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Entladesicherung einer Autobatterie
Das Detektieren der Unterspannung ist nicht das große problem, sondern das schalten großer Lasten (Ströme) bei einer Autobatterie. Für das Detektieren der Unterspannung nimm einfach eine Komparatorschaltung. https://www.elektronik-kompendium.de/sites/slt/0311261.htm Wie groß
Bausteine die auch direkt Relais ersetzen können und sollen. Grade die angesprochenen BTS oder auch "ProFets".
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IR2127 Gatetreiber - Schaltung verstehen
kaputt wenn ich die (elektronische) Last aktiv schalte. Dann zeigts wieder 36V an -> ich kann den Strom einstellen an der Last, jedoch ist der HO pin immer auf 10V und man kann ihn nicht mehr auf 0V schalten. Gibt's vielleicht jemanden hier der sich
ReinerZufall24 schrieb im Beitrag #6289656: > - es genügt statisches schalten Dafür geht auch ein APV1121 Photovoltaic Optokoppler, damit ist auch Highside mit N-FET kein Problem. Die Schaltfrequenz sollte nur nicht über 100Hz sein, statisch ist es OK seit Jahren bei mir
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single bus switch - SN74CBTD1G384
aber mit so einem FET ein Analogsignal mit 2ns rise/fall time und 22ns pulse durchjagen, oder gibt es dann wieder "böse" Effekte. Was spricht dann gegen einen normalen FET, der einfach als Schalter betrieben wird? Wird
einen normalen FET, der einfach als Schalter > betrieben wird? Unmittelbar nichts. Ein Analogschalter ist im Prinzip nichts anderes. Allerdings sind da zwei FET parallel geschaltet. Und das Substrat ist jeweils nicht
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H-Mosfet-Brücke bis 60V Nennspannung gesucht
Versorgung von 24V dimensioniert (R4 und R5). Wenn du sie an 60V betreibst, zerhaut es dir sofort den pFET (weil die Gate-Source-Spannung zu groß wird). Das Konstrukt aus C1 und R5, das Newbie gewählt hat, bietet die gute Chance, dass der pFET auch schon bei kleineren Versorgungsspannugen durchhaut (
Energie der Spule über R2 > abgeleitet. Ja: das wäre geschickter als die PWM auf nFET und pFET gleichzeitig zu geben.
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NPN Transistor steuert nicht vollständig durch?
das sollte ja nun auch nicht sein. Was läuft hier falsch? Wenn ich Pin5 des OpAmps manuell auf GND schalte fließt wie gewollt kein Strom mehr durch die Last über Q1.
Inversbetrieb durchaus brauchbar für eine solche Anwendung zu sein, aber ich nehme lieber gleich einen FET. :)
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Lüfter über LED PWM Regler Steuern
Mit einer kleinen Änderung geht das mit diesem PWM-Regler (selbst schon gemacht): 1. FET vom PWM-Regler entfernen 2. GND und 12V direkt zum Lüfter durchschleifen 3. Den ehemaligen Gate-Eingang des FET auf dem PWM-Regler mit dem PWM-Eingang des Lüfters verbinden.
, müsstest Du die äusseren Enden des Potis vertauschen. Oder Du greifst das Signal vor den MOS-Fets ab, am roten Punkt, das ist das Gate des 2. Mosfet, beide Gates dürften parallel sein. Dieses Signal dann direkt zum Lüfter PWM-Eingang.
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low distortion Sinus Generator mit 4.5mA
kommen mit geringen Spannungen aus. Wenn du zwei oder 3 passive RC-Tiefpässe hinter den Oszillator schaltest (Fg ~500 Hz), sollten die Oberwellen ausreichend gedämpft sein und trotzdem bei Weitem genug Signal übrig bleiben. Bei einem aktiven Tiefpass erst recht.
Diese Variante von Mieslinger mit Allpässen hier enthält einen FET mit Regelverstärker. http://home.kpn.nl/a.van.waarde/id20.htm mfG
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Wegwerf-TV: Schaltnetzteil defekt?
Yo, das sind FETs, schwer zu erkennen unter dem Kühlkörper. Miss sie trotzdem auf Kurzschlüsse durch. Oder was misst Du (im ausgeschaltetem Zustand!) mittels Diodentest an den Ausgängen des Hauptnetzteils? Wenigstens
Fenster werfen und durch zwei linear geregelte Netzteile ersetzen. Selbige dann über ein Relais schalten. Solch ein Netzteil würde mich dann sicher überleben.
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Abschaltzeit PhotoMOS Relais
richtig machen. Nicht einfach das Gate an einem Pin eines Controllers. Allenfalls einen fertigen P-Schalter verwenden ? zB von ST: VN750 (36V/6A), VN330SP (36V/0.7A)
Abschalten der Versorgungsspannung. > Relais können prellen und sind ungeeignet. Quecksilberrelais schalten prellfrei.
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Mosfet Diode
Gründen existiert, aber nicht zur technischen Verwendung genutzt werden sollte. Beispiel ist das Schalten von Wechselspannung mittels zweier in Reihe geschalteter MOSFETs.
man schon ein bischen suchen. BSS83, UT2312... Es gibt sie also schon, nur nicht als Leistungs-FETs (vertikal).
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Pneumatikzylinder Steuerung
ich die Taster gedrückt halte und er an das Ende des Sensors kommt,denn da wird er ja hin und her Schalten . Nun möchte ich nach einmaligem betätigen der 2 Taster und der vorhandenen Spannung am Sensor (also der Sensor ist ein Öffner), ein Setzen auslösen und nach erreichen des Sensors ein Rücksetzen,
liefern müssen. Das wären dann 4k7. A bissl knapp für dem Transistor. Besser einen Darlington oder FET verwenden. Woher bekommt der 4093 seine Spannung?
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Mosfet Treiberschaltung
Erdpotential). Zu hoch kann ja auch nicht gut sein...) 10-15k? > Solange Du nicht mit einigen kHz schaltest sind Schaltverlust an > ohmschen Lasten nicht so relevant. Die selbe Schaltung könnte irgendwann mal in die Bedrängnis kommen, eine Aquarien-Durchlaufpumpe zu schalten (selbstverständlich ohne
entschieden. Würde es denn Sinn machen eine Diode seriell zwischen den AVR und den PD-Widerstand zu schalten oder können eh keine Ströme zum AVR "zurück fließen"?
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Kameraakkus parallel schalten
Hallo, ich möchte 2-3 dieser Akkus parallel schalten, um eine größere Kapazität zu erhalten und eine Kamera über längere Zeit mit Strom zu versorgen. Wie macht man das am besten und vorallem am Strom sparendsten? Ich hatte schonmal mosfets als diodenersatz
kein Problem sein Wenn es eine fancy Lösung sein soll währe ich ja für einen Aufbau mit Relais/Fets die immer jeweils von einer Batterie zur anderen umschalten wenn eine leer wird.
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24V-Ausgang potentialgetrennt aus einem STM32 3,3V
Flanken der Signale flacher. Hinter die Optokoppler würde ich allerdings ohnehin Schmitt-Trigger schalten, damit die Leistungstransistoren sauber an/aus schalten ohne unnötig heiß zu werden. Willst du jeden Ausgang einzeln Potentialfrei haben (wie bei Relais) oder dürfen sie alle gemeinsam an der gleichen
kann 3V3 Hilft dem TO aber leider nicht da er mit einem einfachen Mosfet nicht Potentialfrei schalten kann.
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Suche einen IC für Spannungsanzeige
Rückfahrlicht und Bremslicht und auch Blinklicht messen. Die Schwellenwerte verwendest Du dann zum Schalten. Also RC-Glied, Operationsverstärker als Schwellwertschalter und mit diesem den Mosfet ansteuern. Je nach dem ob Du im Plus oder Minuspfad der Stromzuführung schalten möchtest mit einem n oder p-Kanal
Bremse/Lichtleitung 12V/5V gepulst habe ich einmal mit Vorwiderstand ebenfalls auf die Transistor/FET Kombination gegeben, damit die erst bei >10 Volt durchschaltet und zum Hänger (Bremse) geht. Den gleiche Eingang habe nach der T/Fet Kombination auf eine weiße LED gegeben.Die leuchtet mit Vorwiderstand
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Woran ist meine H-Brücke gestorben?
diesem Moment vielleicht deutlich höher als die erlaubten 43A Peak und das hat zum durchlegieren der Fet geführt. Gruß Carsten
aktiven Bremsen wird der Motor entweder Kurzgeschlossen Ja, das ist hier der Fall, beide Low-side FETs waren so weit ich das verstehe durchgeschaltet. Dann ist mir aber immernoch schleierhaft, wie auch der High-side FET durchlegieren konnte und viel wichtiger: Wie ich das in Zukunft verhindern kann.
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suche jemanden der smd etc. löten kann
ganze Programm angepasst werden muss. Im übrigen, was glaubst du womit die Neopixel ihre LED schalten? Genau, mit "Transitoren, Mosfet und wie die ganze Geschichte heißt"...
Wenn wirklich die Transistoren abrauchen, und das kann man ja mit einem testen, dann nimmt er eben FETs. Ich finde das kann man alles schon so machen wenn man etwas nur einmal baut. Eine Platine herstellen zu lassen wird nicht ganz billig weil das viel Fläche ist. Oder man macht Bogensegmente. Ich
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Wechselschalter mit MOSFETs
Okay, ich versuch's nochmal :D... 1. Schalter gedrückt: Vbb am Motor --> Motor dreht sich 2. Schalter nicht gedrückt: GND am Motor --> Kurzschließen der Wicklung und somit schnelles Bremsen des Rotors 3. Keine Spannungsquelle angeschlossen:
: GND am Motor --> Kurzschließen > der Wicklung und somit schnelles Bremsen des Rotors Den Schalter andersrum anschließen ist keine Möglichkeit? Also gegen Vcc schalten und einen Pull down dazu.
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Wie beschalte ich diesen Relais richtig?
Dazu kann man noch je eine LED mit einem entsprechendem Vorwiderstand parallel zu jedem Relais schalten.
man aber immer Probleme mit der Ansteuerung der oberen Transistoren. Eigentlich ist die Lösung N-Fet an Masse und darüberliegen zwei Umschaltrelais gar nicht so schlecht. Wenn man dann noch dafür sorgt, das die Relais nur dann schalten, wenn der FET _nicht_ angesteuert wird, halten diese sozusagen
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PIC Versorgung schwingt bei Abschalten einer Last
Hallo, mit einem PIC schalte ich eine Heizung 10W (5V 2A) über einen P-MOSFET. Das Schalten erfolgt momentan nur 1 Mal pro Sekunde, also eher kein PWM. Die Schaltung bekommt 5V von einem Labornetzgerät. Wenn die Heizung aus
Warum P-FET? Ein N-FET wäre weit üblicher... Warum so wenig Caps? 100nF an 2A mit langen Leitungen, helloooo Schwingkreis... Warum keine getrennte Versorgung Last und Chip? Schon ein Widerstand und eine Z-Diode
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AC Signal mit Solid State Relay umschalten?
Hmmm, stimmt. Das hab ich wohl überlesen :-( Brauchst Du überhaupt eine galvanische Trennung? Schalt-FETs haben normalerweise keine Probleme mit dem Schalten eines 10kHz-Signals.
Harald W. schrieb im Beitrag #6269157: > Brauchst Du überhaupt eine galvanische Trennung? Schalt-FETs haben > normalerweise keine Probleme mit dem Schalten eines 10kHz-Signals. Nein brauche ich nicht. ich müsste nur einen Strom von max. 1,5A schalten können. Also so zu sagen ein schneller
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Chip als Mehrfach Umschalter
Volt / 20 mA. Allerdings sind die _nicht_ für Ströme über 1mA geeignet. Dann brauchst Du passende FET-Schalttransistoren.
#6269134: > Allerdings sind die nicht für Ströme über 1mA geeignet. > Dann brauchst Du passende FET-Schalttransistoren. Ja, das habe ich schon befürchtet das die Teile nix ab können. Aber das wären nur 16 Transistoren o.ä. die ich dann über den "geistigen Volt-Anschluss" schalten muss. Gruß
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Ansteuerung GaN-Fet
Hi, ich moechte gerne die beiden FETs am LT3762 durch GaN-Typen ersetzen, dadurch erhoffe ich mir einen etwas besseren Wirkungsgrad. Der PWM-Fet ist voellig aussen vor. Nun treibt der LT3762 die Gates mit bis zu 7,7V, zuviel fuer die GaN
des Stromes ins Gate. Alternativ koennte ich anstelle der Widerstandes zwei Dioden in Reihe schalten. Nur ist dann gar keine Strombremse fuer die Z-Dioden mehr da. Was meinen die Experten dazu? Danke und Gruesse Gert
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Verständnisfrage zu Relais
Hallo zusammen, ich möchte zum ersten Mal ein Relais benutzen, um eine 24V Last zu schalten. Ich habe mich in die Theorie eingelesen und habe nun eine Frage zu Beschaltung eines Relais. Ich wollte dafür folgenden benutzen: https://www.reichelt.de/leistungsrelais-tht-24-vdc-10a-1-schliesser-g5q
> nehme ich doch dann eher 10k. Das würde ich höchstens machen, wenn die Ansteuerleitungen am Fet viele Meter quer durch eine störverseuchte Industriehalle laufen.
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Kratzen aus Lautsprecher
kapazitiver Signalverfolger so wie ihn auch Mr Carlsons Lab verwendet. Muß ich mir erst bauen mit FET-Eingang und Ohrhörer...
Fehler zu finden. Ein klopfen auf das Lautsprecherrelais führt auch öfters zum Erfolg. Der Schalter A/B für Lautsprechergruppen ist gewöhlich einfach ein Umschalter, dieser kann Kontaktprobleme haben. Viel *Spass
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Pulsgenerator / Platinenlayout
Layout ab. Was für ein Layout würdest du empfehlen bei ca. 40MHz@max.1A? Lieber einen BJT statt FET? Wie würde ich die IR-LED damit kurzschließen? Ich nehme mal an um die Fall-Time zu verkürzen? Ich hatte bis vor kurzem die angehängte Schaltung mit dem FET[1] aufgebaut. Der Kondensator ist da
kleiner als die Led-Schwellenspannung sein (notfalls deren Kathode etwas anheben). Und er muß schnell schalten.
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Tecsun S-2000 MW LW externe Antenne
angefasst, kommt ein verrauschtes Netzbrummen. Nehme an, dieser Anschluss geht direkt auf das Gate eines FET. Den möchte ich auf keinen Fall durch eine unsachgemäße Beschaltung beschädigen. Wer kennt Genaueres? Danke schon einmal. ciao gustav
Hi, möchte jetzt Ergebnis vorstellen: FET-Vorstufe, Kaskode mit einstellbarer Verstärkung. 9V ca. 5 mA. In Abänderung des Schaltplans oben insgesamt zwei umschaltbare separate Wicklungen für LW und MW. (MW: ca. 100 Wdg. - LW: Kreuzwickel
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PNP Transistor BC557A als Schalter
und fertig. > > zb BTS410 Oder z.B. (23 x 16 mm): https://www.ebay.de/itm/AOD4184-Isolated-FET-Field-Effect-MOSFET-MOS-Tube-Transistor-Module/173712847440
kommt aber erst wahrscheinlich in drei Wochen - Bis dahin möchte ich die Wallbox über das Handy schalten können Gruß Stefan
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Single-puls 10us
also 0,1us. Die Pulsform muß rechteckig sein, mit möglichst steilem Anstieg zur Ansteuerung eines FET‘s. Danke und Grüße Peter
0,1us. > Die Pulsform muß rechteckig sein, mit möglichst steilem Anstieg zur > Ansteuerung eines FET‘s. Verbinden (Punkschweißen) von Lithium-Zellen?
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CD4066 als Relaisersatz?
Nein, der 4066 darf nur maximal 10 mA schalten.
tauschen? (Platz sparen) Es > fließt ein Strom von ca. 300mA Nein, aber es gibt ganz kleine MosFets. mfg Klaus
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Schaltplan prüfen
Werden Kompressor und Ventil denn schon bisher über Relais angesteuert? Oder doch direkt mit dem Schalter?
1. Die Schaltbilder von deinen FETs sehen irgendwie etwas missglückt aus. Vergleiche mal mit dem Datenblatt. 2. Für den ATmega fehlen Abblockkondensatoren an VCC und AVCC 3. Die Z-Diode D1 würde ich eher durch Klemmdioden ersetzen
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50mA fast blowing Sicherung
50 mA Spannung AC 250 V~ Ausschaltvermögen (AC) 35 A Bei 400V AC zwei in Reihe schalten. Oder besser: 185000.0,05 SIBA Sicherung: Schmelz; super schnell; 50mA; 3kVAC; Keramik; 8x85mm Sicherungscharakteristika super schnell Abschaltfähigkeit 35A Nennstrom 50mA
wirklich ganz hart und schnell bei 50mA auslösen soll, dann wäre eine elektronische Sicherung (Shunt + MosFET + OpAmp) besser. Die kann man so einstellen dass sie ganz genau bei 50mA und quasi ohne Verzögerung auslöst.
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Aktive Gleichrichtung mit IPW60R060P7?
#6260336: > Wieso macht aktive Gleichrichtung bei hohen Spannungen weniger Sinn Weil spanungsfestere FETs schlechtere Rdson-Werte haben, und auch die Dioden-Vf im Vergleich zur Gesamtspannung weniger ausmacht. Milchmädchen: Wenn du unter 1V pro FET bleiben willst (Also etwa gleichgut wie 08/15 Diode)
Es soll aber vorteilhaft sein für die Verlustleistung die MOSFETs parallel zu diesen Dioden zu schalten. Somit würde eine recht aufwendige Steuerung vermieden (spannungs- und stromverlaufsabhängie vorauseilende Steuerung). Ein konstanter Betriebspunkt mit nur geringen Abweichungen wird vermutlich
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Transistoren - Die-Bilder
Heute ein FET, ein V-MOSFET: BD522 https://richis-lab.de/FET01.htm Spender war Roland.
/FET02.htm
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Unterschiedliche FETs bei Syncronwandler
etc.) auch teilweise deutlich kleiner bei den kleineren FETs was schalt Verluste einspart. Die sind bei den hohen Frequenzen der GAN FETs je nach Anwendung ausschlaggebender als die Verluste durch den höheren Innenwiederstand. Wenn man damit einen mehr Phasen
Buchstabenkombinationen > bedeuten? Stell dir vor das weiß ich. Soll ich es dir richtig aufschreiben? GaN-FET -> Galliumnitrid-FET Ich weiß das sie deutlich geringere Kapazitäten als Silizium FETs haben und dadurch erheblich weniger schalt Verluste. Die genauen technischen gründe kenne ich darum geht es
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bridgeless pfc
einem nachfolgen Step-Up-Wandler nur einen Brückengleichrichters, deren Dioden nach Masse durch zwei FETs ersetzt werden, die die selben Ansteuersignale wie die des FETs der Normalschaltung. Prinzipiell lassen sich beide Gates parallel schalten. Spart einen Standard-Gleichrichter und dessen Verluste, kostet
, kostet einen > weiteren FET und eine schnelle Diode. Nein, die Funktionsweise kenne ich, mir ist nur nicht klar, wie man durch das Schalten der FETs eine Power factor Korrektur erreicht. Was muss die Schaltung zB wie tun, wenn
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Fragen zu TP4056
1.Wenn du meinst eine galvanische Trennung zu benoetigen,sind Optokoppler fuer akkurates Schalten des Ladestromes wahrscheinlich nicht zu empfehlen,wegen der Kollektor - Emitter Restspannung.Mit einem MosFet/Reedrelais waere das kein Problem.Am besten mal testen wie sehr der berechnete Ladestrom
Optokoppler ist recht windig, da deren Restspannung UCE schwer kalkulierbar ist. Ich würde die mit zwei N-FETs machen, mit einem geeigneten LL-FET ginge das sogar sogar am Raspberry.
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Basiswiderstand
vor der Temoeratur. Nimm statt des Spannungsfolgers einen Komparator und statt der Transistoren FETs.
: > Übrigens ist auch der Spannungswert 0,7 V ein worst-case-Wert. Die > meisten Transistoren schalten (bei Raumtemperatur) schon bei einer > Basisspannung von 0,5 V. Nein, sie schalten nicht. Sie beginnen zu leiten. Es ist eine Frage des Stromes, wie gut sie leiten. Die Spannung an der Basis stellt
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Lidl Powerbank
einer Kapazität von 10Ah. Eine weitere interessante Frage ist folgende: Die meisten Powerbanken schalten den Ausgang einfach ab, wenn am Eingang ein Ladestrom angeschlossen wird. Ist das hier auch so oder liegt während der Ladung am Ausgang die 5V an? Könntest du das mal bitte testen?
also: Powerbanks verfügen meist über einen Controller sowie undd hier aufgepasst,: mindestens 1 N-Fet oder mehrere N-Fets, in 6-oder 8-Pin-Bauform (Dualfets), die im Minuszweig zum Akku - Ausgang geschaltet werden vom Controller aus. dazwischen liegen irgendwo immer Shuntwiderstände von ca 0,xx mOhm
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MOSFET und digitale Modellbahn
Frage zu MOSFET. Ich betreibe eine digitale Modellbahn (Fleischmann Spur-N). Eine Gleisblöcke schalte ich zur Zeit noch händisch mittels Kippschalter ab. Mir kam die Idee, dass durch einen Arduino digital ausführen zu lassen. Als elektrischer Schalter kam mit das MOSFET in den Sinn. Was mit einer
Programmieren" kannst. Leider geht es dem TO (noch immer ;)) nicht um Weichen, sondern um das Schalten der Gleisspannung. MfG, Arno
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Common-Gate Schaltung N-Fet?
Christoph db1uq K. schrieb im Beitrag #6252645: > Er will den FET "invers" betreiben Mit JFET ist das möglich zu vertauschen. Mit Mosfets geht das nicht. Das kommt daher, weil Viele schlampigerweise (to lazy for all 5 letters) oft FET, statt MOSFET schreiben.
üblich. > Manche davon kann man sogar als Verstärker benutzen. Hier geht nicht um einen CMOS-Schalter sondern um die Basisischaltung mit einem NMOS-Transistor.
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schematic review
Status LED die mit die höchste Flussspannung hat sollten die 5V locker reichen um den Opto zu schalten. Der Opto verstärkt selbst geringe Ströme wodurch die Gate Spannung ansteigt. Selbst wenig Spannung führt bei einem FET dazu das e anfängt zu leiten. Da der kanalwiderstand jedoch in diesem Bereich
schalten will, dass man mehr als Widerstand und Zenerdiode braucht. Bei vernünftigen Frequenzen ist man doch froh, wenn der FET nicht so steile Flanken raus wirft. Irgendwer muss hinten dran ja auch filtern
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1A Konstantstromquelle für max. 5W mit 5V/2A-Steckernetzteil betrieben machbar?
https://kompendium.infotip.de/konstantstromquelle.html Welche Nachteile hat ggf. Version3 mit 1 FET und 1 Widerstand
Bei 5V geht die dort vorgeschlagene Schaltung FET: https://www.mikrocontroller.net/topic/488914#6132395 Den ganzen Thread zum Lesen: https://www.mikrocontroller.net/topic/488914#new
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H-Side Schaltung - Feedback
Projekt. Dabei habe ich in der Version 0 einen gravierenden Fehler gemacht: Ich habe einfache N-MOS FETs als High-Side Treiber verwendet. Dies hat mich sehr geärgert, da ich dies durch eine einfache Spice-Simulation hätte verhindern können. Ich habe vor diese Woche die neuen PCBs zu bestellen, und diesmal
. Das sollte das Netzteil eben können. Könntest du noch erklären, warum du mit M2 und M5 zwei Schalter geplant hast? Hier reicht doch einer und bei 56facher Ausführung ist das schon Geld ... Zumal: wenn du M2 betrachtest: der wird ja schon ausschalten, bevor C1 leer ist, weil bei einer Restspannung
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Highside, FET wird heiß
Hallo, sorry, kenne mich mit FETs nicht sonderlich aus. Brauche einen Higside switch um 12V/5A zu schalten. Hab angehängte Schaltung auf gebaut aber der FQD11P06 wird extrem heiß. Selbst wenn ich den Strom über das Netzgerät auf unter
keine Ahnung > habe und es zig verschiedene Typen gibt. Mussv es denn unbedingt ein "Highside"-Schalter sein? Bei N-FETs gibt es eine wesentlich grössere Auswahl an FETs mit kleinem Rdson.
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Widerstandswerte für Opamp-Grundschaltung
Last. Sollte dessen Last nur sehr hochohmig sein dürfen, dann würde ich noch einen Buffer davor schalten.
bzw. Widerstandsverhältnis). Und Offsetstrom interessiert hier sowieso nicht, denn das sind OPV mit FET-Eingang, also extrem hochohmig. Die paar pA Offsetstrom interessieren da bei 10k oder 20k überhaupt nicht, bzw. der Fehler mit normalen Meßgeräten nicht feststellbar. >Ein Fehler in meiner Schaltung
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Triac mit Logikchip ansteuern
Besonders wenn man statt Thyristor nen Transistor (BJT,FET,IGBT) nimmt und dann die Ausgangsleistung mit PWM stellen kann.
Variantenreichtum könnte noch mit Erwähnung vom GTO (Gate Turn Off Thyristor) angereichert werden ((BJT,FET,IGBT) hier fehlt MOSFET, falls FET hier nicht nur für den JFET steht). ;o) ;o)
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Offene Basis bei Reset - Widerstandsdimensionierung
Hallo, ich möchte mit einem RPi eine Last schalten 25mA benötigt. Im Datenblatt (2N2222A) sehe ich eine hFE = 75 für Ic = 10mA und eine hFE von 100 für Ic = 100mA. Da ich nur 25mA schalten will, wähle ich die 75. Ib = Ic/hFE = 0.13mA Da ich
Controllers im Reset hochohmig ist, dann kann kein Strom herausfließen und der Transistor kann nicht schalten. Einen Pulldown Widerstand braucht man bei FETs, weil diese einen sehr hohen Eingangswiderstand haben und durch Spannung gesteuert werden.