anstatt 10uF nun 47uF haben (gleiche Baugröße, gleicher Preis, also umso besser). Der FET wird ein IRF5305 werden (Rds_on = 60mR, anstatt 117mR). Der IRF4905 mit 20mR wäre zu teuer. Und die BAW76 sollte durch eine 1N5818 getauscht werden. Da bin ich aber noch nicht sicher, ob das Punkte bringt. Allerdings
ist, welcher bei einer Gatespannung von (-)4Volt schon längst leitet. Ich habe einen IRFR5305 (IRF5305 in SMD) verwendet. Das muss man bei der Simulation berücksichtigen und das entsprechende Model des Herstellers verwenden... Wenn Du lieber mit anderen Fets spielen willst, musst Du die Z-Spannung
Anode auf großer Massefläche). Spule is ne 150uH/7A(23mmDurchmesser) und der FET ist im mom. ein IRF5305(TO-220). Alle Teile freistehen. Kommen in ein Gehäuse mit Lüftungsschlitzen, keine aktive Kühlung. Das ganze versorgt 1-4 Ladeschächte für Rundzellen. mfg Chris
Strom im suspend nicht über > $VERGESSEN mA liegt. Ich habe leider nur nen ziemlich dicken IRF 5305 da. Den koennt ich drauf machen. Ansonsten vielleicht eine passendere Alternative, muesst ich mir dann halt auch besorgen. OK das heisst den FT232 ueber VBUS direkt mit 5V speisen und VCCIO auf
max -14V, ca -10A (cont.), ca. 0,02Ω On-Widerstand Gehäuse SO-8, brauchbar in 3,3V Systemen R PDF IRF5305 0,56 max -55V, -31A (cont.), ca. 0,065Ω On-Widerstand Gehäuse D-Pak (SMD, TO-252AA), Uth=-2 bis -4V R PDF BS250 0,26 max -45V, bis -230mA (cont.), 14 (und mehr) Ohm On-Widerstand veraltete Technik
2SK2399 B Harris IRF530 100 0.16 14 88 TO-220AB 2SK2314 A IR IRF530 100 0.16 16 TO-220AB 2SK2314 A ST IRF5305 -55 0.06 -31 110 TO-220AB 2SJ349 B IR IRF5305L -55 0.06 -31 110 TO-262 2SJ401 A IR IRF5305S -55 0.06 -31 110 D2PAK 2SJ401 A IR IRF530A 100 0.11 14 55 TO-220AB 2SK2314 A Samsung IRF530FI 100 0.16 10
2SK2399 B Harris IRF530 100 0.16 14 88 TO-220AB 2SK2314 A IR IRF530 100 0.16 16 TO-220AB 2SK2314 A ST IRF5305 -55 0.06 -31 110 TO-220AB 2SJ349 B IR IRF5305L -55 0.06 -31 110 TO-262 2SJ401 A IR IRF5305S -55 0.06 -31 110 D2PAK 2SJ401 A IR IRF530A 100 0.11 14 55 TO-220AB 2SK2314 A Samsung IRF530FI 100 0.16 10
ckungsdiode 11.98V + 3A Schmelz- 9.1V 8.5V 1667mA 1000mA 15.17W 11.98W 78.9% sicherung 3: P-FET 11.98V (IRF5305) 9.0V 8.9V 1572mA 1000mA 14.15W 11.98W 84.7% * 9 V oder die minimale Eingangsspannung für einen stabilen geregeltenAusgang, je nachdem, welche die höhere ist. Tabelle 4.1: Messwerte unter Verwendung
ckungsdiode 11.98V + 3A Schmelz- 9.1V 8.5V 1667mA 1000mA 15.17W 11.98W 78.9% sicherung 3: P-FET 11.98V (IRF5305) 9.0V 8.9V 1572mA 1000mA 14.15W 11.98W 84.7% * 9 V oder die minimale Eingangsspannung für einen stabilen geregeltenAusgang, je nachdem, welche die höhere ist. Tabelle 4.1: Messwerte unter Verwendung