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Frage zu Flash Schreibzyklen und malloc in AVR
den Linker Einstellungen ist eingestellt das sich der Stack im Internen Speicher befindet und Heap, BSS, DATA im externen RAM liegen. Ich habe eine Art Arraylist für arme in C geschrieben, wobei es nicht wirklich eine Arraylist. Ich benötigte diese für den TCP-Server, denn ich oben erwähnt hatte.
wird direkt rausgeschickt die anderen beiden werden an einem Puffer aneinander gehängt zB. so Hallo, 123 und Test. Hallo wird direkt weg geschickt und 123 und Test werden in zsm. gehängt -> 123Test und die entsprechenden Längen sowie Positionen gemerkt. handleTCPSend() pflückt das ganze dann wieder auseinander
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Verkaufen verschiedene SMD/ THD Bauteile
6000 Stk 2EDL8024GXUMA1 Gate-Treiber INT. POWERSTAGE/DRIVER 950 Stk STM BLUENRG-M2SP2 6000 Stk BSS123IXTSA1 MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS 8750 Stk BSS138WH6327XTSA1 MOSFET N-Ch 60V 280mA SOT-323-3 4400 Stk BSZ0804LSATMA1 MOSFET TRENCH >=100V 850 Stk INA280A2IDCKT Stromrichtungsverstärker 2.7-V to
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Voltcraft VC 608 Batterie verpolt - Reparatur?
Zum Schluss noch ein Update: Q1 mit FMMT497 und Q2 mit BSS123 ersetzt. Läuft wieder wie eine Eins!
when measuring it noticed that it was behaving like an N-channel MOSFET. So I replaced my Q1 with a BSS138 that I had in my stockpile and my meter is back from the dead! YAY! Now I've put a label on all my meters to help remind me: [!] CAUTION [!] self-measuring battery can damage meter (so
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Alternative zum BS108 in SMD
Versuch's mal mit BSS123 oder BSS131 (z.B. bei Reichelt).
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Flipflop für Zähler
haben. Du musst stattdessen geeignete Mosfets aus der Bibliothek auswählen. Ich habe die Mosfets in BSS123 (N-Kanal) und BSS84 (P-Kanal) geändert. Problem 3: Deine beiden NOR-Gatter sollten wohl so eine Art RTL-Gatter werden. Dabei fehlt aber jeweils eine Diode und der Pulldown-Widerstand. Ich
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ESP8266 mit Selbsthaltung
Warum so aufwändig? Nimm eine CR123A-Zelle mit 1.5Ah und einen ESP-12. Wenn du den zwischen den Aktionen in den DeepSleep schickst, hält der ewig. Ausser du drückst ihn alle 3 Sekunden. Meine Schaltung ist im Anhang.
meinem Fall keine Rolle spielen, oder versteh ich da was falsch? > Warum so aufwändig? Nimm eine CR123A-Zelle mit 1.5Ah und einen ESP-12. Wenn du den zwischen den Aktionen in den DeepSleep schickst, hält der ewig. Ausser du drückst ihn alle 3 Sekunden. Meine Schaltung ist im Anhang. Danke, aber
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Festo-Akkus defekt / Zellen austauschen?
Allerdings gibt es als Alternative auch LiIon oder vor allem die hochstromfähigen LiFePo4 von A123. Mit der passenden Schutzschaltung im Akku kann man das bisherige Ladegerät verwenden. (+)--+---+---------------+----------------+ | | | | | 820k
(-)--+ (Widerstandswerte auf 3 Zellen umrechnen) Aber ich habe keine Langzeiterfahrungen mit A123 Zellen, und die Firma ist auch schon pleite, vielleicht sind die auch in 5 Jahren defekt.
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Projekt : GPS Tracker
mach mal einen Vorschlag. Daten: LiIon-Akku (3.6 bis 4.1V) Out=3.3V Wenn er 50+70+3mA = mehr als 123mA an Strom bringt wär das okay.
bitte jemand überprüfen der etwas ahnung davon hat? - ATmega mouser.com (556-ATMEGA644P-20AU) - BSS123 Reichelt (Artikel-Nr.: BSS 123 SMD) - LM75AD Reichelt (Artikel-Nr.: LM 75 SMD) - Max 1811 Recihelt (Artikel-Nr.: MAX 1811 ESA) - 1 Schalter Mouser.com (SSSS811101) - MIC 2920A-3.3WS mouser.com
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Variable nicht initialisiert
Es gibt Compiler die nehmen mit 0 Initialisierte Variablen und schreiben diese in die BSS Section. Beim Programmstart wird der Bereich dann mit 0 gefüllt. Damit sind alle Variablen initialisiert ohne Platz im Programmspeicher zu fressen (bis auf die Initialisierungsroutine). Bei einem
Initialisierung: [c] #include <stdint.h> int main(void) { uint64_t a0 = 0; uint64_t a1 = 123; uint64_t a2 = 43534645; uint64_t a3 = 45645; uint64_t a4 = 6758; uint64_t a5 = 678; uint64_t a6 = 456; uint64_t a7 = 33; uint64_t a8 = 34555346; uint64_t a9 = 56756734563;
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Look-Up Table wie speichern
Speicherlayout bei den avr-Tools ist folgendes: Ganz unten wird Static Storage lokatiert (.data, .bss, .rodata). Darauf folgt der Heap (verwendet von malloc() etc.), der startend ab __heap_start nach oben hin dem Stack entgegenwächst. Darauf folgt Platz für den Stack, der startend von RAMEND nach
() bekannt ist, dann passiert das: Der Compiler faltet die Zugriffe, und aus Array[1] wird z.B. 123 wenn Array[1] den Wert 123 hat. Der Compiler referenziert das Array im Assembler-Code also nicht. Ist das Array lokal, kann GCC nachweisen, dass es nicht gebraucht wird und legt es erst garnicht
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MATH.H für MSP430 will nicht so ganz...
funsigned-bitfields -fpack-struct -fshort-enums -Wall -Wstrict-prototypes -Werror -Wa,-ahlms=test.lst -mmcu=msp430x123 -I. test.c -o test.o msp430-gcc -Wl,-Map=test.map,--cref -mmcu=msp430x123 test.o -lm -L/usr/local/msp430/lib --output test.elf msp430-objdump -S -h test.elf > test.dis msp430-objcopy -O ihex -R
.eeprom=0x00000000 never used ergibt: msp430-size --target=ihex test.hex text data bss dec hex filename 0 3154 0 3154 c52 test.hex Da scheint wohl noch einiges machen zu lassen, vorallem weil ich ja mit 4 eine konstante vorgegeben habe die ein spezialfall
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MOSFET mit 100 kHz PWM ansteuern
R2 wird das also extrem lahm. Versuch's mal mit Kleinsignal-MosFETs, die direkt an dem Pin hängen (BSS123, BSS84, SI1555). Oder nimm gleich einen richtigen MosFET-Treiber.
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Fatale Größenoptimierung
die Codegröße angezeigt: $ avr-gcc -Os -mmcu=attiny2313 test.c $ avr-size text data bss dec hex filename 120 0 0 120 78 a.out Jetzt ohne den Kommentar: [C] #define F_CPU 8000000L #include <avr/delay.h> #include <avr/io.h> int main() {
dem Ausdruck anfängt, diesen nach einem Ganzzahlformat zu casten, z.B.: (unsigned short)(blabla / 0.123) Peter
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Schneller, stromsparender PowerMOS Optokoppler-Treiber (LT Spice sim angehängt)
hoch, was hauptsächlich durch das Umladen der 5nF bedingt ist. Hohe Querströme des Treiber-Inverters (BSS123 & BSS84) werden durch die Common-Gate Stufen vermieden. Geschwindigkeiten der Optokoppler wird ebenfalls mittels Kaskodensufen maximiert. Flankensteilheit (10-90%) bei 5nF Gatekapazität beträgt
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(Über)lebensraum von Variablen...
seit C89 nicht mehr vom Standard abgedeckt. (Als unangenehmen Nebeneffekt kann man die Größe des .bss nicht durch Aufsummieren der .bss der einzelnen .o-Dateien ermitteln, sondern erst nach dem Linken am fertigen Executable.) > Es funktioniert, diese ... einfach so zu benutzen. Ist es Toleranz
rauskommt), aber nach ANSI ist das ein Fehler, der gemeldet werden muß; beispielsweise so: blah.c:123: conflicting types for `i_foo' inc/blah.h:105: previous declaration of `i_foo' make: *** [blah.o] Fehler 1 Die richtige Version ist deshalb diese: #ifdef EXAMPLE_C # define EXT # define
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Led an OpenCollector invertieren
. schrieb im Beitrag #7698337: > Oder brauch ich einen > Transistor als Inverter? Z.B. BS170, BSS138.
hier auch Abhilfe schaffen, ich persönlich würde mir aber den diskreten Aufbau sparen und den 74HC123 für eine Retriggerung nehmen; der 555 in CMOS-Variante würde auch noch gehen, die Schaltung mit dem ist aber etwas umständlicher.
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MOSFET am ATTiny45
Hallo Leute, Ich habe folgende Frage und zwar, kann ich den BSS123 zum schalten von 3V benutzen und das gesteuert über nen ausgang von nem ATTiny45? MfG Kai
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Anregungen / Fragen / Hinweise zu Wecker
leiten beide, solange > kein Eingangssignal anliegt. Habe die gegentaktendstufe nun mit Mosfets BSS123 / BSS84 aufgebaut. Die Spannungsversorgung der fürs Display wird nun mit Vorwiderständen realisiert. Wird es so funktionieren?
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C Objekte als Struct effizient kapseln
[avrasm] test: ldi r24,lo8(-1) out 0x17,r24 sbi 0x14,3 sbi 0x15,3 ldi r24,lo8(123) out 0x18,r24 cbi 0x15,3 sbi 0x15,3 .L2: sbic 0x13,5 rjmp .L2 ret [/avrasm] Datenspeicher wird außer für den Programmstack keiner benötigt. Die Ausgabe von avr-size: [pre] text data bss dec hex filename 22 0 0 22 16 parport.o [/pre] Besser geht es auch mit handgeschriebenem Assembler nicht. Lässt man zum Vergleich alle const und static weg
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3V mit 3V schalten
der bss123 tuts auch schon bei 3V. allerdings schafft der keine 300mA. aber für die SuFu und den TE kann man ihn ja mal erwähnen, zumal nach einem "standard"-T gefragt wurde.
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600 MHz differential probe Eigenbau
;-) Funktioniert so aber nicht, weil es bei grosser Aussteuerung Probleme mit der Bodydiode des BSS123 gibt.
und der 0,1 dB Bandbreite von 80 MHz. Also bisher bleibe ich bei meinem letzten Vorschlag, der BSS123 muss natürlich, wie Eddy Current schreibt, ersetzt oder über einen C in Reihe angebunden sein. Viele Grüße Bernhard
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LED Blitzer für 150mA
ganz günstig ist z.B. der BS108 bei Reichelt (300mA). Oder BSS123 (wenns SMD sein soll, 170mA)
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flash-Fehler mit ATtiny2313, compile ok
beiden Kopien umbenannt in funktion1(...) und funktion2(...) und in main() eingefügt: "x = funktion(123);" und "x = funktion1(123);" und "x = funktion2(123);". Es kam exakt die gleiche Fehlermeldung, nämlich "address 0x0410 out of range at line 65 of main.hex". Wie ist das möglich? Jetzt hätte doch
überlange hex-file nicht auf, wenn ich nicht die an funktion() übergebene Zahl (y = funktion(unsigned int 123), sondern eine erst innerhalb der Funktion zugewiesene Zahl (zahl = 123; in Zeile 1) in float umwandle? Warum tritt das überlange hex-file nicht auf, wenn ich nach der Umwandlung in float "zahl_dez
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ca. 100mA schalten, Transistor sehr klein
Mach es nicht kompliziert und nimm den FET BSS123 im SOT23 Gehäuse. Brauchst keinen Vorwiderstand und der leitet ab 2V. Bin jetzt nicht ganz sicher aber glaube er mag diesen strom treiben. gruss
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Schaltungsentwurf
Ich frage mich eher, warum Du das eine Mal mittels BSS123 über einen 100k ziehst, das andere Mal direkt mit einem Taster. Die Lösung für die Erkennung ist, beim Reed-Schalter und dem Taster jeweils zwei Dioden (oder jeweils eine (Schottky-)Doppeldiode
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Spannungswandler 3.3 <-> 5V Helft mir bitte!
In dem I2C Datenblatt von Phillips steht eine Schaltung relativ weit hinten drinn. Als FET den BSS123 und als Pull-Up 2,2k einsetzen. Habe es so aufgebaut, funktioniert hervorragend.
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LTSpice Mosfet-Modell einfügen
Das ist nicht zu verstehen :-)) Ich habe jetzt mal ein Testfile angehängt. Mit einem BSS123 (Das Beispiel ist hier aus dem Forum) geht es ohne Probleme.
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MOSFET Driver in LTspice
BS170 & BS250 ist auch schön. Leider kann ich diese in LTspice nicht finden, habe statt dessen den BSS123 und den BS84 gefunden, siehe Bild. 1. Wo kann ich den BS170 & den BS250 für LTspice finden? 2. Gibt es sowas mit einem N-Kanal & P-Kanal schon fertig in einem Gehäuse? 3. Ich sehe da mit LTspice
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Schaltplan einer Schaltung mit Transistoren
VBATT VSYS R1 100k Q1 BSS84 R2 100 RTC DS3231 /INT SQW Manual/Magnet schalter BSS123 Q2 Selbsthaltung R3 100k
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Abschaltung von Bereichen einer Platine mit P-Mosfet verhält sich unerwartet
3,3V sicher. Bei Vdd eher nicht. Hier brauchst du einen echten Open Drain, also einen kleinen FET (BSS123) dranhängen. MFG Falk
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Kondensatoren digital zuschalten...jemand ne idee?
Das geht auch mit einem MOSFET, z. B. dem BSS123. Wenn Du einen anderen nehmen möchtest, brauchst Du einen mit einem sehr niedrigen Leckstrom. Viel Erfolg! Jörg.
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Schaltplan einer Transistorschaltung mit MOSFETs und Schalter
.model SW1 SW(Ron=.1 Roff=1Meg Vt=2 Vh=0 ) R2 220K SW1 BSS84 M1 S1 V1 3.3 R1 220K M3 BSS123 C1 1uF R4 1K V2
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Globale Variable wird im ISR nicht hochgezählt??
foo(); test++; }' >> cfile2.c $ cc -O -fno-common -o foo cfile1.c cfile2.c /var/tmp//ccZrWvH3.o(.bss+0x0): multiple definition of `test' /var/tmp//cczRicUe.o(.bss+0x0): first defined here [/pre]
behandelt, d.h. es gibt kein einziges Byte > Unterschied im Compilat. -fno-zero-initialized-in-bss Damit kann man das frühere (bis GCC 2.95 meiner Erinnerung nach) Verhalten noch aktivieren. Einer Applikation sollte das natürlich eigentlich egal sein.
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Signal auf Masse legen - braucht man Transistoren?
Nimm einen BSS123, den kannst du direkt an den AVR klemmen. Oder einen BC337, den kannst du mit 4k7 Vorwiderstand an den AVR hängen. MFg Falk
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Verständnisproblem MOSFET
Hi, ich have einen BSS123 entsprechend (VCC) | (Last) | | (Drain ) (Port µC) -----(Gate )
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Kleiner SMD FET gesucht
kannst du doch meist direkt mit einem Portpin treiben. Ansonsten einfach einen SOT-23. z.B. 2N7002, BSS123 oder sonstiges. Gibts auch bei reichtelt
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Problem mit MOSFET...
Hi *, ich hab eine kleine Schwierigkeit mit N-Channel Enhancement-Transistoren (IRLML2502, BSS123). Meine Schaltung ist: +12.0 vcc ----+ | | Drain +---- FET Gate | Source +------- Last ----- GND Wenn ich das Potential zwischen FET und Last (
