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Stromregelung (Solarmodul)
bei > 0,0...1 Ohm. Er will die Kennlinie des Panels ermitteln, dafür genügt > das doch. Sein JFET wird einen Innenwiderstand haben und seine Kabel auch. Also sind wir bestimmt bei 10mOhm, in der Simulation sind es 20A oder 40A? Skalierung… da sind wir schon bei 0,2 - 0,4V und du kommst von 0V auch
haben aber alle OP Regler nen I Anteil und keinen P :D Ohne I wird es auch schwierig bei einem JFET/MOSFET (nicht linear). Das macht Jan schon richtig, ich denke man müsste eher den Reglerausgang messen und darauf mit der Rampe reagieren (verzögern). Das Problem wird schon der Übergang aus
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Simulink-Blockschaltbild eines Regelkreises
Feedback 12 Kp 300 I 1/Tn 1e-3 Tv 10 N PID(s) PID Output 1 / (OP_T * s + 1) Operational Amplifier Ugs JFET transfer function Id Solar Module (PERC/TopCON) Id I(t) Shunt (mOhm) 100 / (OP_T * s + 1) Operational Amplifier1 SysOut
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Interessanter PLL Fehler in Kenwood TM-3530A VHF Transceiver
zuerst in einen Sägezahn umgeformt. Das Ausgangssignal des fv Teilers steuerte den Schalter der S&H (JFET) der dann je nach Phasenverschiebung die momentane Sägezahn Abstimmspannung speicherte. Ein Balance-Mischer kann übrigens auch als Phasendetektor verwendet werden. ... Diese Funkgeräte haben
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Strombegrenzungsdiode CL05M6F verhält sich wie Standarddiode – Schutzschaltung Digitaleingang 3-24V
Stromregeldioden eh erst ab 5V sinnvoll arbeiten und daher in deiner Schaltung genau so ungünstig sind wie JFETs, sollten sie schon den Strom begrenzten und keine 40mA zulassen. https://www.mouser.de/datasheet/2/362/P22-23-CRD-1729293.pdf Dem schlechten Lasermarkierung nach zu urteilen hat Conrad dir normale
erwartet Kein Wunder, du hast sie ja auch verpolt. Technisch ist das keine *Diode* sondern ein JFET [1], dessen Gate mit Source verbunden ist. Was du siehst ist also die parasitäre Diode, die bei einen JFET in Sperrichtung betrieben wird. Und deren Sperrschicht dann die Gate-"Isolation" bildet.
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Stepdown Regler Regelbar
1kHz Schaltreglerfrequenz kommen. Viel besser als ein Widerstand zwischen Basis und Masse ist ein JFet mit wenigen mA Idss, z.B. ein BF256A. Man bekommt damit einen weitgehend konstanten Ausräumstrom auch bei kleinen Spannungen an Basis-Emitter. Bei 0,5V fließen noch etwa 2,2mA, während der maximale Strom 5mA ist (siehe Anhang). Mit einem 4k7-Widerstand anstelle des JFet, sinkt der Ausräumstrom dagegen von ~6mA auf ~100µA. Man daher erreicht mit dem JFet wesentlich höhere Schaltfrequenzen.
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[VS] Experimentierplatinen FR2
sechspolige Doppel-Transistorgehäuse, wie man sie bei teuren Meßschaltungen hatte (thermische Kopplung, JFETs), aber dahinter kamen meist Opamps mit acht Beinen. Edit: Ich sehe, weiter oben hat die Platine auch dafür die passenden Löcher. Also wohl für ausführliche Analog-Verstärkerschaltungen gedacht.
sechspolige Doppel-Transistorgehäuse, wie man > sie bei teuren Meßschaltungen hatte (thermische Kopplung, JFETs), aber > dahinter kamen meist Opamps mit acht Beinen. TAA761 765 861 865. Z.b mit 6 Anschlüssen war damals. Und aktuell kommen aktuelle OP mit 5 bzw 6 Anschlüssen wieder. -- aber jetzt natürlich
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TO-71 entloten
Ich habe eine Menge Platinen mit JFET Verstärker im TO-71 Gehäuse (wers nicht kennt: Metal Can mit bei mir 6 Beinchen und 5mm Durchmesser) und möchte möglichst viele der JFETs möglichst schonend auslöten um sie wiederzuverwenden. Auf der
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AD711 / AD620 Verstärker 2-3 fach
Egon schrieb im Beitrag #7748211: > Was spricht gegen den AD711 Da er als JFET OpAmp mindestens 4V Abstand von der negativen Versorgung braucht, kann er die 2.34V fur -40 GradC vom LM335 nicht messen, er brauchte also eine negative Versorgungsspannung. Oder als Differenzverstärker
> Da er als JFET OpAmp mindestens 4V Abstand von der negativen Versorgung > braucht, kann er die 2.34V fur -40 GradC vom LM335 nicht messen, er > brauchte also eine negative Versorgungsspannung. > Mit +15 und
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[S] 74141 TTL ICs
Widerstände und einen Stütz-C) könnte man modular für beliebig viele Stellen verwenden. https://web.jfet.org/nixie-1/NixieTransistors.pdf
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Eingang für 74xx KW Super
z.Z. die Eingangsstufe. Ich hab das Original an einigen Stellen etwas verändert und dem Teil einen JFET als Frontend verpasst. In Ltspice sieht das erstmal gar nicht so schlecht aus. Aus 100µV macht das Ding ca 40mV. (Siehe den Screenshot). Aber: Ich habe nicht die blasseste Ahnung von HF. Deshalb
viel sind. Eine reicht wohl. Ich werde wohl Q1 weglassen und Q2 nur als Emitterfolger hinter den JFET packen. Mal sehen, ob der überhaupt notwendig ist. > > Wo soll das Poti für VV-Gain hin? > (Das möchtest Du haben.... sobald von der Antenne etwas mehr signal > kommt.. meist nicht auf
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Diode BAS33 (I_R typ. 0,5nA) nur noch kurze Zeit erhältlich
Noch gibts JFETs, die wesentlich weniger Sperrstrom haben.
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[V] Hameg 203-4 Revidiert
Haben die Dingers keine diskrete Eingangsstufe mit JFET?
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Diagramm der Transferkennlinie eines MOSFETs
Transfer Characteristics 10 8 6 4 2 0 0 -1 -2 -3 ID DRAIN CURRENT (mA) VGS - GATE-SOURCE VOLTAGE (V) VDS = 15V VGS(OFF) = -2.6V TA = -55°C TA = 25°C TA = 125°C VGS(OFF) = -1.8V TA = -55°C TA = 25°C TA = 125°C
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FET
Semiconductor Field Effect Transistor; Metalloxidschicht-FET, größte Teilgruppe der FETs mit isoliertem Gate. JFET = engl. Junction Field Effect Transistor, Übergangszonen-FET, der steuerbare Kanal wird durch einen PN-Übergang wie in einer Diode gebildet. (Diese Diode lässt sich nachmessen und unterscheidet JFET
Typ N-Kanal P-Kanal JFET SFET (selbst leitend) * drittgrößte Gruppe bislang nur für kleine Leistungen verfügbar JFETs mit hoher Leistung sind im Kommen Eingangsstufen von OPVs Eingangsstufen von HF-Verstärkern bis in den GHz-Bereich
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Transistoren Austausch
MISFET nicht geht. Auf Grund der Verwechslungsgefahr findet man heutzutage manchmal die Bezeichnung JFET, aber diese ist historisch nicht korrekt. Genauso gab es früher(tm) auch keinen Pentium 1, SATA-1 oder SCSI-1, sondern diese Zahlenzusätze wurden erst rückwirkend und somit fälschlicherweise hinzugefügt
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Transistor
NPN "'naus, Pfeil, 'naus". ..und für Gleichberechtigungsverfechter: NPN means "Not Pointing iN". JFET: MOSFET: S: Source G: Gate D: Drain Eigentlich haben MOSFETs noch einen vierten Anschluss namens Bulk. Der ist aber nur bei Spezialtypen als Pin herausgeführt. Im Normalfall kann man ihn vergessen,
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[S] Einen FET : MEM556C
Hallo zusammen. Wie im Betreff geschrieben suche ich so einen JFET. Dieser hat vier Anschlüsse mit separat herausgeführten Bulk Anschluss und wird in einem Fluke343 zur Null-Justage benutzt. Ich habe zwischenzeitlich auch herausgefunden, dass ein 3N163 ebenfalls passen
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Wechselspannung Nabendynamo begrenzen
Die Schaltung gefällt mir auch ;-) Ich hätte gedacht, Du nimmst nur den JFET und legst das Gate auf GND. Da müßte sich am source-Pin eine Spannung von einigen Volt einstellen - ggf. mit einer ZD begrenzt. Die 'Angst' vor zu hoher Eingangsspannung hätte ich nicht: ZD oder
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Bauteilbestimmung: MMIC Amplifier mit Marking 03 und 06
RS URVs, insofern man sie noch mit einem guten Tastkopf preisgünstig genug findet oder ein lose (JFET-Stufe) angekoppelter Spectrum Analyzer. In Anbetracht der extrem hohen Ersatzkosten, ist Experimentieren mit einem bisschen Glück durchaus nicht zu verwerfen. Also viel Erfolg, wenn Du da etwas in
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Gesucht: OK low current
Dieter D. schrieb im Beitrag #7675197: > JFET BF256 > https://www.elektronik-kompendium.de/news/thema/bf256/ > Mögliche Ersatztypen in SMD da abgekündigt: > NXP: BF511, BF545, BF556 > Fairchild: MMBF545, MMBF548 Warum wird das negativ bewertet
Christian M. schrieb im Beitrag #7675529: > Dieter D. schrieb: >> JFET BF256 >> https://www.elektronik-kompendium.de/news/thema/bf256/ >> Mögliche Ersatztypen in SMD da abgekündigt: >> NXP: BF511, BF545, BF556 >> Fairchild: MMBF545, MMBF548 > > Warum wird das negativ
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Rauscharmer Spannungsregler gesucht
. Was aber garnicht geht, ist über einen Stromspiegel einen Konstantstrom in die source eines JFETs hineinzuzwingen und ac-mäßig die source mit einem großen Kondensator an Masse zu nageln. Oscons waren weitaus am schlimmsten, da sieht man am Verstärkerausgang jedes Elektron, das sich durch den
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Sehr einfacher Sinusgenerator, Analogelektronik Projekt
Widerstand" arbeiten. Sonst wird die zu steil. Wenn ich mal wieder Lust habe will ich es noch mit einem JFET versuchen. Wahrscheinlich so wie beim LT1028 in der Appnote beschrieben. Allerdings hab ich den OP und den JFET nicht, den die dort im Regelkreis verwenden. Wird aber mit anderen Teilen auch funktionieren
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[S] Suche 2SK246 & 2SJ103 oder 2SK170 & 2SJ74
vernünftigen Preis nirgends mehr zu > geben. Noch so ein Fehlgeleiteter. Das sind Kleinleistungs-JFETs. Die sind glücklicherweise zwischen fast allen Herstellern gleich aufgebaut, du kannst also jeden als Ersatz nehmen. Aber du willst sie offensichtlich parallel schalten weil du irgendwo gelesen hast
noise figure rauszuselektieren und parallel zu schalten. Geht, aber dann kann man als Quelle jeden JFET nehmen, dann spielt die Vorabselektion durch Toshiba erst recht keine Rolle mehr. Blöd, dass die Rauschwerte so gering sind, dass selbst schlechte Vorwiderstände, Koppelkondensatoren und Lötstellen
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Probleme mit Spannungsunterschieden beim Schalten
Datenblättern der IRF9540N und IRF830. Die einzigen FET, die dermaßen ungepolt sind, nennen sich JFET und spielen allesamt im Klein(st)signalbereich. Bada B. schrieb im Beitrag #7641137: > Ps.: ich habe es extrem vereinfacht, da netterweise auch Mosfets die > unterschiedlichsten Schaltzeichen
, als das von dir fälschlicherweise verwendete J-FET Symbol: - https://www.google.com/search?q=jfet+symbol&udm=2 - https://www.google.com/search?q=mosfet+symbol&udm=2 Und noch ein Wort zum "Kindergartengekritzel": der Rest der Schaltung ist nicht besser. Üblicherweise Zeichent man Pläne so,
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Schaltplan einer JFET-Schaltung
60µ (2x30µ) 40V well broun grn 90M 2SK 30R 1k 10µ 35V 1,5n G D S 90M 270 L
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Micro mit Phantomspeisung - Fehlerdiagnose
Roland D. schrieb im Beitrag #7639355: > kein JFET zu finden, Mist, der JY ist natürlich ein JFET, ein 2SK208-Y.
Moin, H. H. schrieb im Beitrag #7639359: > Roland D. schrieb im Beitrag #7639355: >> kein JFET zu finden, > > Mist, der JY ist natürlich ein JFET, ein 2SK208-Y. Ok, das ändert was. Vielen Dank. Werde erst nächste Woche dran weitermachen. Das heißt allerdings, dass es schwer werden
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400Vpp Verstärker
SIC.JFETs wären hier imho das Mittel der Wahl:https://www.mouser.de/ProductDetail/Qorvo/UJ3N065080K3S?qs=byeeYqUIh0OYOU7Cis0jMg%3D%3D
wiederherstellen und habe das als Screenshot angefügt. Mark S. schrieb im Beitrag #7640213: > SIC.JFETs Gleiches habe ich auch genannt im anderen Thread des TO.
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Ersatz für BF556C
1000&caps=SOT23&cf=on Nicht wundern, dass da meistens "MOSFET" steht, obwohl es ein junction-FET "JFET" ist. Ein paar JFET stehen auch in der Liste. Die anderen einfach ignorieren, Computer sind doof.
MMBF4091/MMBF4092/MMBF4093 sollten Pinkompatibel sein. Viele JFET in SOT23 haben auch Drain und Source vertauscht... Die Auswahl an JFETs ist echt klein geworden.
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Induktiver Positionssensor - Fragen dazu
dann halt gestern darin mal X/Y-Darstelung oder so angesehen. Weil ich in "osci_7.asc" einen jFET als einstellbaren Widerstand zur Amplitudenregelung eingesetzt habe; so geht/tut/macht ein mit jFET realisierter Widerstand in "X/Y-Darstellung". mfG fE
regelbaren Widerstand erfunden :-) Ich hoffe, das erklärt die Sache mit dem "JFET als Widerstand" verwenden etwas. Als nächstest käme dann das Thema: "wie kann ich mit diesem JFET als regelbaren Widerstand" das Überschwingen meines Oszillators verhindern? Wenn Dich das interessiert
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Mikrofon-Vorverstärkerschaltung generiert Feedback
Je nach JFET sind die zugehörigen Biaswiderstände anzupassen. Als PNP Transistoren könnten auch 2N3906 verwendet werden, die gibt es als Quad-Array, die dann, für einen höheren Stromverstärkungsfaktor, auch in einer
Robert M. schrieb im Beitrag #7593650: > Je nach JFET sind die zugehörigen Biaswiderstände anzupassen. Als PNP > Transistoren könnten auch 2N3906 verwendet werden, die gibt es als > Quad-Array, die dann, für einen höheren Stromverstärkungsfaktor, auch
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Verstärker Rückkopplung
#7594893: > Welchen Tweck erfüllt C507 Q503/Q505 sind die Kaskode-Transistoren für die Eingangs-JFETs Q501. Das Basis-Potential von Q503/505 muss daher konstant gegenüber dem Source-Potential von Q501 sein. Die Spannungsdifferenz von Source Q501 zur Basis Q503/505 wird durch den von Q519 gelieferten
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rauscharmer NPN min 200v gesucht
rauscharmer bipolarer Transistor mit niedriger Sperrspannung und hoher Stromverstärkung oder ein JFET, je nach Impedanz der Quelle. T2 ist ein Transistor mit hoher Sperrspannung. Aber das hat Uwe B. auch schon geschrieben. Bernhard
nach (bislang verschwiegenen) Anforderungen unterschiedlich optimale Strategien. Z.B. rauscharme JFets (2SK369 u.Ä.), die genannte Parallelschaltung mehrerer Transistoren, Kaskodenschaltung für hohe Spannungen. Aber alles das ist schon gesagt und von dir ignoriert worden. Was du brauchst, ist eine
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MOS-Theorie: Akkumulation, Verarmung, Inversion?
Da stellt sich erst die Frage, ob der JFET bereits verstanden wurde. Das Verstaendnis des Mosfet baut darauf auf.
Dieter D. schrieb im Beitrag #7581241: > Da stellt sich erst die Frage, ob der JFET bereits verstanden > wurde. Das > Verstaendnis des Mosfet baut darauf auf. JFET und MOSFET haben sicherlich einiges gemeinsam, was die Verdrängungsprinizipien und Grenzzone angeht aber meine Frage
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Digital-Mulitmeter-Ärger
entsprechen bei einem Innenwiderstand von 3GΩ einem Strom von 58pA. Das Mess-IC hat vermutlich einen JFET-Eingang und eine mit Dioden realisierte Schutzschaltung gegen Überspannungen. Die Leckströme dieser Bauteile summieren sich auf, so dass die 58pA durchaus plausibel sind. Die Leckströme sind zudem
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Ersatz für BAV45
Die Diode wird doppelt beansprucht. Negatve Peaks leitfähig, positive Peaks durchbrechend. Also JFET nach Minus plus JFET nach Plus als Ersatz versuchen.
H. H. schrieb im Beitrag #7562619: > Unsinn! Stimmt, der Eingang ist ein JFET und kein Mosfet. Der JFET übernimmt bei positiven Paeks die Ableitung nach GND über den pn-Übergang.
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Simulation eines Audioverstärkers in LTSPice
, ohne das zugehörige Modell/Symbol > mitzuliefern. Was genau ist die Soderlocke "Elko"? Das JFET-Modell habe ich an sich in der SChaltung über .model definiert. Da muss ja nichts mehr gemacht werden. Ansonsten müssten das doch normale Modelle sein, die überall vorhanden sind oder ist da irgendetwas
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Selbstbau Mikrofon Array für Akkordeon
Minus Eingang, und parallel Mikrofon-2 > mit 1uF auf den Minus Eingang. > Das Mikrofon mit dem JFet ist AC-mässig eine Signal mit dem > Drainwiderstand als Innenwiderstand. > Der OPV addiert die beiden Mikrofone und verstärkt das Summensignal. Verstehe. Dann habe ich aber keine Möglichkeit,
den Brunnen gefallen. Was passiert beim Übersteuern? Gehen die ECM wegen zu viel Strom durch den JFET kaputt? Kann ich den OP damit auch grillen oder geht der nur in Sättigung? Danke an alle! EDIT: Automatic Gain Control (AGC) ist overkill und vermutlich zu kompliziert oder?
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MOSFET-Treiber; Supply Voltage Problem
ein MOSFET aktiv angesteuert wird. Dieser schaltet dann in Verbindung mit weiteren Schaltelementen (JFETs) eine höhere Spannung (>1kV). Der MOSFET wird über einen Gate-Treiber betrieben. - n-Kanal MOSFET IRLU024NPbF (UGS 16V, UDS < 55V, Q_U = 15nC). - Treiber IXDI609CI (I_Out <9A) - Zwischen Treiber
Soll das ein Kaskoden-Hochspannungsschalter mit SiC-JFETs von Qorvo (UniSic) werden? Der technische Chef von der Bude hat mich mal agitiert, dass sie damit bis 40 kV mal geschaltet hätten. Ich habe irgendwo einen Entwurf rumliegen, der bis 60 kV können sollte
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LM335Z - Fake Bauteil?
AVR_Transistortester Da steht nur: "Automatische Erkennung von NPN, PNP, N- und P-Kanal MOSFET, JFET, Dioden und Kleinsignal Thyristor und TRIAC." Was er macht, wenn das Bauteil nicht in dieser Liste ist, steht dort nicht. Ich glaube nicht, daß er zweifelsfrei erkennen kann, wenn ein Bauteil irgendwas
Beitrag #7547491: > Da steht nur: > "Automatische Erkennung von NPN, PNP, N- und P-Kanal MOSFET, JFET, > Dioden und Kleinsignal Thyristor und TRIAC." Lies den Quellcode!
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Bauteil identifizieren "WY D8" SOT23
1 mit 3 verbunden. Ich dachte an Zenerdiode, aber da sind die Pinouts meist anders. Evtl ein JFET als Stromquelle ?
