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Minimaler Kontaktstrom bei Relais
60V. Der Schalter besteht aus zwei gegeneinander geschalteten oder konstruierten Photo N-Channel MOSFETs, deren GATE-Struktur photonisch angesteuert werden. Da Dein Sense-Strom sehr klein ist und RDs-ON unter ein Ohm liegt, sollte das anstandslos funtionieren. Diese PhotoMOS SSRs gibt es auch in
Rückmeldeleitung besitzen, damit es keinen Unfug treibt, wenn du die Sense-Leitungen unterbrichst. Ein MOSFET hätte keinen Mindeststrom.
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Spannungsfreie Schaltung im Audiokabel 2-Wire-Intercom/ Partyline
das Schalten doch irgendwie nicht hörbar gestaltet werden kann... Ein Bekannter sprach noch von Mosfet-Transistoren... Gitarreneffektgeräte sollen wohl so knacksfrei geschaltet werden...
Karl schrieb im Beitrag #7807821: > Ein Bekannter sprach noch von Mosfet-Transistoren... Ich würde eher denken dass die noch mehr knacksen. Weil da im ein/aus-schalt-Moment ein relativ hoher Strom(Impuls) fließt welcher dann erst recht einkoppelt. Bei dem jetzt verwendeten
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Netzteil und Akku - 3.3V Ladeschaltung für LicheeRV Nano mit Lith.-Akku
am VBUS dran hängt)? Oder muss ich die Verbindung von Lipo zu VSYS dann z.B. über extra einen Mosfet sperren (wäre machbar aber kommt mir vor als wäre das sinnlos, wenn das TP4056 nicht ohne funktionieren würde)? Und die Fragen: Wie lese ich am Lichee mit so einem Modul den aktuellen Ladezustand
entlädt muss man die positve Leistung zum Spannungsteiler abschalten, z.B. per Analogschalter oder P-MOSFET.
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CMOS push-pull output Beschaltung
Markus W. schrieb im Beitrag #7790206: > Ich habe befürchtet dass das dem Mosfet nicht "schmeckt" wenn der > Ausgang hochgezogen werden sollte, aber wirklich erklären konnte ich das > leider nicht. Könntest du mir bitte freundlicher weise bei diesem Punkt > etwas mehr dazu
Markus W. schrieb im Beitrag #7790206: > Ich habe befürchtet dass das dem Mosfet nicht "schmeckt" wenn der > Ausgang hochgezogen werden sollte, aber wirklich erklären konnte ich das > leider nicht. Den MOSFET selbst betrifft das gar nicht. Der Strom fließt durch seine Substratdiode
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Ausschnitt eines technischen Datenblatts für einen MOSFET
Drain-Source On-State Resistance RDS(on) VGS = 5.0 V ID = 17 A 0.077 Ω VGS = 4.0 V ID = 14 A 0.11 Forward Transconductance gfs VDS = 50 V, ID = 17 A 12 S Dynamic Input Capacitance Ciss VGS = 0 V, VDS = 25 V 2200 pF Output Capacitance Coss 560 Reverse Transfer Capacitance Crss f = 1.0 MHz, see fig. 5 140 Total Gate Charge Qg VGS = 5.0 V ID = 28 A, VDS = 80 V 64 nC Gate-Source Charge Qgs 9.4 Gate-Drain Charge Qgd 27 Turn-On Delay Time tD(on) 8.5 Rise Time tr 170 Turn-Off Delay Time tD(off) 35 Fall Time tf 80 Internal Drain Inductance LD 4.5 nH Internal Source Inductance LS 7.5 Drain-Source Body
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StepUpwandler IC
Spannungen: https://www.electronics-lab.com/project/hv-nixie-dc-dc-switching-power-supply/ Der MOSFET muss aber auch voll durchschalten bei 2V.
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D-FlipFlop und Schieberegister
einem IC > als bedrahtete Bauteile kaufen kann, bspw. Multi-Emitter-Transistor ein depletion P-Mosfet als tht oder überhaupt ein diskretes Mosfet mit herausgeführtem Bulk
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Ersatz für G4PC30F IGBT Transistor
Auf der Unterseite des Netzteils ist auch ein Baustein angelötet, kann sein, dass das leistungs Mosfets sind. Und dieser Baustein ist mit dem Kühlkörper verbunden an dem auch der graue Baustein angeschraubt ist. Wahrscheinlich eine Art Sicherung die auf Wärme reagieren wenn z.B. die Leistungsstufe zu
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Leistungselektronik
man in den verlinkten Artikeln wie IGBT, FET, TRIAC, Kühlkörper, Treiber, Zwischenkreiskapazität, Mosfet-Übersicht. In diesem Artikel geht es hauptsächlich darum einen Überblick über das "System" zu schaffen und diverse Grundlagen und Begriffe zu definieren. Was versteht man unter "Leistungselektronik
Dieser Artikel kann dadurch regelmäßig erweitert und ggf. durch ein FAQ ergänzt werden. Siehe auch. Mosfet-Übersicht Übersicht H-Brücken IGBT FET TRIAC Kühlkörper Zwischenkreiskapazität Treiber Links. Prof. Sam Ben-Yaakov, viele Videos zu Themen der Leistungselektronik (englisch)
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PTC am Attiny1616 ohne QTouch
nicht direkt was gefunden. Ich möchte auch nur einen einzelnen Touch Input erkennen um damit einen Mosfet zu schalten. Hat da jemand etwas, was mir weiterhilft? MfG David
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Schaltplan mit MOSFET und Widerstand
+12v 80NF70 N Cl Mc Pin1 Gate Drain Pin2 Pin3 Source 10k
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Suche einfache Möglichkeit 24V 6A DC zu schalten
Das Heizelement wird bestimmt Low-Side geschaltet, mittels eines n-MOSFET. Da schaut man einfach mal was für einer verbaut ist, evtl kann der auch 24 V schalten.
Per I. schrieb im Beitrag #7787134: > Externer Mosfet Was soll das bedeuten?
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ATtiny85-20 Oszillator
benötige ich wieder eine neue Schaltung (Schwingkreis oder Oszillator, usw. ), welche dann über einen Mosfet vom Mikrocontroller gesteuert wird? Danke im Voraus!
eignetlichen Signals verwenden. Den Strom den der Ultraschallzerstäuber braucht würde ich über einen Mosfet mit dem Signal schalten. Danke für die schnelle Antwort!
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Omnixie Clock - Defekt
Auf dem Foto der Platine NCH8200 ist ein Transistor CSD15415 zu sehen. Texas Instruments bietet MOSFET an, die mit CSD15 anfangen, den Typ finde ich aber nicht.
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Transistor-Kurven-Tracer mit Display und Kennlinien
Bat 5.5 Curve Tracer SETUP PNP NPN MOSFET JFET PNP Gain=123 n-JFET Voff=3.8 n-MOSFET Thresh=1.8 Curves for PNP Gain=150 Curves for MOSFET Curves for JFET Main Menu Bat 6.2 PNP NPN MOSFET JFET
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Spezielle Sicherung PV-Anlage
Steuergeräte usw.), aber das ist echt nicht normal. Letztens war das ähnlich bei einer RTX4090 - ein Mosfet ging nicht mal mit (übertrieben)15 Min. 500 Grad runter. Man konnte ihn nur mit dem Dremel vorsichtig abschleifen um den neuen aufzusetzen. Was ist da los? Auch mit Rosemetall war nix zu machen.
vermutlich auf nur zwei Layer an dieser Stelle ? > Letztens war das ähnlich bei einer >RTX4090 - ein Mosfet ging nicht mal mit (übertrieben)15 Min. 500 Grad Autsch, hast du eine Lötschulung erhalten ? Preheater .... Lötverfahren, Heizkurven ..... Du musst noch viel lernen.
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Stromregelung (Solarmodul)
aber alle OP Regler nen I Anteil und keinen P :D Ohne I wird es auch schwierig bei einem JFET/MOSFET (nicht linear). Das macht Jan schon richtig, ich denke man müsste eher den Reglerausgang messen und darauf mit der Rampe reagieren (verzögern). Das Problem wird schon der Übergang aus ungeregelt
auf einen BJT zu versteifen und die Messung bei 1V zu beenden, könnte man zusätzlich noch einen MOSFET vorsehen, um damit deutlich näher an den Kurzschlussstrom heran zu kommen. Kritisch ist dabei ein Shuntwiderstand, der durch seinen Spannungsabfall (zusammen mit der U_DS des FETs) verhindert, dass
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SSR für 12vac glühlampe
Einschaltstromstoss der Halogenlampe bewältigen kannst ? Ein TRIAC kostet leider meist 1V, auch im SSR, MOSFETs sind da besser, man braucht bei Wechselstrom aber zwei. Übliche SSR zünden an 12V~ erst kurz vor dem peak der Halbwelle, die Lampe bekommt also nur halbe Leistung ab, das machen MOSFETs besser. Aber
würde den Strom überwachen und bei Überstrom durch Kurzschluss der Lampe abschalten bevor es den MOSFET grillt. Das ist dann nicht mehr trivial.
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Neue Bauteile – optische USB-Kabel, ADCs, PWM-Verstärker uvam
auszeichnet.  Bildquelle: Soldered. ### Toshiba TLP3640A – Foto-MOSFET mit 1 A Maximalstrom Optokoppler sind per se nichts Neues. Der in der Abbildung gezeigte Baustein ist insofern interessant, als er statt einem Foto-Transistor auf einen Foto-MOSFET setzt. Lohn der
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Netzteil möglichst mit geringen Verlusten "abschalten"
an der Diode abfällt ist vermutlich zu hoch. Das BMS fkt. unter umständen nicht mehr korrekt - MOSFET, funktioniert nicht wegen der Body Diode - SSR, Spannungsabfall 0,4V - 2x MOSFETs, wie verschalten? Habt ihr eine Idee? Danke
mV erkennt, in welche Richtung der Strom in dieser "Idelaen Diode" fließt, und dann den Mosfet entsprechend ein- bzw. ausschalten.
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INA229 Miniaturisierungswahnsinn
Schau Dir mal die Kriechstrecke zwischen drain (Mittelpin) und benachbarter source eines 800V-MOSFET im TO-220-Gehäuse an.
Schau Dir mal die Kriechstrecke zwischen drain (Mittelpin) und > benachbarter source eines 800V-MOSFET im TO-220-Gehäuse an. 800V-Mosfets gibt es sogar in TO-92: https://www.farnell.com/datasheets/820862.pdf
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Schaltplan einer H-Brücke mit MOSFETs
GND, VCC, Poti, X4-1, X4-2, X4-3, MSTBV3, C16, 100nf, C17, 100nf, IC1, 25 STEP, 26 DIR, 28 MISO, 29 MOSI, 27 MISO, 22 FFDI, 23 FFDO, 24 RESET, 28 SR, 23 OSC, R17, 10k, GND, IC2, IRLR024N, R1, 500k, GH1A, 31, C1, 100nf, GH1A, 10, SLA, 16, LSS, 17, GH1B, 13, C2, 100nf, GH1B, 12, IC3, IRLR024N, R40, 33, GH1B, R41, GL1B, R9, R10, IC4, IRLR024N, R5, 500k, GL1A, 31, R39, GL1B, 33, IC5, IRLR024N, R4, R8, R37, IC9, IRLR024N, R7, 500k, GL2A, 33, GH2B, 27, R38, GL2B, 33, GH2A, C3, 100nf, GH2A, 12, GH2B, 28, GH2E, 30, C4, 100nf, GH2E, 30, R36, R35, IC7, IRLR024N, R3, GH2B, 33, R11, 10k, R12, 10k, +24V, C20
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Steppermotoren pfeifen
nicht mit 500k sondern eher mit 4k7. Damit wird das Gate schneller ausgeräumt und in Folge wird der MosFet nicht so heiß. Jeder Zwischenzustand zwischen leiten und nichtleiten bedeutet Verlustleistung am MosFet.
Push-Pull-Treiberstufen. "Gate Drive The A4989 is designed to drive external power N-channel MOSFETs. It supplies the transient currents necessary to quickly charge and discharge the external FET gate capacitance in order to reduce dissipation in the external FET during switching." Man kann
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Weiße LEDs an LiFePo4 Akku
Idee ist, dass der Wächter-IC [1] unterhalb von 2,93 V den nRESET Pin auf low zieht und somit den MOSFET [2] nicht durchschaltet. Liegt die Spannung über 2,93 V soll der MOSFET die LEDs einschalten. Der Wächter-IC kann laut Datenblatt nur 20 mA auf dem nRESET Pin ab, weshalb ich noch den MOSFET eingebaut
SGM809B-SXN3LG: https://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/A200/SGM809B_2.pdf [2] IRLML 6244 N-Kanal MOSFET: https://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/A200/DS_IRLML6244-IR.pdf
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Bidirektionaler Schalter für Matrixumrichter
konkretisiere nochmals meine Frage. Zum Bau eines bidirektionalen Schalters würde ich gerne zwei SiC-Mosfets einsetzen. Diese möchte ich über den UCC21551 von TI ansteuern. Zur Ansteuerung des Highside Mosfets bestehen erstmal keine Fragen sondern dies würde ich gemäß der Empfehlung des Datenblattes machen
Leistungsschalters. Dabei arbeitet ein MOSFET immer im Normalbetrieb bezüglich der Polarität des Drainsstroms und der andere im Inversbetrieb. MOSFETs können sowas, Bipolartransistoren nicht. Für den Treiber braucht es meistens einen passenden
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Controller für Batteriebetrieb : Bootloader ?
nehmen. Das Ding muss ja nur über USB versorgt werden. Dann für den Servo einen Logik Level MOSFETs: https://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht Genauer Typ hängt vom Maximalstrom des Servo ab. Sensor richtig abschalten geht nicht, da steht was von 20 Minuten Aufwärmzeit.
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MOSFET mit Kühlkörper auf Lochrasterplatine
IRL540N IQR H2380 B9P0
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Wie Audiosignal/Lautstärke via Microcontroller kontrollieren (digitaler potentiometer?)
Elektronik, kenne mich mit Elektrotechnik aber kaum aus. Ich weiß, was Transistoren sind und dass man mit mosfets, pwm und so ströme steuern/lampen dimmen kann, etc. Aber mehr auch nicht. Folgende Situation: Ich möchte mittels einer Raspi Pi Pico ein altes, nicht Bluetooth-Fähiges Logitech-Radio (logitech
hilfe brauche ist, ich werde ein externes Bluetooth-PCB verwenden, welchem ich dann per GPIO und mosfet die Stromzufuhr gebe oder nehme, auch das schalten des audio-inputs zum verstärker sollte kein problem sein. Allerdings möchte ich zwischen audioquelle (bt-board oder aux-buchse) digital die lautstärke
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Schaltplan mit MOSFET-Schaltern
Poly_direct X OUT1 7,8 Q3A BUK9K25-40E P7-SPI MOSI R8 1k00 GND Poly_direct X OUT2 5,6 Q3B BUK9K25-40E P6-SPI CSB R7 1k00 3 GND Poly_direct X OUT3 7,8 Q2A BUK9K25-40E P5-SPI CLK R5 1k00 GND Poly_direct X OUT4 5,6 Q2B BUK9K25-40E P4 R3 1k00 3 GND
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Artikel
Treiber
regelmäßig erweitert und ggf. durch ein FAQ ergänzt werden. Fußnoten. Siehe auch. Leistungselektronik Mosfet-Übersicht IGBT FET TRIAC Kühlkörper Forumsbeitrag: Clevere MOSFET-Treiber mit kleinsten Trafos Forumsbeitrag: Galvanisch getrennte Ansteuerung eines MOSFETs mittels Übertrager und 100% Tastverhältnis Forumsbeitrag: Logic Level MOSFETs direkt mit einem AVR treiben Forumsbeitrag: Diskreter MOSFET-Treiber auf Standardtransistoren Forumsbeitrag: warum hier zwei Vorwiderstände (Gleichtaktstörungen bei schnellen Gatetreibern mit Digitalkoppler
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Problem mit Mosfet IRL540 an 52V, öffnet nicht mehr
verschiedene Mosfets, welche alle exakt das gleiche Gehäuse haben ...
schrieb: >> Wenn der TO 2 von dem IRL540 nimmt ist er immer noch bei 3,25W >> Verlustleistung je Mosfet. Kühlkörper bleibt unverzichtbar. Bei 4 Stück >> parallel kommt er auf 0,81W je Mosfet. > > Ich komme auf 0,2W ... Sorry, war falsch. Habe nicht gemerkt, dass von 2 Mosfets ausgegangen wurde
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Schaltplan mit MOSFET und Heizdraht
+52V, 40Ohm (Heizdraht), Taster, IRL540 (n-Kanal-MOSFET), D, G, S, GND, +7,5V, 56kOhm
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RGBW mittels ESP32 und Mosfets steuern
Kaum anzunehmen, dass die MOSFETs mit den 2,6V am Gate zufrieden sein werden.
mit einem Steckbrett nachgebaut und > ging. Mist gemessen! Was soll das denn für ein Wunder-MOSFET sein?
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172 V Drehstrom Motor testen
auf das Wasser in der Wanne warten und jemand am Bedienfeld einschalten muss Wo fange ich an? Mosfets auslöten, testen? Kondensatoren auslöten, prüfen?
Leider hat die Reparatur nicht lange gehalten, jetzt gibt es immer einen > Knall und mindestens ein Mosfet verabschiedet sich. 1. Falls Du die rissigen Kondensatoren nicht getauscht haben solltet, wird eine böse Spannungsspitze Deine schönen MOSFETs beerdigt haben? 2. Wissen wir nicht, ob die Ersatz-MOSFETs
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Motor controller digitalisieren
überbrücken jeweils einen widerstand). Gefällt mir auch nicht. Oder noch ein bisschen dümmer einen mosfet als variablen widerstand, nein spass :P Falls jemandem noch etwas besseres einfällt ich bin ganz Ohr ;)
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Schaltplan mit Menüauswahl
Passive Filter Weitere passive Schaltungen Dioden Operationsverstärker (OPVs) Transistoren (bipolar) MOSFETs (Feldeffekttransistoren) Timer 555 (Zeit-Taktgeber) Aktive Filter Logikfamilien Kombinatorische Logik (Schaltetze) Sequentielle Logik (Schaltwerke) Analog/Digital Power Converters Delta-Sigma-ADU
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Motor mit separatem Öffner und Schließer ansteuern (Arduino)
schrieb im Beitrag #7782075: > Welche Variante fällt mir nicht ein? Du könntest den zweiten MOSFET durch einen Inverter aus dem Steuersignal des ersten MOSFET steuern lassen, dann schalten sie immer alternativ und Programmierfehler sind nicht möglich. Beide Leitungen abzuschalten geht dann nicht
den einen oder anderen Anschluss geschaltet > werden. Aktuell mache ich das über einen P-Kanal MOSFET angesteuert über > einen NPN Transistor, funktioniert auch. Du meinst alternativ einen PNP-Transistor. Könntest du auch GND schalten statt der 12V? Dann mit N-Kanal MOSFET bzw. NPN-Transistor
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Temperatursensor PT 1000 zu NTC5k "Umwandler"
ist das eigentliche Problem. Mal etwas phantasiert, könnte man vielleicht einen Optokoppler mit MOSFET-Ausgang mit PWM ansteuern. Sofern die Auswerteschaltung einen Kondensator zur Filterung am Eingang hat, könnte das im notwendigen Temperaturbereich funktionieren. Als µC reicht wohl ein ATtiny45 o.ä
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Kondensator Spannungsfestigkeit
nicht zum tragen kommt. Es ist ein schneller Spannungsanstieg nötig, z.B. ein einschaltender MOSFET oder Kontakt dessen Steilheit oberhalb der Resonanzfrequenz des Kondensators liegt, aber das ist nicht so unrealistisch. Und wenn auch 99<% des Kondensators noch nicht geladen sind, erste 0.1% hat
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Bester Audio-Verstärker für ESP32-s3
sollte, insbesondere bei deiner Anwendung, "a piece of cake" für die H-Brücke sein. Nur 1 IC mit 4 MOSFETs, und außer Stützkondensator(en) nicht unbedingt noch ein weiteres Bauteil. Nur ein Pin vom ESP. Ziemlich sparsam. Vielleicht tut es schon ein IX4428 (https://www.mouser.de/datasheet/2/240/media-3320896
Gate-Treiber, wie Uwe.B empfohlen hatte: Uwe B. schrieb im Beitrag #7782085: > Nur 1 IC mit 4 MOSFETs, und außer Stützkondensator(en) nicht unbedingt > noch ein weiteres Bauteil. Nur ein Pin vom ESP. Ziemlich sparsam. > Vielleicht tut es schon ein IX4428 > (https://www.mouser.de/datasheet/2/240
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Bauteilsuche LED-Deckenleuchte
schrieb im Beitrag #7780610: > Kennt das jemand Halt ein Primärschaltregler mit eingebautem MOSFET, die sind sich alle ähnlich. Wahrscheinlich ist ein der übermässig gestressten LED kaputt.
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Probleme mit Spannungsversorgung beim Schalten eines Motors
soll, ihn nicht ausbekommt, weil eben starke Schwankungen auf VCC auftreten und dadurch das LOW am MOSFET gestört wird. Ein dicker Kondensator am Gate des MOSFET löst das Problem -- aber das schien mir halt rechte Symptombehandlung zu sein. Angesichts der starken Schwankungen auf VCC habe ich dann beschlossen
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fl024z Alternative, Bezug aus DE
Lüfter an drehen sie sich nicht. Am Netzteil funktionieren sie. Ich tippe gerade darauf das der mosfet defekt ist, finde aber keinen in DE. Welche Alternative kann da eingebaut werden? Danke und Grüße Malte
Der hier? https://www.reichelt.de/mosfet-n-ch-55v-5-1a-0-0462r-sot-223-irfl024zpbf-p254735.html
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LED Reverse current?
mit diesem Lawinendurchbruch ist. Da hier jemand eine Schaltung als Verpolungsschutz mit einem P-Mosfet gepostet hat und aber im 5V Zweig eine Diode mit Widerstand drin hat https://www.mikrocontroller.net/attachment/650696/Verpolungsschutz.png . Hier dürfte sich diese Durchbruchspannung aber noch um die Bodydiode des Mosfets erhöhen so das es gerade so noch funktioniert. Wobei er inzwischen einen Kurzschluss drin hat und da kamen für mich die LEDs in Frage die es wahrscheinlich gehimmelt hat. Ich für meinen Fall schalte
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USB C Spannungsversorgung
.. kann ich mit den 7805 sparen, wenn ich diesen nur benötige um meinen 328 zu betreiben und die Mosfet zu schalten?
kann ich mit den 7805 sparen, wenn ich diesen nur > benötige um meinen 328 zu betreiben und die Mosfet zu schalten? Falls die 5 V des AP33771 nur sehr wenig belastet werden können, dann holt sich der 7805 irgendwo aus dem Weltall zusätzliche Energie, um an seinem eigenen 5-V-Ausgang mehr Strom liefern
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LED-Uhr mit Attiny26
die kurze Einschaltdauer vernachlässigbar (da Multiplexing)? Wie groß wäre die Einsparung pro Mosfet bei 2,7V?
wesentlich auffälliger. Alexander H. schrieb im Beitrag #7832280: > Wie groß wäre die Einsparung pro Mosfet bei 2,7V? Weniger, da ja weniger Basisstrom flösse der eingespart werden würde.
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Überspannungsschutz
Ansonsten suche mal nach "smart diode controller" ist ein kompletter IC welcher dir mit einem Mosfet im Überspannungsfall unterbricht. z.B. https://www.farnell.com/datasheets/3770263.pdf
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Trimmer mit Unterbrechung aus Lampensteuerung.
Garantiezeit überleben, plus die Zeit einer angemessenen Kulanzzeit. Meine Deckenlampe hatte den Mosfet kaputt. Gesucht, gleich wurde mir ein Ersatz angezeigt. Etwas größer (passt so gerade auf die Pads) und bessere Leistungswerte. Der alte hatte vielleicht 5 Jahre gehalten. Die Wärme wird nur schlecht abgeführt. Auch wenn im meinem Fall ein gleicher Mosfet wahrscheinlich mich überleben würde, habe ich selbstverständlich den größeren eingebaut. Ich würde immer nach einer besseren Lösung suchen.
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S8050 Reihenschaltung?
bipolartransistor-npn-80v-1-5a-8w-to-126-bd-139-stm-p5077.html?&trstct=pos_0&nbc=1 Oder einen kleinen MOSFET. Da kann aber wer anderes was zu schreiben. Wegen Gate-Spannung, Fet-Treibern bei 3V3 usw. Da halte ich mich raus.
schnellsten Warm -> die CE-Spannung sinkt -> noch mehr Strom -> Kaputt. Nimm einen logic-level Mosfet und eine Freilaufdiode. Wie hoch ist die Spannung mit der das Ventil angesteuert wird?
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Wer kann bei diesem SMD Bauteil helfen
Diode? Wird wohl ein Schaltregler mit synchroner Gleichrichtung sein. Da ist die Freilaufdiode als Mosfet im IC.
