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block-cordic.asm
9 MV .L2X A5,B7 ; |73| get copy for B-side ;* || SUB .L1 A24,A7,A24 ; |109| ;* || ADD .S2 B19,B6,B19 ; |122| ^ ;* || MPY32 .M1 A3,A6,A3 ; |154| ;* || MPY32 .M2 B5,B8,B6 ; |165| ^ ;* 10 MPY32 .M2 B29,B7,B6 ;
in „TMS320 - welche Bedeutung hat der DSP heute noch“ · Digitale Signalverarbeitung / DSP / Machine Learning ·
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DTC114.pdf
B = 10 TA= –25⋅C D VCE= 10 V E Z A L L 25⋅C M TA= 75⋅C V 75⋅C R R 1 ( 25⋅C T I –25⋅C C A L T 100 O E C R U 0.1 U I C A D , ,E a hF ( C0.01 101 10 100 V 0 20 40 60 80 C, COLLECTOR CURRENT (mA) C, COLLECTOR CURRENT (mA) Figure 12. V versus
in „Transistor mit Vorwiderstand (Digitaltransistor) in TO92 gesucht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ISA-CHROM_60-1.pdf
15,00 +1,00 Festigkeitseigenschaften bei +20 °C in weichgeglühtem Zustand Zugfestigkeit) Bruchdehnung (L0= 100 mm) % bei Nenndurchmesser in mm MPa psi 0,020 bis 0,063 > 0,063 bis 0,125 > 0,125 bis 0,50 > 0,50 bis 1,00 > 1,00 600 87.000 ≈ 8 ≈ 14 ≈ 18 ≥ 18 ≥ 25 ® Verarbeitungshinweise // lSA -CHROM 60 lässt
in „Widerstandsdraht 3 Ohm/cm“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MBI5039_Preliminary_Datasheet_V1.01-English.pdf
of OUTn OUTn +1 stag - 2 - ns Output VDD5.0V CLK w(CLK) V =1.0V 15 - - ns Pulse Width DS LE w(L) VIH=VDD 15 - - ns VILGND Data Clock Frequency FCLK Rext700Ω - - 30 MHz R =162Ω Hold Time for LE h(L) L 10 - - ns CL=10pF Setup Time for LE su(L) IOUT=20mA 10 - - ns C1=100nF Hold Time for SDI h(D) C2
in „LED-Treiber-IC mit möglichst vielen Ausgängen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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irl7833.pdf
Rectification for Telecom and Consumer Use Benefits l Very Low RDS(on) at 4.5V V GS l Ultra-Low Gate Impedance l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current 2 TO-220AB D Pak TO-262 IRL7833 IRL7833S IRL7833L Absolute Maximum Ratings Parameter Max.
in „Beschaltung Mosfet für Brushless-Regler“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Alto_D1__D2__D3__D4_Power_Amp_Service_Manual.pdf
S G I N I N R T A D R A R T A E O L D R A A D E E O L N S L D E W S L L W D L - 3 2 1 D A - 3 2 1 A 2 G G G G 2 D D D D C C C C 4 3 2 1 V V V V R R R R S N C S I N D P D P C G O G L T P M M P R O O T D D 3 3 C C C 2 C 2 1 P 1 P P S P B
in „Endstufe reparieren, Bauteil identifizieren“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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LYT4321E.pdf
C1 R10 510 220 nF 21%Ω RM8 R19 1/2 W 250 V 1/8 W C2 C4 C6 D4 100 nF 360 kΩ 100 nF 2.2 µF US1D 250 V L3 250 V 250 V D5 47 kΩ L1 47 kΩ L2 5 mH BAV16 1/8 W 1 mH 1/8 W 1 mH R17 R18 D8 3 kΩ 165 kΩ BAV21 D V 1/10 W 1% L LYTSwitch-4 CONTROL 1/16 W 0 RV1 LYT4317E BP 4 3 V F1 140 VAC V S 3 5 A X0202MA2BL2 S R
in „PI LYTSwitch, wofuer diese Diode“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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SOLARPANEL.pdf
3,05777778 1,49333333 17 0,35722222 0,18055556 0,08722222 6,07277778 3,06944444 1,48277778 18 0,32611111 0,165 0,07777778 5,87 2,97 1,4 19 0,27888889 0,13888889 0,06111111 5,29888889 2,63888889 1,16111111 20 0,21166667 0,09888889 0,03111111 4,23333333 1,97777778 0,62222222 21 0,11611111 0,03555556 0 2,43833333
in „Laderegler Solar step-up“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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3265fa.pdf
Boost Charge Pump Output Impedance MODE = 0V, RT = GND 32 Ω I Max I +Short-Circuit Current V + = GND l 100 220 300 mA VOUT+(SC) VOUT OUT VMODE(H) MODE Threshold Rising l 1.1 2 V VMODE(L) MODE Threshold Falling l 0.4 1.0 V IMODE MODE Pin Internal Pull-Down Current VIN_P= MODE = 16V 0.7 µA Inverting Charge
in „einfache, kostengünstige Erzeugung einer symmetrischen Spannungsversorgung bei geringer Leistung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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lt3580.pdf
/orpoorregulation.The inverting topologies, or: maximuminductance can be calculated by: L1L2> DC V IN L = V INV CESAT DC ▯ VOUT IOUT ▯ MAX MIN▯RIPPLE f 2(f)▯LIM ▯ ▯I OUT▯ ▯ VIN▯ ▯ where L MAX is L1||L2 for dual inductor topologies and a good choice for I is 300mA. fortheuncoupledinductorSEPICanduncoupledinductor
in „Switcher CAD III Simulation - Schaltungsfehler ?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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JU1-V2-5-mod.asm
mov 48h,DPL mov 49h,DPH ret C25f1: acall C260b jc L25de acall F2473 jnz A25e0 A25f9: mov R3,#0x08 A25fb: acall C260b mov A,R5 rrc A mov R5,A djnz R3,A25fb add A,R7 mov R7,A acall F26c9 acall C260b jnc L25de ret C260b: acall E262e jb F0,L25de jc A261a acall E262e jb F0,L25de jc L25de ret A261a: mov R1,#0x03 mov R2,#0x03 A261e: acall E262e jb F0,L25de jnc A2626 dec R2 A2626: djnz R1,A261e cjne R2,#0x02,A262b A262b: jnc L25de ret E262e: clr F0 mov R0,#0xd0 A2632: jnb T0
in „8051 Disassembler“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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lm3150.pdf
15 12-15 L27 10 12-15 SER2814L-103KL COILCRAFT L28 6.8 12-15 7447709006 WURTH L29 4.7 12-15 7447709004 WURTH L30 3.3 12-15 L31 2.2 12-15 L32 1.5 12-15 MLC1245-152 COILCRAFT L33 1 12-15 L34 0.68 12-15 DO3316H-681 COILCRAFT L35 0.47 12-15 L36 0.33 12-15 DR73-R33-R COOPER L37 22 15- L38 15 15- SER2817H-153KL COILCRAFT L39 10 15- SER2814H-103KL COILCRAFT L40 6.8 15- L41 4.7 15- SER2013-472ML COILCRAFT L42 3.3 15- SER2013-362L
in „LM3150 zu geringe Ausgangsspannung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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but34rev.pdf
Cycle x 2%. 2 Motorola Bipolar Power Transistor Device Data BUT34 TYPICAL CHARACTERISTICS ) 400 T L 200 ( E G 4 A 100 L G O N 50 V 3 E 30 E R T U 20 M C – 2 C =40A D 10 R ,E T IC=20A hF 5 C L 1 T =25⋅C 3 TC=25⋅C O C 2 V =5.0V , CE E 1 VC 0 1 2 3 4 7 10 20 30 40 60 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 7 10 IC,COLLECTORCURRENT
in „Leistungs-Transistor Alternative“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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main.lst
__SP_L__,r24 303 .L12: 304 .LBB10: 305 .LM32: 306 0184 802F mov r24,r16 307 0186 8123 and r24,r17 308 0188 01F0 breq .L10 309 .LM33: 310 018a DF93 push r29 311 018c CF93 push r28 312 018e 9F92 push r9 313 0190
in „RAM-Bankswitching - wie am geschicktesten mit GCC auf AVR?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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DS_SJEP120R100_rev2.1.pdf
= 0V; parameter: Tj 1.50 o 1E-03 ) -2.0mV/ C 150 C ( ) e ( 1E-04 a 1.25 Max n o e V u 1E-05 100 C l C o Typical e s 1.00 a 1E-06 r a h e T L 1E-07 a 0.75 a 25 C G r ,H , 1E-08 T I V 0.50 1E-09 0 50 100 150 200 0 300 600 900 1200 T,jJunction Temperature ( C) BV DSDrain-Source Blocking Voltage (V) SJEP120R100
in „Siliziumkarbid-JFETS“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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80RIA.pdf
holding current 200 H mA T = 25°C, anode supply 12V resistive load I Typical latching current 400 J L 2 www.irf.com 80RIA Series Bulletin I25201 rev. B 03/03 Switching Parameter 80RIA Units Conditions di/dt Max. non-repetitive rate of rise TJ= 125°C, Vd= rated V DRM, TM= 2xdi/dt snubber of turned-on
in „Womit hohen Pulsstrom durch 1 Ohm Last jagen?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ptcel.pdf
PTCEL13 PTCEL17 D 13 max. 17 max. H3 H1 17 max. 21 max. H2 H2 3 ± 1 3 ± 1 d 0.6 ± 0.06 0.8 ± 0.08 F L1 L1 20 min. 20 min. d F 5 ± 0.8 5 ± 0.8 T 7.0 max. 7.5 max. REQUIRED NUMBER OF PTC THERMISTORS TO LIMIT CURRENT AND ABSORB ENERGY By using several PTC’s in a series / parallel network, the maximum current
in „Leistungs PTC gesucht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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f18-series-power-modules-1370740.pdf
1.55V @ 75 A 1.4V @ 120 A 1.40V @ 270 A 1.65V @ 300 A Operating Junction Temperature Range F 1.4V @ 165 A TJ -40 -125˚ C -40 - 125°C -40 - 125°C -40 - 125°C -40 - 125°C Critical Rate of Rise of On-State Current @ TJ=125°C [A/μs] di/dt 100 100 100 100 100 Critical Rate of Rise of Off-State Voltage [V/μs
in „Schutzschaltung an Thyristor verstehen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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BC237_BC238_BC239.pdf
BC238B,C BC239C 2.0 1.0 I V CE = 10 V 0.9 TA= 25⋅C G 1.5 TA= 25⋅C N 0.8 E ) VBE(sat)@ IC B = 10 R 1.0 L 0.7 V @ V = 10 V C O 0.6 BE(on) CE C 0.8 ( D G 0.5 E 0.6 T L O 0.4 A , R 0.4 V 0.3 N ,E 0.3 0.2 V @ I /I = 10 hF 0.1 CE(sat) C B 0.2 0 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 0.1 0.2 0.3 0.50.7 1.02.0 3.0
in „Warum geht ein Transistor kaputt, wenn man Emitter und Kollektor vertauscht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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linear_encoder_manual.pdf
Encoder 1000 2-M4 68 1000 2 4 5 0 7 2 4 8 2 5 2- 68 21 82 30 L0 32 L1 L2 Fig.17 Model L0 L1 L2 Model L0 L1 L2 KA600-1000 1000 1150 1170 KA600-2100 2100 2250 2270 KA600-1100 1100 1250 1270 KA600-2200 2200 2350 2370 KA600-1200 1200 1350 1370 KA600-2300 2300 2450 2470
in „Glasmaßstab mit USB-TTL Modul verarbeiten“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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de10-nano_a0.pdf
MSEL0 R8 1K P2 GXB_RX_L3n,GXB_REFCLK_L3n GXB_TX_L3p M1 2 11 MSEL1 R9 1K K1 GXB_RX_L3p,GXB_REFCLK_L3p GXB_TX_L3n H2 3 10 MSEL2 R10 1K K2 GXB_RX_L4n,GXB_REFCLK_L4n GXB_TX_L4p H1 4 9 MSEL3 R11 1K F1 GXB_RX_L4p,GXB_REFCLK_L4p GXB_TX_L4n
in „Low Cost Board“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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EMV-Dienstleister.pdf
1 3,6x6 3 195 4 1-2 EMK,64293 Darmstadt 1 9,5x7,5 1 350 2 1 EMV Services, 21079 Hamburg 1 19x11 2 165-380 7 2-3 Endress + Hauser, 79689 Maulburg 1 6x10 1 200 4 1-2 Epcos, 93049 Regensburg 1 18x8x5 2 250 5 2-3 ERG,76327 Pfinztal 1 9x7x6 2 3 2 Sicherheitsprüfungen esz Elektronik-Service,82110 Germering
in „CE Konformitätserklärung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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isec05poster_pq11_a3.pdf
noise corner (100 MHz or more) 0.66 nV/rtHz 0.37 nV/rtHz V / Hz 1/2 Highbandwidth replacement 135 165 u i u for SSM2220, MAT03 dB*Start: 625 Hz 10k 100k Stop: 1 MHz dB*Start: 62.5 Hz 1k 10k Stop: 100 kHz Noise n n Noise matching n T = Z = 136.010k 100k 1M 10M temperature n n dBStart: 6.25 kHz Stop:
in „Meßverstärker für 1/f-Rauschen 0.1 - 10 Hz“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ACF321825.pdf
ACF321825-681 120 95 to 150 20 300 0.15 1000 ACF321825-471 145 120 to180 20 300 0.15 1000 ACF321825-331 165 130 to210 20 300 0.15 1000 ACF321825-221 200 170 to250 20 300 0.15 1000 ACF321825-151 240 205 to280 20 300 0.15 1000 ACF321825-101 300 265 to340 20 300 0.15 1000 ACF321825-680 370 340 to420 20 300 0.15
in „[V] SMD EMC Filter / T-Filter aus Ferritperle und Kerko (TDK ACF321825-103)“ · Markt ·
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BFR93A_a.PDF
ZSopt f = 900 MHz - 2 - f = 1.8 GHz - 3.3 - Power gain 2) G ma IC= 30 mA, V CE = 8 V, S = ZSopt Z L Z Lopt f = 900 MHz - 13.5 - f = 1.8 GHz - 8.5 - 2 Transducer gain |S21e| I = 30 mA, V = 8 V, Z =Z = 50 C CE S L f = 900 MHz - 12 - f = 1.8 GHz - 6.5 - 2) Gma = |S21S 12(k-(k -1)1/2) Semiconductor Group
in „KiCAD: SOT323 aus libcms scheint defekt zu sein“ · Platinen ·
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BS170-D.PDF
DIMENSION R R IS UNCONTROLLED. 4. LEAD DIMENSION IS UNCONTROLLED IN P AND P BEYOND DIMENSION K MINIMUM. L INCHES MILLIMETERS PLANENG K DIM MIN MAX MIN MAX A 0.175 0.205 4.45 5.20 B 0.170 0.210 4.32 5.33 C 0.125 0.165 3.18 4.19 D 0.016 0.021 0.407 0.533 X X D G 0.045 0.055 1.15 1.39 H 0.095 0.105 2.42 2.66 G J 0.015 0.020 0.39 0.50 H J K 0.500 --- 12.70 --- L 0.250 --- 6.35 --- V N 0.080 0.105 2.04 2.66 C SECTION X−X P --- 0.100 --- 2.54 1 R 0.115 --- 2.93 --- N V 0.135 --- 3.43 --- N A BENT LEAD NOTES: R B 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER TAPE & REEL
in „SPI Winkelsensor Novotechnik RFC4800 will nicht“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Relais-Schrack-MT.pdf
MT321 I 30 A, I 3 A, 3x440 VAC, NC, cosϕ=0.3, AC15, normal cond. 6x10 3 on off 5 MT3.. 2 A, 125 V, L/R 30 ms, 3 NO contacts in series, 1800/h, DF 10% 1x10 5 MT2.. 0.7 A, 125 V, L/R 20 ms, 2 NO contacts in series, 1800/h, DF 10% 2x10 MT2.. 1 A, 125 V, L/R 20 ms, 2 NO contacts in series, 1800/h, DF 10%
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IKSdrehzahl_IL8190_datasheet.pdf
Temperature -40 to +105 C T Junction Temperature -40 to +150 °C J Tstg Storage Temperature -60 to +165 °C Lead Temperature Soldering: Wave Solder (through TL hole styles only) (Note) 260 peak C ESD (Human Body Model) 4.0 kV Note: 10 seconds maximum. *The maximum package power dissipation must be observed
in „Brauche Hilfe bei der Suche nach einem IC. Bin kein Fachmann.“ · Fahrzeugelektronik ·
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Finder_Relais.PDF
/61 Type 40.52 Resistive load - cosϕ = 1 s Inductive load - cosϕ = 0.4 s Resistive load - cosϕ = 1 l l Inductive load - cosϕ = 0.4 y y C C limit for 40.31/51 F 40 - Electrical life (AC) v contact current H 40 - Maximum DC1 breaking capacity Types 40.11/41 40.61 current limit 40.11/31/41/51 current limit
in „[S] 14 Relais Finder 40.61.6.005.0000 oder kompatibel“ · Markt ·
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samsung_242mp_chassis_po24fs.pdf
a signal appear at R510(LOUD_OUT_R),O Check related circuit of IC802 (VCTi) R515(LOUD_OUT_L)? 11 YES Does a signal appear at R500(SROUT-), NO Check related circuit of IC500(TPA3002) L501(SROUT+), L503(SLOUT+), L504(SLOUT-)? 12 YES Check the Connector CN501(R out), CN502(L out) and Speaker L
in „Defekt an Samsung 242MP TV/Monitor“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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BAS70_1PS7XSB70_SER.pdf
1PS79SB70 SOD523 SC-79 single diode BAS70 SOT23 - single diode BAS70H SOD123F - single diode BAS70L SOD882 - single diode BAS70W SOT323 SC-70 single diode BAS70-04 SOT23 - dual series BAS70-04W SOT323 SC-70 dual series BAS70-05 SOT23 - dual common cathode BAS70-05W SOT323 SC-70 dual common cathode
in „[S] BAT54C Schottky“ · Markt ·
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st7565r.pdf
Between LCD Drivers l Application Notes l Unused Data Pin In 4-Line SPI Fixed To ‘H’ l ITO Resister Limitation l Modify the Absolute Maximum Ratings. l Modify the operating range of VDD, VDD2, VOUT and V0. l Modify the description
in „Neue DOG LCD-Grafikmodule SPI ansteuerung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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db_lcd-controller-ST7565R.pdf
Between LCD Drivers l Application Notes l Unused Data Pin In 4-Line SPI Fixed To ‘H’ l ITO Resister Limitation l Modify the Absolute Maximum Ratings. l Modify the operating range of VDD, VDD2, VOUT and V0. l Modify the description
in „G-LCD ST756-Controller , Schriftart und einzelne Pixel ansteuern.“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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lprp_schematic.pdf
_6N DISPLAY_D3 K5 LVDSL_7N/DQ1L7 G1 LVDSL_5P/DQ1L4 DISPLAY_D2 L4 LVDSL_8P/DQ1L8 LVDSL_5N/DQ1L5 DISPLAY_D1 L3 LVDSL_10P/DQ3L2 DISPLAY_D0 P2 LVDSL_10N/DQ3L3 M1 LVDSL_12P/DQ3L4 LVDSL_11N AUDIO_SPI_DATA 14 LVDSL_13N R1 AUDIO_SPI_EN 14
in „ALTERA The Low Power Reference Platform (LPRP) = 19,99€!!“ · Markt ·
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HLG-40H-SPEC.pdf
5 70 F 0 .9 4 2 7 7 V A C P 0 .9 3 ) 60 0 .9 2 2 3 0 V A C ( 0 .9 1 1 1 5 V A C D 50 0 .9 O 0 .8 9 L 0 .8 8 40 0 .8 7 0 .8 6 0 .8 5 90 100 125 135 145 155 165 175 180 200 230 305 5 0 % 6 0 % 7 0 % 8 0 % 9 0 % 1 0 0 % (40W) INPUT VOLTAGE (V) 60Hz LOAD ※ De-rating is needed under low input voltage. TOTAL
in „LED Raumbeleuchtung flimmerfrei dimmen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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rgs50tsx2d-e.pdf
RGS50TSX2D 1200V 25A Field Stop Trench IGBT Datasheet lOutline V CES 1200V TO-247N IC (100°C) 25A VCE(sat) (Typ.) 1.7V P D 395W (1)(2)(3) lInner Circuit (2) lFeatures (1) Gate (2) Collector 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage *1 (1) (3) Emitter
in „RGS50TSX2D als Ersatz für IHW20N120R3?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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rgs50tsx2d-e.pdf
RGS50TSX2D 1200V 25A Field Stop Trench IGBT Datasheet lOutline V CES 1200V TO-247N IC (100°C) 25A VCE(sat) (Typ.) 1.7V P D 395W (1)(2)(3) lInner Circuit (2) lFeatures (1) Gate (2) Collector 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage *1 (1) (3) Emitter
in „Induktions Doppelfeld (stand alone) - eine Seite hinüber.“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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S8200A_E.pdf
kΩ CO pin resistance "H" COH VVM = 0 V 4 R VCO = 0.4 V, DD = 4.6 V, 5 10 20 kΩ CO pin resistance "L" COL VVM = 0 V 4 RDOH VDO = 3.0 V, DD = 3.4 V, 5 10 20 kΩ DO pin resistance "H" VVM = 0 V 4 DO pin resistance "L" RDOL VDO = 0.4 V, DD = 1.8 V, 5 10 20 kΩ 4 VVM = 0 V DELAY TIME Overcharge detection
in „Li-Ion Ladeschutzschaltung mit S-8200“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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AG1_Ops_Manual_020_0350_00B.pdf
AG1 AG1 ET Notes VL +5 V ±5% +5 V ±5% absolute max 6.0 V VH +12 V ±10% +8 to +18 V VH, max 15 V 19 V L , max 75 mA 0.1 A @ VL= +5 V H , max 1.0 A 1.0 A @ VH= +12 V Ptyp, 120 Hz 6.5 W 6.5 W 3840 'E' characters Pmax, 120 Hz 12.0 W 12.0 W 50/50 2x2 checkerboard CAUTION: Damage to the device may occur beyond
in „SED1353 an AVR“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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E-cap_2011.pdf
End Seal Vinyl Sleeve Rubber End Seal (P.V.C) (P.V.C) Dø F dø 0 0 4.0 1.5 0.45 5 5 0.4Max. 5.0 2.0 L 15Min. 5Min. D±0.5 L 15Min. 5Min. D± 0.5 6.3 2.5 L ≤ 16 L + 1.5Max. Dø < 20 Dø + 0.5 L > 16 L + 2Max. Dø ≥ 20 Dø + 1 8.0 3.5 Dø = 8 & 10 L + 2.5Max. 28 CASE SIZE & PERMISSIBLE RIPPLE CURRENT OF STANDARD
in „TFT Monitor Elkos“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRF4905.pdf
100A/µs ④ rr on Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on isSdDminated by L +L ) Notes: ① Repetitive rating; pulse width limited by ③ SD ≤ -38A, di/dt ≤ -270A/µDD ≤ V(BR)DSS max. junction temperature. ( See fig. 11 ) TJ≤ 175°C ② StartingJT = 25°C, L = 1.3mH ④ Pulse width ≤ 300µs
in „Frage zu Push Pull Abwärtswandler“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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A_simple_state-of-the-art_spectrometer_for_student.pdf
Camera Thorlabs 21 1 KGM60 Kinematic Grating Mount Adapter Thorlabs 173 1 PH40E/M Pedestal Post Holder L¼44.7mm Thorlabs 25 4 PH100E/M Pedestal Post Holder L¼104.7mm Thorlabs 106 1 TR40/M Optical Post L¼40mm Thorlabs 5 4 TR75/M Optical Post L¼75mm Thorlabs 22 1 XRR1/M Rotation Stage Thorlabs 428 1 CF125C
in „Physikprojekte“ · Offtopic ·
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bc557.pdf
Current Gain Figure 2. “Saturation” and “On” Voltages -2.0 1.0 ( ⋅ E TA= 25⋅C V -55⋅C to +125⋅C A ( 1.2 L -1.6 T V I R I 1.6 T -1.2 F M O - C 2.0 R IC= C = -50 mA IC= -200 mA R T -0.8 -10 mA T E R 2.4 L C = -100 mA P C -0.4 C = -20 mA M ,E T 2.8 C ,B V θV 0 -0.02 -0.1 -1.0 -10 -20 -0.2 -1.0 -10 -100 IB,
in „bc557 kennlinie im datenblatt“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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P4SMA_LIF.PDF
Figure 2 - Pulse Derating Curve s e r 10 100 e )P (P S W n ( e % 80 A e u e M w C a P o n S e )Pc 60 4 l 1 PPe P P r P k w i 40 e o n - P a P l e P P D 20 0.2x0.2" (5.0x5.0mm) k e Copper Pad Area P 0.1 0 0.000001 0.00001 0.0001 0.001 0 25 50 75 100 125 150 175 d -Pulse Width (sec.) TAAmbient temperature
in „Warum noch KFZ-Relais?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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bts117.pdf
m = 350 µs, Tj= -40...+150 °C Dynamic Characteristics Turn-on time V INto 90% I D on - 40 70 µs R L 4.7 Ω, V IN= 0 to 10 V, Vbb = 12 V - 70 150 Turn-off time VIN to 10% ID: off R L 4.7 Ω, V IN= 10 to 0 V, Vbb = 12 V Slew rate on 70 to 50% V :bb -dVDSdton - 1 3 V/µs R L 4.7 Ω, V IN= 0 to 10 V, Vbb = 12 V - 1 3 Slew rate off 50 to 70% V :bb dVDSdtoff R L 4.7 Ω, V IN= 10 to 0 V, Vbb = 12 V Protection Functions Thermal overload trip temperature T 150 165 - °C jt Unclamped single pulse inductive energy EAS mJ ID = 3.5 A, Tj= 25 °C, Vbb = 32 V 1000 -- --
in „BTS117 - maximale Schaltfrequenz?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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bts117.pdf
m = 350 µs, Tj= -40...+150 °C Dynamic Characteristics Turn-on time V INto 90% I D on - 40 70 µs R L 4.7 Ω, V IN= 0 to 10 V, Vbb = 12 V - 70 150 Turn-off time VIN to 10% ID: off R L 4.7 Ω, V IN= 10 to 0 V, Vbb = 12 V Slew rate on 70 to 50% V :bb -dVDSdton - 1 3 V/µs R L 4.7 Ω, V IN= 0 to 10 V, Vbb = 12 V - 1 3 Slew rate off 50 to 70% V :bb dVDSdtoff R L 4.7 Ω, V IN= 10 to 0 V, Vbb = 12 V Protection Functions Thermal overload trip temperature T 150 165 - °C jt Unclamped single pulse inductive energy EAS mJ ID = 3.5 A, Tj= 25 °C, Vbb = 32 V 1000 -- --
in „Schaltung mit Taster starten“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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BTS117.pdf
m = 350 µs, Tj= -40...+150 °C Dynamic Characteristics Turn-on time V INto 90% I D on - 40 70 µs R L 4.7 Ω, V IN= 0 to 10 V, Vbb = 12 V - 70 150 Turn-off time VIN to 10% ID: off R L 4.7 Ω, V IN= 10 to 0 V, Vbb = 12 V Slew rate on 70 to 50% V :bb -dVDSdton - 1 3 V/µs R L 4.7 Ω, V IN= 0 to 10 V, Vbb = 12 V - 1 3 Slew rate off 50 to 70% V :bb dVDSdtoff R L 4.7 Ω, V IN= 10 to 0 V, Vbb = 12 V Protection Functions Thermal overload trip temperature T 150 165 - °C jt Unclamped single pulse inductive energy EAS mJ ID = 3.5 A, Tj= 25 °C, Vbb = 32 V 1000 -- --
in „Leistungsschalter für MC“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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MOT-AE-B-...DE.pdf
MOT-AE-B_DE_201504#1 DC-Motoren MOT-AE-B . . . / MOT-DC-… Technische Daten Maße Typ B1 B2 B3 D1 D2 D3 L1 L2 L3 L4 [mm] [mm] [mm] Ø [mm] Ø [mm] Ø [mm] [mm] [mm] [mm] ±0,3 ±0,2 ±0,1 -0,013 ±0,025 [mm] ±1 ±1 MOT-AE-B-024-001-037-F-A-AAAA 37,0 31 7 6,0 12,0 M3 21,0 59,5 6,0 92,5 MOT-AE-B-024-003-037-F-A-AAAA
in „Zuckende DC-Motoren bei Ansteuerung mit H-Brücke/PWM und Arduino UNO“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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d1u-h-2800-52-hbxc.pdf
Ishare -52V -52V AC1 AC2 GND -52V -52V Return Return (GND) (GND) B GND PS-ID0 GND PS-ID1 GND DC_OK_L PUSH +12V- A GND AUX GND I2C-EN-H PS_EN_L Pin Assignment Signal Name Description High Level I Max Low Level P1,P2 AC1,AC2 AC Input Voltage P3 GND Input Protective Earth (GND) P4, P5 -52V Main Output
in „Netzeil von -52V auf +52V Ausgang umbauen (Murrata D1U-H)“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MOS40174_STM.pdf
0.110 G 0.4 0.55 0.016 0.022 H 1.17 1.52 0.046 0.060 L 0.22 0.31 0.009 0.012 M 0.51 1.27 0.020 0.050 N 10.3 0.406 P 7.8 8.05 0.307 0.317 Q 5.08 0.200 P053D 9/12 HCC/HCF40174B SO16 (Narrow) MECHANICAL DATA mm inch DIM. MIN. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX. A 1.75
in „[V] 50St. Latches Philips HEF40174BT SO16 HEX ”D” – TYPE FLIP–FLOP“ · Markt ·