den würde ich gar nicht auf meine Liste setzen. Es gibt Transistoren mit höherer Verstärkung, z.B. BC337. https://www.farnell.com/datasheets/1789499.pdf Es gibt auch noch Darlington Transistoren, Beispiel BC517. https://www.mouser.com/datasheet/2/149/BC517-888613.pdf Hier sind 2 Links mit
halben Threat hier. Kannst du das erklären damit es verständlich wird? Gleichen sich die hfe Werte des 337-25 und 337-40 in den Grenzen an? Ich verstehe diese Aussage nicht. > Für sein SSR soll er einen BC-irgendwas nehmen, für deutlich mehr Strom > einen FET. Ich bin nach wie vor beim BC 337-40
auch nicht, weil der PNP Transistor nie abschalten würde. Lösung: T2 als Emitterschaltung umbauen (BC337) und dahinter noch einen PNP Transistor T3 (BD138) schalten, damit die Logik wieder stimmt. Evtl. R13 weglassen und den zukünftigen PNP Ausgang dann als "Offenen Kollektor" auslegen (der 2k2 verheizt
mindestens 20mA bei ausreichend geringer CE-Spannung bereitzustellen. Dort ist auch erklärt warum es einen BC547A, BC547B und BC547C gibt. Der letzte Buchstabe gibt nämlich die Stromverstärkungsklasse an. Da eine hohe Stromverstärkung meist wünschenswert ist und in diesem Fall keinen Aufpreis kostet, ziehst
etwas knapp bemessen. Du blätterst also in der Reichelt-Liste weiter und stößt auf den BC337-40 mit 45V, 0,5A und 0,525W. Das ist genau das, wonach du suchst. Bei diesem Transistor sind die Stromverstärkungsklassen durch die Endungen -16, -25 und -40 gekennzeichnet. Es wäre ja auch zu einfach
279 ADD HL,DE 280 mov [ARGU2],HL 281 EX DE,HL 282 POP DE 283 BIT 0,[si-001] 284 jmp Z,L1C31 285 L1BC0 mov B,00A 286 L1BC2 PUSH BC 287 mov B,[si-002] 288 IN A,[P05] 289 RES 4,A 290 SET 5,A 291 OUT [C],D 292 DEC B 293 jmp Z,L1BD3 294 SET 6,A 295 L1BD3 OUT [P05],A 296 OUT [C],E 297 mov A,[HL] 298 PUSH
Versuche sind aber kläglich gescheitert... vermutlich habe ich einen Denkfehler. Rumliegen habe ich BC337-40 (NPN) und BC327-40 (PNP). Als Basiswiderstand an 3,3V bei max. 20mA habe ich Pi mal Auge 4k genommen. - NPN zu verwenden und hinter R1 zu packen, führt zu 12V am ADC Eingang, das will man nicht
L I OR R R3 R 6 N 5 IC1 G LED3 1k + RT gn 5 VCC V Betriebs-LED Q1 R4 6 PB0/PCINT0/AIN0/OC0A/MOSI 5 BC337 7 PB1/PCINT1/AIN1/OC0B/INT0/MISO + C1 2 1k 2 PB2/PCINT2/SCK/ADC1/T0 D 1 2 WS C3 3 PB3/PCINT3/CLKI/ADC3 100n L GND OK1 1 PB4/PCINT4/ADC2 R2 1 4 GN S SW 10n 4 PB5/PCINT5/RESET/ADC0/DW 3k3 3 4 GND GND
Lections/Mikrofone%20-%20Elektronischer%20Lauschangriff.htm Ich habe momentan nur als Transistoren BC 517 oder BC 337 in der Bastelkiste. Tun die es auch oder muss es unbedingt der BC546C-BC550C sein? Gruß Harald
BC517 ist ein Darlingtontransistor, der passt nicht. Aber deine BC337 kannst du nehmen.
Beitrag #7674026: > Es fließen also 2,6mA durch den 1k in die Basis. Ja. > Die Verstärkung des BC337-40 ist mindestens 250. Unsinn, zu dem sich auf µC-net zahlreiche Threads finden lassen.
>> Die Verstärkung des BC337-40 ist mindestens 250. > > Unsinn, zu dem sich auf µC-net zahlreiche Threads finden lassen. auf dem genauso wenig präzise Information steht, also wirr und wenig hilfreich ist, weil auch da wird
00 30-6-01 Ph:BAQ800 133 NC Same Product Available in single ammopack - 5K MOQ. Consult Marketing. BC327-40 PNP general purpose transistor 933179540699 N M 3 31-12-00 30-6-01 BC327-40 112 / 116 Standard Discontinuation. Consult Marketing. See Replacement. BC337-16 NPN general purpose transistor 933179580116 N M 3 31-12-00 30-6-01 BC337-16 112 / 126 Standard Discontinuation. Consult Marketing. See Replacement. BC368 BC368 T/R NPN medium power transistor 933259240116 N M 3 31-12-00 30-6-01 BC368 112 / 126 / 412 Standard Discontinuation
schon zu lange aus der Elektronik raus um das Phänomen zu verstehen. Folgender Aufbau VCC = 5V BC337 Am Kollektor hängt ein ESP32. Der Emitter an GND. Der Transistor soll durchgesteuert werden sobald die Basis über einen 1K in Kontakt mit Wasser kommt. Die 2te Leitung die im Wasser hängt sind die
Micha B. schrieb im Beitrag #7670505: > VCC = 5V > BC337 Am Kollektor hängt ein ESP32. Und der ESP hängt sonst in der Luft, oder wie? > Der Emitter an GND. > Der Transistor soll durchgesteuert werden sobald die Basis über einen 1K > in Kontakt mit
grundsätzlich den Spannungsabfall über dem Transistor ungeachtet des Stroms. Eine Möglichkeit ist der BC337. Der Basiswiderstand muss entsprechend berechnet werden, wahrscheinlich liegt der irgendwo im Bereich von 1.0 kOhm bis 4.7 kOhm. Dafür gibt es aber entsprechende Berechnungswerkzeuge oder du probierst
: 95D6 LSR R29 ; shift result, bit 0 of high 336/ 9E : 95C7 ROR R28 ; byte via carry into low one 337/ 9F : FDF2 SBRC R31,2 ; test multiplier bit 2 338/ A0 : 0FD3 ADD R29,R19 ; add mutiplicand to result 339/ A1 : 95D6 LSR R29 ; shift result, bit 0 of high 340/ A2 : 95C7 ROR R28 ; byte via carry into
otherwise noted.
Symbol Parameter Conditions Min. Typ. Max. Unit
BVCEO Collector-Emitter Breakdown Voltage BC337 45 V
BC338 25 V
BVCEs Collector-Emitter Breakdown Voltage BC337 IC = 10 mA, IB = 0 50 V
BC338 IC = 0.1 mA, VBE = 0 30 V
BVCEO Emitter-Base Breakdown Voltage IE = 0.1 mA, IC = 0 5 V
ICES Collector Cut-Off Current BC337 VCE = 45 V, IB = 0 100 nA
BC338 VCE = 25 V, IB = 0 100 nA
hFE1 DC Current Gain VCE = 1 V, IC = 100 mA 630
hFE2 VCE = 1 V, IC = 300 mA 60
VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC = 500 mA,
Guten Tag, ich möchte einen Transistor BC337 verwenden und habe in eurem Forum dieses Beispiel gefunden. Ich möchte den Basiswiderstand Rb berechnen, aber ich verstehe nicht, wie man auf den Wert von 470 Ohm gekommen ist. Ich habe das Datenblatt
Ein BC337 (Standard, ohne -16, -25 oder -40) hat eine minimale Stromverstärkung von 100 linear und bei 500mA Kollektorstrom noch 40. Dabei ist er noch nicht mal garantiert in der Sättigung, was man üblicherweise