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Schaltplan einer Spannungssteuerung mit MOSFETs
Power J1 3 +5V 2 3.3V 1 GND Q1 IRLML2244TRPBF 3 2 PWR_FLAG R1 2k1 +5P 1 D1 Powersv GNDD GNDD Q2 IRLML2244TRPBF 3 2 PWR_FLAG R2 1k8 +3.3VP 1 D2 Power3.3V GNDD
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Hilfe bei IC Identifikation
daneben. CPU ist eine STM32 Cortex M4 Kopie von Geehy. Von Guangdong Juxing kann ich ein paar 8 pin Mosfets erkennen und die großen Mosfets haben ein Logo "M" wo Abwärtsstriche als "J" ausgebildet sind. Ansonsten weniger interessanter TTL Kram, Optokoppler und MBR30100 deren Logo ich noch nie gesehen habe
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ATmega: unerwatetes Reset
Beitrag #7767578: > Meine Frage ist nun, was bei 2,1V passiert. Schau dir mal an, was bei einem MOSFET Vgsth ist. Bei Unterschreitung wird der Ausgang hochohmig. Mark U. schrieb im Beitrag #7767578: > Brown-Out Erkennung ist abgeschaltet, sollte aber bis hinunter auf 1,8V > funktionieren. Operating
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BLDC Controller für Bohrmaschine
Bilder von Motor und Platine sind im Anhang. Die Platine hatte sich schonmal jemand angeschaut und Mosfets getauscht. Ist leider nicht mehr zu retten. Den Motor würde ich gern wiederverwenden, da er super in die Maschine passt und auch nicht defekt zu sein scheint. Nun finde ich aber leider keinen
möglich einen fertigen Controller aus dem Netz zu besorgen und dahinter eine Art "Endstufe" (aus Mosfets?) zu packen, mit der der Motor auf voller Leistung betrieben werden kann? Die Sensoren am Motor würde ich gerne weiter verwenden, weil konstante Drehzahl beim Bohren/Senken/Reiben schon ne schöne
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Schaltplan eines MOSFET-Verstärkers
VDD R1 Vout rin M1 M2
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Kaskode-Schaltung mit Common-Source und Source-Degeneration MOSFET berechnen
Jeder Dualgate-Mosfet sind intern zwei Mosfets in Kaskodeschaltung. Das Signal wird an das Gate des unteren Mosfets gelegt, das Gate des oberen Mosfets liegt signalmäßig an Masse. z.B. BF960, 40673, BF981 um ein paar zu nennen. Dadurch hat der untere Mosfet einen hohen Eingangswiderstand, da er in Source-Schaltung betrieben wird, der obere Mosfet ist dagegen in Gateschaltung betrieben, und hat deswegen einen niedrigen Eingangswiderstand am Sourceanschluss
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Frage zur Standalone-Konfig STUSB4500
nicht mal die 5V aus wenn er diese über ein Netzteil ohne PD erhält edit: doch kommen nach dem mosfet raus. Mit PD keine reaktion
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LG OLED 65G19 PSU Problem - schaltet nicht ein
verhindern? Ist vielleicht jemanden bekannt, wodurch so ein Fehler hervorgerufen wird? Defekte Mosfets oder defekte Rückkopplung des Regelkreises für die Ausgangsspannung? Kennt vielleicht jemand dieses Problem oder kann mir einen Ratschlag zur weiteren Fehlersuche geben? Ich würde mich über eure
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Nahaufnahme einer bestückten Leiterplatte
EL45A, EL43, J1, J159, R259, D253, R275, HS202, EL55, R303, C276, C258, J151, J152, J13, D254, R267, R257, R258, R305, R246, C261, J179, Q258, ZD86, UP5, C252, C253, R250, R254, Q253, ZD252, R251, R256, R269, R256, R262, R283, D255, D256, R264, Q261, EL180, R261, R282, C283, C282, R277, R288, C285, R271, R276, R274, R272, R278, Q261, C250, C252, R273, C288, R285, R287, R286, R282, R280, R284, R283, R290, EL103, EL105
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Netzteil testen, Belastung mit Widerständen
erforderlich. Gute Idee, würde ich auch so machen. Zuschalten würde ich die Widerstandsgruppen ggf. mit Mosfets, das lässt Raum für weitere Tests.
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On-delay Schaltung mit Mosfet & Komparator
versorgen. Ich habe einige Schaltungen gesehen, wo direkt ein Kondensator geladen wird und auf einen Mosfet geführt wird. Da ich meinen Mosfet jedoch immer entweder ganz leitend oder ganz ausgeschaltet haben möchte, habe ich diese mit einem Komparator ergänzt. (siehe Anhang) Nun zu meiner Frage: Kann
Widerstand wie die anderen (2MegaOhm) damit die Spannung nicht über VCC-1.5V steigen kann. Der MOSFET muss bei high am OpAmp Ausgang voll durchgesteuert sein, bei den LM358 also schon bei VCC-1.5V, der LM393 erfordert einen pull up Widerstand am Ausgang von ca. 4k7. Ein NE555 täte es auch. Eine
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PWM-Steller und active freewheeling
active active-freewheeling"? Auch das ist ein bekannter Begriff (Google?): beide LS (oder HS) MosFets leiten. > Bei B hast du mit 50% duty-cycle als 0V RMS am Motor, der dreht nicht. Da hast Du sicher was falsch verstanden > Deine Startbedingungen für den Strom in jedem fall stimmen nicht
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Wie ich vor 40 Jahren ein eigenes "Canbus" baute
Gatetreiber (der ist zwar recht schwach, für die Anwendung aber ausreichend, die Schaltzeit der MOSFETs lag bei ca. 1us) Das Ganze war auf ca. 90uA Ruhestrom ausgelegt, denn die Schaltung muss sich parasitär aus Leckströmen versorgen.
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600V DC schalten
Wie schalte ich die Pv Module ab- und wieder an? In dem du sie KURZSCHLIESST. Das geht per MOSFET oder IGBT. Wenn der WR eine Diode drin hat und die Module Bypassdioden, und das ist fast zu 100% sicher, war es das schon.
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Bezugsquelle oder Alternative gesucht.
Hallo liebes Forum. Für eine Deckenventilatorsteuerung suche ich ein N/P Channel Mosfet von Hi-Semicon, SFS0405T4.Ich finde keine Bezugsquelle bzw. einen Ersatztyp. Hat jemand eine Idee? Gruß Thomas
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Rote Leiterplatte mit Leistungselektronik und MOSFET
AC9-12V, NY-DC1, BTA100-1200B, A2407R
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1200W Grid-Tie-Inverter mit Limiter Reparatur/Analyse
noch unbeschädigten Teile werden nicht besser, wenn man noch ein paar Sicherungen knallen lässt. MOSFETs wie die vier Stück in der Vollbrückenschaltung am Ausgang mutieren bei Defekten gerne zu Drahtbrücken mit drei Anschlüssen. Das heißt aus dem Gate, wo eigentlich keine hohen Spannungen (ich schreib's
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Schaltplan einer Transistor- und MOSFET-Schaltung
V1 5 R2 1M R3 10k Q3 NPN Q1 PNP B E B R1 1M D Q2 NMOS G V_ADC V2 30 V3 VPULSE y1=0 y2=10 td=2u tr=2u tf=2u tw=500m per=1000m R5 10k
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Schaltplan mit MOSFETs und Spannungsquellen
R3 10k V1 5 S G D Q2 NMOS S V_ADC V2 30 S G Q1 PMOS D 10k R5 V3 VPULSE =10 td=2u tr=2u tf=2u tw=500m per=1000m
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Schaltplan eines elektronischen Teils mit MOSFET und Referenzspannung
+24V RN25A 1 100k 2 SNS_ADC Q47 BSS84 1 DRV16 3 U15 TL432DBZ +3...8V Fuse F20C46 1u D44 SMF15A 2 RN19B 100k 7 GND
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Screenshot eines Online-Shops für ein SOT-23 MOSFET
12:08 85,1 4G+ 64% 1688eric.com/mobile/pro+ Ware Einzelheiten Verwandt 爱瑞凯电子 AIRUKAI Electronic Technology (SZ) Co, Ltd WWW.ERIC1688.COM One-stop electronic components purchasing mall SMG1333 P-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor-20 V -550 mA 0,6 Ohm SOT-23 Markierung/Markierung 1333 kleiner Paket-Schnellschalter 2000 Stück auf Lager Die Mindestbestellmenge beträgt 10 Kaufmenge - 10 + Produktparameter Verwandte Modelle Titelseite Warenkorb Bitte melden Sie Anfrage
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NE555 - Unterschiedliche Frequenzen mit digitalen Inputs?
zeitbestimmende Kapazität mit npn-Transistoren gegen > Masse umschalten. Warum nicht mit einem N-Kanal MOSFET? Bert S. schrieb im Beitrag #7761969: > Habe ich schon probiert, leider wird die Simulation instabil (auch mit > ESR). Und wie äußert sich diese Instabilität? Wenn du nicht nur bunte Bilder
Rainer W. schrieb im Beitrag #7761995: > Warum nicht mit einem N-Kanal MOSFET? Muss halt einer mit ausreichend niedriger Thresholdspannung sein.
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Funkklingel mit 12V Hausklingel ansteuern / auslösen
?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d * P-Channel-MOSFET: Wenn der Gate-Input auf "Tief" gesetzt wird, schaltet der MOSFET ein und leitet den Strom durch. Wenn der Gate-Input auf "Hoch" gesetzt wird, schaltet der MOSFET aus und blockiert den Strom. Die
gab, die die Verwendung von MOSFETs in verschiedenen Anwendungen erklärten. Seit etwa 2018-2019 sind MOSFETs dann zu einem der beliebtesten Bauelemente in der Hobbyelektronikszene geworden. Dies liegt daran, dass MOSFETs sehr vielseitig
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ESP32 POE EIngangsspannung abgreifen
. Heißt also: Du darfst nicht einfach mit einem Transistor schalten, sondern brauchst einen Opto-MOSFET wie den hier: https://www.littelfuse.com/media?resourcetype=datasheets&itemid=8c944296-cc49-4fbd-b639-a9018c03a140&filename=cpc1002n Der ist für 60V und 700mA gut. So, jetzt sag mal, was für eine
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Kennt jemand dieses Package?
Könnte tatsächlich ein Leistungs-MOSFET oder IGBT sein: Die breiten Anschlüsse für Drain/Source bzw. Kollektor/Emitter und die beiden kleinen Anschlüsse als Kelvin-Anschlüsse fürs Gate, damit der Spannungsabfall über dem Lastanschluss nicht
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Handgezeichneter Schaltplan mit MOSFET und LEDs
Vcc R1 IRLML2502 Platine
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Lowara D5 Pumpe PWM an TA510Modb Regler
Polarität und macht gleichzeitig die Pegelanpassung. Du kannst statt des NPN auch einen N-Channel MOSFet nehmen (BSS138 o.ä.), es entfällt dann der Vorwiderstand.
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TTL Signal soll über langes Kabel ein Relais steuern
Ich denke bei 10m sollte es ausreichen mit dem TTL einen MOSFET zu schalten, der das 24V Relais einschaltet. Die Verbindung zum Relais am besten mit verdrillter Leitung und etwas mehr Querschnitt ausfuehren. Freilaufdiode auf der Transistorseite der Leitung, nicht
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Zweifarbiges LED ansteuern
ersetze rot durch blau. Die Schaltung von Enrico habe ich etwas verändert. Es reicht ein LL N-Channel Mosfet und der Vorwiderstand für die LEDs. Ausgang aktiv = grün, inaktiv = blau. https://www.mikrocontroller.net/attachment/649507/IMG_2571.jpg Bei Verwendung eines BJT (BC..) anstatt des Mosfet müsste
rot durch blau. Die Schaltung von Enrico habe ich etwas > verändert. Es reicht ein LL N-Channel Mosfet und der Vorwiderstand für > die LEDs. Ausgang aktiv = grün, inaktiv = blau. Was ist denn, bis auf die Farbe und die schlechtere Verfügbarkeit, der Unterschied für die Schaltung?
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Ausschnitt eines Datenblatts für einen N-Channel MOSFET
HL2302 N-CHANNEL MOSFET Features • VDS=20V • ID=3A • RDS(on)@VGS=4.5V < 45mΩ • RDS(on)@VGS=2.5V < 58mΩ
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Probleme beim Schalten eines Displays mit MOSFET und ESP32
Du brächtest so gut 2V mehr am Gate als am Ausgang, je nach Thresholdspannung des MOSFET. Verwende einen p-MOSFET in Souceschaltung, und zwar einen mit nicht zu niedriger Thresholdspannung, sonst reichen die 3,3V vom ESP32 nicht, um den MOSFET zu sperren.
totaler Overkill. Stattdessen könntest du einfach einen PNP-Transistor nehmen, oder einen p-Channel-MOSFET plus einen n-Channel-MOSFET.
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Schaltplan einer MOSFET-Schaltung zur Display-Versorgung
+5V U1 2302V DISPLAY-VCC ESP32 R1 220Ω R2 100kΩ GND
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Kapazität von Li-Ion Akkus messen
einen TL431 bei variabler Spannung abgeschaltet wird. In diesem Fall wurde der Umschalter durch MOSFETs verstärkt und die 12V Versorgung durch einen step up aus der zu messenden Batterie selbst entnommen, damit wird auch ein Lüfter versorgt um die Belastungswiderstände zu kühlen. Das muss man aber nicht
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Simulation eines KTY81 mittels Mosfet oder DigiPoti
digitales Poti über PWM steuern (evtl. 1k AD 8400 AR-1 von reichelt) oder den Stromfluss mittels MOSFET steuern und so den Widerstsand simulieren.
Pulse gesteuert, nicht PWM. >(evtl. 1k AD 8400 AR-1 von reichelt) > oder den Stromfluss mittels MOSFET steuern und so den Widerstsand > simulieren. Man braucht vermutlich beides nicht, denn hinter dem Sensor sitzt ein ADC. Also muss man nur die Spannung messen, welche sich am kritischen Punkt bei
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Schaltung zur Ürberwachung der 9 Volt Batteriespannung
folgende Lösungen sein: a) Zwei Taster und zwei TL431. b) Ein Taster, zwei Transistoren oder Mosfet und zwei TL431.
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Vdd bzw. Vcc für PMW Treiber/U-I-Controller nur mit HV-Spannung
nicht > > Im Datenblatt steht was von 3,3V. Also wohl eher keine 12V oder 5V ... > ... Die MOSFET-Teiber laufen bei den Spannungen eher mit 12V, die aber außen nicht meßbar sind, weil nirgends zugänglich. Die Steuereingänge laufen mit 3,3V, was natürlich ein starkes Indiz für einen 3,3V IC ist.
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SMD-Bauteil-Erkennung - 24V-Schaltnetzteil
: Diode Marke: Bourns Type: ? (jetzt vlt. SMCJ?) Bauteil 2: NPN-Transistor oder N-Channel-MOSFET Marke: ? Type: ? Ich bitte um Eure Hilfe hierzu, welche Bauteile das genau sind. Vielen Dank mfg Wolfgang PS: Das aktuelle Fehlerbild an dem Schaltnetzteil sieht so aus, dass es konstant
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L293 als 5V -> 12V LevelShifter?
Gibts den L293 auch als Mosfet-Variante im DIP-Gehäuse? Hab bisher nur den L6205 gefunden. Das ist aber wirklich oversized. Für den Dl-Bus reichen sicher 10 mA, max 20mA aus.
Verhältnisse. Gibts auch nen Push-Pull Treiber mit tristate Eigenschaften wie der L293 auch als Mosfet-Variante im DIP-Gehäuse?
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Nixie-Röhren
allen Betriebsarten (statisch / gemultiplext) gleich: Diskrete Ansteuerung mit Transistoren. Egal ob MOSFET oder Bipolar, der verwendete Transistor muss eine ausreichend hohe Sperrspannung haben, die höher als die Anodenspannung ist. Im hier gezeigten Beispiel wurden ein SMBTA42 als NPN Transistor und ein BSS131 als N-Kanal MOSFET gewählt: Als Basisvorwiderstand für Mikrocontroller mit 3,3V oder 5V I/O-Spannung gleichermaßen reichen 10kΩ. Damit fließt bei 3,3V (abzgl. 0,9V U BE ) ein Basisstrom von 240µA. Der SMBTA42 hat einen
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DC/DC Wandler / Step-down converter im low-current bereich
Variante, wo der Schaltwandler den niedrigen Dauerstrom übernimmt und über einen Schaltausgang ein Mosfet mit Widerstand kurz gepulst wird, wenn seltene hohe Peaks abverlangt werden.
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Arduino Nano, P-MOSFET & DC-DC StepUp für BobbyCar LEDs
P-FET dienen. Als Art Selbsthaltung. Das haben wir verstanden. Nur muss er „L“ führen um den Mosfet im leitenden Zustand zu halten.
Danke für die ausführliche Erklärung. Ich denke, ich baue das Ganze mal ohne MOSFET auf (sozusagen im Dauerbetrieb) und messe was dann an Strom verbraucht wird, wenn es im Sleep ist. Nen ProMini könnte ich auch noch testen.
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Gleichtaktstörung zerstört eure Elektronik! Grund: Schaltnetzteile ohne Erdung.
verursacht dort die vielfältigsten Störungen (z.B. ADCs, Touchscreens). Empfindliche Bauteile (Boards, MOSFETs, Laserdioden) können unmittelbar zerstört werden. Das Schlimmste allerdings ist, dass man als Anfänger nicht damit rechnet und einen unsichtbaren Gegner im System hat, der einem das Leben schwer
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IC für USB-C PD
Was ist, wenn der IC keine PD-Quelle findet? Schaltet der dann der dann den Mosfet durch oder nicht?
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Fein MultiTalent AFMT 12 QSL - Bauteil identifizieren
#7760785: > was die Diode an der > Stelle für eine Funktion hat. Asymmetrische Ansteuerung des MOSFET.
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Thinkpad T570 startet nicht
Notebook. Hatte den Strom Stecker vom Netzteil nach der Reparatur falsch rum angelötet. Und den mosfet am Eingang auf dem Mainboard weg gebrannt. Als ich die Spannung nach dem mosfet anlegte startet es zu erst auch nicht weil die spannungsüberwachung auf dem Mainboard entschied das die eingangs Spannung
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Zweiten Taster für An/Aus parallel schalten
18169-dc5-dc-5v-200ma-sil.html 3. Photomos kaufen https://www.reichelt.com/it/de/shop/produkt/mosfet-fotorel_1_5kv_60v_2_5a_dip6-375631?q=%2Fit%2Fde%2Fshop%2Fmosfet-fotorel-1-5kv-60v-2-5a-dip6-pan-aqv252g-p375631.html 270 Ohm Vorwiderstand an IR LED vom Photomos auf der Sekundärseite des DC/DC
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Der Spannungsregler 723 als Elektronische Last
Schaltung, aber sie vergrößern die minimal mögliche Lastspannung um den Spannungsabfall an ihnen. Als Mosfets für elektronische Lasten eignen sich vor allem ältere Mosfets mit einem nur durch Pmax begrenzten SOA wie z.B. viele BUZ-Typen, RFP22N10, STE150N10, sowie die IXYS-LinearL2-Typen oder auch die Audio-Mosfets. Moderne schnelle Schalt-Mosfets sind idR nicht geeignet.
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Datenblatt des BP9022A LED-Treibers
input. The output power of system is recommended to less than 5W. The BP9022A integrates 650V power MOSFET. Since adopting primary sense and feedback control technology, the secondary sense and feedback circuit is eliminated. The loop compensation components are also removed while maintaining stability
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Mikro Fein Löten mit einfacher Ausrüstung Hacks Tipps
da funktioniert? Ich hätte halt einfach einen variablen NE555 Timer oder sowas genommen und nen Mosfet damit getaktet, hätte man auch easy mit nem Temperaturfühler kombinieren können. Allerdings nicht mit diesen Schraubspitzen, ist halt die günstigste Art das herzustellen. Auf diese Silverline Ersatz
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Schaltplan einer Arduino-basierten Schaltung mit MOSFETs
1 KL,20,5A 2 KL,15 3 PWM,IN 4 NTC+ 5 NTC- 6 KL,31 Q1 BC557 R3 1k R5 1k Q3 BC557 R1 1k R2 22k D2 1N4148 Q2 BC547 R4 10k R6 1k D1 15V C1 1000µ F C2 100n 28 RESET 27 RESET 18 AREF 19 A0 20 A1 21 A2 22 A3 23 A4 24 A5 25 A6 26 A7 29 GND 25 GND U1 LT158 D0/RX 1 D1/TX 0 D2 3 D3 4 D4 5 D5 6 D6 7 D7 8 D8 9 D9 10 D10 11 D11 12 D12 13 D13 14 D14 15 D15 16 D16 +5V 3V3 R7 1k VIN C4 100n C5 100n R8 10k C7 100n C8 100n 1N4148 Q4 IRFZ44N T_GATE_DR 15 T_GATE_FB 14 T_SOURCE 13 SENSE+ 12 SENSE- 11 B_GATE_DR 9 B_GATE_FB 8 Q5 IRFZ44N R9 10m HS1 Heatsink C9 1500µ F H1 MountingHole H2 MountingHole H3 MountingHole H4
