Netto 75 kg ohne verpackung, transportabel in den 5. Stock ins Bastelzimmer?
Esmu P. schrieb im Beitrag #7727217: > Netto 75 kg ohne verpackung, transportabel in den 5. Stock ins > Bastelzimmer? Schaffst Du es, Dich selbst da hochzuwuchten? Warum sollten 75 kg ein Problem sein? 'Ne Waschmaschine liegt in ähnlicher Größenordnung
Beitrag #7763309: > In der Anlage findet Ihr eine Vorlage für eine 8fach-LED-Anzeigeplatine > mit dem DS8286D Der G. schrieb im Beitrag #7763309: > mit dem DS8286D als Treiber-IC Puh, da verheizt ja der Treiber-IC schon 20-mal mehr Strom (160mA), als heutige high efficiency LEDs (je 1mA). Da hätte
man das Flachkabel verkehrt rum steckt (VCC, GND vertauscht), entweicht der magische Rauch aus dem DS8286. Da ist eine bekannte Pinbelegung, wie z.B. beim STK500, deutlich besser. Oder man bestückt verpolsichere Steckerwannen.
und Ausgänge 73 74 15.4 Prüfgerät für die TASTATUR-EINHEIT 15.5 Prüfadapter und VerlAngerungskabel 75 76 16. Austauschanleitung 16.1 Allgemeines 76 80 16.2 Austausch der kompletten LOGIKEINHEIT 16.3 Austausch der RECHNER-Platine 82 84 16.4 Austausch der REGELKREIS-Platine 16.5 Austausch der Baugruppe
Jahren in Salzluft. Ja, ich habe als Student für DM 5000 2 Elcomatic 8"-Drives gekauft, die ersten DS/DD die tatsächlich auf Dauer funktioniert haben. Hat weh getan, aber mein Z80 war damit fit für den Nebenjob. Dann kam irgendwann ein AT (Bulletboard-286, von 8 auf 10 MHz gedopt, 70 MB Fujitsu)
kleinteilig. Aber danach weiß ich das das Gerät bei -40°C noch startet und funktioniert, das bis 75°C auch noch tut, und das bei hoher Luftfeuchte und Temperaturwechseln die Pfützen auf der PCB stehen lassen. Vibration und Shock, ESD, EMI natürlich auf einem Level bei dem von einem Media Markt Gerät
Ambient 0.01 0.0001 0.00001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 PW - Pulse Width - s Data Sheet G13889EJ1V0DS00 3 PA1721 DRAIN CURRENT vs. FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS DRAIN TO SOURCE VOLTAGE 100 Pulsed Pulsed 50 A A V GS= 10V 4.5V 4.0V t t 40 e 10 TA= 150˚C e r 75˚C r C 25˚C C 30 n −25˚C n r a D D 20 -
22V geht auch) Zenerdiode reicht als Ersatz https://www.s-manuals.com/pdf/datasheet/m/m/mm1z2v0-mm1z75_r0.1_semtech.pdf
1G DIO verwenden. (siehe Datenblatt) https://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/A400/SL1_ENG_GER_DS.pdf Das sollte ja eigentlich so passen, richtig? Nochmals vielen Dank für die Hilfe!
2/3 " 2,20V 3 3/4 " 2,47V 4 4/5 " 2,64V 5 5/6 2,75V 6 6/7 2,82V 7 7/8 2,88V 8 8/9 2,93V 9 9/10 2,97V 10 10/11 3,00V : : [/pre] Weil jetzt der ADC des ESP wegen Nichtlinearitäten
Aber so ein Temperatursensor am LED-Streifen ist evtl. auch ganz sinnvoll... ;) Aber gerade der DS18B20 wird gerne gefälscht und tut dann u.U. nicht richtig, aber vielleicht reichts als ID.
PE GND 3 2 5 L N PE Schuckostecker mit Schalter S 1 D T21_Pum15V / 16k=0,94V 4s 14.4V LiFePo4 2.0-3.75V 50A, protection 200A, Short 500A, 30uA, balanced 3.65V 55mA, 54x80mm Gartenpumpe 12x RU30120L 10A@9,6mV FET C405BA R5432V405BA 14,71€ 1 FB1 0/4,69V-OnOffPT2272-L41 G R10315k 0 GND IRLB3034pbf 14alt
Drain-Source Breakdown Voltage ID=250 A, V GSV 30 V V =30V, V =0V 1 IDSS Zero Gate Voltage Drain Current DS GS A T J55°C 5 IGSS Gate-Body leakage current V DSV, V =GS12V 100 nA VGS(th) Gate Threshold Voltage V DS GS D =250 A 0.65 1.05 1.45 V I On state drain current V =4.5V, V =5V 30 A D(ON) GS DS V GS=10V
eigentlich so noch zugelassen werden, mit der Leistung und der Regel-Methode? Bei SNT fängt das ja schon ab 75 W mit Pflicht zur PFC an.
der Hauptplatine. Ham R. schrieb im Beitrag #7711349: > Die Eisenkerne der Trafos sind 120x100x75mm groß. Also EI120 (IEC YEI 1 - 40), Waasener Art.Nr. 11.160 Stapelhöhe 75, also bei 0,35mm Blechdicke 214 Bleche, bei 0,5mm 150 Bleche. Diese gäbe es auch mit 2,1 , 3,0 und 4,0 mm Luftspalt:[code
motor mounting surface. HOLE WEIGHT: 156g (APPROX) RS-545RH-4522 12.0V RS-545SH-5018 12.0V h I N h I N 75 75 30,000 75 75 30,000 h h N 50 50 20,000 50 50 20,000 N 5. T Is4 25 25 10,000 s 11 25 25 10,000 9. T Is2 I s214 I ] 50 [mN·m] 100 ] 100 [mN·m] 200 Y [ i Y [ i N T [ 500 [g·cm] 1,000 N N [ 1,000 [g·cm
Datenblattwerte. Parameter Symbol Beispiel Erklärung Drain Source Voltage (Breakdown) V(BR)_DSS V_DS 75 V Maximale Spannungsfestigkeit des Bauteiles zwischen Drain und Source Continuous Drain Current I_D(on) 55 A @ 125 °C Maximaler Dauerstrom bei 125°C Gehäusetemperatur Pulsed Drain Current ID_pulse
Werte eher bei der Hälfte. (Anm. Eigentlich müsste für die R_DS_ON Grenzlinie R = U / I der minimale R_DS_ON rauskommen, hier ~40mOhm, es kommen aber ~80mOhm raus. Die Ursache dafür ist unklar, möglicherweise liegt hier ein Sicherheitsfaktor zu grunde). Linearbetrieb
er wohl. Aber waren die Messwerte auch wie erwartet? Oder konnte man das nicht feststellen? Beim DS18B20 gibt es ja China Versionen von UMW und anderen die gerne in vergossenen Fühlern verbaut werden und leider ebenso DS18B20 heissen - aber viel schlechtere Eigenschaften haben als die Originalen...
Aber waren die Messwerte auch wie erwartet? > Oder konnte man das nicht feststellen? > > Beim DS18B20 gibt es ja China Versionen von UMW und anderen die gerne in > vergossenen Fühlern verbaut werden und leider ebenso DS18B20 heissen - > aber viel schlechtere Eigenschaften haben als die Originalen
R L: RL=(VINN*V LEDVDS / LED The V INis the input voltage, V LEDis the pressure drop LED lights, V DS is port voltage, reaches 1 v to constant output current, I is port LED output current. Document No.: SPC / SK6812RGBP8 Rev. No.: 04 9 / 18 www.normandled.com Shenzhen Normand Electronic Co.,Ltd 17. Standard
drain current (V= 0) GS VDS = Max ratingC T = 125 °C 50 µA I Gate-body leakage V = ± 20 V GSS current (DS= 0) GS ±10 µA V Gate threshold voltage V = V , I = 100 µA 3 3.75 4.5 V GS(th) DS GS D RDS(on) Static drain-source on VGS = 10 V,DI = 3 A 1 1.2 Ω resistance Table 6. Dynamic Symbol Parameter Test conditions
drain current (V= 0) GS VDS = Max ratingC T = 125 °C 50 µA I Gate-body leakage V = ± 20 V GSS current (DS= 0) GS ±10 µA V Gate threshold voltage V = V , I = 100 µA 3 3.75 4.5 V GS(th) DS GS D RDS(on) Static drain-source on VGS = 10 V,DI = 3 A 1 1.2 Ω resistance Table 6. Dynamic Symbol Parameter Test conditions
(V DS sensing), R DS-ON will show more variation than a current-sense resistor, largely due to temperature variation. R will increase proportional to temperature according to a specific DS-ON temperature coefficient. Refer to the FET manufacturer's datasheet to determine the range of R DS-ON values over operating temperature or see the Component Selection section (Equation 27) for a calculation of maximum R DS- ON. This will prevent R DS-ON variations from prematurely tripping the current
Knopfdruck viele Stör- bzw. Idle-Signale gibt. Ein Muster wiederholt sich dabei: [0.2ms an; 0.36ms aus; 1.75ms an] mit einem Delay von 11.5ms zwischen den Wiederholungen. Die Fernbedienung hat einen SC2260 IC (sc-tech..cn/en/SC2260.pdf). Bei einem Knopfdruck wird ein 24-Bit-Signal gesendet, das so lange andauert
Nebelmaschine geöffnet und einen Nuvoton-Mikrocontroller gefunden (nuvoton.com/export/resource-files/DS_N76E003_EN_Rev1.09.pdf). Das Signal ist mit dem Pin 11 oder 1 verbunden. Ich werde versuchen, den ROM zu dumpen. Es sieht auch so aus, als wäre neben dem Mikrocontroller ein Pin-Header vorhanden, um
ist 50V unten 0V. Auf der "Rückseite" sind Wago-Klemmen und Kupfer zur Verstärkung der Strompfade. (75µm-Kupfer) In der Mitte erkennt man oberhalb des Loches den 1µF Kondensator C2 (LT-Spice). Die 25µF Kondensatorbank C1 wird oben über eine 100µ Kupferfolie an 0V angeschlossen. Sie überspannt die Platine
Kleines Update: Alle Angaben zu max. Rippleströmen findet man in https://ds.murata.co.jp/simsurfing/mlcc.html unter "Temperatur Rise" Diese Dinger vertragen zwar 5A rms Ripple aber kein hartes Aufladen an 50V. Von meinen 10 Stück endeten zwei im Kurzschluss. @Falk: Ja
harsh environment of automotive applications." https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-TLF80511EJ-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159fa03db8d3f2d
ohne oder mit sehr kleinem Elko (<47 µF) betreiben willst. Dann sieht der Regler den ISO-Puls 2 mit 75 V, und der wird von der TVS geklemmt. Mit ausreichend großem Elko drückt dieser den Puls platt, er kommt nicht bis zum Regler. > => Gibt es da auch was speziell für automotive Anwendungen? Automotive-Elkos
booster stage, but it was found that the large reduction in R gave rise to large peak currents which DS(on) can cause a higher noise and ringing in the circuit. IR2110 Output (5V/div.) Buffer Output (5V/div.) IGBT collector current (20A/div.) Figure 12A: Turn-On of IGBT Module Switching 60 A Inductive
indirekt die > Temperatur steuert. > > Braucht also nur (z.B.) eine Nano, 3 SSR und 1-bis mehrere DS18b20 > (DHT11/22). Den DS18b20 kann man dafür nicht gebrauchen. Den habe ich bei einem anderen Projekt mit einem Temperaturfühlernetzwerk eingesetzt um die Temperaturverteilung im Raum über die
Nein, die Temperaturerfassung im Raum war wie geschrieben ein anderes Projekt. Da machten diese DS18b20 1 Wire Sensoren Sinn.
://www.microchip.com/packaging 2012-2023 Microchip Technology Inc. anditssubsidiaries DS20002300E-page 51 MCP7951X/MCP7952X Note: For the most current package drawings, please see the Microchip Packaging Specification located at http://www.microchip.com/packaging DS20002300E-page 52 2012
Jetzt kannst du deine ADC-Werte umrechnen. Also praktisch hast du bei deinem 100A-Shunt bei 100A 75mV. Bei einem Ampere dann halt 0,75mV. Wenn du jetzt z.B. 34 Steps für die 0,75mV hast (ich gehe davon aus, dass du diese 0,75mV auch gemessen hast). Dann weißt du, dass 1A=0,75mV=34Steps sind. Also
> am Shunt abfällt. Hallo Frank! Dann zeig mir bitte solche Shunts! Die üblichen Shunts haben 75mV.
SI2305 nur +-8 Volt V_gs schafft, hab ich mir den DMP3099L geordert, der schafft +-20 V_gs. Sprich mit 75k:300k Spannungsteiler liegen erst ab 100V PV-Spannung 20V am Gate an. Also nur 16,7V zwischen gate und source. Alternativ eine Zener-Diode von Gate auf GND, dann sollte auch der SI2305 okay sein ?
https://www.ti.com/lit/ds/symlink/tlv809e.pdf TLV803E, TLV809E, TLV810E - ja SOT23-3 und keine externen Komponenten. Output topology: – TLV809E: push-pull, active-low – TLV803E: open-drain, active-low – TLV810E: push-pull
Current BAT0 17 uA T ON Time TON Time TON 5 us Efficiency Efficiency η L1 =180uH，C =12uF 84 % QX5252_DS03EN QX Micro Devices Co., Ltd. 4 of 9 www.qxmd.com.cn QX5252 Solar LED Driver Typical Electrical Curves o VBAT=1.2V, A =25 C, unless otherwise specified QX Micro Devices Co., Ltd. QX5252_DS03EN 5 of
1 address (DA) matching the MAC address and with Multicast address without any passed conditions. DS00002381C-page 18 2017-2021 Microchip Technology Inc. KSZ8851SNL/SNLI TABLE 3-3: ADDRESS FILTERING (CONTINUED) Receive Control Register (0x74 – 0x75): RXCR1 AddressFiltering RX RX Item Mode RX All RX
möglich ist, dieses Batteriesystem für mindestens 10 Jahre bei Prüfdauer max. 15,3 J., max. 10 J., 8,75 J. 90.000 Std. 10 J. +85 °C zu betreiben, ohne dass dabei ein Ausfall aufgetreten mittl. 7,8 J. mittl. 5,5 J. wäre. Diese Zuverlässigkeit spiegelt sich auch in realen Daten Ausfälle 8 0 1 4 0 + 0 + 5
Co or Line Syle Thick Da a Axis Co m m ent 1 1 Yelow Sold 1 DSP AnlrLevelA Left 1 1 Yelow So id 1 DS P Anr.LevelA Le t 1 2 Green Sold 1 DSP AnlrLevelB Right 1 2 Green So id 1 DS P Anr.LevelB Righ t 1 3 Cyan Sold 1 DSP AnlrLevelB Left 1 3 Cyan So id 1 DS P Anr.LevelB Le t Vs a-A-D Feq uencyR esponse.at2c
Breakdown voltage VBR TJ= 25°C 700 V Internal MOSFET (DRAIN) VCC = 10.5V, ID= 0.1A, On-state resistance R DS_ON TJ= 25°C 1.4 1.6 Ω Supply Voltage Management (VCC) VCC level (increasing) where the VCC OFF 11 12 13 V internal regulator stops VCC level (decreasing) where the IC shuts down and the VCC UVLO 6 7
Ding im falschen Winkel fotografiert > PACKAGE OUTLINE > SOIC - 1.75 mm max height > SEE DETAIL A https://www.ti.com/lit/ds/symlink/pca9515a.pdf
im Beitrag #7666933: > Ding im falschen Winkel fotografiert > >> PACKAGE OUTLINE >> SOIC - 1.75 mm max height >> SEE DETAIL A > https://www.ti.com/lit/ds/symlink/pca9515a.pdf Völlig falsche Quelle. Der TO sagte, dass der Produzent PHILIPS wäre. Da hilft ein DB von TI kein bissel weiter, sondern
genommen habe. Aber die von dir vorgeschlagenen haben > unpassende UDS Werte. Sorry für die U_DS. Dann ist vielleicht der CSD18536KCS mit einem gegenüber dem IRF1405PBF um einen Faktor drei kleineren R_DS(on) im TO-220 eine Alternative. Die parametrische Suche bei diversen Distributoren (z.B. Digikey
ein 1800W sein soll, würde er hinkommen mit > 28.57A. Mit einem angenommenen Wirkungsgrad von 0.75 sogar wäre die > Eingangsleistung des DCDC 2.4kW. Ich bräuchte ein Netzteil mit etwas > höherer Leistung, sagen wir 2.5kW. Bei 24V wären das dann sogar 104.17A, Ein Tipp aus der Praxis: wenn du
Der Geschwindigkeitsmesser ist typgenehmigungspflichtig. Nachzulesen in der RL 75/443 des Europäischen Rates.
Ein ATtiny3216? Selbst bei 20MHz Clock und 5.5V Versorgung liegt der Controller noch unter 12mA (DS Figure 37-1: Active Supply Current vs. Frequency, Figure 37-3: Active Supply Current vs. Temperature).
nichts mehr messen. Original war mit 100V bei 80V max Ausgang angegeben. Provisorischer Ersatz mit 75V Limit auf 36V eingestellt.
Strom bei 13A. Der MOSFET kann 80A bei 100°C. Die Ausgangsspannung war kleiner 36V. Der MOSFET kann 75V. Da ich scheinbar weder den Strom noch die Spannung überschritten habe, habe ich ihn wohl doch gegrillt. Schlechter Rth eventuell. Danke für eure Mühe.
demoboard.com include: Open = 3.3 V bus Closed = 5.0 V bus 2 2 DesignCon 2003 TecForum I C Bus Overview 75 I2C-Trace: I C Bus Tracer Kit - I C Monitor captures 2 and displays I C bus messages on any PC Slide 75 WIN-SMBUS: SMBUS Protocol S/W-H/W Kit - Supports SMBus ICs and the SMBus v1.0 protocol 26 2 AN10216
