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Schaltplan eines MOSFET-Treiber- oder Strommessschaltkreises
DRV R8 47R T1 07N60C3 3 2 !WERT D12 R6 10R CS R5 1k R7 2k2 C35 !WERT R1 0R27 1 2 2 1 1 2 2 P_GND P_GND GND
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Schaltplan einer Stromregelung mit MOSFET und Operationsverstärker
M2 IRLML6402 R6 100 R5 10000 V1 5 U1 V2 12 Vset Rsense 50 PULSE(0 3 0 0 0 0.1 0.3) .tran 0 0.5 0 0.0001
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Schaltplan einer Batterieversorgung mit MOSFET-Schalter
non-shorting 2 1 X VBAT 2 PIN CONNECTOR COPY C9 10uf C6 100nf CON1 2 + 1 - checked GND U4 A03400 N CHANNEL MOSFET
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Schaltplan mit Spannungsregler und MOSFET-Treiber
24 V, L7809, C1 100u, C2 4700u, D1 1N4007, D2 1N4007, C3 100u, C4 100u, C5 100u, C6 100u, R1 3.3K, R2 4.7K, R3 4.7V, Q1 IRFB4110, Q2 IRFB4110, Q3 IRFB4110, Q4 IRFB4110, U1 IR2111, ARDUINO_R3_SHIELD, LCD 1602, RS, E, RW, D4, D5, D6, D7, GND, 5V, 3.3V, A0 bis A5, D0 bis D13, SCL, SDA
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Handgezeichneter Schaltplan mit MOSFET und Schalter
V_DD + 12V R1 HIGH LOW S G D V_POW 1M
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Schaltplan mit TL431 und MOSFET
V_BATT V_OUT R3 4.7 kΩ 180 kΩ TL431 60 kΩ
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Schaltplan mit TL431 und MOSFET
R1 R2 R3 D1 TL431 Q1 LOAD
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MOSFET PWM Modul mit Beschriftung
Eingangsleistung DC5-36V DC+ DC- Doppelt MOS Leistung MOS Transistorleitung LED GND Trigger-/Pulsweitenmodulation Erdung Signalspannung: 3.3 bis 20V TRIG R1 R2 R3/PWM AUS+ AUS- D4184 6A802W D4184 6A802W Q1 Q2 J1
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Produktseite eines IRF5305 MOSFETs
Home » Halbleiter » Transistoren » FET » P - Kanal » IRF5305 IRF5305 Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Zum Vergrößern anklicken D G S
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Handgezeichneter Schaltplan mit Optokoppler und MOSFET
OUT + - 1M R3 FS305 S 10K R2 IN 2,2W R1 K PC817 GND IN
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Leiterplatte mit IRF3700 MOSFET
IRF3700
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Schaltplan mit zwei MOSFETs und Induktivitäten
+5V,GND,2,1,GND,I/O,VCC,A,B,121,Pin2,D,G,Pin1,Pin3,S
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Schaltplan mit Relais, MOSFET und LEDs
13V R1 10k D2 Red Green D1 1N4001 K1 Relay 12V A2 A1 12 11 14 10 k 13V R5 10k R4 10k D4 Green D3 Red Grün Rot SWA 2 Q1 NMOS G D S 330 R2 uC GPIO 5v R3 10k GND GND GND
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Schaltplan mit Relais, MOSFETs und LEDs
13V R1 10k D2 Green D1 1N4001 K1 Relay 12V A2 A1 12 11 14 13V R4 10k D3 Red Q4 Si2302 D G S GND R10 10k D4 Green 5WA Q1 Si2302 D G S GND R2 330 µC GPIO 5v R3 10k GND
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Schaltplan mit Relais, MOSFETs und LEDs
13V R3 10k D2 Green D4 1N4001 K1 Relay 12V A2 A1 12 11 14 13V R2 10k D3 Green R10 10k R5 10k G Q1 Si2302 S GND GND D SW1A Q2 Si2302 S G R6 330 µC GPIO 5v R7 10k GND 13V R1 10k D1 Red G S
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Werbeplakat für Infineon MOSFETs
Infineon's R9 superjunction rad hard MOSFETs: A superior technology delivering higher power density and higher reliability in space SMD-0.1 SupIR-SMD SMD-0.5e
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Handgezeichneter Schaltplan mit MOSFETs und Widerständen
VBAT_HUX VBAT_HUX_SW
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Schaltplan einer PWM-Steuerung mit MOSFETs
PWM 8 X2-1 D9 1N4148 D7 1N4148 D1 1N4148 D11 1N4148 D12 1N4148 R23 2K4 Q1 IRF540 R21 2K R22 4,7 GND R20 2K4 Q2 IRF540 R18 2K R19 4,7 GND R17 2K4 Q3 IRF540 R15 2K R16 4,7 GND R14 2K4 Q4 IRF540 R13 2K R14 4,7 X1-1 PWM 8 PWM 7 X1-2 X1-3 PWM 6 PWM 5 X1-4 X1-5 PWM 4 PWM 3 X1-6 X1-7 PWM 2 PWM 1 X1-8 Eingänge X2-2 X2-3 X2-4 X2-5 X2-6 X2-7 X2-8 X2-9 X2-10 Eingang Schalter 2 Eingang Schalter 1 V+ BC517 X3-1 X3-2 X3-3 X3-4 +12V Eingang PWM R35 2K2 GND R27 2K Q5 IRF540 R12 2K R10 4,7 GND R28 2K Q6 IRF540 R6 2K R7 4,7 GND R29 2K4 Q7 IRF540 R4 2K R5 4,7 GND R30 2K4 Q8 IRF540 R1 2K R2 4,7 X1-9 Ausgang Schalter
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Schaltplan mit Mikrocontroller, Transistoren und MOSFET
15V R47 10k R48 1 10k Q5 SUD19P06-60 3 2 LED 5V D1 Diode 1N60 ATMEGA3209 R46 1k Q6 C1815 R49 10k GND
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Schaltplan eines Schaltnetzteils mit MOSFET-Treiber
300k 100k 2.2µF +24V 4.7
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Schaltplan mit 555 Timer und MOSFET
Last 12V IRF5305 10k 3,3k 555 8 Ucc 7 OD 6 IS 5 OK 4 IR 1 M 2 IT 3 O Reset Aus 1mF 6,8k 10n 2N2222 EIN 2,7k 0
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Handgezeichneter Schaltplan mit MOSFETs und Transistor
zur Last P-MOS D S +12V 10k g 10k NESSS 6k8 2k7 Ein GND 4k7 20 12 N-MOS D S -12V zur Last
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Handgezeichneter Schaltplan mit MOSFET und Operationsverstärker
U1 IRLZ44N LM358 Referenzwiderstand Messwiderstand RPA
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Schaltplan eines MOSFET-gesteuerten Spannungsteilers
300 100 4.7mF 100k
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Schaltplan einer Strommessschaltung mit MOSFET und Shunt
VCC VCC R1 1k LOAD- LOAD + Q1 ZXMN2A01F R2 1k Q2 BC846 1 2 R3 100k C1 100n R_Shunt1 1 GND GND GND -
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Tabellen von Silizium-Transistoren und MOSFETs
Schalttransistor 19 SS 219 200 100 15 Schalttransistor 19 g) Silizium-Metall-Oxid-Feldeffekttransistoren (MOSFET) Typ Maximale Verlustleistung P in mW Maximaler Drainstrom Id in mA Maximale Drain-Source-Spannung Uds in V Maximale Gate-Source-Spannung Ugs in V Steilheit S in mA/V Bauform SM 103 150 15 20 -15..
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Datenblatt-Ausschnitt eines Infineon MOSFETs
012N08N5 HSOF Tab Infineon 1 2 3 4 5 6 7 8 Drain Tab Gate Pin 1 Source Pin 2-8
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Schaltplan mit MOSFETs und Bipolar-Transistor
VCC Q1 IRF9540N VSS 2 3 R3 10k Q2 2 1 RS BC817 Q3 IRF9540N 3 1 1 J3 2 WATER GND 1 3 Q4 BSS138 1 2 R6 10k GND GND
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Tabellenausschnitt eines Datenblatts für MOSFETs
Part No. Polarity V_DSS [V] I_D [A] P_D [W] R_DS(ON) [mΩ] V_GS=10V V_GS=6.0V V_GS=4.5V Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max. Package [mm] New RS7E200BG 30 390 180 0.53 0.67 - - 0.75 1.06 New RS7N200BH Nch 80 230 2.1 2.9 1.7 2.0 - - New RS7N160BH 80 160 160 2.2 2.6 2.7 3.8 - - DFN5060-8S (5.0 x 6.0 x 1.0)
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Schaltplan mit MOSFETs und Bipolar-Transistor
VCC Q1 IRF9540N VSS 2 3 1 R3 10k Q3 IRF9540N 3 2 1 J3 1 2 WATER GND 10k R6 10k 1 3 Q4 BSS138 GND GND 10K RS
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Handgezeichneter Schaltplan mit MOSFET und Transistoren
Q1 P-MOS +Vcc Ausg. R1 10k J3 Q2 NPN 10k R2 Q3 R3 10k +3V3 NPN
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Schaltplan mit MOSFET und Bipolar-Transistor
VIN VOUT Q1 R1 SENSOR R2 D1 Q2 R3 RESET GND GND
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Elektronischer Schaltplan mit Operationsverstärkern und MOSFETs
4020, 4001, IC1, IC2, IC3, IC4, IC5, IC6, IC8, IC10, IC11, IC12, IC13, IC28, IC30, LM324, LM34, BC548B, BC547, BUZ21ST, FET1, FET2, FET3, FET4, FET5, FET6, 1000uF, 100nF, 10uF, 1uF, 47k, 10k, 1k, 220k, 4.7k, 22k, 100R, 10k, 470R, 2.2k, 4093, 4011, 4049, LF347, 4020, 4001
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Handgezeichneter Schaltplan mit Transistoren und MOSFET
+5V 10k 10k S Q3 G P-Mos NPN D 0-5V 10k PNP 470R 0-5V A 470R 10k E
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Schaltplan mit N-Kanal MOSFET
+12V,Q1,LogicLevel N-Ch,Pulse3V3,G,D,S,SchneckDetect,R1,150R,GND
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SPICE-Schaltplan mit MOSFET-Modelldefinition
%D Npn Pg 1 of 1 2 3 .options implementation = ngspice .model FOO NMOS W = 100m L = 0.5u LEVEL = 1 VTO = 3 KP = 708.5m AD = 100p AS = 1.95m RD = 1.28m IS = 3.33n PB = 500m MJ = 624m CGSO = 4n CGBO = 0 CGDO = 490p CBD = 720p CBS = 0 V1 65 V V2 12 V R1 100 R2 1k R3 1k M1 FOO M2 8.983 V
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Schaltplan einer Buzzer-Schaltung mit MOSFET
+12V, C1, R2, P1 BUZZER, Q1, D, G, S, R1 10k, GND, D1, P2 BUZZER, Q2, R3 10k
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Schaltplan mit MOSFET und Bipolar-Transistor
MCPORT R2 220 Q1 IRLZ24 T1 BC547 LEDB +12V C1 47μ GND 1R4 R1
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Handgezeichneter Schaltplan mit Transistoren und MOSFET
+5V 10k 10k Q3 S P-Mos NPN G D 0-5V A 470R 470R PNP 10k 10k
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Schaltplan mit MOSFET und Bipolar-Transistor
J1 J2 Q1 ST901T 2 3 R11 470k R2 56k R5 22k R6 10k Q2 BC547 2 3 R3 50k C1 100µ C2 10µ D2 130V R4 470k C5 100µ
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Schaltplan einer analogen Schaltung mit MOSFETs
V1 dc=100 V2 dc=15 Chp Occ Chp I2 R11 r=(mos) Q13 NMOS D11 Q7 NMOS R19 r=3.33 R20 r=1000 V7 Q39 PMOS D22 R23 r=3.33 Q40 PMOS D27 C17 120p Q3 NMOS R25 r=200k Q22 R24 r=10k vin D Q21 R28 r=2k Q17 Q27 15V I1 B B B
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Schaltplan von Schutzschaltkreisen für MOSFETs
D7 D8 Vdd Bridge D2 D4 C1 C2 Receiver D9 D10 Vss D11 D12 Echo N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 D13 D14 (c) MOSFET Transducer Protection circuit architectures: a resistor, b bridge and c MOSFET protection circuits
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Schaltplan von Schutzschaltkreisen für MOSFETs
D7 D8 Vdd Bridge D2 D4 C1 C2 Receiver D9 D10 Vss D11 D12 Echo N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 D13 D14 (c) MOSFET Transducer Protection circuit architectures: a resistor, b bridge and c MOSFET protection circuits
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Schaltplan mit Solarpanels, MOSFET und Mikrocontroller
Connect to 5V PSU D3 G D S 10k Made in Taiwan CE RoHS
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Schaltplan mit MOSFET und Bipolar-Transistor
+13,8V R2 1 kOhm R3 4,7kOhm T2 S IRF4905 G D 15V D1 1N4007 Polyfuse 500mA zur Spule (Bias-T) T1 BC547 B E PTT-Taste
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Schaltplan einer Transistor-Schaltung mit MOSFET
+13,8V R2 4k7 R3 4,7kohm T2 S IRF4905 G D 15V D1 1IN4007 15R T1 BC547 B E PTT-Taste zur Spule (Bias-T)
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Schaltplan mit MOSFET und Bipolar-Transistor
+13,8V R2 4k7 R3 4,7kohm T2 S IRF4905 G D 4V7 15V D1 IN4007 T1 BC547 B E PTT-Taste zur Spule (Bias-T)
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Handgezeichneter Schaltplan mit MOSFET und Motor
4,1 Volt Motor M P Pumpe D1 D N-Channel Logik Level Mosfet IRLZ44N R2 390 Ohm GPIO R1 10k
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SPICE Schaltplan mit Operationsverstärker und MOSFET
VDD V1 10 R4 3k R1 1 C1 1n U1 OP1177 .lib opamp.sub V2 {Vref} M1 IRLML6402 100 R3 R2 500 .tran 1u .STEP PARAM Vref 0 10 0.5
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Leiterplatte eines Schaltnetzteils mit Elektrolytkondensatoren und MOSFETs
63v2700µF 63v2700µF 63v2700µF
