-
Bild
Schaltplan einer Gleichrichterbeschaltung mit MOSFET
R1 47R/5W, T1 IPW60R041C6, R5 220k/1W, X1-2 +250V, X1-4 GND, R3 22k/1,5W, D4 12V, R2 33k/2W, D3 *, D2 100V, D1 150V, C1 47µF/350V, C2 100n/500V, C3 100n/500V, R4 220k/1W, X1-1 +300V, X1-3 GND
-
Bild
Schaltplan mit MOSFET und MCU
3,3 V MCU 2N7002/BSS138
-
Bild
Schaltplan mit MOSFETs und Widerständen
+30V_1 PWR_FLAG Q501 DOD4185 1 2 3 R501 47k D503 18V Q502 DOD4185 1 2 3 R502 47k Q521 AO3400A 1 2 3 R522 100 R521 10k GND
-
Bild
Schaltplan mit Transistor und MOSFET
+12V 10k 100n BC547B
-
Bild
Schaltplan mit Transistor und MOSFET
+17V,22k,100n,220k
-
Bild
Schaltplan mit Optokopplern und MOSFETs
R10 100K, R161 2.2K, C8, S1, R15 220K, Q4, K3850-E, D11, S1NB60-7101, Q1, Q2, IC3, TC/013BP, Vdd, CLK2, RES2, DT2, SET2, Vss, C11, S2, C10 4700P, DT1, RES1, SET1, CLK1, R14 220K, R13 1M, IC2, TLP421GR, MAB08-M, R11 100, 0.2, 0.01, IC1, TLP421GR, 1.0, 2.2
-
Bild
Schaltplan mit MOSFET und Spannungsteiler
VSYS R5 200K 63mW 1% M1005 3V3 1 3 2 GPIO29_ADC3 Q1 DMG1012T C3 1n M0603 25V X7R 10% R6 100K 63mW 1% M1005
-
Bild
Schaltplan einer MOSFET-Treiberstufe
+15V, D1, UF4004, C1, 47u, R3, 510, Q3, D2, UF4004, R4, 6R8, Q4, V+, Q2, 2k2, R5, Q1, HS-PWM, R1, 2k2, R2, 2k2, Q5, GND
-
Bild
Produkteigenschaften Tabelle eines MOSFETs
Similar Products Show Empty Attributes Category Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs Mfr onsemi Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4 nC @ 10 V Series PowerTrench® Vgs (Max) ±20V Packaging Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
Bild
Datenblatt-Spezifikationen eines MOSFETs
Category: Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs Mfr: Taiwan Semiconductor Corporation Packaging: Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel® Part Status: Active FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to
-
Bild
Schaltplan einer MOSFET-Treiberstufe
+13,8V,Z1 15V,R3 4,7kohm,T2,IRF4905,R2 1 kOhm,C,B,T1 BC547,E,D,R4 100 Ohm / 1W,D1 1N4007,PTT-Taste,zur Spule (Bias-T)
-
Bild
Schaltplan mit MOSFET und Transistor
+13,8V R1 4,7kOhm V1 T1 BC547 R2 4,7kOhm T2 IRF9610 G D S R3 (notwendig?) zur Spule (Bias-T) PTT-Taste SB1100 D1 D2 D3 D4 P6KE47A P6KE47A Finder 40.51.9.014.0000 (Spulenwiderstand 300 Ohm) PIN3
-
Bild
Schaltplan mit MOSFET und Kondensatoren
Q1 S D G C1 C2 BT1 J1 1 out GND
-
Bild
Textausschnitt zur MOSFET-Zuverlässigkeit
To improve the reliability of the MOSFET and hence the power supply, the designer could choose to increase the thermal derating of the part. By significantly cooling the part down and setting the working temperature of the MOSFET at 80°C
-
Bild
Schaltplan mit Operationsverstärker und MOSFET
VIN 10K RN1B CMP 3 U1A + 1 +3V3 2 + LMV358D GATE_CMD 5 U1B 7 + 6 GND LMV358D +5V USBVCC T1 FDN34DV +5V 1 IN OUT +3V3 U2 P2985-33DBUR 3 EN + C3 1u GND 2 GND
-
Bild
MOSFET und Dioden auf Holzuntergrund
IRFPC50 IVR 4F7G 9934
-
Bild
Schaltplan einer Induktivitätsschaltung mit MOSFETs
Epcos/TDK B65541-W-Y38 Schalenkern, Reichelt, 2x20Wdg 0.2mmm, 400 Wdg 0.01mmm Q1 AO3400A PA11 L1 L3 US1M GND C49 47u C48 47u C47 47u L2 AO3400A PA7 C50 47u C76 47u C51 100u JLCPCB C294020 TBD GND +5V 10
-
Bild
Schaltplan mit MOSFET und Widerstand
A1 VA1 DP1435 A2 VOUT VB1 GND VB2 VOUT GND FDN340P Q4 +5V sup 0 pas 0 sup 0 GND 100k R28 pas 1
-
Bild
Schaltplan mit MOSFETs und Kondensatoren
X2-1+ R2 47k PMOSFET IRF4905 Q2 R3 10k C10 2200uF C6 2200uF NMOSFET BS170 Q1 R1 6,6k GND R4 10k X2-2+ R5 10k AGND GND
-
Bild
Schaltplan mit Logikgattern und MOSFETs
SW1 W1 VSSwhite_LED D1 BZX85C6V2 VSS H2 33k turning light 2mA R6 1.8k 1N4488 D8 J5 Weiche ge1 R9 33k VPP gn1 C7 10n GND Q1 IRF3205 U3A 4001 1 U3B 4001 5 6 debouncing and pulse extension 1x D4 1N4488 R4 100n 40106 U2A 2 continuous SW1 C6 100n 100ms 40106 U2B R5 820k VSS D5 1N4488 latch lock D7 1N4488 latch lock U3C 4001 9 12 R8 470k VPP JP2 SB130 D9 R11 1.8k VSS wetting current C8 10n JP4 IRF3205 straight R10 33k GND U3D 4001 13 1 R9/R10 >= 5k
-
Bild
Schaltplan mit MOSFETs und Motorsteuerung
OC Licht (grün) DC/DC + 1 kΩ OC Motor (gelb) + 24 V IRF4905 + 24 V (braun) 0 V Motor + (rot) MBR010100 0 V (blau) DC/DC -
-
Bild
Leiterplatte mit Bauteilbeschriftungen und Markierungen
1500W, Infineon, BTS43E2, Smart Highside Power Switch, GESTION BATTERIE, NTD24N06L/24N6LG, Power MOSFET 24A/60V, N-channel, MOTEUR DE COUPE, NTD4302/T4302G, Power MOSFET 68A/30V, N-channel, NTD25P03LG, Power MOSFET 25A/30V, P-channel, MOTEURS DE ROUES, ST17NF03L, Power MOSFET 17A/30V, ON Semiconductor, NTD24N06L/24N6LG, Power MOSFET 24A/60V, N-channel, ON Semiconductor, NTD25P03LG, Power MOSFET 25A/30V, P-channel, Résistances de Gate 10 ohm, Résistances shunt 1 ohm 0805 en parallel, Moteur Gauche, Moteur Droit
-
Bild
Handschriftliche Berechnung der Verluste in einem Buck-Converter
Buck-Converter Calculate the losses Given: Mosfet1: rDson = 50mΩ Mosfet1 Body-Diode VDF = 1,1 V, RDF = 20mΩ T1 IT1(t) IT2(t) 3A 0,3T T IT1,rms = 1,643A IT1,avg = 0,9A 3A T IT2,rms = 2,5A IT2,avg = 2,1A My Solution: Mosfet1: PT1 = rDson * IT1,rms^2 = 50mΩ * (1,643A)^2 = 0,1349W Mosfet2: PT2 = rDson * IT2,rms^2 = 50mΩ * (2,5A)^2 = 0,315W Mosfet Body-Diode 1: Pbody,1 = VDF * Iavg + RDF * Irms^2 Which current should I use and why?
-
Bild
NMOS Inverter mit Depletion Load Erklärung
NMOS Inverter with Depletion Load VDD iDL + vDSL Load: VTNL, KL Gate and source are connected, vGSL = 0 Since the threshold voltage of load transistor is negative. vDSL(sat) = vGSL - VTNL = -VTNL vGSL = 0 vi + vDSD Driver: VTND, KD - VDD iDL vDSL(sat) = vGSL - VTNL = -VTNL vGSL = 0 Load vDSL
-
Bild
NMOS Inverter mit Enhancement Load Schaltplan und Kennlinie
NMOS Inverter with Enhancement Load When vI < VTND driver is cut off and the drain currents are zero. iDL = 0 = KL(vDSL - VTNL)^2 vDSL = VDD - vO vDSL - VTNL = VDD - vO - VTNL = 0 maximum output voltage vO,max = VOH = VDD - VTNL For the enhancement-load NMOS inverter, the maximum output voltage, which is the logic 1 level, does not reach the full VDD value. Load: VTNL, KL Driver: VTND, KD iD vDS (sat) = vGS - VTN Transition point vDD - VTNL vDD vDS
-
Bild
Schaltplan einer LED-Ansteuerung mit MOSFETs und GPIO
+5V, K1 = BC547B, K2 = IRLML2246, K3 - K5 = IRLML0030, R1 100k, K2, S, G, D, LED1 bis LED4, RV1 bis RV4, K3 bis K6, R2 bis R5 100k, GPIO
-
Bild
Zwei MagnaChip Leistungstransistoren auf Holzuntergrund
MagnaChip 80R280Q 48405GP
-
Bild
Schaltplan mit 18650 Akku und MOSFET
18650 + - A2SHB G S R=1k + - Der Gerät
-
Bild
Bauteil auf Lineal
Ruler shaped 0mm 418Y1 0 inch
-
Bild
Transistor-Kurven-Tracer mit Display und Kennlinien
Bat 5.5 Curve Tracer SETUP PNP NPN MOSFET JFET PNP Gain=123 n-JFET Voff=3.8 n-MOSFET Thresh=1.8 Curves for PNP Gain=150 Curves for MOSFET Curves for JFET Main Menu Bat 6.2 PNP NPN MOSFET JFET
-
Bild
Mehrere Beutel mit Transistoren auf Holztisch
10 Stück 2SK44AE MOSFET-Transistoren HF-Kanal Ein-Gate KW-VHF SUPER RARITÄT 4 Stück KP303E MOSFET-Transistoren HF-Kanal Dual-Gate KW-VHF Metal Gehäuse RARITÄT 3 Stück MFE203 HF-Kanal Dual-Gate MOSFET-Transistoren KW-VHF RARITÄT
-
Bild
Marktübersicht zu Lieferzeiten und Preisen von Halbleitern
Devices 18-34 Sensors 22-46 Broadcom RF Devices 18-26 onsemi Bi-polar Power 14-24 IGBT 16-34 Power MOSFETs 16-34 Rectifiers 15-27 Small Signal 14-27 TVS/Protection 14-26 Zener Diodes 14-25 Infineon Bi-polar Power 9-12 IGBT 15-46 Power MOSFETs 15-41 Rectifiers 19-36 RF Devices 13-28 Sensors 18-42 Small Signal 12-26 Thyristors 20-36 ST Bi-polar Power 16-20 IGBT 18-37 Power MOSFETs 18-30 Rectifiers 19-34 Small Signal 18-27 Thyristors 18-28 TVS/Protection 16-28 nexperia Bi-polar Power n/a Power MOSFETs n/a Rectifiers n/a Small Signal n/a TVS/Protection n/a Zener Diodes n/a
-
Bild
Handgezeichneter Schaltplan mit MOSFET und Diode
G 10K D N S
-
Bild
Schaltplan mit MOSFET und Bipolar-Transistor
Rg D2 M1 R2 Q2
-
Bild
Schaltplan einer LED-Ansteuerung mit MOSFET
VCC LED 3K3 10K
-
Bild
Schaltplan einer LED-Ansteuerung mit MOSFET
V2 3.3 V, R2 9 Ω, D1 TSAL6200, M1 PSMN022-30PL, R1 260 Ω, R3 100 kΩ, ATmega328_out_port 2.6 V
-
Bild
Elektronischer Schaltplan mit MOSFETs und Operationsverstärker
VCC, R2, 0 ohm, PWM, Q2, BSSB4, R4, 1k, Mod1, R1, 0 ohm, Q1, 2N70D2, D1, BAV99, GND, TP3, TestPoint, +BATT, D3, LED1, R6, 1k, U14, LM2904, Q4, RSD05DN06TL, 2, 1, R8, 1 ohm, TP6, TestPoint, R9, 1 ohm, R12, 1 ohm, TP7, TestPoint, GND
-
Bild
Schaltplan eines Schaltreglers mit Induktivitäten und MOSFETs
1mH 1mH 1mH 1k 40kHz
-
Bild
Schaltplan einer MOSFET-H-Brücke
+5V, R4, 4,7K, D, Q2, PMOS, S, D1, PWM, G, Q3, NMOS, S, G, R5, 4,7K, GND
-
Bild
Diagramm der typischen Ausgangskennlinien eines MOSFETs
Fig 1. Typical Output Characteristics 1000 100 10 1 0.1 ID, Drain-to-Source Current(A) TJ = 175°C TJ = 25°C VDS = 25V ≤ 60µs PULSE WIDTH 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
-
Bild
Leiterplatte mit Lötstellen und neue MOSFETs
Neue Mosfets vor dem Einbau
-
Bild
Schaltplan und Simulationsergebnisse einer MOSFET-Schaltung
PhotoMOS_00.asc PhotoMOS_00.raw PULSE(0 14u 500u 10u 10u 2m 4) R3 1 J1 SST201 R2 12 M1 SP8K31 V1 12 gate C1 500p R1 100k .tran 3m I(R3) 60uA 0uA -60uA -120uA -180uA -240uA -300uA -360uA -420uA -480uA -540uA -600uA V(gate) I(R2) 8.8V 1.1A 8.0V 1.0A 7.2V 0.9A 6.4V 0.8A 5.6V 0.7A 4.8V 0.6A 4.0V 0.5A 3.2V 0.4A 2.4V 0.3A 1.6V 0.2A 0.8V 0.1A 0.0V -0.1A 0.0ms 0.3ms 0.6ms 0.9ms 1.2ms 1.5ms 1.8ms 2.1ms 2.4ms 2.7ms 3.0ms
-
Bild
Schaltplan einer optokopplergesteuerten MOSFET-Schaltung
230VAC/FH1 J3-SCHRAUBANSCHLUSS Lampe L N ACHTUNG: Geschalteter N Phase liegt immer an U8 4N35M +12VDC_ISO 1 2 3 NC 6 5 4 4N35 sollte mit LS0 Vorwiderstand auch an 5V betrieben werden können Q4 IRF840PBF Q3 IRF840PBF R12 10k GND 0VAC 0VDC_ISO
-
Bild
Schaltplan einer CMOS-Schaltung mit MOSFETs
hvp, C7, c=[Cmos], r=100k, Q1, NMOS, D5, C5, r=100k, D4, Q3, NMOS, C6, r=100k, POS_DRAIN, Q5, NMOS, D2, D, GND, D1, Q2, PMOS, NEG_DRAIN, D3, C2, r=100k, Q4, PMOS, C3, r=100k, D6, C4, c=[Cmos], r=100k, Q6, PMOS, hvn
-
Bild
Schaltplan einer Leistungsschaltung mit MOSFET und Snubber
12V Schaltregler, VCC +24 VDC, D50 D2M10-M3/H_NE, J3 7796, R1 30HM, D21 SR12100-D10, 500mm, 1,5mm2, J1, 7796, R60W61005000K, C5, GND, J2 7796, D17 SMCJ60A, RC snubber, Q2 FDP150N10A-F102, R8 200V, TS4148_NE, D11, IC3 UCC27517DBVR, R4 16Ω, OUT, IN+, GND, VDD, IN-, CMD_1, C7 1uF, C9 100nF, C4 100uF
-
Bild
Schaltplan einer Schaltung mit Operationsverstärker und MOSFET
IN+ IN- OUT+ OUT- IC1A IC1B TS912 R1 10k R2 1k R3 1k R4 R5 400R C1 100p C2 D1 3V Z-Diode LED1 R6 1M IRFU8721 T1
-
Bild
Schaltplan einer H-Brücke mit MOSFETs
vp vn V2 100 V3 -100 V1 0 Q2 vn vp Q1 Q3 Q5 Q6 R1 100k R2 10k Q4 Q7 Q8 I1 I2 vn
-
Bild
Bauteile auf einer Leiterplatte mit Elektrolytkondensator und MOSFET
11N60S5 11N60S5 220 220 220 20130419P203183
-
Bild
Leistungs-MOSFET auf Kühlkörper mit Verkabelung
IRFP360 IZR 928P -08
-
Bild
Handgezeichneter Schaltplan und MOSFET-Bauteil
+40V DC (PV) R rein ohmsch 50 Ω +15V G 1 kΩ 1 MΩ E DG30X07T2 dosemi TEPDGAF02
