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Ausschaltverhalten_0_47Ohm.pdf
D (10A) D (12,5A) A 300 / D (15A) 1 D (17,5A) · 200 i (20A) i D V 100 uDS(5A) / uDS(7,5A) S D 0 uDS(10A) u uDS(12,5A) u (15A) −100 DS uDS(17,5A) −200 uDS(20A) −20−15−10 −5 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 t / ns
in „False Turn On bei Synchron Buck mit eGaN FETs“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Einschaltverhalten_0Ohm.pdf
D (10A) 300 D (12,5A) A / D (15A) 1 200 D (17,5A) · i (20A) i 100 D V uDS(5A) / 0 uDS(7,5A) S D uDS(10A) u−100 uDS(12,5A) u (15A) −200 DS uDS(17,5A) −300 uDS(20A) −20−15−10 −5 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 t / ns
in „False Turn On bei Synchron Buck mit eGaN FETs“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Oszilloskop-Messung von ADC-Erfassung und FET-Schaltung
Settling Artifact? FET turned off Yellow: ADC aquistion Turkis: Current ADC Input * .png File Name RigolDS10 Invert OFF Color NewFolder Window Hide Save +Width1 870.50ns Freq2 155.20kHz Freq1 25.056kHz 1 1.00V 0.00V 2 2.00V -1.33V 3 3.00V +4.16V 4 4.00V -3.44V L 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16:56
in „Strommessung bei High-Speed Motor“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik · · Oszi-Bilder
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Einschaltverhalten_0Ohm_Mit_Ohne_Shunt_Vergleich.pdf
keinShunt)(15A) S u (keinShunt)(5A) u GS uDS(keinShunt)(10A) 0 uDS(keinShunt)(12,5A) u (keinShunt)(15A) DS −10−20−15−10 −5 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 t / ns
in „False Turn On bei Synchron Buck mit eGaN FETs“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRLML6401.pdf
Threshold Voltage -0.40 -0.55 -0.95 V VDS= VGS, D = -250μA gfs Forward Transconductance 8.6 ––– ––– S V DS= -10V, D = -4.3A I Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– -1.0 VDS= -12V, GS = 0V DSS ––– ––– -25 μA VDS= -9.6V, GS = 0V, J = 55°C I Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– -100 VGS= -8.0V GSS Gate-to-Source
in „3,3 V schalten mit möglichgst geringem Spannungsabfall“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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oneWire_addressFinder.ino
http://www.hacktronics.com/Tutorials/arduino-1-wire-address-finder.html #include <OneWire.h> OneWire ds(10); // Connect your 1-wire device to pin 10 void setup(void) { Serial.begin(9600); discoverOneWireDevices(); } void discoverOneWireDevices(void) { byte i; byte present = 0; byte data[12]; byte addr[8
in „Arduino DS18S20 geziehlt auslesen!“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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SUIS51BL.ASM
RAM Programmspeicher Basisadresse ; Zeitfunktionen PUBLIC _ZSECH ?STACK SEGMENT IDATA RSEG ?STACK DS 10 EXTRN CODE (?C_START) PUBLIC ?C_STARTUP CSEG AT BaseAdr ?C_STARTUP: LJMP ISPSTART ;Autostartkennung ;------------------------------------------------------------------ ;* Benutzte Interrupts durch
in „Layout für MCS51 Experimentierboard“ · Projekte & Code ·
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Inkrementalgeber.txt
------------------------------ ; Reservierung des Stack-Bereichs ?STACK SEGMENT IDATA RSEG ?STACK DS 10H ;------------------------------------------------------------------------------ ; Auf Adresse 0 im Code-Speicher muss ein LJMP zum Programmanfang stehen CSEG AT 0 ;absolutes Code-Segment bei Adresse
in „ext. Interrupt mit Inkrementalgeber und 8051-Controller“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Seriell.txt
DATA RSEG bit_seg received: DBIT 1 RSEG data_seg st_received: DS 1 st_send: DS 1 RSEG stack_seg tos: DS 10 CSEG AT 0 entry_point: JMP start ORG 023h ;Einsprungstelle Seriellinterrupt JMP isr_ser RSEG code_seg start: MOV SP,#tos call init_ss cycle: MOV R0,#255d ;Dummyprog. schleifi: DEC R0 JB received,data_received
in „Problem mit MOV A,SBUF“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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csio-SR.pdf
OUT9 IN10 P5 IN2 P5 9 QHs QH 7 OUT8 5 P6 5 P6 IN9 IN1 6 6 IN8 P7 IN0 P7 1 PL 1 PL 74HC595 Vcc NC 10 DS 10 DS 74595 U5 2 CP1 2 CP1 13 G QA 15 OUT7 74HC123 U1 K 15 CP2 15 CP2 12 RCLK QB 1 OUT6 1 01 R c 10 SRCLR QC 2 OUT5 V CLR Re/Ce V 3 15C1 11 SRCLK QD 3 OUT4 14 4 Ce 143.3n SER QE OUT3 5 B Q QF OUT2 2 4
in „Z180-Stamp Modul“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Inkrementalgeber_Zeit.txt
SEGMENT IDATA ;?STACK im indirekt adressierbaren internen RAM RSEG ?STACK ;?STACK-Segment waehlen DS 10H ;Reserviere z.B. 16Byte Stack ;------------------------------------------------ ; Reserviere Speicherplatz fur Variablen im int. direkt adressierbaren RAM dir_daten SEGMENT DATA ;deklariere Datensegment
in „ext. Interrupt mit Inkrementalgeber und 8051-Controller“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Seiten_aus_FDV303N.pdf
Forward Transconductance V DS5 V, I D 0.5 A 1.45 S DYNAMIC CHARACTERISTICS C iss InputCapacitance V DS10 V, V =GS V, 50 pF C oss Output Capacitance f = 1.0 MHz 28 pF C rss ReverseTransferCapacitance 9 pF SWITCHING CHARACTERISTICS (Note) tD(on) Turn - On Delay Time V DD6 V, I D 0.5 A, 3 6 ns tr Turn - On
in „Antiparallele Dioden??“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Tmess_disp.a51
SEGMENT IDATA ; ?STACK im indirekt adressierbaren internen RAM RSEG ?STACK ; ?STACK-Segment waehlen DS 10h ; Reserviere z.B. 16 Bytes Stack ; ;------------------------------------------------------------------------------ ;------------------------------------------------------------------------------ ;
in „7 Segmentanzeige mit Max7219“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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bs170.pdf
Transconductance gm – 200 – mS at V = 10 V, I = 0.2 A, f = 1 MHz DS D Input Capacitance C iss – 30 – pF at DS= 10 V, GS = 0, f = 1 MHz Switching Times at GS = 10 V,DS = 10 V,DR = 100 Turn-On Time ton – 5 – ns Turn-Off Time t – 15 – ns off 1Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance
in „Integrator resetten, bzw. ersatz für SD211“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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dissassembly.txt
bssCOMMON,class=COMMON,space=1,noexec 57: global __pbssCOMMON 58: __pbssCOMMON: 59: foo@F33: 60: ds 10 61: 62: line # 63: ; Clear objects allocated to COMMON 64: psect cinit,class=CODE,delta=2,merge=1 65: clrf ((__pbssCOMMON)+0)&07Fh 07F2 01F0 CLRF 0x70 66: clrf ((__pbssCOMMON)+1)&07Fh 07F3 01F1 CLRF
in „[C] XC8 verschwendet Speicher“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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aaaaa_2.a51
SEGMENT IDATA ; ?STACK im indirekt adressierbaren internen RAM RSEG ?STACK ; ?STACK-Segment waehlen DS 10h ; Reserviere z.B. 16 Bytes Stack ; ;------------------------------------------------------------------------------ ;------------------------------------------------------------------------------ ;
in „AT89S8252 ext interrupt 0 und Serielle Schnittstelle“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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DS18x20_Temperature.ino
this work for you! // https://github.com/milesburton/Arduino-Temperature-Control-Library OneWire ds(10); // on pin 10 (a 4.7K resistor is necessary) void setup(void) { Serial.begin(9600); } void loop(void) { byte i; byte present = 0; byte type_s; byte data[12]; byte addr[8]; float celsius, fahrenheit
in „DS18B20 Verkabelungs od Software Problem“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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DS18x20_Temperature.ino
can do all this work for you! // http://milesburton.com/Dallas_Temperature_Control_Library OneWire ds(10); // on pin 10 (a 4.7K resistor is necessary) void setup(void) { Serial.begin(9600); } void loop(void) { byte i; byte present = 0; byte type_s; byte data[12]; byte addr[8]; float celsius, fahrenheit
in „DS18B20 an Arduino“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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P0603BDL.pdf
Voltage Drain Current IDSS mA VDS = 20V, VGS = 0V , J = 125 °C 10 1 On-State Drain Current D(ON) V DS= 10V, V GS = 10V 160 A V = 4.5V, I = 35A Drain-Source On-State R GS D 7 15 mΩ Resistance 1 DS(ON) V GS= 10V, ID= 35A 4.2 6.8 Forward Transconductance 1 gfs VDS = 5V, D = 20A 80 S DYNAMIC Input Capacitance
in „Am3 Mainboard Vcore instabil wenn kalt“ · PC Hard- und Software ·
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freq.txt
SEGMENT IDATA ; ?STACK im indirekt adressierbaren internen RAM RSEG ?STACK ; ?STACK-Segment waehlen DS 10h ; Reserviere z.B. 16 Bytes Stack ; ;------------------------------------------------------------------------------ ; Reserviere Speicherplatz fuer Variablen im int. direkt adressierbaren RAM ;----
in „Frequenzüberprüfung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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AA_Stim_neu3.A51
SEGMENT IDATA ; ?STACK im indirekt adressierbaren internen RAM RSEG ?STACK ; ?STACK-Segment waehlen DS 10h ; Reserviere z.B. 16 Bytes Stack ; ;------------------------------------------------------------------------------ ;------------------------------------------------------------------------------ ;
in „Microansteuerung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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2sk955.pdf
1.0 mA Gate–Source Leakage Current IGSS V DS= 0, GS = ±30V – – ±100 nA Cutoff Voltage V GS(off) DS= 10V, D = 1mA 2 – 3 V Static Drain–Source On ResistancR DS(on)V GS= 10V, D = 4A – 1.2 1.6 Ω Forward Transconductance g V = 20V, I = 4A 2.5 5.0 – mho fs DS D Electrical Characteristics (Cont’d): (A = +25
in „N-MOSFET defekt?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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freq.txt
SEGMENT IDATA ; ?STACK im indirekt adressierbaren internen RAM RSEG ?STACK ; ?STACK-Segment waehlen DS 10h ; Reserviere z.B. 16 Bytes Stack ; ;------------------------------------------------------------------------------ ; Reserviere Speicherplatz fuer Variablen im int. direkt adressierbaren RAM ;----
in „Frequenzüberprüfung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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spi-L431.h
typedef enum spi_data_size_enum { SPI_DS_4 = 3, SPI_DS_5, SPI_DS_6, SPI_DS_7, SPI_DS_8, SPI_DS_9, SPI_DS_10, SPI_DS_11, SPI_DS_12, SPI_DS_13, SPI_DS_14, SPI_DS_15, SPI_DS_16 } spi_data_size_enum; // Serial Peripheral Interface typedef volatile struct spi_struct { // 0x00 SPI_CR1 SPI Control register 1 uint32
in „STM32: SPI - HAL durch eigenen code ersetzen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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AppNoteRthdetermination.pdf
Christian Arndt Maximum power loss in the case of adjustment (same power at the MOSFET as at the load) V DS=10 V I VG =5..7 V A 1kΩ V DD,max/2 P Last TS 0.1 .. 1kΩ Figure 1: Example circuit for empirical determination of the thermal system resistance R th Procedure: 1) The MOSFET is replaced by a TEMPFET of
in „Wärmewiderstand Rthg - Rthgk“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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P2804BDG.pdf
VDS = 10V, D = 10A 19 S DYNAMIC Input Capacitance C iss 790 Output Capacitance C oss V GS= 0V, V DS= 10V, f = 1MHz 175 pF Reverse Transfer Capacitance C rss 65 Total Gate Charge 2 Qg 16 Gate-Source Charge 2 Q gs V DS= 0.5V (BR)DSSVGS = 10V, 2.5 nC Gate-Drain Charge 2 Q gd ID= 10A 2.1 Turn-On Delay Time
in „Suche Ersatz für SMD Sicherung K“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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P5504EDG.pdf
= -6A 65 94 Resistance 1 R DS(ON) mƸ V GS= -10V, ID= -8A 38 55 1 Forward Transconductance g fs V DS= -10V, ID= -8A 11 S DYNAMIC Input Capacitance C iss 690 Output Capacitance Coss VGS = 0V, VDS = -10V, f = 1MHz 310 pF Reverse Transfer Capacitance C rss 75 2 Total Gate Charge Q g 14 2 Gate-Source Charge
in „Suche Ersatz für SMD Sicherung K“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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NDM3000.pdf
Fall Time Q1, Q3, Q5 5 50 ns f Q2, Q4, Q6 8 50 Q TotalGateCharge Q1, Q3, Q5 Q1, Q3, Q5 10 25 nC g V DS-10 V, I = -3.0 A, V = -10 V Q2, Q4, Q6 9.5 25 D GS Q gs Gate-SourceCharge Q1, Q3, Q5 1.6 nC Q2, Q4, Q6 Q2, Q4, Q6 1.5 V DS10 V, Q gd Gate-DrainCharge I = 3.0 A, V = 10 V Q1, Q3, Q5 3 nC D GS Q2, Q4, Q6
in „L298 Nachfolger???“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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DATASHEET-LI10600T070IA3098-TR.pdf
bodies 3. W＞0.1mm, L＞2mm, not allowed. 1. D＜0.20mm, negligible; Bubble in 2. 0.20mm＜D≤0.30mm，N≤4 and，DS＞10mm; Slight 3. 0.30mm＜D≤0.35mm，N≤3 and，DS＞10mm; OCA defect 4. 0.35mm＜D, fault. (Guarantee area: within 0.2mm outside VA) Spotted: 1. D≤0.2mm and it is not a piece, it is not counted; 2. 0.2mm＜D≤0.5mm
in „Parallel RGB Frequenz/Einzelbild?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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fsp204-2f01-sema_2.pdf
T2 11 DS 9 D6 T2 10 7 5 6 D 12 R1 34 34 C 29 R 41 T2:6 DS 7 S S S D N FL11 FL2 2 F L32 T3 2 D R R DS10 ! ! ! ! ! R39 Q S7 T31 L4 4 D10 D11 ZD S1 F G C25 RS 2 ! R36 L4:10 C9 Q42N 4401 SP08N80T25 QS16 CN 1 Q3 SPP08N80C 3 R8 R 28 R29 R9 R14 R11 Q S3 LS1 +24V/6A C N2:6 D2 Q1 16N 50C3 C26 R12 C3 Q S4FD P3672
in „SNT FSP204-2F01(S7) Problem 24V Ausgang“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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test.lst
main ;jump to C main() function 79 80 psect bssCOMMON 81 0070 __pbssCOMMON: 82 0070 foo@F33: 83 0070 ds 10 84 85 psect cstackCOMMON 86 0000 __pcstackCOMMON: 87 0000 ?_main: 88 0000 ??_main: 89 ; 0 bytes @ 0x0 90 Data Sizes: Strings 0 Constant 0 Data 0 BSS 10 Persistent 0 Stack 0 Auto Spaces: Space Size
in „[C] XC8 verschwendet Speicher“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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CYStech_MTB09N03H8.pdf
100 nA V GS20 DSS - - 1 μA V DS=24V, V GS =0 - - 25 V DS=20V, V GS =0, Tj=125°C ID(ON)*1 50 - - A V DS=10V, V GS =10V - 8 9.5 m Ω V GS=10V, ID=25A RDS(ON)*1 - 15 19 m Ω V GS=4.5V, ID=20A Dynamic Ciss - 2020 - Coss - 275 - pF V GSV, V =DSV, f=1MHz Crss - 160 - MTB09N03H8 CYStek Product Specification Spec
in „[S] CYStech MOSFETs“ · Markt ·
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BS170_2N7000.pdf
VSD S = 0.3 A,GS = 0 V 0.87 1.3 V b Dynamic Total Gate Charge Q g 0.4 0.6 Gate-Source Charge Qgs V DS= 10 V, GS = 4.5 V 0.11 nC ID^ 0.25 A Gate-Drain Charge Q 0.15 gd Gate Resistance R 173 W g t 3.8 10 d(on) Turn-On Time t V = 30 V, R = 150 W 4.8 15 r DD L ID^ 0.2 A, GEN = 10V ns td(off) R g 10 W 12.8
in „(Mosfet-) Alternative zu ULN2003“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MAX846AEVKIT.pdf
______________________________ MAX846A Evaluation Kit E v Q1 a R6 FZT749 l 0.4 C6 D1 u 0.01 F EC10DS10 a R1 t J1-1 0.4 e VIN R2 680 s C1 : 235V 14 CS- M 13 CS+ 16 J1-2 DRV VL A GND 1 DCIN X 0.1 F 6 JU4 1 VSET 2 VSET 8 VL U1 R5 4 825k 3 VL 2 MAX846A 1% 6 VL A 4.7 F 16V 12 J2-1 BATT BAT+ C4 C7 0.01 F 4.7
in „Kompatibles Bauteil“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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RequiresAcrobat6.pdf
140 RG= 6Ω Fall Time f – 22 60 Input Capacitance Ciss VGS = 0V – 1240 – Output Capacitance Coss V DS= 10V – 200 – pF Reverse Transfer Capacitance Crss f = 1.0MZ – 120 – Source-Drain Diode Diode Forward Voltage) VSD IS= 1.7A, GS = 0V – 0.7 1.3 V Source-Drain Reverse Recovery Time rr IF= 1.7A, di/dt = 100A
in „Ersatz-MosFet für GF9926“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ESP32Radio.pdf
1 3 2 +3.3V +5V SoundP Out R 11 14 J20 IN OUT U5 GND IN4 OUT4 C C3 D C7 1 9V 1 C G J5 L 2 TDA7439DS 10 2 S Eigene:TDA7439DS DIAGNOSTIC 330n 2 100n k 1 k 6 SVR S18 0 R20 0 V BO-R 13 100n C41 7 SP_R GND 1 1 22 12 100n C45 St-By 10k STANDBY SDA BI-R 2 PWGND 8 2 3 21 SCL MO-R 11 22n C35 R L 4 9 Q7 BSS138
in „TDA7439DS Störgeräusche und ein kochender TDA7377“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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FS14KM-9.PDF
ADMITTANCE TRANSFER CHARACTERISTICS VS.DRAIN CURRENT (TYPICAL) (TYPICAL) 2 40 10 TC=25°C TC= 25°C 7 V DS= 10V VDS= 50V 5 Pulse Test A 32 Pulse Test ) ( E ( I F f 3 75°C T N 2 N 24 A 125°C E T E 1 R D N 10 U R A 7 C 16 A T 5 I R M A O D D 8 F A 3 2 0 100 0 1 2 0 4 8 12 16 20 10 2 3 5 7 10 2 3 5 7 10 GATE-SOURCE
in „High speed switching mosfet“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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413-11717-0-FSS237.pdf
Drain-to-Source Voltage,VDS – V Gate-to-Source Voltage,V GS – V | y fs | - I R - V 100 D 25 DS(on) GS S V DS =10V Ta=25°C 7 | 5 s m 20 y 3 C °C – , -25° 25 n c 2 Ta= C ( D =14A a 75° D 15 i e R d 10 u e A o n D =7A e 7 o i 10 s 5 - e r a R T 3 D t r i S 5 w 2 t n o S O F 1.0 0 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10 2 3 5
in „Quelle oder Alternative FSS237“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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2N7000-D.PDF
= 0.5 Adc) − 2.5 GS D (GS = 4.5 Vdc,DI = 75 mAdc) − 0.45 On−State Drain Current (VGS = 4.5 Vdc, DS= 10 Vdc) d(on) 75 − mAdc Forward Transconductance (VDS = 10 Vdc,DI = 200 mAdc) gfs 100 − mmhos DYNAMIC CHARACTERISTICS Input Capacitance C iss − 60 pF (VDS = 25 V, GS= 0, Output Capacitance f = 1.0 MHz
in „ESD-Demonstrator / 2n7000 MOS-FET zerstören“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRF540-VIS.PDF
Impedance, Junction-to-Case L VDS VDS Vary p to obtain tp requiredAS V DD R D.U.T G + -V DD V IAS DS 10 V t 0.01 Ω p I AS Fig. 12a - Unclamped Inductive Test Circuit Fig. 12b - Unclamped Inductive Waveforms Document Number: 91021 www.vishay.com S-81240-Rev. A, 16-Jun-08 5 IRF540, SiHF540 Vishay Siliconix
in „MOSFET für eine Stromgesteuerte Stromquelle“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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BSS139.pdf
Gate-source leakage current IGSS V GS=20 V, V DS=0 V - - 10 nA On-state drain current IDSS V GS=0 V, V DS=10 V 30 - - mA Drain-source on-state resistance R DS(on) V GS=0 V, ID=15 mA - 12.5 30 Ω V GS=10 V,I D0.1 mA - 7.8 14 |V DS|>2|D |RDS(on)max Transconductance gfs ID=0.08 A 0.060 0.13 - S Threshold voltage
in „High-Side-Strom auf Low-Side spiegeln (Stromspiegel?!)“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ds.pdf
Mode N-Channel Power MOSFET Electrical Characteristics Diagrams 20 100 Tj= 25 ℃ 6 V V = 10 V 5.5 V DS 10 V ) T j 25 ℃ A 10 ) 15 8 V n ( r n u e c u i 1 c 10 r i D r ID D 5 V 0.1 ,D I 5 0.01 V GS4.5 V 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0 1 2 3 4 5 6 7 V , Drain-source voltage (V) V , Gate-source voltage(V) DS GS
in „Ersatz für MOSFET OSG80R250F gesucht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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GWS6967.pdf
Transconductance gfs VDS= 10V, ID=2.5A - 25 - S Dynamic Total Gate Charge Q - 7 g Gate-Source Charge Q gs V DS=10V,I D5A,V = GS5V - 1.5 - nC Gate-Drain Charge Q gd - 2.3 - Turn-On DelayTime d(on) - 7 TurnOn Rise Time tr VDD = 10V,ID=2.5A,V GEN= 4.5V, - 33 nS Turn-OffDelayTime d(off) R G4.7 ohms - 27 Turn-OffFall
in „Bauteilsuche Hexfet? Hilfe“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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BSP149_Rev1.1.pdf
Gate-source leakage current IGSS V GS=20 V, V DS=0 V - - 10 nA On-state drain current IDSS V GS=0 V, V DS=10 V 140 - - mA Drain-source on-state resistance R DS(on) V GS=0 V, ID=70 mA - 1.7 3.5 Ω V GS=10 V, ID=660 mA - 1.0 1.8 |V |>2|I |R , Transconductance g fs DS D DS(on)max 0.4 0.8 - S ID=0.48 A 3) Threshold
in „BF246B probleme“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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z80.lst
db 0 231: 00EC 00 db 0 232: 00ED 00 db 0 233: 00EE 00 db 0 234: 00EF 00 db 0 235: 236: 237: 00F0 ds 10h 238: 239: 240: 241: 0100 78 db 78h 242: 0101 3F db 3Fh 243: 0102 79 db 79h 244: 0103 71 db 71h 245: 0104 71 db 71h 246: 0105 79 db 79h 247: 0106 38 db 38h 248: 0107 00 db 0 249: 0108 00 db 0 250:
in „Hilfe bei z80 Hex Datei“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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CPH3308.pdf
0 -1 A Gate-to-Source Leakage Current I V =±16V, V =0 ±10 A GSS GS DS Cutoff Voltage VGS (off) V DS=-10V, D =-1mA -1.0 -2.4 V Forward Transfer Admittance yfs V =-10V, I =-2A 3 4.3 S DS D RDS (on)1 ID=-2A, VGS =-10V 55 72 m Static Drain-to-Source On-State ResistRnce(on)2 I =-1A, V =-4.5V 90 126 m
in „2x SMD Marking gesucht“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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JCS18N50WH.pdf
] Capacitance Characteristics Capacitance Characteristics IF(AV) vs TC IF(AV) vs TC 12 V =400V ] DS [10 V =250V g DS l o 8 e V DS00V r o S 6 t a GS4 VG 2 0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 Q goltal Gate Charge [nC] 版本：201806C 5/8 R JCS18N50WH 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) Breakdown Voltage
in „Motordrehzahlregler für Laufband“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MOSFET_TK6A60W_Toshiba_LIN.pdf
Drain-source breakdown voltage V I = 10 mA, V = 0 V 600 V (BR)DSS D GS Gate threshold voltage Vth V DS= 10 V,DI = 0.31 mA 2.7 3.7 Drain-source on-resistance RDS(ON) V GS= 10 V,DI = 3.1 A 0.68 0.75 Ω 6.2. Dynamic Characteristics (T = 25 unleas otherwise specified) Characteristics Symbol Test Condition
in „Push/Pull in spannungsgeregelter Stromquelle / Frage zur Auslegung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MOSFET_TK6A60W_Toshiba_LIN.pdf
Drain-source breakdown voltage V I = 10 mA, V = 0 V 600 V (BR)DSS D GS Gate threshold voltage Vth V DS= 10 V,DI = 0.31 mA 2.7 3.7 Drain-source on-resistance RDS(ON) V GS= 10 V,DI = 3.1 A 0.68 0.75 Ω 6.2. Dynamic Characteristics (T = 25 unleas otherwise specified) Characteristics Symbol Test Condition
in „Push/Pull in spannungsgeregelter Stromquelle / Frage zur Auslegung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRF7314_P-Channel_Dual_20V_5.3A_0.058Ohm.pdf
Threshold Voltage -0.70 ––– ––– V V DS= VGS, D = -250µA gfs Forward Transconductance ––– 5.9 ––– S V DS= -10V, D = -1.5A I Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– -1.0 µA V DS= -16V, VGS= 0V DSS ––– ––– -25 V DS= -16V, GS = 0V, TJ= 55°C IGSS Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– 100 nA V GS= -12V Gate-to-Source
in „mit 2,7V schalten“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
