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Oszilloskop-Screenshot eines Rechtecksignals
Stop 5.000us Δx:9.780us 1/Δx:102.2KHZ x1:80.00ns x2:-9.700us 1VBW~ 0.00div (1GS/s) 25VBW~ 0.00div Depth:1M T:4.330us Vk:2.600v M:1.0us Typ Image 1 Vt:3.240v F:230.9KHZ 2 Vk:OFF 1 Vp:3.440v 1 RT:40.00ns 240mV Speichern
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Oszilloskop-Messung eines Rechtecksignals
Stop 5.000us Δx:9.780us 1/Δx:102.2KHZ x1:80.00ns x2:-9.700us 1VBW~ 0.00div 25VBW~ 0.00div (1GS/s) Depth:1M 1 Vk:2.451v M:1.0us 1 Vt:3.240v F:230.4KHZ 2 Vk:OFF 1 Rp:3.440v RT:40.00ns 240mV Typ Image Speichern
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Oszilloskop-Messung eines verrauschten Signals
20s/ 2 3 4 3.380V 10.00/ Stop t 1 0.0V ΔX = 100.0000us 1/ΔX = 10.000kHz ΔY(1) = 29.750mV Mode Manual Source 1 X Y Y1 -21.250mV Y2 8.500mV Y1 Y2
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Oszilloskop-Messung eines verrauschten Signals
1 20µ/ 2 3 4 3.380mV 10.00µ/ Stop 1 0.0V ΔX = 100.0000us 1/ΔX = 10.000kHz ΔY(1) = 27.750mV Mode Manual Source 1 X Y Y1 -20.500mV Y2 7.250mV Y1 Y2
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Oszilloskop-Messkurve mit Impulsen
20ns 1 2 3 4 3.380ns 10.00ns Stop 1 0.0V ΔX = 16.90000us 1/ΔX = 59.172kHz ΔY(1) = 37.500mV Mode Manual Source 1 X Y Y1 -25.250mV Y2 12.250mV Y1 Y2
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Oszilloskop-Messkurve mit Rauschen
20µ 2 3 4 3.380V 5.000V Stop 1 0.0V ΔX = 12.20000us 1/ΔX = 81.967kHz ΔY(1) = 29.500mV Mode Manual Source 1 X Y Y1 Y2 Y1 Y2 -22.250mV 7.250mV
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Funkstrecke für Sync-Impuls zwischen drei Mikrocontrollern
Geräte 2&3 bewegen sich individuell im Raum max. 2m entfernt von Gerät 1. Datenausgabe per Bluetooth LE Modul (Microchip rnbd451) an eine gemeinsame "Bluetooth-CAN" Bridge. Nun besteht der Wunsch die Messdaten zu synchronisieren. Idee 1: Man
N. schrieb im Beitrag #7746017: > Eigentlich wäre mir eine Chip-Antenne lieber Vielleicht CAM-M8Q (10x15x3mm)? Obwohl, SAM-M10Q braucht inkl. Keramikantenne auch nur 16x16x7mm. Die M10 brauchen angeblich weniger Strom. Fabian N. schrieb im Beitrag #7742406: > Idee 1: > Man könnte in jedem
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Oszilloskop-Messkurven von zwei Kanälen
UNI-T Stop M Pos: 19.800us Ch1 1.00V Ch2 20.0mV M 5.00us L-Sat 200 mV/V 10 mV/A Oszi: 1000 mV/Div 20 mV/Div d.h. 5 V/Div 2 A/Div d.h. 24 V 12 A Spitze
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Feuerlöscheinrichtung in Speicherbatterie sinnvoll?
Garten und zum anderen eine Brandschutztür zum restlichen Keller. Auch ist der Raum recht klein (3x2,5m), 1 Stufe tiefer als das restliche Haus und mit einem vernetzten Rauchmelder ausgestattet. Ich mach mir da somit eher wenig Sorgen.
Studien werden selbstverständlich die Energiemengen zwischen Quelle und Tank verglichen und nicht 1kWh aus Benzin und 1kWh aus Strom! Teilweise ist lediglich nicht zu erkennen, ob Heizwert oder Brennwert als Grundlage genommen wurde.
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FPGA wahl DAC 160MSPS
M. M. schrieb im Beitrag #7741598: > Das heißt ich brauche einen Speicher > von (16000*8*2)/8 = 32kbit. Du meinst 32 kB, oder? 160e6 sps · 100e-6 s · 8 bits/sample · 2 = 256 kbits (sps · t · Bits/sample
M. M. schrieb im Beitrag #7741642: > 160MHz Systemfrequenz sind schon eine Nummer oder? Nicht wirklich. Außerdem geht es auch mit 80 MHz DDR am Eingang und Wertbreitenverdopplung zum BRAM. Die können
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Windows: SSD Nach Absturz unpartitioniert.
1. Ein Live-Linux starten und per ddrescue eine 1:1-Kopie erstellen. 2. Original weglegen. 3. Per Live-Linux das Programm testdisk mit der Kopie ausführen, damit kannst Du die Partitionierung wiederherstellen
Lade dir Clonezilla auf nen Stick und mache erstmal die 1:1 Kopie (wichtig: Hier auch wirklich 1:1 auswählen; du willst eine vollständige Spiegelung). Lass das alte Knoppix und ziehe, wenn überhaupt, eine neue Version. Oder Du nimmst gleich ein aktuelles
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Oszilloskop-Messung einer Sinuswelle und eines Rauschsignals
SIGLENT Stop M 2.00ms/Delay:320us f < 10Hz Sa 250MSa/s Curr 7.00Mpts CH2 Edge L 22V 1 10X 2.00V 0.0V 2 10X 100V 0.0V TRIGGER Type Edge Source CH2 Slope Rising Holdoff Close Coupling DC Noise Reject Off
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Oszilloskop-Messkurven
SIGLENT Stop M 50.0us/ Delay:340us f < 10Hz Sa 500Msa/s Curr 7.00Mpts Edge CH2 DC 1 10X 2.00V/ 0.0V 2 DC1M 10X 100V/ 0.0V 50.0us/ TRIGGER Type Edge Source CH2 Slope Rising Holdoff Close Coupling DC Noise Reject Off
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Oszilloskop-Screenshot mit zwei Signalkurven
SIGLENT Stop M 1.00ms/ Delay:340us f < 10Hz Sa 500Msa/s Curr 7.00Mpts Edge CH2 DC 1 10X 2.00V 0.0V 2 10X 100V 0.0V TRIGGER Type Edge Source CH2 Slope Rising Holdoff Close Coupling DC Noise Reject Off
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Oszilloskop-Messkurven von zwei Kanälen
SIGLENT Ready M 200ns/ Delay:0.00s f <= 10Hz Sa 500Msa/s Curr 1.40kpts Edge DC CH1 1 10X 2.00V 0.0V 2 DC1M 10X 100V 0.0V CURSOR Mode Manual X2 -700us Source CH2 Type X X Ref Delay Y Ref Offset
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Oszilloskop-Messkurven eines Einschaltvorgangs
SIGLENT Stop M 200ns/ Delay:0.00s f <= 10Hz Sa 500Msa/s Curr 7.00kpts Edge CH1 DC L 4.72V 1 10X 2.00V 0.0V 2 DC1M 10X 100V 0.0V CURSOR Mode Manual X2 -700us Source CH2 Type X X Ref Delay Y Ref Offset
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Oszilloskop-Messung eines Spannungssprungs mit Einschwingvorgang
SIGLENT Ready M 200ns/ Delay:0.00s f <= 10Hz Sa 500Ma/s Curr 1.40kpts Edge CH1 DC 5.16V 1 DC1M 10X 2.00V 0.0V 2 DC1M 10X 100V 0.0V CURSOR Mode Manual X2 -700us Source CH2 Type X X Ref Delay Y Ref Offset
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Halbleiter-Allerlei: Zenerdioden, Mikrocontroller und mehr
erweitert die für diesen Bereich vorgesehene STM32C0-Familie – als Rechenkern dient ein Arm® Cortex®-M0+ - nun um ein als STM32C071 bezeichnetes und mit mehr Speicher ausgestattetes Modell.  Bildquelle: https://www.st.com/en/microcontrollers-microprocessors/stm32c0-series.html
ab Sofort beginnen: [c] Die STM32C071-MCUs werden bereits produziert und sind zu Preisen ab -,53 US-Dollar im TSSOP20-Gehäuse bzw. -,73 US-Dollar als LQFP64-Version lieferbar (jeweils ab 1.000 Stück). Dank des Longevity-Programms von ST ist sichergestellt, dass die STM32C0-MCUs mindestens 10 Jahre
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Diagramme zum Pullup-Widerstand bei I2C
R_p(min) (kOhm) Vcc (V) Vcc > 2V Vcc <= 2 Vcc (V) V_OL = 0.2 x Vcc, I_OL = 2 mA when Vcc <= 2 V V_OL = 0.4 V, I_OL = 3 mA when Vcc > 2 V Figure 2. Minimum Pullup Resistance [R_p (min)] vs Pullup Reference Voltage (Vcc) R_p(max) (kOhm) Standard-mode Fast-mode C_b (pF) Figure 3. Maximum Pullup Resistance [R_p (max)] vs Bus Capacitance (C_b) Standard-mode (f_SCL = 100 kHz, t_r = 1 us) Fast-mode (f_SCL = 400 kHz, t_r = 300 ns)
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ATMega Auslaufmodell?
Falk B. schrieb im Beitrag #7740964: > https://www.microchip.com/en-us/parametric-search.html/716?filters=JTdCJTIyY2F0ZWdvcnlkcm9wZG93biUyMiUzQSU1QiUyMk1pY3JvY29udHJvbGxlcnMlMjBhbmQlMjBNaWNyb3Byb2Nlc3NvcnMlMjIlMkMlMjIlMjIlMkMlMjIlMjIlNUQlN0Q= Schade, nur die beiden bisherigen Typen mit nur einem CAN (AT90CAN*, ATmega*M1).
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Akku bei Grasschere tauschen
Tim 🔆 schrieb im Beitrag #7740181: > 1. Kann ich einfach einen mit mehr Kapazität einbauen oder muss die > Ladeelektronik angepasst werden? Der Originalakku hat 1500mAh Kannst du, ohne Anpassung. > 2. Ist was wegen der Strombelastbarkeit
Kapazität bei gleichen Abmessungen sind sehr oft mit > erlogenen Werten angeboten Für eine Sony US18650VTC5A zeigt das Datenblatt Kurven bis zu 30A-Entladestrom, habe ich in einem Akkustaubsauer anstatt zuvor 3xNiCd verbaut. Eine Messung mit 250 mA konstant hat tatsächlich 2500 mAh geliefert. Das
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Server um CPU erweitern
https://www.cisco.com/c/de_de/support/servers-unified-computing/ucs-c220-m4-rack-server/model.html#~tab-documents https://www.cisco.com/c/dam/en/us/products/collateral/servers-unified-computing/ucs-c-series-rack-servers/c220m4-sff-spec-sheet.pdf
https://www.cisco.com/c/en/us/td/docs/unified_computing/ucs/c/hw/C220M4/install/C220M4/spec.html Laut Obigem müssen beide CPUs identisch sein und bestimmte Regeln für die RAMs eingehalten werden. Ansonsten: Ich vermute stark
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Oszilloskop-Messungen eines A20 CRT Drivers
Tek Stopped: 3570 Acquisitions Ch1 Per 32.00us Ch1 PWid 14.94us A20 5.00V 5.00us Ch1 -2.2V Tek Stopped: 9668 Acquisitions Ch1 Per 32.00us Ch1 NWid 16.90us A20 100V M.00us Ch1 322V Tek Stopped: 4881 Acquisitions Ch1 Per 32.00us Ch1 NWid 16.90us A20 100V M.00us Ch1 26V Tek Stopped: 8408 Acquisitions Ch1 Per 32.00us Ch1 PWid 3.52us A20 50.0V 5.00us Ch1 161V Tek Stopped: 13386 Acquisitions Ch1 Per 32.00us Ch1 NWid 3.33us A20 50.0V M.00us Ch1 -
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Oszilloskop-Screenshot eines Rechtecksignals
HANMA Stop T:0.000ns 1 FT:<40.000us 1 Vt:5.078V 1 Vpp:5.000V 1 F:464.3Hz 1 V:2.690V 1 T:2.154ms M:2.0ms (250KS/s) Depth:10K 1 2.00V BW- 0.00div 397.210Hz 2 ~ -1.00div CH1:DC- 2.64V
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Oszilloskop-Messung eines Rechtecksignals
HANMA Stop T:-960.0us 1 Vt : 13.48V 1 Vpp : 13.87V 1 V : 6.957V 1 F : 423.1Hz 1 T : 2.364ms M: 2.0ms (250KS/s) Depth:10K 1 5.00V BW- 0.00div 333.387Hz 2 1.00V ~ -1.00div CH1:DC- 6.50V
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Oszilloskop-Messung eines Kernspulen-Bauteils
UNI-T Stop M Pos: 80.000us 2 200mV 2.00mVbw 20.0us Ch1 200mV Ch2 2.00mVbw 20.0us Math Aus L-Sat 200 mV/V 100 mV/A Oszi: 200 mV/Div 2 mV/Div d.h. 1 V/Div 0,02 A/Div d.h. 6 V 0,14 A Spitze
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DCF77 - Empfang
Mike M. schrieb im Beitrag #7737430: > Mein DCF77-Modul (Pollin) Meine Erfahrung mit dem Pollin-Modul: Es muss in der Nähe des Fensters sein, sonst kein Empfang. Wenn das alte Röhren-Oszi in 1m Entfernung
[pre]tzdata (2022f-1) unstable; urgency=high * New upstream version: - Mexico will no longer observe DST except near the US border. Chihuahua moves to year-round -06 on 2022-10-30. - Fiji no longer observes
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Oszilloskop-Messung und Wicklung eines Transformators
Ch1 200mV Ch2 2.00mVbw 10.0us L-Sat 200 mV/V 100 mV/A Oszi: 200 mV/Div 2 mV/Div d.h. 1 V/Div 0,02 A/Div d.h. 2 V 0,11 A Spitze
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Mosfet Verluste
#7737025: > Ich will nun aber auch die Body-Diode des Mosfets berücksichtigen. Diese > hat. Vdf = 1.1V und Rdf = 30mΩ. Macht 3A x 1.1A = 3.3W in 3/5 der Zeit, die 30mOhm habe ich mal unterschlagen, die werden in den 1.1V drin sein. 3.3 x 3/5 + 0.45 x 2/5 = 2.16W. Dazu kommen Umschaltverluste
#7737139: >> Ich will nun aber auch die Body-Diode des Mosfets berücksichtigen. Diese >> hat. Vdf = 1.1V und Rdf = 30mΩ. > > Macht 3A x 1.1A = 3.3W in 3/5 der Zeit, die 30mOhm habe ich mal > unterschlagen, die werden in den 1.1V drin sein. Vielen Dank für die hilfreiche Antwort! Aber während
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ESP8266 startet nicht bei geringer Batteriespannung
Benötigt Q1 eigentlich keinen Basisvorwiderstand?
auch so mit 1,8V bis 5,5V läuft? also ideal für 3aaa batterien?
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Programmer/Debugger für Silicon Image EFM8
kämpfe zwar noch mit > den externen Interrupts, die wollen im Simulator nicht auslösen EX0 bzw EX1 und EA auf 1 gesetzt?
>>EX0 bzw EX1 und EA auf 1 gesetzt? Na sicher, hat ja vorher auch mit dem 767 funktioniert. Heute mache ich aber nichts mehr, morgen wieder. >>Vielleicht beschreibst du besser was du machen willst wenn es kein
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TTL Signal Verstärken und invertieren
bieten die Möglichkeit nicht. Aber "zu Fuß" kann man das sicher aufbauen. Z.B. mit Schieberegistern [1] und dann alle Latches gleichzeitig aktivieren. Mit TPIC6C595 geht das bis 100mA und 35V pro Ausgang. Paßt also. [1] [[Porterweiterung_mit_SPI]]
im Beitrag #7737689: > Aber "zu Fuß" kann man das sicher aufbauen. Z.B. mit > Schieberegistern [1] und dann alle Latches gleichzeitig aktivieren. Mit > TPIC6C595 geht das bis 100mA und 35V pro Ausgang. Paßt also. Ich bin da leider neu in der Materie. Wie muss ich was machen :) Danke schonmal
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ESP32 Watchdog
result in an OTA rollback. > • AES and SHA Access to PSRAM – When ESP32-C5 chips run ESP-IDF v5.5.1, PSRAM data may be corrupted when AES or SHA hardware accesses buffers that are not aligned to a 16-byte boundary. > • Sleep Coexistence Stability – When ESP32-C5 series chips run ESP-IDF v5.5.1
Nun eher nicht, im September 2024 stand die Version 3.0.4, im Oktober 2024 folgte dann die 3.1.0. Der Fehler, den du gerade meinst ist aktuell und tritt nur in 5.5.1 auf.
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AD9833 Programmieren
Christoph db1uq K. schrieb im Beitrag #7736857: > https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/AD9835.pdf > Das Evalboard hat einen 0,1 µF-Kondensator parallel zu 300 Ohm, wenn das > kein
natürlich nicht auf alle chinesischen Module zutreffen. Dass man ein 42MHz-Filter nicht mit einem 1:1 Tastkopf misst gehört zum messtechnischen Grundwissen. Die 100pF pro Meter sind zwar keine konzentrierte Kapazität, aber bezogen auf die Wellenlänge von etwa 7m doch noch eine gute Näherung. Verglichen
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Kabeltyp für Erdung PV-Anlage
en.battery-expo.com/ Review of WBE 2024 Held from August 8th to 10th in Guangzhou, WBE 2024 spanned 100,000 sq.m, and featured 1,205 exhibiting companies from 14 countries (Including 476 cells, packs & energy storage exhibitors), hosting notable names like BYD, EVE, Great Power, GOTION HIGH-TECH, Tianneng, Pisen
und Knoten, jedenfalls im 1. Semester) oder Grundlagen der Schaltungstechnik, was im eigentlichen Wortsinn Elektronik ist, da hat man zumindest etwas mit ESD zu tun, was tatsächlich elektrische Funkenentladungen, also per definition
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Bestückte Leiterplatte eines Netzteils
CAMERSON.it EI30R 12712 6 PRI 230V50/60Hz 1-5 SEC 12 V 1,5 VA7-9 07 28 ta 70° C/B C US FABER M-CS FC FW C1 C6 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R9 R10 R11 J5 J6 J8 J10 VDR2 VDR3 OP1 OP2 WHT GRY PNK BLU
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Oszilloskop-Messung von drei Signalen
MSO5072 Fri September 13 09:42:52 2024 RIGOL STOP H 500us 2GSa/s 10Mpts Measure STOP/RUN D 2.00ms T 1 2.00V N 15.28V 500us 1ms 1.5ms 2ms 2.5ms 3ms 3.5ms 4ms 4.5ms 13.28V 11.28V 9.28V 7.28V 2 5.28V 5.26V 1.28V -720mV 1 2.00V -7.28V 2 2.00V -1.84V 3 2.00V +2.96V 4 100mV -28.0V L 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 GI GII 09:42
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[S] Suche Transistor KSC3964 oder 2SC3964
2SC3964-----Transistor-NPN-40V-2A-2W-220MHz-TO126.html?srsltid=AfmBOorw-0POZOd-7zZ4ocrBCaHCF2PtlLNLd2Z1qkTQL2Aid61S1bpo
dort stimmt hfe nicht mit dem Datenblatt überein. Habe es auch nochmal manuell nachgemessen, bei 100mA Ic habe ich 0,3mA Ib. Das sind gerade mal 333 anstelle von >1000.
