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AP9101C.pdf
SHORT delay time or longer, the AP9101C turns off the discharge MOSFET by setting low level to the DO pin to stop discharging. In discharge overcurrent or short current status, RVMS is connected to VSS but R VMD is not connected. The voltage of VM Pin is almost equal
in „LiPo Tiefentladeschutz 1S/Einzel-Zellen "Mini/Nano"“ · Platinen ·
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LTSpice_XVII__Tutorial.pdf
Effekte stark bedämpft werden und / oder genügend lang simulieren. 13.1. Bereitstellung des Power-MOSFETs Für die folgende Untersuchung der verschiedenen Grundschaltungen benötigen wir einen passenden elektronischen Schalter. Hier haben sich Power-MOSFETs durchgesetzt und die Firmen IRF (= International
in „Triac selbsterhaltend triggern“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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LTSpice_XVII__Tutorial_korr.pdf
Effekte stark bedämpft werden und / oder genügend lang simulieren. 13.1. Bereitstellung des Power-MOSFETs Für die folgende Untersuchung der verschiedenen Grundschaltungen benötigen wir einen passenden elektronischen Schalter. Hier haben sich Power-MOSFETs durchgesetzt und die Firmen IRF (= International
in „Simulation LT Spice“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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TP4056.pdf
Adapter. No external sense resistor is needed, and no blocking diode is required due to the internal MOSFET architecture. Thermal feedback regulates the charge current to limit the die temperature during high power operation or high ambient temperature. The charge voltage is fixed at 4.2V, and the charge
in „1A China-Mini-Lader für große Akkus ?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Auflistung_Bauteile.pdf
Auflistung Bauteile Transistoren Typ Menge Beschreibung IPD75N04S4-06 430 N-CH MOSFET 40V/5,9mΩ/75A IPD50N04S4-08 360 N-CH MOSFET 40V/7,9mΩ/50A Batterie-Management Typ Menge Beschreibung BQ76PL102RGTR 5 Batterie-Management PowerLAN Dual-Cell BQ77910DBTR 13 Stand-Alone Multi-Cell Lithium
in „[V] diverse Bauteile (Fets, BMS-ICs, Motor-Treiber“ · Markt ·
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Wechselrichter.pdf
deutlich stärker ausgelegt sein. Abschätzungen: 25mm Draht 2.5mm2 -> 400mW pro Verbindung 2.7mOhm in Mosfets -> 7W pro Mosfet Pro Brücke -> 15 W @ 50A zzgl. dynamischer Verluste Kühlkörper mit 1 oder 2 K/W -> 40°C oder 50°C ohne dyn. Verluste Kosten: 40€ todo:
in „DIY 10kW/20kWh eta=99% Insel ESS Projektvorstellung“ · Haus & Smart Home ·
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rt8016_richtek_FT8.pdf
IN OUT − 3 -- 3 % 0A < OUT < 1A FB Input Current FB VFB = VIN −50 -- 50 nA VIN 3.6V -- 0.28 -- P-MOSFET R ON RDS(ON)_P OUT = 200mA Ω VIN 2.5V -- 0.38 -- VIN= 3.6V -- 0.25 -- N-MOSFET R ON RDS(ON)_N OUT = 200mA Ω VIN 2.5V -- 0.35 -- P-Channel Current Limit LIM_P VIN= 2.5V to 5.5 V 1.4 2 2.6 A EN High-Level
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ips021.pdf
Data Sheet No.PD 60148-K IPS021 S ( ) FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH Features Product Summary • Over temperature shutdown • Over current shutdown • Active clamp R ds(on) 150m Ω (max) • Low current & logic level input • E.S.D protection V clamp 50V Ishutdown 5A Description Ton /Toff 1.5µs The IPS021/IPS021S are fully protected three terminal SMART POWER MOSFETs that feature over-current, over-temperature,ESDprotectionanddraintosource active clamp.These devices combine a HEXFET ® Packages POWER MOSFET and a gate driver. They offer full protection and high
in „Intelligenter Schalttransistor...“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ips021.pdf
Data Sheet No.PD 60148-K IPS021 S ( ) FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH Features Product Summary • Over temperature shutdown • Over current shutdown • Active clamp R ds(on) 150m Ω (max) • Low current & logic level input • E.S.D protection V clamp 50V Ishutdown 5A Description Ton /Toff 1.5µs The IPS021/IPS021S are fully protected three terminal SMART POWER MOSFETs that feature over-current, over-temperature,ESDprotectionanddraintosource active clamp.These devices combine a HEXFET ® Packages POWER MOSFET and a gate driver. They offer full protection and high
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71858.pdf
MOSFETg PRODUCT SUMMARY FEATURES • Halogen-free available VDS (V) RDS(on)(Ω) D (A) TrenchFET ® Power MOSFET Available 0.0055 at GS = 4.5 V 22 ® 12 New Low Thermal Resistance PowerPAK RoHS* 0.008 at GS = 2.5 V 18 Package with Low 1.07 mm Profile COMPLIANT PWM Optimized for High Efficiency 100 % R gTested
in „Mosfet! Wie temperatur berechnen?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Loetstation_extracted.pdf
Widerstand des Leis Pausen-Verhältnis von etwa 50 % (127 I tenblatt ein typischer Wert von ±60 14V tungs-MOSFET beträgt im Ein-Zustand 255). Dies macht es auch dem weniger er und ein Maximalwert von ±125 14V ange 0,02 Q. Die daraus resultierende Verlust fahrenen Elekronikbastlerrelativ leicht, die geben,
in „Thermoelement im Weller WMRP.“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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ttester.pdf
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .29 5.1.1 Messung eines PNP-Transistors oder eines P-Kanal MOSFETs . . . . . . . . . 30 5.1.2 Messung eines NPN-Transistors oder eines N-Kanal-MOSFET . . . . . . . . . 31 5.1.3 Messung von Dioden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
in „Sammelbestellung Transistortester III - schnelle Runde“ · Markt ·
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ttester_ger109k.pdf
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .29 5.1.1 Messung eines PNP-Transistors oder eines P-Kanal MOSFETs . . . . . . . . . 30 5.1.2 Messung eines NPN-Transistors oder eines N-Kanal-MOSFET . . . . . . . . . 31 5.1.3 Messung von Dioden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
in „Sammelbestellung Transistortester III - schnelle Runde“ · Markt ·
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ucc28084.pdf
) RAMP VOLTAGE HEIGHT (2) Where V + 1.5 V OSC(peak) Notice that the PWM Latch drives an internal MOSFET that will discharge an external filtering capacitor on the CS pin. Thus, I SLOPE will appear to terminate when the PWM comparator or the cycle-by-cycle current limit comparator sets the PWM latch.
in „UCC28084 läuft nicht an“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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_Dokumentation_V1.0_Stand_22.03.2012.pdf
Latch u.s.w. bis alle 13 Latches gefüllt sind. Die Ebenen werden ja ATMega32 eigentlich durch die Mosfets geschaltet. µC Pinbenutzung: 8 x Datenleitungen für Bitmuster zu den Latches 13 x Latch Enabled 10 x Ebenensteuerung der Mosfets ---------------------------------------------- 31 Pins werden benötigt
in „Tutorial 10x10x10 LED-Cube“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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stepper.txt
++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++ /* BRÜCKE 1 */ #define B1T1_On cbi(PORTB,1); // p-Kanal Mosfet, also zum Einschalten auf Null setzen #define B1T1_Off sbi(PORTB,1); #define B1T2_On sbi(PORTB,2); #define B1T2_Off cbi(PORTB,2); #define EnableB1_1_2 sbi(PORTB,0); // Enable Treiber 1 und 2 #define
in „C-Quellcode für Schrittmotoransteuerung gesucht?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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EDS-5177B.pdf
The G5177B is a compact, high-efficiency, synchro- 3.3V Input nous step-up converter with power Mosfets embedded Low 70μA Quiescent Current and with output turn off true shutdown function and Guaranteed 3A Output Current at V OUT = 5V adjustable output current limiting with foldback for a from 3.3V
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Optokoppler_AQV252GA.pdf
bias will be applied between the input and output, the breakdown voltage of the switching element MOSFET on the (Outputterminalside) output side may degrade. Therefore, be sure to test the product under actual conditions. Example of circuits that will cause degradation of breakdown voltage of MOSFET is
in „Zu blöd Datenblatt lesen AQV252GA“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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fcm8201an.pdf
MOSFET or IGBT as the low sides of the other two phases exchange conduction, the driver circuit for the motor. This is because the high side as shown in Figure 5. Such negative current is one of the does
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B-1220.pdf
etwa 0,8 bis 1,3 V betragen, was auf einen Drainstrom des MOSFETs von 8 bis 13 mA schließen lässt. 25 Sendeverstärkerstufe 26 Sendeverstärkerstufe Das im VCO erzeugte Sendesignal durchläuft bis zumAntennenanschluss insgesamt vier Verstärkerstu- fen. Der MOSFETT1
in „JR 78 von DF5FC Schaltbild gesucht“ · HF, Funk und Felder ·
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regler.c
active-high } if(error > 0){ // Check direction if(P1M1){ // Only once update P1A = 0; // Disable higher MOSFETs P1C = 0; __delay_us(5); // Prevent short circuit P1M1 = 0; accel_val = 50; } } if(error < 0){ if(! P1M1){ P1A = 0; // Disable higher MOSFETs P1C = 0; __delay_us(5); // Prevent short circuit P1M1 =
in „Motor reglen: Trajektion?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Leistung2_neu.pdf
X1-4 4 CURRENT 2 7 R1 MSTBV4 T2.2 +5V 3 6 10R GND_T2 5 TLP250F OP_3_LOW_SIDE_LEFT +15V 8 +C9 C10 MOSFET +5V 10 9 2 7 R9 47µ 100n 8 7 -T4 T3 6 5 -T3 3 6 10R 4 3 -T2 D 2 1 -T1 5 G MOSFET TLP250F GND Q5 Q6 Q7 Q8 OP_4_LOW_SIDE_RIGHT +15V IRF540 IRF540 IRF540 IRF540 8 T3 T3 T4 T4 9 9 2 7 R10 T T T4 5 A 6
in „MOSFET´s für H-Brücke, wie viele ?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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fdc.pdf
to20Vinputand2.3Aoutputcurrentcapabilityareneeded. This load switch integrates a small N-Channel power •ControlMOSFET (Q1) includesZener protection for ESD ruggedness (>6kV Human Body Model). MOSFET (Q1) which drives a large P-Channel power MOSFET (Q2) in one tiny SuperSOT TM -6 package. •High performance PowerTrench
in „fet schalten“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Hilfspannung.pdf
precision current sources for loop compensation and fault protection circuit compared to discrete MOSFET and controller or RCC switching converter solution The Fairchild Power Switch(FPS) can reduce total component count, design size, weight and at the same time increase & efficiency, productivity, and
in „unbek. TO220 Bauteil in einem Schaltnetzteil“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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data.pdf
Data Sheet No.PD60144H IPS0151/IPS0151S FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH Features Product Summary • Over temperature shutdown • Over current shutdown • Active clamp R ds(on) 25m (max) • Low current & logic level input • E.S.D protection V clamp 50V Ihutdown 35A Description T T 1.5 s TheIPS0151/IPS0151Sarefullyprotectedthreeterminal on/ off SMART POWER MOSFETs that feature over-current, over-temperature,ESDprotectionanddraintosource active clamp.These device combine a HEXFET POWER MOSFET and a gate driver. They offer full Available Package protection and
in „Problem mit MOSFET-Schalter“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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si4946ey.pdf
Si4946EY Vishay Siliconix Dual N-Channel 60-V (D-S), 175_C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY D TrenchFETr Power MOSFET V (V) r (W) I (A) DS DS(on) D D 175_C Maximum Junction Temperature D 100% R Tested 0.055 @ VGS = 10 V 4.5 g Pb-free 60 Available 0.075 @ VGS = 4.5
in „Frage zu Ic SI4948“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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TP4056_Current.pdf
Programmable Charge Current Up to ·Input Supply Voltage(V )：-0.3V～8V CC 1000mA ·TEMP：-0.3V～10V ·No MOSFET, Sense Resistor or Blocking ·CE：-0.3V～10V Diode Required ·BAT Short-Circuit Duration：Continuous · Complete Linear Charger in SOP-8 ·BAT Pin Current：1200mA Package for Single Cell Lithium-Ion ·PROG
in „Lademodul TP4056“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ttester_eng104k.pdf
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21 5.1.1 Measurement of PNP Transistor or P-Channel-MOSFET . . . . . . . . . . . . 21 5.1.2 Measurement of NPN Transistor or N-Channel-MOSFET . . . . . . . . . . . . 23 5.1.3 Measurement of Diodes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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KarusoBTsteuerung_03.ino
denen die Motoren hängen gesetzt pinMode(PWM1, OUTPUT); pinMode(PWM2, OUTPUT); //Siganl ist durch MOSFets und Transistoren (Voltage-level war zu niedrig für MOSFets) invertiert !!! //Standard "AUS" digitalWrite(PWM1, HIGH); digitalWrite(PWM2, HIGH); //Sicherheit ob String ankam! state = String("Leer")
in „Operation "Caruso"“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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High_Voltage_amplifier.pdf
R15 3 4 7 9 3M is approximately 100. R24 Q 82k R27 Q Thehigh-voltageMTP2P50Ep- R14 11 3M 2 channel MOSFET has maximum 3M drain-to-source- and gate-to- R28 drain-voltageratingsof500V.The 12V 3M Q3 high-voltage BUK456800B n- R23 C2 Q 82k channel MOSFET has maximum R2 R 5 0.1 F R10 12 20k 3M R 10k R29 drain-to-source
in „Verstärker 800V“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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High_Voltage_amplifier.pdf
R15 3 4 7 9 3M is approximately 100. R24 Q 82k R27 Q Thehigh-voltageMTP2P50Ep- R14 11 3M 2 channel MOSFET has maximum 3M drain-to-source- and gate-to- R28 drain-voltageratingsof500V.The 12V 3M Q3 high-voltage BUK456800B n- R23 C2 Q 82k channel MOSFET has maximum R2 R 5 0.1 F R10 12 20k 3M R 10k R29 drain-to-source
in „Hochspannungs OPV Fehler/Vorschlag?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRLN540.pdf
PD - 9.1495 IRL540N PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET l Logic-Level Gate Drive D l Advanced Process Technology V DSS = 100V l Isolated Package l High Voltage Isolation = 2.5KVRMS R DS(on) = 0.044 l Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm G l Fully Avalanche
in „HEXFET als Widerstand?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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162399-da-01-en-IRF_4905.pdf
PD-9.1280C IRF4905 ® HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Ultra Low On-Resistance V = -55V l Dynamic dv/dt Rating DSS l 175°C Operating Temperature l Fast Switching R DS(on) = 0.02 G l P-Channel ID= -74A l Fully Avalanche
in „High Side Switch“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IRLZ34.pdf
PD - 9.1307B IRLZ34N HEXFET Power MOSFET l Logic-Level Gate Drive l Advanced Process Technology D V = 55V l Dynamic dv/dt Rating DSS l 175°C Operating Temperature l Fast Switching R DS(on) = 0.035 G l Fully Avalanche Rated D = 30A Description
in „einzellzellen entladung für nimh akku“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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irl3705n.pdf
PD-9.1370C IRL3705N HEXFET Power MOSFET l Logic-Level Gate Drive D l Advanced Process Technology V = 55V DSS l Dynamic dv/dt Rating l 175°C Operating Temperature R DS(on) = 0.01 l Fast Switching G l Fully Avalanche Rated ID=89A Description
in „Anschluss MOSFET IRL3705N“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRF4905_TO220.pdf
PD-9.1280C IRF4905 ® HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Ultra Low On-Resistance V = -55V l Dynamic dv/dt Rating DSS l 175°C Operating Temperature l Fast Switching R DS(on) = 0.02 G l P-Channel ID= -74A l Fully Avalanche
in „FET Frage (n oder p)“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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182853-da-01-en-IRLR_8103V.pdf
PD-94021A IRLR8103V • N-Channel Application-Specific MOSFETs • Ideal for CPU Core DC-DC Converters • Low Conduction Losses • Low Switching Losses D • Minimizes Parallel MOSFETs for high current applications Description This new device employs advanced HEXFET Power G MOSFET technology to achieve an unprecedented balance of on-resistance and gate charge.The reduced D-Pak S conduction and switching losses make it ideal for high efficiency DC-DC converters that power the
in „Drehzahlmesser für Drehbank“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IRF3205.pdf
PD-91279E IRF3205 ® HEXFET Power MOSFET Q Advanced Process Technology D Q Ultra Low On-Resistance VDSS = 55V Q Dynamic dv/dt Rating Q 175°C Operating Temperature R DS(on) = 8.0mΩ Q Fast Switching G Q Fully Avalanche Rated ID = 110A U S Description
in „Hohe Ströme aus Akku Entladen ?!“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IRL540N.pdf
PD - 9.1495 IRL540N PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET l Logic-Level Gate Drive D l Advanced Process Technology V DSS = 100V l Isolated Package l High Voltage Isolation = 2.5KVRMS R DS(on) = 0.044 l Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm G l Fully Avalanche
in „Welcher R_DS(on) stimmt?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irlz34npbf.pdf
PD - 94830 IRLZ34NPbF ® HEXFET Power MOSFET l Logic-Level Gate Drive l Advanced Process Technology D l Dynamic dv/dt Rating V DSS = 55V l 175°C Operating Temperature l Fast Switching R = 0.035Ω l FullyAvalancheRated G DS(on) l Lead-Free S ID
in „MOSFET defekt (evtl. durch Ohmmeter)?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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162537-da-01-en-IRF_9540_N.pdf
PD - 91437B IRF9540N HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Dynamic dv/dt Rating V = -100V DSS l 175°C Operating Temperature l Fast Switching R DS(on) = 0.117 l P-Channel G l Fully Avalanche Rated ID= -23A S Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifier
in „iMax B6 defekt“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irf9z34n.pdf
PD - 9.1485B IRF9Z34N ® HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Dynamic dv/dt Rating V DSS = -55V l 175°C Operating Temperature l Fast Switching R DS(on) = 0.10 l P-Channel G l Fully Avalanche Rated Description S ID = -19A FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifier
in „IRF9Z34N als Ersatz für BUZ171“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irlz34n.pdf
PD - 9.1307B IRLZ34N HEXFET Power MOSFET l Logic-Level Gate Drive l Advanced Process Technology D V = 55V l Dynamic dv/dt Rating DSS l 175°C Operating Temperature l Fast Switching R DS(on) = 0.035 G l Fully Avalanche Rated D = 30A Description
in „IRLZ34N anschliessen ?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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LEDcubeProjektbeschreibung_v1.0.pdf
über Schalter auf die positive Versorgungsspannung gelegt werden. Da zur An- steuerung von n-Kanal MOSFETs eine zweite Versorgungsspannung oder Levelshifter nötig sind, bie- ten sich hierfür p-Kanal MOSFETs an. Die geringere Löcherbeweglichkeit ist in dieser Leistungsklasse und Einsatzart unerheblich.
in „LED cube 8x8x8“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IRFI4212H-117.pdf
DIGITAL AUDIO MOSFET PD-97249A IRFI4212H-117P Features Key Parameters g Integrated half-bridge package V DS 100 V Reduces the part count by half R DS(ON)typ. @ 10V 58 m : Facilitates better PCB layout Q gyp. 12 nC Key
in „UV-Laserdrucker II“ · Platinen ·
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DS_IRLZ44N-IR.pdf
PD - 94831 IRLZ44NPbF ® HEXFET Power MOSFET l Logic-Level Gate Drive D l Advanced Process Technology l Dynamic dv/dt Rating V DSS = 55V l 175°C Operating Temperature l Fast Switching R = 0.022Ω G DS(on) l FullyAvalancheRated l Lead-Free S D
in „IRLZ44N Logic Level? Welcher Parameter?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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irl3705n.pdf
PD-9.1370C IRL3705N HEXFET Power MOSFET l Logic-Level Gate Drive D l Advanced Process Technology V = 55V DSS l Dynamic dv/dt Rating l 175°C Operating Temperature R DS(on) = 0.01 l Fast Switching G l Fully Avalanche Rated ID=89A Description
in „Ventilansteuerung mit Mosfet - Temperatur?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irf3205.pdf
PD-91279E IRF3205 ® HEXFET Power MOSFET Q Advanced Process Technology D Q Ultra Low On-Resistance VDSS = 55V Q Dynamic dv/dt Rating Q 175°C Operating Temperature R DS(on) = 8.0mΩ Q Fast Switching G Q Fully Avalanche Rated ID = 110A U S Description
in „Erzeugt ein 9V-Printtrafo mehr als 750V?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRLZ44N-IR_Reichelt.pdf
PD - 94831 IRLZ44NPbF ® HEXFET Power MOSFET l Logic-Level Gate Drive D l Advanced Process Technology l Dynamic dv/dt Rating V DSS = 55V l 175°C Operating Temperature l Fast Switching R = 0.022Ω G DS(on) l FullyAvalancheRated l Lead-Free S D
in „PWM-Drehzahlregelung Wasserpumpe mit DC bürstenloser Motor“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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irfp260n.pdf
PD - 94004A IRFP260N HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Dynamic dv/dt Rating V DSS = 200V l 175°C Operating Temperature l Fast Switching R = 0.04 G DS(on) l Fully Avalanche Rated l Ease of Paralleling D = 50A l Simple Drive
in „Strom bei 50 A begrenzen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·