Hi, ich moechte gerne die beiden FETs am LT3762 durch GaN-Typen ersetzen, dadurch erhoffe ich mir einen etwas besseren Wirkungsgrad. Der PWM-Fet ist voellig aussen vor. Nun treibt der LT3762 die Gates mit bis zu 7,7V, zuviel fuer die GaN. 6V reichen auch. Nun hab ich mir das ausgedacht: [pdf] Der LT3762 kann die Gates mit t rise/fall 20ns treiben. Halte ich fuer illusorisch durch die Schaltkapazitaeten und gehe im besten Fall von 100 ns aus, warscheinlich noch mehr. Wenn ich mich nicht verrechnet hab, brauche ich bei 12 nC und 100 ns etwa 120 mA Gatestrom. Die Leiterbahn zum Gate ist etwa 35mm lang. 7,7V - 6,2V = 1,5V 1,5V / 120 mA = 12,5 Ohm Dieser Widerstand versaut mir nun die Einschaltzeit und ueberlastet die Z-Dioden, statisch gesehen, dynamisch geht ja der groesste Teil des Stromes ins Gate. Alternativ koennte ich anstelle der Widerstandes zwei Dioden in Reihe schalten. Nur ist dann gar keine Strombremse fuer die Z-Dioden mehr da. Was meinen die Experten dazu? Danke und Gruesse Gert