-
PDF
NCO8703.pdf
Note for 300 W PEP with 2 MOS transistors BLF177 NC08703 MGM398 handbook, halfpage return losses (dB) −10 transformer only −20 −30 with compensation −40 0 10 20 30 40 50 f (MHz) Fig.11 Output transformer correction. MGM399 handbook, halfpage return losses (dB) −10 original compensation −20 additional
in „Stackpole Ferrit Kerne für RF Verstärker“ · HF, Funk und Felder ·
-
PDF
OKI_C1937-01.pdf
mode is not a user function, but is used for outgoing inspection. Table 1 PLA Code Table 00 08 10 18 20 28 30 38 01 09 11 19 21 29 31 39 02 0A 12 1A 22 2A 32 3A 03 0B 13 1B 23 2B 33 3B 04 0C 14 1C 24 2C ; 34 3C 05 0D 15 1D 25 2D 35 3D 06 0E 16 1E 26 2E 36 3E 07 0F 17 1F 27 2F 37 3F 16-Segment Display 00 08 10 18 20 28 30 38 01 09 11 19 21 29 31 39 02 0A 12 1A 22 2A 32 3A 03 0B 13 1B 23 2B 33 3B 04 0C 14 1C 24 2C ; 34 3C 05 0D 15 1D 25 2D 35 3D 06 0E 16 1E 26 2E 36 3E 07 0F 17 1F 27 2F 37 3F 14-Segment Display
in „SPI VFD-Display OKIC1937-01“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
hexiangning-20.pdf
and T.C. Ls 3 4 20U IC40 Green, 'Improved Passive L.osslessTurn-on and Ds 4 8 Dfast Turn-off Snubber', IEEE A:PEC Record, March Cs 8 0 0.047U IC=4 1993, pp.385--392, San Diego, USA Rs 8 3 20 B.W. Williams. 'Determination
in „Projekt: Leistungsstarkes Blitzgerät aus 12 Volt“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
7.5inch-e-paper-specification.pdf
Pixel Pitch 0.255 ×0.255 mm Pixel Configuration Rectangle Outline Dimension 170.2(H) ×111.2(V) ×1.18(D) mm Weight 43.75±0.5 g www.waveshare.com 4／40 4 . M e w c w h w a 170.20±0.20 EPD n w 166.80±0.20 PS 1.70 c a 1163.20±0.10 FAA 0.800 a v D e 1 2 h 7 7 0 . a a 0 0 8 w r i . n c g m o f E P D P 1 S
in „7.5" Waveshare E-Parper ansteuern“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
AN11158_Understanding_MOSFET_data_sheet_parameters__NXP.pdf
voltages, currents and temperatures Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit IDSS drain leakage V DS = 55 V; GS = 0 V; Tj= 25C - 0.02 1 A current V DS = 55 V; GS = 0 V; Tj= 175C - - 500 A I gate leakage V = 0 V; V = 20 V; T = 25C - 2 100 nA GSS DS GS j current V DS = 0 V; GS = 20 V; Tj= 25
in „Flyback-Wandler Störungen auf Versorgung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
Datei
ow_avr_ds2dht.c
CLKPR=(1<<CLKPCE);\ CLKPR=0;/*9.6Mhz*/\ TIMSK0=0;\ GIMSK=(1<<INT0);/*set direct GIMSK register*/\ TCCR0B=(1<<CS00)|(1<<CS01); /*9.6mhz /64 couse 8 bit Timer interrupt every 6,666us*/ //Setup Temp Measurement DS18B20 #define INIT_TEMP DDRB&=~(1<<PINB2); \ ADMUX=(1<<MUX0); \ ADCSRA= (1<<ADEN) | (1<<ADPS2)
in „1-Wire Slave auf AVR“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
3986pfd.pdf
Full-Bridge MOSFET Driver A3986 with Microstepping Translator STEP 100 96 88 83 77 71 63 56 47 38 29 20 IOUT1B (%*) 10 Slow Mixed Slow Mixed Phase = 1, 0 Direction = H –10 –20 –29 –38 n –47 i –56 s o –63 P –71 e –77 s r –83 i –88 M –96 e –100 m o 196 H 88 83 77 71 63 56 47 38 29 20 IOUT2B (%*) Slow 10
in „Bitte Hilfe in Englisch“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
A4989-Datasheet-1.pdf
Full-Bridge MOSFET Driver A4989 with Microstepping Translator STEP 1096 88 83 77 71 63 56 47 38 29 20 IOUT1B (%*) 10 Slow Mixed Slow Mixed Phase = 1, 0 Direction = H Mixed –10 Mixed –20 –29 –38 n –47 i –56 i o –63 P –71 p t –77 o –83 c –88 M –96 e –100 m o 100 H 96 88 83 77 71 63 56 47 38 29 20 IOUT2B
in „Masseflächen?“ · Platinen ·
-
PDF
302911.pdf
Parallel 16 D17 Host Data Input/Output Bus. 17 D16 These pins are 9-bit bi-directional data bus to be 18 D15 connected with MCU data bus. 19 D14 20 D13 I/O PS Description 21 D12 1 8-bit Bus: D17 to D10 9-bit Bus: D17 to D9 22 D11 D[17] SCL: Synchronous Clock Input 23 D10 0 D[16] SDI: Serial Data Input D
in „oled spannungsversorgung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
3986.pdf
Full-Bridge MOSFET Driver A3986 with Microstepping Translator STEP 100 96 88 83 77 71 63 56 47 38 29 20 IOUT1B (%*) 10 Slow Mixed Slow Mixed Phase = 1, 0 Direction = H –10 –20 –29 –38 n –47 i –56 s o –63 P –71 e –77 s r –83 i –88 M –96 e –100 m o 196 H 88 83 77 71 63 56 47 38 29 20 IOUT2B (%*) Slow 10
in „Schrittmotorsteuerung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
DRV8825-Datasheet.pdf
) 550 ) 550 ( ( D D R 500 R 500 450 450 8 V 24 V 45 V 400 400 8 13 18 23 28 33 38 43 -50 -25 0 25 50 75 100 125 V (VMx)V) D003 TA(GC) D004 Figure 4. R vs V Figure 5. R vs Temperature DS(ON) (VMx) DS(ON) 8 Submit Documentation Feedback Copyright © 2010–2014, Texas Instruments
in „Nano Shield zerstört Nano“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
tps2552.pdf
–NOVEMBER 2008–REVISED AUGUST 2016 www.ti.com Typical Characteristics (continued) 0.40 150 RILIM= 20 kW 0.36 135 R ILIM 20 kW V IN= 6.5 V VIN= 5 V m m - 0.32 - 120 l e b b i 0.28 n 105 D E u 0.24 u 90 t t u u t 0.20 VIN= 6.5 V t 75 V IN= 3.3 V n n VIN= 2.5 V r 0.16 r u u 60 C y p 0.12 p 45 p p S S -
in „Problem mit FSUSB30 als USB-Schalter“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
nRF24LE1_Product_Specification_rev1_6-6439.pdf
PRFC RF power control range 16 18 20 dB P RF power accuracy ±4 dB RFCR PBW2 20dB bandwidth for modulated carrier 1800 2000 kHz (2 Mbps) P 20dB bandwidth for modulated carrier 950 1100 kHz BW1 (1 Mbps) PBW250 20dB bandwidth for modulated
in „Projekt: Kugelschreiber-Morse“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
ttester.pdf
’8 15 DB7 8 VCC 16 CS1 1 VCC VCCGND 16 CS1 1 CS2 M CS2 M 17 /RST L 17 /RST L 10k 18 VOUT 10k 18 VOUT 100nF 100nF 25k 19 BLA 100nF 100nF 25k 19 BLA 20 BLK 20 BLK (a) mit 74HCT164 (b) mit 74HCT595 Abbildung 2.12. Anschluss eines graphischen Displays mit NT7108 Controller Sie müssen die
-
PDF
Schematics_v2.pdf
GND TMC_I1 ADC_I0_NEG PWM_IDLE_L GND 18 ADC_I1_POS PWM_IDLE_H 59 +2V5_REF 19 ADC_I1_INN PWM_IN 58 TMC_VM 20 ADC_VM STP 57 STEP 21 AGPI_A DIR 56 DIR +5V I/O 22 55 ENI TMC Decoupling / Reset / REF +5V 23 AGPI_B ENI 54 GND Current Sensors Hall
-
PDF
IRF-610-Datasheet.pdf
Zero Gate Voltage Drain Current DSS DS GS µA V DS = 160 V, VGS = 0 V, TJ= 125 °C - - 250 Drain-Source On-State Resistance R DS(on) VGS = 10 V ID= 2.0 A b - - 1.5 Ω Forward Transconductance g fs V DS= 50 V, ID= 2.0 Ab 0.8 - - S Dynamic Input
in „Schaltung für logic level to high voltage“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
Datei
DS1821.txt
----------------------- w500ms: push r17 push r18 push r19 ldi r19,10 ;r19, r18 und r17 clr r18 ;ergeben zusammen clr r17 ;einen 3-Byte-Zähler w500u: dec r17 ;niedrigstes Byte -1 brne w500u ;0 erreicht? nein -> Schleife dec r18 ;mittleres Byte -1 brne
in „Temperaturerfassung(Anfänger)“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
LTC3824fg.pdf
( P 8.1 A C C ( V FB= 0.75V E 0 C 8.0 C U V I E 7.9 1 F –1 V FB= 0.85V Δ 7.8 –2 7.7 7.6 0 –3 0 10 20 30 40 50 0 10 20 30 40 50 60 0 10 20 30 40 50 60 I (mA) V (V) V (V) GATE 3824 G01 CC 3824 G02 CC 3824 G03 VREF Change vs V CC Switching Frequency vs R SET ΔV REF vs Temperature 0.4 700 5 600 4 0.2 3
in „DC/DC Wandler Vin 15-50V, Vout 12V 9A!“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
WM12-DIN_20Data_D.pdf
Maximaler Leiterquerschnitt 2,5 mm Schutzart Frontabdeckung: IP40 Gehäuse Anschlüsse: IP20 G ewicht C a. 400 g (einschließlich Abmessungen 107.8 x 80 x 64.5 mm Verpackung) Signalform der im Netz zu messenden Größen Abbildung A Abbildung B Abbildung C Unverzerrtes Sinussignal Gefordertes Sinussignal
in „Drehstromzähler“ · Projekte & Code ·
-
PDF
A4963-Datasheet.pdf
Function Name Number Function CSM 10 Sense amp negative input SA 20 Phase A motor phase CSP 11 Sense amp positive input SB 19 Phase B motor phase FAULTn 2 Fault output open drain SC 18 Phase C motor phase GHA 17 Phase A HS FET gate drive SCK 6 Serial clock GHB 16 Phase
in „A4963 BLDC Motor Ansteuerung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
MTP12P10_D-.pdf
Width ≤ 300 ms, Duty Cycle ≤ 2%. http://onsemi.com 2 MTP12P10 TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS D 20 I 1.2 VGS = −20 V 10 V A 18 M V = V ) O DS GS P 16 TJ= 25°C ( 1.1 D = 1 mA M 8 V E ( 14 A N L R 12 V 1 R 10 7 V L C O I 8 S 0.9 R 6 V R , 6 T ID E − 4 5 V A 0.8 , 2 t 0 S 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 VG −50
-
PDF
lm3150.pdf
Device IN-SD VEN = 0V 32 55 µA Shutdown GATE Drive IQ-BST Boost Pin Leakage VBST – VSW = 6V 2 nA R DS-HG-Pull-Up HG Drive Pull–Up On-Resistance HG Source = 200 mA 5 Ω R HG Drive Pull–Down On-Resistance I Sink = 200 mA 3.4 DS-HG-Pull-Down HG Ω R DS-LG-Pull-Up LG Drive Pull–Up On-Resistance LG Source =
in „LM3150 zu geringe Ausgangsspannung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
91055b.pdf
Inc. Preliminary DS91055B-page 5 TB055 TABLE 7: ENDPOINT DESCRIPTOR Offset Field Size Description Value for Mouse 0 bLength 1 Size of descriptor in bytes 0x07 1 bDescriptorType 1 Descriptor Type (ENDPOINT = 5) 0x05 2 bEndpointAddress
in „MC mit USB Interface“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
Datasheet_MIC2875.pdf
Specification located at http://www.microchip.com/packaging DS20005549A-page 18 2015 Microchip Technology Inc. MIC2875 APPENDIX A: REVISION HISTORY Revision A (May 2016) • Converted Micrel document DSC2875 to Micro- chip data sheet template DS20005549A. • •Minor text changes throughout. 2015 Microchip Technology Inc. DS20005549A-page 19 MIC2875 NOTES: DS20005549A-page 20 2015 Microchip Technology Inc. MIC2875 PRODUCT IDENTIFICATION SYSTEM To order or obtain information, e.g., on pricing or delivery, contact your local
in „MI2875 PG-PIN“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
I2C_Sheet.pdf
USER TWI LEDS 1 0u1 R70 R71 R72 R73 PA3 R32 R33 VCC U6 PCA8574 2K7 2K7 4K7 4K7 PA2 0100 A2 A1 A0 LEDS B7-B0 3K3 3K3 c TWI-0 1K R26 LED8 LED7- 12 V 15 A2 A1 A0 1K R25 LED7 LED6- 11 P7 SDA 14 4 2 4 2 SCL_BUS 3 JP11 4 2 JP12 1 J39 TWI-0 0 0 0 0x20 1K R24 LED6 LED5- 10 P6 SCL SDA_BUS 1 2 4 3 3 Q1 Q2 3 SDA0
in „NXP PCA8574 hat Phänomen mit 2 Adressen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
stb6nk60z.pdf
rating 1 µA IDSS drain current (V= 0) GS VDS = Max ratingC T = 125 °C 50 µA I Gate-body leakage V = ± 20 V GSS current (DS= 0) GS ±10 µA V Gate threshold voltage V = V , I = 100 µA 3 3.75 4.5 V GS(th) DS GS D RDS(on) Static drain-source on VGS = 10 V,DI = 3 A 1 1.2 Ω resistance Table 6. Dynamic Symbol Parameter
-
PDF
stb6nk60z.pdf
rating 1 µA IDSS drain current (V= 0) GS VDS = Max ratingC T = 125 °C 50 µA I Gate-body leakage V = ± 20 V GSS current (DS= 0) GS ±10 µA V Gate threshold voltage V = V , I = 100 µA 3 3.75 4.5 V GS(th) DS GS D RDS(on) Static drain-source on VGS = 10 V,DI = 3 A 1 1.2 Ω resistance Table 6. Dynamic Symbol Parameter
in „Unterschiedliche Power MOSFET kompatibel?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
MT48LC16M16A2.PDF
t 42 120,000 ns RAS ACTIVE to ACTIVE command period tRC 60 – ns ACTIVE to READ or WRITE delay RCD 18 – ns Refresh period tREF – 64 ms AUTO REFRESH period t 60 – ns RFC PRECHARGE command period t 18 – ns RP ACTIVE bank a to ACTIVE bank b command RRD 12 – ns 7 Transition time tT 0.3 1.2 ns 1 t WRITE recovery
in „[Verkaufe] 5xSDRAM (4Meg x 16 x 4 Banks) und 5xFLASH (64Meg 8 o. 16 Bit)“ · Markt ·
-
PDF
mp1482.pdf
Proprietary Informat© 2012 MPS. All Rights Reserved.zed Photocopy and Duplication Prohibited. MP1482 – 2A, 18V SYNCHRONOUS RECTIFIED, STEP-DOWN CONVERTER ORDERING INFORMATION PMP1482DS*r PaSOIC8 MP1482DSing Free -40C to +85Ce (TA) For RoHS Compliant Packaging, add suffix –LF (e.g. MP1482DS–LF–Z) R PACKAGE
in „Empfehlung Step Down Converter IC“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
Netzteil.pdf
Spannungsversorgung für Mikrocontroller-Schaltungen © DH1AAD, Ingo Gerlach, 20.11.2011, e-Mail : Ingo.Gerlach@onlinehome.de Ziel Der Hintergrund für die Entwicklung diese Netzteiles war, das hier am Computer-Arbeitstisch wo auch der µC-Programmer steht, nur sehr wenig Platz vorhanden
in „[S] Labornetzteil-Projekt mit Laptop-Netzteil“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
31029a.pdf
Instruction n W = 0x17 FSR = 0xC2 Contents of Address (FSR) = 0x15 1997 Microchip Technology Inc. DS31029A-page 29-11 PICmicro MID-RANGE MCU FAMILY BCF Bit Clear f Syntax: [label ] BCF f,b Operands: 0 f 127 0 b 7 Operation: 0 f<b> Status Affected: None Encoding: 01 00bb bfff ffff Description: Bit 'b
in „PIC nach ändern von Code undefiniertes herumwüten des uC“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
Datei
arduino328.ino
0xa4, 0x15, 0x04, 0xa7 }; RF24 radio(CE_PIN, CSN_PIN); const int LED_ROT = 19; const int LED_GLB = 18; const int UB_PIN = 0; // Tx und Rx Adressen uint8_t TXADDRESS [6] = {"tclie"}; uint16_t transmit_counter = 0; // Fuier DS18B20 void setup() { wdt_enable(WDTO_4S); pinMode(LED_ROT,OUTPUT); pinMode(UB_PIN
in „NRF24L01+ auf STM32F103: Ich weiss nicht mehr weiter :-(“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
Reparaturanleitung.pdf
und Im Basisschaltkreis des Transistors T8-U3 Der Widerstand R56-U3 steuert den Betrieb der Schalter B1.2 geleitet. Die Diode D6-U3 ist enthalten und schützt Startschaltung zwischen dem Transistor T20-U3 wird außerdem dem Eingang des Überlastsynchronisationsschaltung. und der Differenzierungsschaltung
in „Altes Oszi aus USSR (C1-94). Strahlrücklauf sichtbar.“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
KS0074.pdf
line after 40th digit of 1st line. In 4-line mode, cursor moves to the next line, only after every 20th digit of the current line. Note that display shift is performed simultaneously in all the line enabled by DS1-DS4 in the Shift Enable instruction. When displayed data is shifted repeatedly, each line
in „Informationen gesucht: 3,3V Display HB24208 für AVR32 / NGW100“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
Vollbr_cke_VNH3SP30.pdf
Source of Low-Side Switch A (*) 18, 19, 20 GND Source of Low-Side Switch B (*) B (*) Note: GAD and GBD must be externally connected together 2/26 VNH3SP30 PIN FUNCTIONS DESCRIPTION NAME DESCRIPTION VCC Battery connection. GND A Power
in „VNH3SP30 auch als Halbbrücke“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
Datei
Aenderungen.txt
------------------------------------------- String FARBE; String col_defective = ""; /* Fkt um bei DS18B20 Fehler Farbe der Fehlermeldung zu aendern */ String readDSTemperatureERR_col() { if((!err_tempC)&&(!err_tempF)&&(!zu_kaltC)&&(!zu_kaltF)) { FARBE = "color: blue"; } else { FARBE = "color: red"; } Serial.println(FARBE); return String(FARBE); } /* Ersetzt Platzhalter mit SD18B20 Werten */ String processor(const String& var) { //Serial.println(var); if(var == "TEMPERATUREC") { return temperatureC; } else if(var == "TEMPERATUREF") { return temperatureF; } else if(var == "FARBE
in „HTML Anzeige - Farbe Meldetext ändern“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
BSN10.pdf
DSS drain-source leakage current VDS = 40 V; GS = 0 − − 1 A ±GSS gate-source leakage current ±VGS = 20 V; DS = 0 − − 100 nA VGS(th) gate-source threshold voltage D = 1 mA; VGS = VDS 0.4 − 1.8 V R drain-source on-resistance I = 100 mA; V = 10 V − 8 15 DS(on) D GS D = 100 mA; VGS = 5 V − 12 20 D = 10 mA
in „Pegelwandler lässt TWI erfrieren“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
Datei
lcd.c
//28 {26,0 ,0 ,0 ,20 ,18 ,0 ,0 ,0 }, //29 {28,0 ,0 ,0 ,20 ,18 ,0 ,0 ,0 }, //30 {18,0 ,0 ,0 ,8 ,0 ,0 ,0 ,0 } //9 /* {20,0 ,0 ,0 ,20 ,18 ,0 ,0 ,0 }, //10 {22,0 ,0 ,0 ,20 ,18 ,0 ,0 ,0 }, //10 {24,0 ,0 ,0 ,20 ,18 ,0 ,0 ,0 }, //10 {26,0 ,0 ,0 ,20 ,18 ,0 ,0 ,0 }, //10 {28,0 ,0 ,0 ,20 ,18 ,0 ,0 ,0 }, //10 {18,0 ,0 ,0 ,8 ,0 ,0 ,0 ,0 }, //9 {20,0 ,0 ,0 ,20 ,18 ,0 ,0 ,0 }, //10 {22,0 ,0 ,0 ,20 ,18 ,0 ,0 ,0 }, //10 {24,0 ,0 ,0 ,20 ,18 ,0 ,0 ,0 }, /
-
PDF
MPT2P50E.pdf
VOLTAGE (VOLTS) GS DS DS GATE-TO-SOURCE OR DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS) Figure 7b. High Voltage Capacitance Figure 7a. Capacitance Variation Variation http://onsemi.com 4 MTP2P50E )12 300 V 1000 L QT S VDD = 250 V V D
in „Ersatztypen für Diode“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
-
PDF
HINK-E029A01-0629.pdf
SPI) 15 I VDDIO Power for interface logic pins 16 I VCI Power Supply pin for the chip 17 VSS Ground 18 C VDD Core logic power pin 19 C VPP Power Supply for OTPProgramming 20 C VSH Positive Source driving voltage 21 C PREVGH Power Supply pin for VGH and VSH 22 C VSL Negative Source driving voltage 23 C
in „Sammelbestellung elektronische Preisschilder?“ · Markt ·
-
PDF
LT3800.pdf
15μH I W 20k 1%4k BURST_EN VCC E 80 2 ) 1% 1μF LOSS (48V) VFB BG Si7370DP B160 75 1 VC PGND 100pF 82.5k SENSE– SENSE + 700.1 1 100 SGND ILOAD(A) 680pF 0.015Ω 3800 TA01b VOUT + 12V AT 75W 10μF 270μF 3800 TA01a 3800fc
in „LT3800 Frage“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
1808131746_Diodes-Incorporated-DMN5L06VAK-7_C260916.pdf
Gate Voltage Drain Current @ T C +25°C IDSS — — 60 nA VDS = 50V, GS = 0V V = ±12V, V = 0V 1 µA GS DS Gate-Body Leakage IGSS — — 500 nA VGS = ±10V, DS = 0V 50 nA VGS = ±5V, DS = 0V ON CHARACTERISTICS (Note 8) Gate Threshold Voltage @T = +25°C 0.49 1.0 J VGS(TH) — V VDS = VGS,DI = 250µA @T J +0°C to +
in „Suche N Mos Dual in SOT563“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
STR-W6253D_PWMswitschRegulator.pdf
Pulse A 100 100.00 ) %80 t 10.00 i 0. a f A 1m r e D 1m s g C60 t it s t g e tl (o) r t r 1.00 rr R DS p e C Cu et O D40 i du f r r S a D e 0.10 p e20 T Refer to figure 1 for MOSFET SOA temperature derating coefficient 0 0.01 0 25 50 75 100 125 150 1 10 100 1000 Temperature, F (°C) Drain-to-Source VoltageDS
in „suche Diode aus Schaltnetzteil“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
STR-W6253D_PWMswitschRegulator.pdf
Pulse A 100 100.00 ) %80 t 10.00 i 0. a f A 1m r e D 1m s g C60 t it s t g e tl (o) r t r 1.00 rr R DS p e C Cu et O D40 i du f r r S a D e 0.10 p e20 T Refer to figure 1 for MOSFET SOA temperature derating coefficient 0 0.01 0 25 50 75 100 125 150 1 10 100 1000 Temperature, F (°C) Drain-to-Source VoltageDS
in „Reparatur Audio-Schaltnetzteil“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
PSMN5R5-60YS.pdf
0 V; Tj= 25 °C - 0.05 5 µA VDS = 60 V; VGS = 0 V; Tj= 125 °C - - 100 µA I gate leakage current V = 20 V; V = 0 V; T = 25 °C - 2 100 nA GSS GS DS j VGS = -20 V; VDS = 0 V; Tj= 25 °C - 2 100 nA RDSon drain-source on-state VGS = 10 V; D = 15 A; Tj= 175 °C; - 7.6 12 mΩ resistance see Figure 12 VGS = 10 V
-
PDF
MP2354DS.pdf
Max Units Feedback Voltage V FB 4.75V ≤ VIN 23V 1.198 1.222 1.246 V Upper Switch On Resistance R 0.18 Ω DS(ON)1 Lower Switch On Resistance R DS(ON)2 10 Ω Upper Switch Leakage VRUN = 0V, VLX= 0V 0 10 µA Current Limit4) 2.7 3.4 A Current Sense Transconductance Output Current to Comp Pin G CS 1.95 A/V Voltage
in „[S] Step Down Converter MP2354DS (für Fritzbox 7170)“ · Markt ·
-
PDF
MBM29LV800.pdf
A1 24 (Marking Side) 25 A0 A2 23 26 CE A3 22 27 VSS DQ 8 16 29 DQ 14 A4 21 28 OE DQ 1 17 28 DQ 6 A5 20 29 DQ0 A6 19 30 DQ8 DQ 9 18 27 DQ 13 A7 18 31 DQ1 A17 DQ9 17 32 DQ 2 19 26 DQ5 A18 16 33 DQ2 RY/BY 15 34 DQ10 DQ 10 20 25 DQ 12 N.C. 14 35 DQ3 N.C. 13 DQ11 DQ 3 21 24 MBM29LV800TA/MBM29LV800BA 36 DQ4
in „650Stk. Flashbausteine 29LV800 1Mx8 / 512k x16, 3,3V“ · Markt ·
-
PDF
S-80825CNNB-B8K-T2.pdf
0.295V S-80859CNNB-B9K-T2 S-80859CNMC-B9K-T2 S-80859CNUA-B9K-T2 6.0V±2.0% 0.300V S-80860CNNB-B9L-T2 S-80860CNMC-B9L-T2 S-80860CNUA-B9L-T2 *1. Describes the release voltage. *2. Refer to the Table 18 in “ Electricala Characteristics
in „Unbekanntes SMD Bauteil auf einer Fahrradrücklicht-Platine“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
-
PDF
DS1302_DAL.pdf
10 YEAR YEAR W RD CONTROL 1 0 0 0 1 1 1 W WP 0 0 0 0 0 0 0 RD TRICKLE 1 0 0 1 0 0 0 TCS TCS TCS TCS DS DS RS RS CHARGER W CLOCK RD BURST 1 0 1 1 1 1 1 W B. RAM RD RAM 0 1 1 0 0 0 0 0 RAM DATA 0 W RAM 30 1 1 1 1 1 1 0 RD RAM DATA 30 W RD RAM 1 1 1 1 1 1 1 BURST W 041697 6/12 DS1302 DS1302 PROGRAMMABLE
-
PDF
DS1302.pdf
10 YEAR YEAR W RD CONTROL 1 0 0 0 1 1 1 W WP 0 0 0 0 0 0 0 RD TRICKLE 1 0 0 1 0 0 0 TCS TCS TCS TCS DS DS RS RS CHARGER W CLOCK RD BURST 1 0 1 1 1 1 1 W B. RAM RD RAM 0 1 1 0 0 0 0 0 RAM DATA 0 W RAM 30 1 1 1 1 1 1 0 RD RAM DATA 30 W RD RAM 1 1 1 1 1 1 1 BURST W 041697 6/12 DS1302 DS1302 PROGRAMMABLE
in „DS1302 zu langsam“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·