noch ziemlich
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L6203 DMOS Full Bridge Driver testen
Diodentest eines Multimeters (Voltcraft VC404) testen muss, um die Funktionsfähigkeit der beiden Mosfets zu checken? Wenn ich das Blockdiagramm richtig verstehe, handelt es sich um N-Channel MOSFETs. Der L6203 ist natürlich noch auf dem Mainboard und ich möchte diesen ungern auslöten (mit allen möglichen
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Microcontroller - Warum kein Flash-Parity?
Dagegen dürfte das Auslesen einer Flash-Zelle kritischer sein, sonderlich niederohmig ist der eine MOSFET der Zelle nicht. Kennt jemand die Motivation dahinter?
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NPN BJT Transistor für Piezo buzzer an STM32
Verstärker. Der Transistor darf die negativ gehende Schwingung nicht kurzschliessen, also kein MOSFET sein. Die RECOMMENDED OPERATING CIRCUIT EXAMPLE im Datenblatt betreibt ihn nur mit 3V, macht 50dB säuseln. Hier steht, wie man durch eine Spule lautet bekommt https://www.edn.com/increase-piezoelectric-transducer-acoustic-output-with-a-simple-circuit
Verstärker. > > Der Transistor darf die negativ gehende Schwingung nicht kurzschliessen, > also kein MOSFET sein. > > Die RECOMMENDED OPERATING CIRCUIT EXAMPLE im Datenblatt betreibt ihn nur > mit 3V, macht 50dB säuseln. Im Datenblatt steht 70dB(A)/10cm min. at 4kHz, 3V0-P. Laut genug für mich.
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Schaltplan einer Buzzer-Schaltung mit MOSFET
+12V, C1, R2, P1 BUZZER, Q1, D, G, S, R1 10k, GND, D1, P2 BUZZER, Q2, R3 10k
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PWM Glätten mit C oder L? Wie dimensionieren?
noch keine "passende" Lösung dabei.... Nämlich habe ich, wie im Anhang zu sehen ist, jew. einen MOSFET Q1/Q2 welche mittels PWM eine Last "dimmen" P1/P2 (Buzzer als Beispiel, würde man bei denen wahrscheinlich nicht hören,aber als Bsp.). Zusätzlich haben die Q's am Gate einen Pull-Down Widerstand (R1
Sicher nicht so. Denn nimm mal an, der Kondesaotr ist "leer" und entladen, und du schaltest den Mosfet ein. Was passiert dann? Richtig: es fließt ein sehr hoher Strom, weil der Kondensator über ein paar Milliohm geladen werden muss. Ein Tipp: lade dir einfach mal LTSpice runter und spiele an diesen
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Neue Bauteile: THT-SMD-Adapter für Kondensatoren, Ethernet-Switches und vieles andere mehr
und wieder muss man Sachen direkt an einer Lithium-Zelle betreiben, und wenn's nur das Gate eines MOSFETs ist um Dinge ein- und auszuschalten. Da sind 5V-fähige ICs schon ganz praktisch.
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Schaltplan eines MOSFETs mit Zener-Dioden und Widerständen
Drain (3) 10 kΩ 100 kΩ Gate (1) Source (2)
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mit µC pin 5V schalten, suche "Ein-Bauteil-Lösung"
das zu erreichen, was DU willst. gpio - Gate vom MosFet. Widerstand ? +UB - Buzzer - Drain vom Mosfet. mosfet-Source - GND sollte funktionieren. Aber ganz ohne Widerstand vom gpio zum Gate läuft man Gefahr, dass der gpio rückwärts eine aufs Dach bekommt. Macht aber nix, sind bestimmt mehrere
dessen Daten bzw. ein Datenblatt des Buzzers verlinken. drei Litzen (+5V, GPIO, GND) weil der MOSFET oder BJT ja hinten am Buzzer pappen soll.
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Auswahl Digitaltransistor für 5V Relais (<100mA) an 3.3V ESP32
der MOSFET-Schaltung enthalten. > damit erspart man sowohl den Serienwiderstand als auch die Freilaufdiode bei > gleichzeitig vernachlässigbaren Durchflussverlusten. Gilt das für alle MOSFETs in den
. Der MOSFET muss entsprechend spannungsfest sein.
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Designhilfe LT8306
erreichen zu können, bei 9V bringt die Schaltung die Leistung nicht mehr. Ilim ist am PrimärMOSFET, Idiode an der Sekundärdiode.
am Ausgang 4A bei 12V willst, dann brauchst du bei 9V am Eingang sicher mehr als 5,5A. Wenn dein Mosfet oder der Trafo diesen Strom nicht packt, dann musst du die abgegebene Leistung begrenzen.
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Schaltplan mit LED-Anzeige und MOSFET-Schaltung
GREEN, D7 GREEN, D8 GREEN, J3 Load-, R13 220R, D9 RED, Q2 AO3400A, +9V, R2 10KR, SW1, R14 10KR, GND, MOSFET Test, Sheet: /, File: test.kicad_sch, Title:, Size: A4, Date:, KiCad E.A. kicad 7.0.5, Rev:, Id: 1/5
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Mosfet (AO3400A) kaputt - wieso?
Ich habe eine Schaltung mit Mosfets, die ich glaube ich gegrillt habe und ich weiß nicht wie. Vielleicht hat ja jemand eine Idee Ich schalte ein paar LEDs mit einem Mosfet. Dazu nutze ich eine 9V Blockbatterie. Ich verwende den Optokoppler
Zeit immer wieder geprüft. Die Mosfets sind kein mal auch nur warm geworden
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RS485 Pegelunterschiede
NICHT auf GND bezieht. DAS ist das Prinzip von RS485! Genauso wie eine H-Brücke "im Prinzip" mit 4 Mosfets realisiert wird, und doch "in der Realität" laufend irgendwelche Anfänger mit der Ansteuerung der Highside auf die Nase fallen. Wie auch immer: alle mir bekannten und erfolgreichen RS422/RS485/
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30W Leuchtstoffröhre über Küchenzeile ersetzen
mit 3x3 oder 3x4 Midpower LEDs. Die Unterbauleuchten schalte ich mittels Bewegungsmelder und LL-Mosfet. Funtioniert seit 10 Jahren und die LEDs sind noch kein bisschen ausgebrannt.
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Ersatzrelais für Handouk-Relais
muß und auch die Preisklasse des Gerätes. Bei hochpreisigen Geräten würde ich die Relais durch MOSFET-Schaltungen ersetzen. Dann ist man die Probleme auf Dauer los. Z.B.: https://www.amp-master.de/home/leistungen/elare/
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Linearnetzteil Endstufe für schnelle Spannungsregelung
ich hierzu umfangreiche Transistorendstufen (mit Vorstufen usw.) oder könnte man auch "einen" N-Mosfet (ja, eingeschränkter Linearbereich) im Massepfad nehmen und direkt via OP ansteuern / regeln? Einen schönen sonnigen Tag :)
Entkoppelt und 1x 160V), jeweils gleichen Ground. "Normal" versorgt das 20V Netzteil. Dann über einen MOSFET schalte ich das 160V Potential auf die 20V Leitung. Also versorgt das 160V Netzteil die Schaltung. Dabei gab es zwei Probleme. Zum einen bekomme ich den Mosfet nicht langsam genug aufgesteuert
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Fröling S3 Turbo 30 - Bauteil nicht lesbar.
aber bald wohl nicht mehr verfügbar sein (als info für die späteren Leser). Oberhalb ist ein Mosfet (auf dem Linkbild unterhalb) - der war komplett auf Kurzschluss. Die Widerstände sind auf diesem Bild zwischen den 2 Spulen zu sehen.
. 2 vorausgehende Vermutungen habe ich oben ja schon bestätigt. Oberhalb der Widerstände ist ein Mosfet (NTPF360 - N80S3Z) durch, der auch heute schon kommen müsste. Der höchste Wert drum herum liegt derzeit bei 300irgendwas Ohm - schaut also gut aus. Im übrigen hatte ich heute Morgen eine EMail
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Suche "Batterie-Wechsel-Schalter".
Ideale Dioden; bei dieser Last Controller wie LM74700-Q1 für einen dicken MOSFET. Aber wenn die Akkus die gleiche Spannung haben, sind sie auch gleichzeitig aktiv. Wenn du die Akkus der Reihe nach entladen willst, dann musst du dir mit Komparatoren und Logik deine eigene Steuerung
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LED-Matrix
analog zum vorherigen Beispiel, nur mit dem Unterschied, daß die MOSFETs deutlich kleinere Spannungsabfälle zu verzeichnen haben. Damit die MOSFETs schnell schalten werden MOSFET-Treiber eingesetzt. Zur Not tun es aber auch Mikrocontroller-Ausgänge, die allerdings mit 5 V Speisespannung laufen sollten. Für die P-Kanal MOSFETs nutzt man hier im Beispiel einen echten MOSFET-Treiber, die N-Kanal MOSFETS kann man hier mit einem einfachen CMOS-Inverter ansteuern. Das geht bei kleinen Logic Level MOSFETs mit 1-2 nF Gatekapazität
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Transistor/Mosfet identifizieren
Dann vermute ich einen 3A/600V n-MOSFET, aber welcher genau ist so nicht zu ermitteln.
werden. Nach dem Ausschalten werden wahrscheinlich die vier großen Elkos über die Widerstände und den Mosfet langsam entladen. Dafür ist wahrscheinlich auch diese Schaltung mit dem Mosfet verbaut.
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ARM-ASM-Tutorial
module allows the software to disable/enable the clock signal for each periphery module. Because MOSFET-based circuits (virtually all modern ICs) only draw power if a clock signal is applied, turning off the clock of unused modules can reduce the power usage considerably. This is documented in the aforementioned
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Arduino PWM und Bibliothek auf einem Timer
einem Arduino Nano V3.0 eine Lichtsteuerung mit IR Fernbedienung, die per PWM (analogWrite(0-255) N Mosfets ansteuert, die wiederum der LED die Masse geben. Da ich einen RGBCW LEDstreifen (24V) benutze brauche ich dafür 5 PWM Pins am Arduino (3,5,6,9,10; 11 bleibt frei). Jetzt habe ich aber einen Konflikt
> > Mit einem PCA9685 zum Beispiel. So einen habe ich mir jetzt bestellt, um damit meine Mosfets (IRlZ34N) für den LED Streifen zu schalten. Ich berichte dann nochmal wenn er da und eingebaut ist… Danke nochmal, Gruß
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Schaltplan mit Transistor und MOSFET
+17V,22k,100n,220k
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MacBook Logicboard Reparatur
5.5V, 400W, TVS-Diode, SOD-123, Semtech, Semtech PESD5V0L1BA, TVS, 5.5V, 400W, SMD, SOD-123 **MOSFETs** Q7001: N-Kanal MOSFET, MOSFET (Power), SO-8, Fairchild, Fairchild FDC855N, N-Kanal, SO-8 Q7002: P-Kanal MOSFET, MOSFET (Power), SO-8, Fairchild, Fairchild FDC856N, P-Kanal, SO-8 **Power Management
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Schaltplan mit Transistor und MOSFET
+12V 10k 100n BC547B
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Transistoren auf Eignung als Avalanche-Sägezahnoszillator testen - mitmachen!
aufwendig und machen sie fast unkaputtbar. Es gibt schöne fertige ICs bis zu 8A mit den beiden MOSFETs intern. Die löte ich allerdings nicht mehr selber von Hand ein. Für höhere Leistungen gibt es dann Controller-ICs, wo man die MOSFETs extern anschließt. Beim Hersteller gibt es schöne Simulationstools
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Analoge Lüftersteuerung mit PWM Eingang
direkte PWM-Lüftersteuerung verzichten wollte. Mein Ansatz: µC -> 3.3V PWM -> RC-Filter -> Opamp -> MOSFET -> Lüfter (12V, 2W) Da ich inzwischen auf mehrere Lösungen im Netz gestoßen bin, bin ich mir nicht mehr sicher, wie ich den Opamp am sinnvollsten beschalte bzw. in welchem Modus der betrieben werden
Dann bau das wie einen Schaltregler auf, kleiner MOSFET für 3V Ansteuerung, Spule, Diode und Kondensator.
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Schaltplan eines MOSFET-Treiber- oder PWM-Schaltkreises
12V V2 V1 12 R6 10k C2 1u R5 10k C1 1u R3 47k U1 LT1013 12V IRF9530S M1 R1 68k R9 22k C3 330u D1 1N5823 Lüfter 50 PULSE(0 3.3 0 1n 10u 20u) .tran 100m
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Stromverbrauch 74 Logic ICs
@ 25 GradC, 10uA @ 125 GradC, NXP BISS) TPS22860 (5V high side power switch 2nA) hochsperrende MOSFETs: Ohne Bulkdiode. ALD1107 (400pA max., 4nA bei 125 GradC) SD5000 BSS83 (10nA max.) vs. BS170 (500nA) BSS295 (1uA max., 50uA bei 125 GradC) wer besser als Datenblatt sein muss kann messen: BJT gehen
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Welche Bauelemente sind das? I²C Sensor.
Wenn Du genauer wissen willst, was die MOSFETs mit dem Signal machen dann Google mal nach: „mosfet level shifter circuit“. Die bauen das gerne auf diese Module drauf, damit sich der Kunde keine Gedanken machen muss und die Reklamationen (bzw
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NMOS Inverter mit Enhancement Load Schaltplan und Kennlinie
practical than the resister loaded inverter, because the resistors are thousand times larger size than a MOSFET. VDD iDL + VDSL + VGSL iDD vO VI + VDSD + VGSD Driver: VTND, KD Load: VTNL, KL iD vDS (sat) = vGS - VTN Transition point VDD - VTNL vDS VDD
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NMOS Inverter mit Enhancement Load Schaltplan und Kennlinie
NMOS Inverter with Enhancement Load When vI < VTND driver is cut off and the drain currents are zero. iDL = 0 = KL(vDSL - VTNL)^2 vDSL = VDD - vO vDSL - VTNL = VDD - vO - VTNL = 0 maximum output voltage vO,max = VOH = VDD - VTNL For the enhancement-load NMOS inverter, the maximum output voltage, which is the logic 1 level, does not reach the full VDD value. Load: VTNL, KL Driver: VTND, KD iD vDS (sat) = vGS - VTN Transition point vDD - VTNL vDD vDS
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Symbole verschiedener n-Kanal MOSFET Typen
n-channel MOSFET substrate or body terminal D G S Enhancement mode Depletion mode B VSB
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NMOS Inverter mit Depletion Load Erklärung
NMOS Inverter with Depletion Load VDD iDL + vDSL Load: VTNL, KL Gate and source are connected, vGSL = 0 Since the threshold voltage of load transistor is negative. vDSL(sat) = vGSL - VTNL = -VTNL vGSL = 0 vi + vDSD Driver: VTND, KD - VDD iDL vDSL(sat) = vGSL - VTNL = -VTNL vGSL = 0 Load vDSL
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Schaltplan USB-A zu USB-C Konverter mit MOSFETs
+5V,5 V,100k,AO6604,USB-A input,USB-C output,100k,0 V,On button,4.978 V
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Mainboard in Luftpolsterfolie verschickt
ich das besser bleiben lassen und spezielle ESD-Pinsel kaufen? Ich dachte z.B., dass eingebaute MOSFETS weniger empfindlich seien als nicht eingebaute. Früher wurden doch manchmal bei sehr ESD-empfindlichen Bauteilen die Pins extra mit Drähten kurzgeschlossen. Hmmmm.... ciao Marci
